JPS63240078A - 受光型半導体装置 - Google Patents

受光型半導体装置

Info

Publication number
JPS63240078A
JPS63240078A JP62075104A JP7510487A JPS63240078A JP S63240078 A JPS63240078 A JP S63240078A JP 62075104 A JP62075104 A JP 62075104A JP 7510487 A JP7510487 A JP 7510487A JP S63240078 A JPS63240078 A JP S63240078A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wall
semiconductor chip
window material
receiving section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62075104A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kondo
隆 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62075104A priority Critical patent/JPS63240078A/ja
Publication of JPS63240078A publication Critical patent/JPS63240078A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、受光型半導体装置のパッケージング技術の
改良に関するものである。
〔従来の技術〕
受光型半導体装置としては、固体撮像素子やフォトディ
テクタ、それにＥＰＲＯＭなどがあるが、第３図は、こ
のような受光型半導体装置の一例としての固体撮像素子
の従来例を示す断面図である。
図において、１は光電変換機能を有する半導体チップ、
２は半導体チップ１の光センサ領域、２ａは光センサ領
域２の受光部、３は受光部２ａの上方に配置されて入射
する光を受光部２ａへ導入するための透光用窓材であり
、この透光用窓材３としては、透光性を有する材料を化
学的に処理しである程度の強度を付与したもの、例えば
、ホウ硅酸ガラスなどが用いられる。４は封止材であっ
て、透明樹脂または、黒色塗料を含んだ不透明樹脂で形
成されており、典型的にはエポキシ樹脂が使用されてい
る。５は半導体チップ１と透光用窓材３との間に充填さ
れたシリコンなどの硬質の透明樹脂である。このような
透明樹脂５が設けられているのは、 ■遠用光窓材３は硬質の材料で形成されているため、通
用光窓材３を半導体チップ１に接触させると、ストレス
が半導体チップ１の表面に加わって半導体チップ１に悪
影響が生ずること、■半導体チップ１と透光用窓材３と
の間に単に空間を設けただけでは、封止材４がこの空間
中に侵入して受光部２ａを覆ってしまうこと、などの理
由によ□る。
６は半導体チップ１の上面のうち受光部２ａ以外の領域
に蒸着などによって設けられた厚さ１μｍ程度のアルミ
などの遮光用薄膜であり、これは、半導体ブップ１の受
光部２ａ以外の領域に光が入射して半導体チップ１が誤
動作してしまうことを防止する目的で設けられている。
７は樹脂や半田などの接着層８によって半導体チップ１
に接着固定されたリードフレーム、９はリードフレーム
７と一体に形成されて、半導体チップ１の光電変換出力
を封止材４の外部へ取出するための外部り一ド、１０は
半導体チップ１の電極１３と外部り一ド９とを電気的に
結合する布線であり、金や銅、それにアルミなどの細線
を被覆して形成されたものが用いられる。
次に動作について説明する。この固体撮像素子は、外部
からの光を透光用窓材３を通して内部へと導入する。そ
して、透光用窓材３から導入された光のうち、半導体チ
ップ１の受光部２ａに入射した光は、この半導体チップ
１で光電変換され、この光電変換出力が布線１０を介し
て外部リード９へと与えられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の固体Ｉｌ像素子は以上のようなパッケージング技
術によって構成されているので、半導体チップ１の上面
のうち受光部２ａ以外の領域に遮光用薄！Ｉ１６を設け
ることが必要である。ところが、遮光用ｉ１［１１６を
蒸着などによって形成しようとするとかなりの時間がか
かるため、固体撮像素子の製造コストが高くなるほか、
量産性も乏しいという問題点があった。
また、透光用窓材３より導入された光は、透明樹脂５を
介して半導体チップ１の受光部２ａに入射するため、こ
の透明樹脂５による光反射や光吸収の影響を最小限にし
て光の入射効率を上げるためには、透光用窓材３や透明
樹脂５として、透明度がかなり大きなものを使用しなけ
れ°ばならず、これらの材質が極めてＩＩＪ約されてし
まうという問題もある。
さらに、半導体チップ１の受光部２ａにカラーフィルタ
を設けた場合には、透明樹脂５がカラーフィルタとの接
触により化学的反応を起こして劣化するなどの問題点も
あった。
そして、このような問題は、固体撮像素子に限らず、受
光型半導体装置全般に共通する問題となっている。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、製造コストが低減でき、量産性も高く、かつ
、透光用窓材などの材質を特に厳しく制約しなくとも光
が効率よく半導体チップの受光部に入射されて光特性が
向上するとともに、カラーフィルタなどを使用した場合
においても劣化のない受光型半導体装置を得ることを目
的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る受光型半導体装置では、半導体チップの
受光部の周囲に遮光性を有する壁を設け、この壁の上端
と密着させて透光用窓材を配置するとともに、受光型半
導体装置の封止材としてを遮光性を有する材料が用いら
れている。
〔作用〕
この発明における受光型半導体装置は、半導体チップの
受光部以外の領域の遮光が封止材と受光部の周囲に設け
た壁とでなされ、また、この壁の上端に透光用意材を配
置することにより受光部と透光用窓材との間に空間を形
成して、透光用窓材が受光部と接触することを防止する
。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、この発明の一実施例である固体１１１１素子
を示す断面図、第２図は第１図の主要部の平面図である
。ただし、ここでは、第３図に示した従来の固体Ｉｌ像
