JPS61222384A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS61222384A JPS61222384A JP60062522A JP6252285A JPS61222384A JP S61222384 A JPS61222384 A JP S61222384A JP 60062522 A JP60062522 A JP 60062522A JP 6252285 A JP6252285 A JP 6252285A JP S61222384 A JPS61222384 A JP S61222384A
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- lead frame
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- image pickup
- semiconductor element
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置および半導体メモリ等の半導体装
置とその製造方法に関する。
置とその製造方法に関する。
従来の技術
従来のDILセラミックパッケージを用い、ガラスフィ
ルタ接着型カラー固体撮像素子を収納した場合の半導体
装置について第3図を用いて以下に説明する。
ルタ接着型カラー固体撮像素子を収納した場合の半導体
装置について第3図を用いて以下に説明する。
従来のカラー固体撮像装置は固体撮像素子1上に遮光パ
ターンおよびカラーフィルタを有するガラスフィルタ2
を搭載したカラー固体撮像素子3をDILセラミックパ
ッケージ4に収納し、透明基板6を備えたキャップ6を
用いて封止する。
ターンおよびカラーフィルタを有するガラスフィルタ2
を搭載したカラー固体撮像素子3をDILセラミックパ
ッケージ4に収納し、透明基板6を備えたキャップ6を
用いて封止する。
この場合の封止方法は、透明基板6の外縁に金属枠体7
を備えておき、セラミックパッケージ最上部であるシー
ルリング8と例えばシームウェルド法で溶接し、気密封
止を行う。
を備えておき、セラミックパッケージ最上部であるシー
ルリング8と例えばシームウェルド法で溶接し、気密封
止を行う。
セラミックパッケージ4は積層していく構造をもち、凹
状を有しているために、該凹部にカラー固体撮像素子3
がすっかり入り込む。シールリング8上に搭載されたキ
ャップ6の透明基板6(例えばガラス板)は金属枠体7
上に搭載されているため前記カラー固体撮像素子より非
常に離れたところに位置している。そしてそのためにカ
ラー固体撮像装置として大変かさ高くなっている。また
、セラミックパッケージ4は内部リード9(電極引出し
リード)、外部リード10、ダイアタッチ部11、シー
ルリング部8等に例えば金メッキをしているため大変コ
スト高である。
状を有しているために、該凹部にカラー固体撮像素子3
がすっかり入り込む。シールリング8上に搭載されたキ
ャップ6の透明基板6(例えばガラス板)は金属枠体7
上に搭載されているため前記カラー固体撮像素子より非
常に離れたところに位置している。そしてそのためにカ
ラー固体撮像装置として大変かさ高くなっている。また
、セラミックパッケージ4は内部リード9(電極引出し
リード)、外部リード10、ダイアタッチ部11、シー
ルリング部8等に例えば金メッキをしているため大変コ
スト高である。
問題点を解決するための手段
本発明は従来のセラミックパッケージに替わって樹脂モ
ールドパッケージ法で半導体装置を製造するものである
。
ールドパッケージ法で半導体装置を製造するものである
。
作 用
リードフレーム上に固体撮像素子を搭載し、該固体撮像
素子のカラー化においてオンチップフィルタ法の場合に
は透明基材(例えばガラス板)を、またフィルタ接着法
の場合にはフィルタガラスを、従来のキャップガラスと
して用い、その周辺をモールド樹脂で保護することで小
型化をはかるとともにカラー固体撮像装置として低コス
ト化をはかる。
素子のカラー化においてオンチップフィルタ法の場合に
は透明基材(例えばガラス板)を、またフィルタ接着法
の場合にはフィルタガラスを、従来のキャップガラスと
して用い、その周辺をモールド樹脂で保護することで小
型化をはかるとともにカラー固体撮像装置として低コス
ト化をはかる。
実施例
本発明の一実施例である半導体装置について第1図のカ
ラー固体撮像装置の概念図を用いて以下に説明する0透
明基板もしくは該一部に遮光ノくターンを形成した透明
基板6を有する固体撮像素子1をリードフレーム12上
に設置し、透明基板もしくは該一部に遮光パターンを形
成した透明基板6の上面に開口部18を設けるべく、透
明基板もしくは一部に遮光パターンを形成した透明基板
6の外縁を含み、半導体素子およびリードフレームの一
部を樹脂19で形成するものである0次に本発明による
半導体装置の製造方法について第2図を用いて説明する
0リードフレーム12上に固体撮像素子1をダイスボン
ドする工程を第2図(−)に示す0次に固体撮像素子の
電極13とリードフレームの電極引出しリード14を金
属細線15を用いてワイヤボンドする工程を第2図(b
)に示す。
ラー固体撮像装置の概念図を用いて以下に説明する0透
明基板もしくは該一部に遮光ノくターンを形成した透明
基板6を有する固体撮像素子1をリードフレーム12上
に設置し、透明基板もしくは該一部に遮光パターンを形
成した透明基板6の上面に開口部18を設けるべく、透
明基板もしくは一部に遮光パターンを形成した透明基板
6の外縁を含み、半導体素子およびリードフレームの一
部を樹脂19で形成するものである0次に本発明による
半導体装置の製造方法について第2図を用いて説明する
0リードフレーム12上に固体撮像素子1をダイスボン
ドする工程を第2図(−)に示す0次に固体撮像素子の
電極13とリードフレームの電極引出しリード14を金
属細線15を用いてワイヤボンドする工程を第2図(b
)に示す。
次に固体撮像素子と近接する面にカラーフィルタを備え
たガラスフィルタ2を位置合わせの後接着剤16を介し
て装着する。該工程を第2図(C)に示す。
たガラスフィルタ2を位置合わせの後接着剤16を介し
て装着する。該工程を第2図(C)に示す。
次に固体撮像素子1のホトダイオード部17全域のみに
光が入射するよう前記フィルタガラス2のガラス上面に
開口部18を設けて、前記ガラス上面の0周辺部および
側面部、さらに素子周辺部をモールド樹脂19形成で保
護する。該工程を第2図(−に示す。
光が入射するよう前記フィルタガラス2のガラス上面に
開口部18を設けて、前記ガラス上面の0周辺部および
側面部、さらに素子周辺部をモールド樹脂19形成で保
護する。該工程を第2図(−に示す。
このようにして本実施例の半導体装置が得られる。
なお実施例ではカラー固体撮像装置を例に説明したが、
カラー固体撮像装置のみならず白黒固体撮像装置、半導
体メモリ、受光、発光用半導体素子を用いてもよい。
