JPS5910762Y2 - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPS5910762Y2 JPS5910762Y2 JP3867479U JP3867479U JPS5910762Y2 JP S5910762 Y2 JPS5910762 Y2 JP S5910762Y2 JP 3867479 U JP3867479 U JP 3867479U JP 3867479 U JP3867479 U JP 3867479U JP S5910762 Y2 JPS5910762 Y2 JP S5910762Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- resin
- semiconductor device
- receiving element
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は発光素子と受光素子とを光結合させてなる半導
体装置の改良に関するものである。
体装置の改良に関するものである。
従来の光結合半導体装置は、第１図に示す如く相対向し
て配置された発光素子１と受光素子２間をシリコーン樹
脂等の透光性樹脂３で一旦光結合し、その後結合された
素子全体を更に遮光性の黒色樹脂４でモールドして構威
されている。
て配置された発光素子１と受光素子２間をシリコーン樹
脂等の透光性樹脂３で一旦光結合し、その後結合された
素子全体を更に遮光性の黒色樹脂４でモールドして構威
されている。
このような２重モールド構造の光結合半導体装置では、
素子近傍に種類の異なる樹脂が接した境界が存在するこ
とになり入力・出力間に高電圧を印加した状態で透光樹
脂３と遮光性樹脂４との八面を通って放電が生じ易く、
高圧に耐える装置を得ることが困難であった。
素子近傍に種類の異なる樹脂が接した境界が存在するこ
とになり入力・出力間に高電圧を印加した状態で透光樹
脂３と遮光性樹脂４との八面を通って放電が生じ易く、
高圧に耐える装置を得ることが困難であった。
上記問題に対して第２図に示す如く、発光・受光素子対
を透光性樹脂でトランスファモールドして樹脂界面を大
きくし、その後更に外部を遮光性樹脂で被覆した装置も
開発されている。
を透光性樹脂でトランスファモールドして樹脂界面を大
きくし、その後更に外部を遮光性樹脂で被覆した装置も
開発されている。
いずれの構造の光結合半導体装置においても２重の樹脂
モールドが施こされるため、製造時の工程数が多くなり
、絶縁破壊電圧も充分なものが得難かった。
モールドが施こされるため、製造時の工程数が多くなり
、絶縁破壊電圧も充分なものが得難かった。
本考案は上記従来装置の欠点を除去して、簡単な工程で
製造することができ且つ絶縁耐圧の高い光結合半導体装
置を提供するもので、次に本考案を詳細に説明する。
製造することができ且つ絶縁耐圧の高い光結合半導体装
置を提供するもので、次に本考案を詳細に説明する。
第３図に於で１は発光ダイオード、２はホトダイオード
或いはホ｝｝ランジスタで、いずれもリードフレームＩ
Ａ，２Ａに夫々導電性ペースト等を介して電気的及び機
械的にボンテ゛イングされ、発光ダイオード１から放射
された光が受光素子２に達する関係に距離ｌを隔てて対
向配置されている。
或いはホ｝｝ランジスタで、いずれもリードフレームＩ
Ａ，２Ａに夫々導電性ペースト等を介して電気的及び機
械的にボンテ゛イングされ、発光ダイオード１から放射
された光が受光素子２に達する関係に距離ｌを隔てて対
向配置されている。
対向配置された素子対の周囲は素子部を外部環境から遮
蔽するための半透光性モールド樹脂５が形或されて・い
る。
蔽するための半透光性モールド樹脂５が形或されて・い
る。
該モールド樹脂５は上記発光ダイオード１の発光波長近
傍の光を吸収する顔料を添加するものではないか゛、樹
脂中には結晶シリ力，溶融シリカ，ガラス繊維等のフイ
ラ６が添加されている。
傍の光を吸収する顔料を添加するものではないか゛、樹
脂中には結晶シリ力，溶融シリカ，ガラス繊維等のフイ
ラ６が添加されている。
従来発光ダイオード等の半導体装置において、光の散乱
剤としてフイラがモールド樹脂中に添加されているが、
この種のフイラは粒子の大きさが数μ程度で、添加量も
比較的少なく重量として数％添加されているに過ぎない
。
剤としてフイラがモールド樹脂中に添加されているが、
この種のフイラは粒子の大きさが数μ程度で、添加量も
比較的少なく重量として数％添加されているに過ぎない
。
しかし本考案の半導体装置においては数１０〜１００μ
程度の比較的大きい粒子が用いられ、また添加量として
も散乱剤の場合に比べて多量に添加し、７０％程度添加
しても実用に供し得る。
程度の比較的大きい粒子が用いられ、また添加量として
も散乱剤の場合に比べて多量に添加し、７０％程度添加
しても実用に供し得る。
フイラが添加された樹脂における樹脂層の厚みと光透過
率の関係は一般に第４図に示す如く、厚みが増すにつれ
て光の透過率が急激に減衰することが知られている。
率の関係は一般に第４図に示す如く、厚みが増すにつれ
て光の透過率が急激に減衰することが知られている。
上記本考案による実施例においては、発光・受光素子間
の対向距離ｌは充分小さく、一方両素子を外部から遮断
している樹脂５の厚さＬは大きく設計される。
の対向距離ｌは充分小さく、一方両素子を外部から遮断
している樹脂５の厚さＬは大きく設計される。
従って発光素子１から放射された光は大部分が受光素子
