JPS61220460A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61220460A JPS61220460A JP60062527A JP6252785A JPS61220460A JP S61220460 A JPS61220460 A JP S61220460A JP 60062527 A JP60062527 A JP 60062527A JP 6252785 A JP6252785 A JP 6252785A JP S61220460 A JPS61220460 A JP S61220460A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 10
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は色フィルタを有する固体撮像素子を搭載した半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
従来の技術
従来の固体撮像装置について第3図を用いて説明する。
従来のカラー固体撮像装置は色フィルタ1を有する固体
撮像素子2が凹状セラミックパッケージ3のダイアタッ
チ部にダイスポンディングされ、金属細線にてワイヤボ
ンディングされた後、キャップ4を用いて例えばシーム
ウェルド法などで溶接され気密封止が成されるようにな
っている。
撮像素子2が凹状セラミックパッケージ3のダイアタッ
チ部にダイスポンディングされ、金属細線にてワイヤボ
ンディングされた後、キャップ4を用いて例えばシーム
ウェルド法などで溶接され気密封止が成されるようにな
っている。
キャップ4は表裏両面が光学研磨されたガラス板6の一
主面の外縁に金属枠体6が接着されている。この金属枠
体6は折シ曲げられた構造をもち、セラミックパッケー
ジ3のシールリング7に溶接されている。
主面の外縁に金属枠体6が接着されている。この金属枠
体6は折シ曲げられた構造をもち、セラミックパッケー
ジ3のシールリング7に溶接されている。
発明が解決しようとする問題点
従来構成のキャップを用いた固体撮像装置の問題点につ
いて第4図を用い以下に説明する。
いて第4図を用い以下に説明する。
セラミックパッケージ3に収納された固体撮像素子2の
表面から、キャップガラスの固体撮像素子に近接する側
との間に広い空間を生じている0これは金属枠体6゛の
上にガラス板5を搭載しているためにセラミックパッケ
ージ最上部であるシールリング7の上面よりさらに高い
ところにガラス板5が位置しているという構成から生じ
るものである。この場合、固体撮像装置としてはかさ高
いだけではなく、ガラス板5を通して入射された光は、
直下光8だけではなくて斜めからの入射光9やパッケー
ジ内部で乱反射した光1oとなって色フィルタ層1に入
射する。そのため色フィルタは確実に分離されず、隣接
する色フイルタ間で混色が生じる。
表面から、キャップガラスの固体撮像素子に近接する側
との間に広い空間を生じている0これは金属枠体6゛の
上にガラス板5を搭載しているためにセラミックパッケ
ージ最上部であるシールリング7の上面よりさらに高い
ところにガラス板5が位置しているという構成から生じ
るものである。この場合、固体撮像装置としてはかさ高
いだけではなく、ガラス板5を通して入射された光は、
直下光8だけではなくて斜めからの入射光9やパッケー
ジ内部で乱反射した光1oとなって色フィルタ層1に入
射する。そのため色フィルタは確実に分離されず、隣接
する色フイルタ間で混色が生じる。
例えばフィルタ絵素1−aに入った斜光9によって、絵
素1−bの緑(Green)に絵素1−aの赤(Red
)が混色し、色特性に悪影響を及ぼす。
素1−bの緑(Green)に絵素1−aの赤(Red
)が混色し、色特性に悪影響を及ぼす。
問題点を解決するための手段
本発明は従来のキャップ構成を変化させ、キャップ外縁
に形成した金属枠体の外寸がキャップガラスの外寸より
大きい状態で凹状にし、さらに不要な入射光をカットす
るために固体撮像素子に近接する側のガラス面に遮光膜
を設けたものである。
に形成した金属枠体の外寸がキャップガラスの外寸より
大きい状態で凹状にし、さらに不要な入射光をカットす
るために固体撮像素子に近接する側のガラス面に遮光膜
を設けたものである。
作 用
本発明のキャップ構造は凹状になっておシ、底面のガラ
ス板と固体撮像素子との隙間は軽減され、さらに凹状キ
ャップの側壁により斜めからの入射光も軽減される。
ス板と固体撮像素子との隙間は軽減され、さらに凹状キ
ャップの側壁により斜めからの入射光も軽減される。
実施例
本発明の一実施例における凹状ガラスキャップを用いた
カラー固体撮像装置の構成について、第1図、第2図を
用いて以下に説明する。ガラス板11の上面外縁部に金
属枠体12を搭載し凹状13にする。ガラス板11はセ
ラミックパッケージ14の凹部14−a内部へ入り込む
形状のものとする0前記ガラス板11の金属枠体12と
接する面と相反する面、すなわち固体撮像素子に近接す
る面の外縁にはあらかじめ固体撮像素子のホトダイオー
ド全域15(第2図参照)だけに光が入射するようにガ
ラス面を残して遮光膜16を形成しておく。なお遮光膜
16の開口部17は少なくとも前記金属枠体12の開口
部18よりも狭いものとする。これによるとガラス板1
1に入射した斜光19は遮光膜16によって反射され固
体撮像素子2゜上の色フィルタ層21には達しない。な
お22は固体撮像素ψ、23はシーリング、24は側壁
、26はキャップ、26は直下光、27は乱反射光であ
る。
カラー固体撮像装置の構成について、第1図、第2図を
用いて以下に説明する。ガラス板11の上面外縁部に金
属枠体12を搭載し凹状13にする。ガラス板11はセ
ラミックパッケージ14の凹部14−a内部へ入り込む
形状のものとする0前記ガラス板11の金属枠体12と
接する面と相反する面、すなわち固体撮像素子に近接す
る面の外縁にはあらかじめ固体撮像素子のホトダイオー
ド全域15(第2図参照)だけに光が入射するようにガ
ラス面を残して遮光膜16を形成しておく。なお遮光膜
16の開口部17は少なくとも前記金属枠体12の開口
部18よりも狭いものとする。これによるとガラス板1
1に入射した斜光19は遮光膜16によって反射され固
体撮像素子2゜上の色フィルタ層21には達しない。な
お22は固体撮像素ψ、23はシーリング、24は側壁
、26はキャップ、26は直下光、27は乱反射光であ
る。
以上のように実施例によれば、不要な斜光は遮光膜や凹