カラー固体撮像装置のみならず白黒固体撮像装置、半導
体メモリ、受光、発光用半導体素子を用いてもよい。
発明の効果
−A−wa旧/Fl+シIJ停士ハ凹産よ甲丸を田什爆
侵装置の小型化および低コスト化が図れる。またカラー
固体撮像装置のみならず白黒固体撮像装置、半導体メモ
リ等受光・発光用半導体装置の実装方法としてすぐれた
効果を得ることは言うまでもない0
侵装置の小型化および低コスト化が図れる。またカラー
固体撮像装置のみならず白黒固体撮像装置、半導体メモ
リ等受光・発光用半導体装置の実装方法としてすぐれた
効果を得ることは言うまでもない0
第1図は本発明の一実施例におけるカラー固体撮像装置
の斜視図、第2図は本実施例のカラー固体撮像装置の製
造方法を説明するための図、第3図は従来のDILセラ
ミックパッケージ型半導体装置の断面斜視図である。 1・・・・・・固体撮像素子、2・・・・・・ガラスフ
ィルタ、6・・・・・・透明基板、9・・・・・・電極
引出リード、12・・・・・・リードフレーム、13・
・・・・・素子電極、14・・・・・・電極引出しリー
ド、16・・・・・・金属細線、16・・・・・・接着
剤、18・・・・・・開口部、19・・・・・・モール
ド樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
111 1%2図 (a−) (b) 12 ソートブレーム 第2図 (Cン (cL) 第3図 O ダト部リード
の斜視図、第2図は本実施例のカラー固体撮像装置の製
造方法を説明するための図、第3図は従来のDILセラ
ミックパッケージ型半導体装置の断面斜視図である。 1・・・・・・固体撮像素子、2・・・・・・ガラスフ
ィルタ、6・・・・・・透明基板、9・・・・・・電極
引出リード、12・・・・・・リードフレーム、13・
・・・・・素子電極、14・・・・・・電極引出しリー
ド、16・・・・・・金属細線、16・・・・・・接着
剤、18・・・・・・開口部、19・・・・・・モール
ド樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
111 1%2図 (a−) (b) 12 ソートブレーム 第2図 (Cン (cL) 第3図 O ダト部リード
Claims (3)
- (1)主面に透明基板を有する半導体素子をリードフレ
ーム上に設置し、前記透明基板の外縁を含み半導体素子
およびリードフレームの一部を樹脂で覆ったことを特徴
とする半導体装置。 - (2)透明基板が、一部に遮光パターンを有することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 - (3)リードフレームの上に半導体素子をダイスボンド
する工程と、前記半導体素子の各電極とリードフレーム
の電極引出しリードとをワイヤボンドにより接続する工
程と、前記半導体素子上に透明基板もしくは一部に遮光
パターンを形成した透明基板を搭載する工程と、前記透
明基板もしくは一部に接着剤を介して遮光パターンを形
成した透明基板の前記半導体素子に面する側と相反する
面を露出し、樹脂モールドする工程とを備えてなる半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60062522A JPS61222384A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60062522A JPS61222384A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61222384A true JPS61222384A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13202600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60062522A Pending JPS61222384A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61222384A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63290472A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
FR3029687A1 (fr) * | 2014-12-09 | 2016-06-10 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Procede de fabrication de dispositifs electroniques et dispositif electronique a double anneau d'encapsulation |
JP2019519087A (ja) * | 2016-03-12 | 2019-07-04 | ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッド | アレイ撮像モジュール及び成形感光性アセンブリ、並びに電子機器向けのその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60062522A patent/JPS61222384A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63290472A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
FR3029687A1 (fr) * | 2014-12-09 | 2016-06-10 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Procede de fabrication de dispositifs electroniques et dispositif electronique a double anneau d'encapsulation |
US9472692B2 (en) | 2014-12-09 | 2016-10-18 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Process of fabrication of electronic devices and electronic device with a double encapsulation ring |
JP2019519087A (ja) * | 2016-03-12 | 2019-07-04 | ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッド | アレイ撮像モジュール及び成形感光性アセンブリ、並びに電子機器向けのその製造方法 |
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