JPS6024077A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6024077A
JPS6024077A JP58131498A JP13149883A JPS6024077A JP S6024077 A JPS6024077 A JP S6024077A JP 58131498 A JP58131498 A JP 58131498A JP 13149883 A JP13149883 A JP 13149883A JP S6024077 A JPS6024077 A JP S6024077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensor
substrate
resin
optical sensor
semiconductor film
Prior art date
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Pending
Application number
JP58131498A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58131498A priority Critical patent/JPS6024077A/ja
Publication of JPS6024077A publication Critical patent/JPS6024077A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光センサー装置の構造に関する。
従来、光センサー装置は、第1図に断面図を示す如く、
セラミック基板1上に半導体光センサ−3を貼付け、リ
ード線2と結線して組立て、ガラス窓5の付いた金属キ
ャップ4で封止するのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、セラミック基板や窓付
キャップが高価であるという欠点がある本発明はかかる
従来技術の欠点をなくシ、安価で小型の光センサーの構
造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、透
明基板表面に形成された半導体光センサー装置に於て、
光入力が透明基板の裏面から行なわれ、且つ、透明基板
表面に形成された半導体膜による光センサー装置が樹脂
封止されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第2図は本発明の一実施例を示す半導体光センサー装置
の断面図である。サファイヤ基板1の表面には半導体膜
からなる光センサ−2が形成され、リード線3により導
電路が設けられ、エポキシ等の樹脂4により光入射窓部
を少なくとも除いて封止されて成る。この場合、サファ
イヤ基板1の裏面は光入射窓として用いられる。本発明
はサファイヤ基板を用いた光センサーであるか石英基板
 ′あるいはガラス基板であっても良い。
本発明の如く、光センサー基板を透明となし、該基板を
光入射窓とし、光センサー部を樹脂封止することにより
安価で且つ小型の半導体光センサー装置が作成できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術による半導体光センサー装置の断面図
、第2図は本発明による半導体光センサー装置の一実施
例を示す断面図である。 1・・・・・・セラミック基板 2・・・・・・リード線 3・・・・・・半導体光センサ−・チップ4・・・・・
・キャップ 5・・・・・・窓 1・・・・・・透明基板 2・・・・・・半導体膜光センサー部 6・・・・・・リード線 4・・・・・・プラスティック 箋 11り ろ %2 図 kv′

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明基板表面に形成された半導体光センサー装置に於て
    、光入力が透明基板の裏面から行なわれ、且つ、透明基
    板表面に形成された半導体膜による光センサー装置が樹
    脂封止されて成ることを特徴とする半導体装置。
JP58131498A 1983-07-19 1983-07-19 半導体装置 Pending JPS6024077A (ja)

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JP58131498A JPS6024077A (ja) 1983-07-19 1983-07-19 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61172355U (ja) * 1985-04-12 1986-10-25

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5840870A (ja) * 1981-09-03 1983-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 受光装置の製造方法

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5840870A (ja) * 1981-09-03 1983-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 受光装置の製造方法

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