JPS61222384A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPS61222384A
JPS61222384A JP60062522A JP6252285A JPS61222384A JP S61222384 A JPS61222384 A JP S61222384A JP 60062522 A JP60062522 A JP 60062522A JP 6252285 A JP6252285 A JP 6252285A JP S61222384 A JPS61222384 A JP S61222384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent substrate
lead frame
filter
image pickup
semiconductor element
Prior art date
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Pending
Application number
JP60062522A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiko Yasuda
安田 美子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は固体撮像装置および半導体メモリ等の半導体装
置とその製造方法に関する。
従来の技術 従来のDILセラミックパッケージを用い、ガラスフィ
ルタ接着型カラー固体撮像素子を収納した場合の半導体
装置について第3図を用いて以下に説明する。
従来のカラー固体撮像装置は固体撮像素子1上に遮光パ
ターンおよびカラーフィルタを有するガラスフィルタ2
を搭載したカラー固体撮像素子3をDILセラミックパ
ッケージ4に収納し、透明基板6を備えたキャップ6を
用いて封止する。
この場合の封止方法は、透明基板6の外縁に金属枠体7
を備えておき、セラミックパッケージ最上部であるシー
ルリング8と例えばシームウェルド法で溶接し、気密封
止を行う。
セラミックパッケージ4は積層していく構造をもち、凹
状を有しているために、該凹部にカラー固体撮像素子3
がすっかり入り込む。シールリング8上に搭載されたキ
ャップ6の透明基板6(例えばガラス板)は金属枠体7
上に搭載されているため前記カラー固体撮像素子より非
常に離れたところに位置している。そしてそのためにカ
ラー固体撮像装置として大変かさ高くなっている。また
、セラミックパッケージ4は内部リード9(電極引出し
リード)、外部リード10、ダイアタッチ部11、シー
ルリング部8等に例えば金メッキをしているため大変コ
スト高である。
問題点を解決するための手段 本発明は従来のセラミックパッケージに替わって樹脂モ
ールドパッケージ法で半導体装置を製造するものである
作  用 リードフレーム上に固体撮像素子を搭載し、該固体撮像
素子のカラー化においてオンチップフィルタ法の場合に
は透明基材(例えばガラス板)を、またフィルタ接着法
の場合にはフィルタガラスを、従来のキャップガラスと
して用い、その周辺をモールド樹脂で保護することで小
型化をはかるとともにカラー固体撮像装置として低コス
ト化をはかる。
実施例 本発明の一実施例である半導体装置について第1図のカ
ラー固体撮像装置の概念図を用いて以下に説明する0透
明基板もしくは該一部に遮光ノくターンを形成した透明
基板6を有する固体撮像素子1をリードフレーム12上
に設置し、透明基板もしくは該一部に遮光パターンを形
成した透明基板6の上面に開口部18を設けるべく、透
明基板もしくは一部に遮光パターンを形成した透明基板
6の外縁を含み、半導体素子およびリードフレームの一
部を樹脂19で形成するものである0次に本発明による
半導体装置の製造方法について第2図を用いて説明する
0リードフレーム12上に固体撮像素子1をダイスボン
ドする工程を第2図(−)に示す0次に固体撮像素子の
電極13とリードフレームの電極引出しリード14を金
属細線15を用いてワイヤボンドする工程を第2図(b
)に示す。
次に固体撮像素子と近接する面にカラーフィルタを備え
たガラスフィルタ2を位置合わせの後接着剤16を介し
て装着する。該工程を第2図(C)に示す。
次に固体撮像素子1のホトダイオード部17全域のみに
光が入射するよう前記フィルタガラス2のガラス上面に
開口部18を設けて、前記ガラス上面の0周辺部および
側面部、さらに素子周辺部をモールド樹脂19形成で保
護する。該工程を第2図(−に示す。
このようにして本実施例の半導体装置が得られる。
なお実施例ではカラー固体撮像装置を例に説明したが、
カラー固体撮像装置のみならず白黒固体撮像装置、半導
体メモリ、受光、発光用半導体素子を用いてもよい。
発明の効果 −A−wa旧/Fl+シIJ停士ハ凹産よ甲丸を田什爆
侵装置の小型化および低コスト化が図れる。またカラー
固体撮像装置のみならず白黒固体撮像装置、半導体メモ
リ等受光・発光用半導体装置の実装方法としてすぐれた
効果を得ることは言うまでもない0
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例におけるカラー固体撮像装置
の斜視図、第2図は本実施例のカラー固体撮像装置の製
造方法を説明するための図、第3図は従来のDILセラ
ミックパッケージ型半導体装置の断面斜視図である。 1・・・・・・固体撮像素子、2・・・・・・ガラスフ
ィルタ、6・・・・・・透明基板、9・・・・・・電極
引出リード、12・・・・・・リードフレーム、13・
・・・・・素子電極、14・・・・・・電極引出しリー
ド、16・・・・・・金属細線、16・・・・・・接着
剤、18・・・・・・開口部、19・・・・・・モール
ド樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第 
111 1%2図 (a−) (b) 12 ソートブレーム 第2図 (Cン (cL) 第3図 O ダト部リード

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)主面に透明基板を有する半導体素子をリードフレ
    ーム上に設置し、前記透明基板の外縁を含み半導体素子
    およびリードフレームの一部を樹脂で覆ったことを特徴
    とする半導体装置。
  2. (2)透明基板が、一部に遮光パターンを有することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
  3. (3)リードフレームの上に半導体素子をダイスボンド
    する工程と、前記半導体素子の各電極とリードフレーム
    の電極引出しリードとをワイヤボンドにより接続する工
    程と、前記半導体素子上に透明基板もしくは一部に遮光
    パターンを形成した透明基板を搭載する工程と、前記透
    明基板もしくは一部に接着剤を介して遮光パターンを形
    成した透明基板の前記半導体素子に面する側と相反する
    面を露出し、樹脂モールドする工程とを備えてなる半導
    体装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63290472A (ja) * 1987-05-22 1988-11-28 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
FR3029687A1 (fr) * 2014-12-09 2016-06-10 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Procede de fabrication de dispositifs electroniques et dispositif electronique a double anneau d'encapsulation
JP2019519087A (ja) * 2016-03-12 2019-07-04 ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッド アレイ撮像モジュール及び成形感光性アセンブリ、並びに電子機器向けのその製造方法

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JP2019519087A (ja) * 2016-03-12 2019-07-04 ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッド アレイ撮像モジュール及び成形感光性アセンブリ、並びに電子機器向けのその製造方法

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