２に入射され、入・出力信号の伝達にほとんど支障がな
い。
２に入射され、入・出力信号の伝達にほとんど支障がな
い。
しかし外部から樹脂５に入射された光は、進行する間に
樹脂５に散乱吸収されて受光素子２に達する光量はほと
んどなく、信号に影響することはない。
樹脂５に散乱吸収されて受光素子２に達する光量はほと
んどなく、信号に影響することはない。
従って樹脂５の更に外部を遮光性樹脂で覆う必要はなく
、樹脂５の単一層で所期の目的を達或し得る。
、樹脂５の単一層で所期の目的を達或し得る。
尚上記実施例は半導体チップを直ちに樹脂５でモールド
する構造について述べたが、フイラを充分分散させた樹
脂５でモールドする前に予めいずれか一方或いは両方の
半導体チップを透明樹脂で覆い、被覆された両半導体チ
ップを相対向させて樹脂５でモールドすることもできる
。
する構造について述べたが、フイラを充分分散させた樹
脂５でモールドする前に予めいずれか一方或いは両方の
半導体チップを透明樹脂で覆い、被覆された両半導体チ
ップを相対向させて樹脂５でモールドすることもできる
。
また樹脂５に発光ダイオードの発光特性を考慮して例え
ば発光波長以外の光を吸収する顔料を添加することもで
きる。
ば発光波長以外の光を吸収する顔料を添加することもで
きる。
以上本考案によれば、樹脂層の厚みに対して急激に光の
透過率が減衰する樹脂を用いて発光・受光素子対をモー
ルドするため、素子間の光結合部と周囲を一体的に同一
の樹脂で、本来の機能を損うことなくモールドすること
ができ、樹脂モールド工程が極めて簡単になると共に、
対向素子近傍に樹脂境界がないため絶縁破壊電圧を大き
くすることができ、素子の信頼性を高めることができる
。
透過率が減衰する樹脂を用いて発光・受光素子対をモー
ルドするため、素子間の光結合部と周囲を一体的に同一
の樹脂で、本来の機能を損うことなくモールドすること
ができ、樹脂モールド工程が極めて簡単になると共に、
対向素子近傍に樹脂境界がないため絶縁破壊電圧を大き
くすることができ、素子の信頼性を高めることができる
。
またモールド樹脂はフイラが添加されるため樹脂単独の
場合に比べて機械的強度が高められ、実用価値の高い光
結合半導体装置を得る。
場合に比べて機械的強度が高められ、実用価値の高い光
結合半導体装置を得る。
第１図及び第２図は従来装置を示す断面図、第３図は本
考案による一実施例を示す断面図、第４図はフイラ添加
樹脂における厚さと光透過率の関係を示す図である。 １：発光素子、２：受光素子、５：樹脂、６：フイラ。
考案による一実施例を示す断面図、第４図はフイラ添加
樹脂における厚さと光透過率の関係を示す図である。 １：発光素子、２：受光素子、５：樹脂、６：フイラ。
Claims (1)
- 発光素子と受光素子との間を光結合させてなる半導体装
置において、微小間隙を隔てて相対向する位置に配置さ
れた発光素子及び受光素子と、該発光素子と受光素子の
間隙及び周辺をモールドする樹脂であって、微粒状ガラ
ス，シリカ等のフイラを充分分散させた単一の樹脂とを
備えたことを特徴とする光結合半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867479U JPS5910762Y2 (ja) | 1979-03-23 | 1979-03-23 | 光結合半導体装置 |
| US06/383,330 US4412135A (en) | 1979-03-23 | 1982-05-28 | Photo coupler device molding including filler particles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867479U JPS5910762Y2 (ja) | 1979-03-23 | 1979-03-23 | 光結合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55139561U JPS55139561U (ja) | 1980-10-04 |
| JPS5910762Y2 true JPS5910762Y2 (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=28904087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3867479U Expired JPS5910762Y2 (ja) | 1979-03-23 | 1979-03-23 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910762Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6133654Y2 (ja) * | 1980-11-11 | 1986-10-01 | ||
| JP6281697B2 (ja) * | 2014-03-15 | 2018-02-21 | オムロン株式会社 | フォトセンサ |
-
1979
- 1979-03-23 JP JP3867479U patent/JPS5910762Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55139561U (ja) | 1980-10-04 |
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