JPH05275668A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPH05275668A
JPH05275668A JP6691792A JP6691792A JPH05275668A JP H05275668 A JPH05275668 A JP H05275668A JP 6691792 A JP6691792 A JP 6691792A JP 6691792 A JP6691792 A JP 6691792A JP H05275668 A JPH05275668 A JP H05275668A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
state image
light
bonding wire
theta1
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6691792A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3121100B2 (ja
Inventor
Masahiko Kadowaki
正彦 門脇
Akiya Izumi
章也 泉
Hideaki Abe
英明 阿部
Shigeharu Hatayama
重治 畑山
Kayao Takemoto
一八男 竹本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Device Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Device Engineering Co Ltd
Priority to JP6691792A priority Critical patent/JP3121100B2/ja
Publication of JPH05275668A publication Critical patent/JPH05275668A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3121100B2 publication Critical patent/JP3121100B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 ボンディングワイヤにおける光反射による映
像画像のゴースト発生をなくす。 【構成】 固体撮像素子１３と、この固体撮像素子１３
の光結像面２５に対向して配置される透明板１７と、前
記固体撮像素子の光結像面１５の周辺に形成された電極
と接続され該光結像面に対してθ1の角度方向で外方延
在するボンディングワイヤ１４を備える固体撮像装置に
おいて、ボンディングワイヤ１４の所定箇所の電極接続
部からの高さをｈ1、固体撮像素子の光結像面と透明板
との離間距離をＨ、ボンディングパッドの電極接続箇所
からの受光面の近方側距離をＬ0、ボンディングパッド
の電極接続箇所からの受光面の遠方側距離をＬ00とした
場合、０°≦θ1＜４５°のとき、ｈ＜４Ｈｓｉｎ2θ1
−Ｌ0ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1、θ1＝４５°のとき、ｈ≦
Ｈ、及び４５°＜θ1＜９０°のときと、θ1＝９０°の
ときのｈとＨの関係を与える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に係り、
特に、固体撮像素子の電極と外部取出用リードとの接続
を図るボンディングワイヤの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置は、複数のリードが支持さ
れたたとえば樹脂材あるいはセラミック材からなる筐体
内に固体撮像素子が組み込まれ、この固体撮像素子の各
電極と前記リードのそれぞれがたとえばアルミニウムあ
るいは金からなるボンディングワイヤによって接続され
ることにより該固体撮像素子の各電極を筐体外部に電気
的に取りだしている。
【０００３】なお、固体撮像素子の主表面は光結像面と
なっていることから、該固体撮像素子は筐体に形成され
た凹陥部内に配置されているとともに、該凹陥部は光透
過率の良好な透明板で閉塞されたものとなっている。
【０００４】このような固体撮像装置としては、たとえ
ば特開昭５４−１４６９８５号に詳細に記載されたもの
となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された固体撮像装置をカメラに搭載し、該固体
撮像装置に入射される光像を絞り装置によって絞った際
に、モニタ上に映像される画像にゴーストが発生するの
が観察された。
【０００６】このゴーストの発生原因としては、透明板
を介して入射された光がボンディングワイヤで反射し、
この反射光がさらに該透明板に反射して固体撮像素子の
光結像面に入射するからであることが判明した。
【０００７】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的とするところのもの
は、ボンディングワイヤにおける反射光が原因で映像画
像にゴーストを生じさせることのない固体撮像装置を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、固体撮像素子と、こ
の固体撮像素子の光結像面に対向して配置される透明板
と、前記固体撮像素子の光結像面の周辺に形成された電
極と接続され該光結像面に対してθ1の角度方向で外方
延在するボンディングワイヤを備える固体撮像装置にお
いて、ボンディングワイヤの所定箇所の電極接続部から
の高さをｈ、固体撮像素子の光結像面と透明板との離間
距離をＨ、ボンディングパッドの電極接続箇所からの受
光面の近方側距離をＬ00、ボンディングパッドの電極接
続箇所からの受光面の遠方側距離をＬ0とした場合、０
°≦θ1＜４５°のとき、ｈ＜４Ｈｓｉｎ2θ1−Ｌ0ｔａ
ｎθ1ｃｏｓ２θ1、θ1＝４５°のとき、ｈ≦Ｈ、４５
°＜θ1＜９０°のとき、ｈ＞−Ｌ0ｔａｎθ1ｃｏｓ２
θ1、またはｈ＜−Ｌ00ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1かつｈ＞