状キャップの側壁24すなわち金属枠体12によってカ
ットされ、直下光のみが入射する。
状キャップの側壁24すなわち金属枠体12によってカ
ットされ、直下光のみが入射する。
−また、ガラス裏面と固体撮像素子とのスキ間が軽減さ
れ固体撮像装置としての小型化がはかれる。
れ固体撮像装置としての小型化がはかれる。
さらにはガラス板がセラミックパッケージ内部へ入シ込
むことにより、封止の際のセラミックパッケージとキャ
ップとの位置合わせが容易で確実なものとなる。
むことにより、封止の際のセラミックパッケージとキャ
ップとの位置合わせが容易で確実なものとなる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、不要な入射光を有効にカ
ットできる固体撮像素子などの半導体装置を提供するこ
とができる。
ットできる固体撮像素子などの半導体装置を提供するこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例における凹状ガラスキャップ
を用いたカラー固体撮像装置の断面図、第2図はその要
部拡大断面図、第3図は従来のキャップを用いたカラー
固体撮像装置の断面図、第4図はその要部拡大断面図で
ある。 4・・・・・・キャップ、11・旧・・ガラス板、12
・川・・金属枠体、14・・・・・・セラミックパッケ
ージ、16・・・・・・ホトダイオード域、16・・・
・・・遮光膜、17・・・・・・遮光膜開口部、18・
・・・・・金属枠体開口部、21・・・・・・色フィル
タ、22・・・・・・固体撮像素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 ?5キャップ 第2図 第3図 第4図
を用いたカラー固体撮像装置の断面図、第2図はその要
部拡大断面図、第3図は従来のキャップを用いたカラー
固体撮像装置の断面図、第4図はその要部拡大断面図で
ある。 4・・・・・・キャップ、11・旧・・ガラス板、12
・川・・金属枠体、14・・・・・・セラミックパッケ
ージ、16・・・・・・ホトダイオード域、16・・・
・・・遮光膜、17・・・・・・遮光膜開口部、18・
・・・・・金属枠体開口部、21・・・・・・色フィル
タ、22・・・・・・固体撮像素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 ?5キャップ 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 凹部の底面に色フィルムを有する半導体素子が載置され
た支持体と、一主面の外縁に遮光膜が形成されるととも
に他面の外縁に金属枠体が形成されたガラス板を有し、
前記金属枠体の外寸が前記ガラス板の外寸よりも大きく
形成され、前記ガラス板の一主面を前記半導体素子の表
面に近接させ、かつ前記金属枠体の外縁を支持体凹部の
上面に固定したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60062527A JPS61220460A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60062527A JPS61220460A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61220460A true JPS61220460A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13202746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60062527A Pending JPS61220460A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61220460A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0307233A2 (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus |
KR100407407B1 (ko) * | 2001-11-20 | 2003-11-28 | 한국 고덴시 주식회사 | 칼라센서 |
JP2007014441A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Pentax Corp | 電子内視鏡用撮像素子パッケージ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54146986A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Hitachi Ltd | Package for semiconductor device |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60062527A patent/JPS61220460A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54146986A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Hitachi Ltd | Package for semiconductor device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0307233A2 (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus |
US5081347A (en) * | 1987-09-11 | 1992-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus with reflection-prevention section |
KR100407407B1 (ko) * | 2001-11-20 | 2003-11-28 | 한국 고덴시 주식회사 | 칼라센서 |
JP2007014441A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Pentax Corp | 電子内視鏡用撮像素子パッケージ |
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