素子と異なる点についてのみ説明する。
第１図および第２図において、１１は半導体チップ１の
受光部２ａの周囲に設けられた壁である。
この壁１１は、炭素粉末を混合して遮光性を付与された
シリコンゴムを５μ扉から４０μｍ程度の肉厚としたも
のであって、スクリーン印刷技術、あるいは、写真製版
技術などにより、ウェハ状態での複数の半導体チップ１
のそれぞれについて、受光部２ａの外周端部に一括して
設けられる。そして、この壁１１の上端に透光用窓材３
が密着して配置され、これによって、受光部２ａと透光
用窓材３との間に空間１２が形成される。
一方、封止材４の材料としては、黒色塗料を混合して遮
光性を付与されたエポキシ樹脂などが用いられ、この封
止材４は、゛ト導体チップ１の上面のうち、壁１１の外
部領域を覆っている。
また、この実施例の固体ｍ画素子は、内部に封止された
リードフレーム７より下部の厚さ八と上部の厚さＢとの
比Ａ／Ｂが１／２程度とされている。すなわち、これに
よって封止材４のソリが防止され、透光用窓材３へのス
トレスなどが最小となるからである。ただし、この厚さ
の比Ａ／Ｂは上記の値に限定されるものでなく、固体ｍ
画素子を構成する各部材のサイズや材料に応じて予め実
験によって最適値が決定されるものである。
このようにして構成した固体搬像素子の動作は、従来の
固体ｍ画素子の動作とほぼ同様であるが、光は透光用窓
材３から空間１２を介して受光部２ａに到着するという
点が異なる。そして、半導体チップ１の受光部２ａと透
光用窓材３とが空間１２により隔てられることになるた
め、受光部２ａと透光用窓材３との間に光の透過性を弱
める透明樹脂５（第３図）などを設ける必要がない。
従って、透光用窓材３として特に厳選された材料を使用
しなくても光を効率よく受光部２ａに入射させることが
できるとともに、受光部２ａにカラーフィルタを設けた
場合にも劣化が起こることもない。また、半導体チップ
１の受光部２ａ以外の領域は、封止材４と壁１１とによ
って遮光されるため、従来の固体Ｐｉ像素子に使用され
るような複雑な遮光薄膜の形成が不要であって、製造コ
ストを下げることができるとともに、量産性が向上する
。
以上のような構成と作用とを有するこの固体搬像素子は
、次のようにして製造することができる。
まず、ウェハ状態での半導体チップ１に対して上述した
壁１１を形成し、このウェハを切断して個々の半導体チ
ップ１とする。この半導体チップ１は、センサ領域２の
周囲に、増幅回路や演算回路などを含んだ回路領域１４
を有している。電極１３の形成などは従来と同様に行な
われている。
次に、個々チップへと切断された半導体チップ１をリー
ドフレーム７に固定し、布線１０などの接続を行なう。
そして、壁１１の上に透光用窓材３を位置決めし、これ
らを金型（図示せず）内に納める。その際、金型によっ
て支持された外部リード９よりも低い位δまでリードフ
レーム７を決めておけば、リードフレーム７の弾性によ
って、半導体チップ１と壁１１との接触面、および壁１
１と透光用窓材３との間の接触面に圧力が加わる。
したがって、壁１１としである程度の弾性および表面の
平滑性を右するものを用いれば、これらの接触面は気密
面となる。
そして、この状態において金型内に封止材４を導入する
と各部材がこの封止材４によって封止されるが、上記気
密面で囲まれた空間１２には封止材４は流入しない。そ
の結果、この空間１２が中空状態を維持したままで、封
止によるパッケージングが実現される。
なお、上記実施例では壁１１をシリコンゴムで成形した
が、これに限定するものではなく、ポリイミド樹脂に遮
光性を付与したものを使用したり、遮光性を有するシー
トを貼付けて形成したものなどであってもかまわない。
また、透光用窓材３の選択の自由度が高まることから、
この透光用窓材３として赤外線カットフィルタガラスを
使用することもできる。もちろん、１１１を受光部２ａ
の周囲に形成するプロセスが実施例のものに制限される
わけではない。
さらに、この発明は固体ｍ画素子に限らず、紫外線消去
形読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）やフォトディテク
タなどのように、受光部に入射する光によって所定の動
作を行なう半導体チップが組込まれた受光型半導体装胃
全般に適用可能である。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、受光型半導体装置に
組み込まれる半導体チップの受光部の周囲に遮光性を有
する壁を設け、この壁の上端と密着させて透光用窓材を
配置するととともに、受光型半導体装置の封止材として
遮光性を有する材料をを用いることによって、製造コス
トが低減でき、量産性も高く、かつ、透光用窓材の材料
を特に厳しく制約しなくとも光が効率よく半導体チップ
の受光部に入射されて光特性が向上するとともに、カラ
ーフィルタを使用した場合にも劣化の起こらない受光型
半導体装置を得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例としての固体撮像素子を示
す断面図、第２図は実施例の主要部の平面図、第３図は
従来の固体撮像素子を示す断面図である。 図において、１は半導体チップ、２ａは受光部、３は透
光用窓材、４は封止材、１１は壁である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）受光部に入射した光によって所定の動作を行なう
    半導体チップと、前記受光部の上方に配置された透光用
    窓材とが、所定の封止材で封止された受光型半導体装置
    であつて、前記受光部の周囲に遮光性を有する壁が設け
    られ、前記透光用窓材が前記壁の上端と密着して配置さ
    れるとともに、前記封止材として遮光性を有する材料が
    用いられたことを特徴とする受光型半導体装置。
JP62075104A 1987-03-27 1987-03-27 受光型半導体装置 Pending JPS63240078A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62075104A JPS63240078A (ja) 1987-03-27 1987-03-27 受光型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62075104A JPS63240078A (ja) 1987-03-27 1987-03-27 受光型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63240078A true JPS63240078A (ja) 1988-10-05