−４Ｈｓｉｎ2θ1−Ｌ0ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1、θ1＝９
０°のとき、ｈ≦Ｈが成立していることを特徴とするも
のである。
【０００９】
【作用】このように構成した固体撮像装置は、上述した
関係が成立している場合において、透明板を介して光が
ボンディングワイヤに照射され、その反射光が前記透明
板に入射し再び反射されても、その反射光は固体撮像素
子の受光面に入射されることなく該受光面外の領域に入
射されるようになる。
【００１０】このために、ボンディングワイヤにおける
反射光が原因で映像画像にゴーストを生じさせることは
なくなる。
【００１１】
【実施例】図３における（ａ）ないし（ｅ）は、本発明
が適用される固体撮像装置の一実施例を示す全体構成図
である。ここで、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、
（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線における断面図、（ｄ）は側
面図、（ｅ）は（ａ）のｅ−ｅ線における断面図であ
る。
【００１２】まず、たとえばセラミック材からなるパッ
ケージ１０があり、このパッケージ１０の主表面（光結
像面となる面）には凹陥部１１が形成されている。この
凹陥部１１の底面にはリードフレーム１２の一部が露呈
されている。
【００１３】すなわち、凹陥部１１の中央には、後述す
る固体撮像素子１３がダイボンデングされるダイアタッ
チ部１５があり、このダイアタッチ部１５の周辺にはイ
ンナーリード部１２Ｂと称されるリードフレーム１２の
各先端部が位置付けられている。
【００１４】この実施例では、インナーリード部１２Ｂ
は前記ダイアタッチ部１５を囲む四辺部のうち互いに対
向する二辺部にそれぞれ位置付けられている。
【００１５】該リードフレーム１２はその先端部である
インナーリード部１２Ｂからそのままパッケージ１０内
に延在され、該パッケージ１０外に突出してアウターリ
ード１２Ｃとなっている。
【００１６】リードフレーム１２のうち、そのダイアタ
ッチ部１５にはたとえば樹脂接着剤を介して固体撮像素
子１３がダイボンデングされている。
【００１７】この固体撮像素子１３の主表面には、イン
ナーリード部１２Ｂ側に電極が設けられ、これら各電極
は前記インナーリード１２Ｂとボンデングワイヤ１４を
介して電気的に接続されている。
【００１８】さらに、固体撮像素子１３が配置されたパ
ッケージ１０の凹陥部１１は、ガラス板１７によって塞
がれており、このガラス板１７を通して光像が固体撮像
素子１３に投影できるようにしているとともに、該固体
撮像素子１３を外部力から保護するようになっている。
【００１９】このような構成からなる固体撮像装置にお
いて、図４（ａ）に示すように、固体撮像素子１３の光
結像面に対するボンディングワイヤ１４の延在方向のな
す角度をθ1とする。ここで、ボンディングワイヤ１４
は通常直径２５〜３０μｍの細線であり固体撮像素子１
３に圧着して接着されるために、図４（ｂ）の拡大図に
示すように、圧着部分におけるボンディングワイヤの曲
率半径Ｒと固体撮像素子１３の光結像面からのワイヤ径
に相当する３０μｍまでに至る角度は無視して考えてい
る。
【００２０】ゴーストが発生する場合の光を平行光とし
て考えた場合、図４（ａ）に示すように、固体撮像素子
１３の光結像面に垂直に入射する光は入射角度θ1（ボ
ンディングワイヤの法線に対する角度）で入射するよう
になる。ボンディングワイヤ１４はアルミニウムあるい
は金からなる材料からなりかつ細線（約３０μｍ）であ
るためその反射面は鏡面として考えると、入射角度θ1
で入射された場合反射角度θ1で反射されることにな
る。
【００２１】ここで、この反射光が固体撮像素子１３の
光結像面に入射しないように、固体撮像素子１３の光結
像面に対するボンディングワイヤ１４の延在方向のなす
角度をθ1を設定することにより、本発明の目的が達成
できることになる。
【００２２】（１）．θ1＝４５°の場合 このようにした場合、ボンディングワイヤ１４からの反
射光は固体撮像素子１３の光結像面と平行に進むため、
該反射光は固体撮像素子１３に入射することは無くな
る。
【００２３】（２）．θ1＝０°、９０°の場合 このようにした場合、ボンディングワイヤ１４からの反
射光は固体撮像素子１３の光結像面に対して垂直に進む
ため、該反射光は固体撮像素子１３に入射することは無
くなる。
【００２４】（３）．０°＜θ1＜４５°の場合 図１（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ１４から
の反射光は透明板１７に入射角度２θ1で入射するよう
になる。通常においては、透明板１７での反射率は概ね
５％程度であるが、この透明板１７にて反射した光が固
体撮像素子１３の光結像面に入射角２θ1で入射しゴー
スト発生の原因となる。
【００２５】同図において、固体撮像素子１３の光結像
面と透明板１７面との離間距離をＨ、ボンディングパッ
ド２０のボンディング個所から最も遠い受光面（光結像
面のうち光信号として取り出せる領域）２５までの距離
をＬ0とする。この場合、透明板１７から反射した光を
固体撮像素子１３の光結像面に入射させないためには、
該結像面からのボンディングワイヤ１４の任意の高さｈ
と、先に定義したボンディングワイヤ１４と該結像面の
なす角度θ1に次の関係が成立することになる。
【００２６】 ｈ＜４Ｈｓｉｎ2θ1−Ｌ0ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1 ………（１） 上式（１）においてｈ≧０である。
【００２７】ここで、Ｈ＝１．２９ｍｍ、Ｌ0＝６．６
０ｍｍのときの角度θ1に対するｈの関係を図５に示
す。この図５において、斜線で示した範囲がゴーストの
発生を抑制できる範囲となる。この図５からすると、θ
1は３４．３°以上必要となり、角度を大きくするほど
ボンディングワイヤ１４の高さに裕度があることを示し
ている。一実施例として、θ1＝４０°、ｈ＝０．６９
ｍｍで構成した固体撮像装置においては、この固体撮像
装置による映像画像にゴーストが発生していないことが
認められた。
【００２８】（４）．４５°＜θ1＜９０°の場合 図２において、ボンディングワイヤ１４からの反射光は
固体撮像素子１３に角度（１８０°−２θ1）で入射す
る。また、この入射光は固体撮像素子１３の表面で反射
し、透明板に角度（１８０°−２θ1）で入射するた
め、この透明板１７で反射した光が再び固体撮像素子１
３に入射するようになる。さらに、同図において、固体
撮像素子１３の光結像面と透明板１７面との離間距離を
Ｈ、ボンディングパッド２０のボンディング個所から最
も遠い受光面（光結像面のうち光信号として取り出せる
領域）までの距離をＬ0、また最も近い受光面までの距
離をＬ00とする。
【００２９】この場合、ボンディングワイヤ１４で反射
しした光を受光面２５に入射させないためには、該結像
面からのボンディングワイヤ１４の任意の高さｈと、先
に定義したボンディングワイヤ１４と該結像面のなす角
度θ1に次の関係が成立することになる。
【００３０】 ｈ＞−Ｌ0ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1 ………（２） または、ｈ＜−Ｌ00ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1 かつ、 ｈ＞−４Ｈｓｉｎ2θ1−Ｌ0ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1 ………（３） 上式（２）においてｈ≧０である。
【００３１】ここで、Ｈ＝１．２９ｍｍ、Ｌ0＝６．６
０ｍｍ、Ｌ00＝０．５６ｍｍのときのｈとθ1との関係
を図６に示す。図６において、斜線で示した範囲がゴー
ストの発生を抑制できる範囲となる。
【００３２】以上説明した実施例による固体撮像装置に
よれば、上述した関係が成立している場合において、透
明板１７を介して光がボンディングワイヤ１４に照射さ
れ、その反射光が前記透明板１７に入射し再び反射され
ても、その反射光は固体撮像素子１３の受光面に入射さ
れることなく該受光面外の領域に入射されるようにな
る。
【００３３】このために、ボンディングワイヤ１４にお
ける反射光が原因で映像画像にゴーストを生じさせるこ
とはなくなる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による固体撮像装置によれば、映像画像にゴース
トを発生させることのないものを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による固体撮像装置の一実施例を示す説
明図で、固体撮像素子に対するボンディングワイヤの角
度が０°＜θ1＜４５°の場合を示す説明図である。
【図２】本発明による固体撮像装置の一実施例を示す説
明図で、固体撮像素子に対するボンディングワイヤの角
度が４５°＜θ1＜９０°の場合を示す説明図である。
【図３】（ａ）ないし（ｅ）は、本発明による固体撮像
装置の一実施例を示す全体構成図である
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明による固体撮像装置
の一実施例を示す説明図で、前提となる条件を定めるた
めの説明図である。
【図５】図１の場合において本発明が適用できる範囲
（斜線で示す部分）を示したグラフである。
【図６】図２の場合において本発明が適用できる範囲
（斜線で示す部分）を示したグラフである。
【符号の説明】
１３ 固体撮像素子 １４ ボンディングワイヤ ２０ ボンディングパッド ２５ 受光面
フロントページの続き (72)発明者 阿部 英明 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 畑山 重治 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 竹本 一八男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 固体撮像素子と、この固体撮像素子の光
    結像面に対向して配置される透明板と、前記固体撮像素
    子の光結像面の周辺に形成された電極と接続され該光結
    像面に対してθ1の角度方向で外方延在するボンディン
    グワイヤを備える固体撮像装置において、ボンディング
    ワイヤの所定箇所の電極接続部からの高さをｈ、固体撮
    像素子の光結像面と透明板との離間距離をＨ、ボンディ
    ングパッドの電極接続箇所からの受光面の近方側距離を
    Ｌ00、ボンディングパッドの電極接続箇所からの受光面
    の遠方側距離をＬ0とした場合、０°≦θ1＜４５°のと
    き、ｈ＜４Ｈｓｉｎ2θ1−Ｌ0ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1、
    θ1＝４５°のとき、ｈ≦Ｈ、４５°＜θ1＜９０°のと
    き、ｈ＞−Ｌ0ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1、またはｈ＜−Ｌ
    00ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1かつｈ＞−４Ｈｓｉｎ2θ1−Ｌ
    0ｔａｎθ1ｃｏｓ２θ1、θ1＝９０°のとき、ｈ≦Ｈが
    成立していることを特徴とする固体撮像装置。
JP6691792A 1992-03-25 1992-03-25 固体撮像装置 Expired - Fee Related JP3121100B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6691792A JP3121100B2 (ja) 1992-03-25 1992-03-25 固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6691792A JP3121100B2 (ja) 1992-03-25 1992-03-25 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05275668A true JPH05275668A (ja) 1993-10-22
JP3121100B2 JP3121100B2 (ja) 2000-12-25

Family