Family

ID=13566528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62075104A Pending JPS63240078A (ja) 1987-03-27 1987-03-27 受光型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63240078A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01164073A (ja) * 1987-09-11 1989-06-28 Canon Inc 光電変換装置
JPH0527726U (ja) * 1991-09-18 1993-04-09 三洋電機株式会社 表示装置
US5534725A (en) * 1992-06-16 1996-07-09 Goldstar Electron Co., Ltd. Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
WO1999049514A1 (de) * 1998-03-25 1999-09-30 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optoelektronische baugruppe
EP1041628A2 (en) * 1999-03-29 2000-10-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw An image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
US6368898B1 (en) 1996-01-17 2002-04-09 Sony Corporation Solid-state image sensing device
JP2002141518A (ja) * 2000-10-30 2002-05-17 Seiko Instruments Inc 半導体モジュールの構造および製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01164073A (ja) * 1987-09-11 1989-06-28 Canon Inc 光電変換装置
JPH0527726U (ja) * 1991-09-18 1993-04-09 三洋電機株式会社 表示装置
US5534725A (en) * 1992-06-16 1996-07-09 Goldstar Electron Co., Ltd. Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
US6368898B1 (en) 1996-01-17 2002-04-09 Sony Corporation Solid-state image sensing device
US6399995B1 (en) 1996-01-17 2002-06-04 Sony Corporation Solid state image sensing device
WO1999049514A1 (de) * 1998-03-25 1999-09-30 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optoelektronische baugruppe
EP1041628A2 (en) * 1999-03-29 2000-10-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw An image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
EP1041628A3 (en) * 1999-03-29 2008-05-28 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw An image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
JP2002141518A (ja) * 2000-10-30 2002-05-17 Seiko Instruments Inc 半導体モジュールの構造および製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9905597B2 (en) Sensor package structure
KR20090017961A (ko) 화상센서 패키지 및 그 형성 방법
JP2002076154A (ja) 半導体装置
JP2008016693A (ja) 固体撮像素子の封止方法
JPS63240078A (ja) 受光型半導体装置
US20070034784A1 (en) Photosensitive device that easily achieves a required photosensitive response
JP5996328B2 (ja) 半導体デバイス
JP2002016194A (ja) 半導体装置
JPS62190776A (ja) 光電変換装置
JPH05343655A (ja) 固体撮像装置
JPH067587B2 (ja) 固体撮像装置
KR102640654B1 (ko) 컬러 이미지 센서 및 그 제조방법
JPS6362358A (ja) 固体撮像装置
JPS6062279A (ja) 固体撮像装置
JPS63213373A (ja) 光半導体デバイス
JPH04286159A (ja) 固体撮像装置
JPS62205649A (ja) 半導体装置
JPS61134061A (ja) モ−ルド型撮像素子
JPS5936824B2 (ja) 半導体装置
JPH01201952A (ja) カラー固体撮像装置
JP2002100692A (ja) 半導体装置
JPS6024077A (ja) 半導体装置
JPH05335534A (ja) 光半導体デバイス
JPS61222384A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS63308955A (ja) 固体撮像装置