ID=13329811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6691792A Expired - Fee Related JP3121100B2 (ja) 1992-03-25 1992-03-25 固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3121100B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110661940A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 半导体元件工业有限责任公司 具有深度检测的成像系统及操作该成像系统的方法
KR20210098523A (ko) 2018-12-12 2021-08-10 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 광 검출 장치
US11513002B2 (en) 2018-12-12 2022-11-29 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device having temperature compensated gain in avalanche photodiode
US11901379B2 (en) 2018-12-12 2024-02-13 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110661940A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 半导体元件工业有限责任公司 具有深度检测的成像系统及操作该成像系统的方法
KR20210098523A (ko) 2018-12-12 2021-08-10 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 광 검출 장치
DE112019006185T5 (de) 2018-12-12 2021-09-02 Hamamatsu Photonics K.K. Lichtdetektionsvorrichtung
US11513002B2 (en) 2018-12-12 2022-11-29 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device having temperature compensated gain in avalanche photodiode
US11561131B2 (en) 2018-12-12 2023-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Determination method and light detection device
US11901379B2 (en) 2018-12-12 2024-02-13 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector
US11927478B2 (en) 2018-12-12 2024-03-12 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3121100B2 (ja) 2000-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6784409B2 (en) Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
US5418566A (en) Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics
JPH07202152A (ja) 固体撮像装置
EP1443754A2 (en) Camera module and manufacturing method thereof
JP2987455B2 (ja) 固体撮像装置
US7154156B2 (en) Solid-state imaging device and method for producing the same
US20090097087A1 (en) Micromechanical sensor- or actuator component and method for the production of micromechanical sensor- or actuator components
JPH09102896A (ja) 電子内視鏡の撮像素子組付け体
JP3364574B2 (ja) 内視鏡用撮像装置
US9111827B2 (en) Manufacturing method of solid-state imaging apparatus, solid-state imaging apparatus, and electronic imaging apparatus
US20060102923A1 (en) Optical element housing package
JP2001111873A (ja) 撮像装置及びカメラシステム
JP4178890B2 (ja) 固体撮像装置
JPH05275668A (ja) 固体撮像装置
JPS61134187A (ja) 固体撮像デバイス
JPH0728014B2 (ja) 固体撮像装置
JPH08116042A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2003188366A (ja) 固体撮像装置及び固体撮像カメラ
JP3186965B2 (ja) 電子内視鏡用カメラヘッド装置
JP2666299B2 (ja) 固体撮像装置
JPH09199701A (ja) 固体撮像装置
JPH0786551A (ja) 可撓性薄膜基板を有する電子デバイス
JPH0621415A (ja) 固体撮像装置
JP2545899B2 (ja) 固体撮像装置とその製造方法
JP2538556B2 (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071020

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees