JPH03274781A - レーザダイオード - Google Patents
レーザダイオードInfo
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- JPH03274781A JPH03274781A JP2074286A JP7428690A JPH03274781A JP H03274781 A JPH03274781 A JP H03274781A JP 2074286 A JP2074286 A JP 2074286A JP 7428690 A JP7428690 A JP 7428690A JP H03274781 A JPH03274781 A JP H03274781A
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Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 10
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、レーザダイオードに関する。
レーザダイオードは、第５図に示すように、ヒートシン
クｌに立設されたステム２上にサブマンウド３を介して
レーザダイオードチップ４をボンディングするとともに
、上記ヒートシンクｌの上面を有底円筒状のカンシール
５て封止してなる、いわゆるカンンールタイプのものや
、第６図に示すように、基板６上にサブマウント３を介
してレーザダイオードチップ４をボンディングした、い
わゆるユニットタイプのものが一般である。 そして、いずれのタイプのレーザダイオードにおいても
、レーザダイオードチップの一方の劈開面から出射され
るレーザ光をモニタ素子８によってモニタリングし、こ
うしてモニタリングされるレーザ光の強度が所望の強度
となるように、レーザダイオードチップの光出力を制御
するように構成される。すなわち、上記カンシールタイ
プのレーザダイオードにおいては、ヒートシンク１の上
面にモニタ素子８としてのフォトダイオードが配設され
、ダイオードチップの下方の劈開面からのレーザ光を受
けるようになされる。また、上記ユニットタイプのレー
ザダイオードにおいては、シリコン製のサブマウント７
上にフォトダイオード素子がマスクワークによって一体
的に作り込まれる。
クｌに立設されたステム２上にサブマンウド３を介して
レーザダイオードチップ４をボンディングするとともに
、上記ヒートシンクｌの上面を有底円筒状のカンシール
５て封止してなる、いわゆるカンンールタイプのものや
、第６図に示すように、基板６上にサブマウント３を介
してレーザダイオードチップ４をボンディングした、い
わゆるユニットタイプのものが一般である。 そして、いずれのタイプのレーザダイオードにおいても
、レーザダイオードチップの一方の劈開面から出射され
るレーザ光をモニタ素子８によってモニタリングし、こ
うしてモニタリングされるレーザ光の強度が所望の強度
となるように、レーザダイオードチップの光出力を制御
するように構成される。すなわち、上記カンシールタイ
プのレーザダイオードにおいては、ヒートシンク１の上
面にモニタ素子８としてのフォトダイオードが配設され
、ダイオードチップの下方の劈開面からのレーザ光を受
けるようになされる。また、上記ユニットタイプのレー
ザダイオードにおいては、シリコン製のサブマウント７
上にフォトダイオード素子がマスクワークによって一体
的に作り込まれる。
従来のレーザダイオードにおけるレーザ出力をモニタす
るための構成は、上述のように、レーザダイオードチッ
プの一方の劈開面から出射されるレーザ光を空間を介し
てモニタ素子で受けるようにしであるため、次のような
問題が生じる。 まず、上記カンシールタイプのものについては、レーザ
ダイオードを組み込むへき対象の小型化の要請のため、
カンシールを除いたオープンタイプとすることも考えら
れる。そうすると、結露や塵等によってモニタ素子表面
が覆われる場合が想定され、その結果、モニタ情報とし
てのレーザ出力が低レベルとなってレーザダイオードチ
ップに高レベルのドライブがかかり、レーザダイオード
チップが破壊されるおそれがある。 そして、上記ユニットタイプのものについても、これを
オープンタイプとすると、結露や塵等に起因するモニタ
不良、ないしはレーザダイオードチップの破壊の問題が
同様に懸念されるほか、このタイプにおいてはとくに、
モニタ素子表面へのレーザ光の入射角（レーザ光の光軸
とモニタ表面とのなす角）が小さく、モニタ素子が十分
な量のレーザ光を受けることができないという基本的問
題がある。 本願発明は、上記の事情のもとで考え出されたものであ
って、オープンタイプとした場合であっても、結露や塵
の影響を全く受けることなく、レーザダイオードチップ
からのレーザ光をモニタ素子によってモニタリングする
ことができ、また、レーザダイオードチップからのレー
ザ光の光軸とモニタ表面とのなす角度が小さくても、十
分な量のレーザ光をモニタ表面上に到達させうるように
構成した新たなレーザダイオードを提供することをその
課題とする。
るための構成は、上述のように、レーザダイオードチッ
プの一方の劈開面から出射されるレーザ光を空間を介し
てモニタ素子で受けるようにしであるため、次のような
問題が生じる。 まず、上記カンシールタイプのものについては、レーザ
ダイオードを組み込むへき対象の小型化の要請のため、
カンシールを除いたオープンタイプとすることも考えら
れる。そうすると、結露や塵等によってモニタ素子表面
が覆われる場合が想定され、その結果、モニタ情報とし
てのレーザ出力が低レベルとなってレーザダイオードチ
ップに高レベルのドライブがかかり、レーザダイオード
チップが破壊されるおそれがある。 そして、上記ユニットタイプのものについても、これを
オープンタイプとすると、結露や塵等に起因するモニタ
不良、ないしはレーザダイオードチップの破壊の問題が
同様に懸念されるほか、このタイプにおいてはとくに、
モニタ素子表面へのレーザ光の入射角（レーザ光の光軸
とモニタ表面とのなす角）が小さく、モニタ素子が十分
な量のレーザ光を受けることができないという基本的問
題がある。 本願発明は、上記の事情のもとで考え出されたものであ
って、オープンタイプとした場合であっても、結露や塵
の影響を全く受けることなく、レーザダイオードチップ
からのレーザ光をモニタ素子によってモニタリングする
ことができ、また、レーザダイオードチップからのレー
ザ光の光軸とモニタ表面とのなす角度が小さくても、十
分な量のレーザ光をモニタ表面上に到達させうるように
構成した新たなレーザダイオードを提供することをその
課題とする。
上記の課題を解決するため、この発明では、次の技術的
手段を講じている。 すなわち、本願発明は、基台上にサブマウントを介して
レーザダイオードチップをボンディングし、上記基台上
または上記サブマウント上に形成したモニタ素子によっ
て上記レーザダイオードチップの後方劈開面からのレー
ザ光をモニタリングするように構成されたレーザダイオ
ードにおいて、上記後方劈開面と上記モニタ素子の表面
との間を、透光性または半透光性の固体導波路で連絡し
たことを特徴とする。 上記固体導波路は、たとえば、上記後方劈開面と上記モ
ニタ素子の表面との間を、透光性または半透光性の樹脂
で覆うことによって簡単に形成できる。 また、上記樹脂は、透明である他、光散乱剤を分散配合
したものや、樹脂それ自体か光散乱性をもつものとして
もよい。
手段を講じている。 すなわち、本願発明は、基台上にサブマウントを介して
レーザダイオードチップをボンディングし、上記基台上
または上記サブマウント上に形成したモニタ素子によっ
て上記レーザダイオードチップの後方劈開面からのレー
ザ光をモニタリングするように構成されたレーザダイオ
ードにおいて、上記後方劈開面と上記モニタ素子の表面
との間を、透光性または半透光性の固体導波路で連絡し
たことを特徴とする。 上記固体導波路は、たとえば、上記後方劈開面と上記モ
ニタ素子の表面との間を、透光性または半透光性の樹脂
で覆うことによって簡単に形成できる。 また、上記樹脂は、透明である他、光散乱剤を分散配合
したものや、樹脂それ自体か光散乱性をもつものとして
もよい。
レーザダイオード作動中、そのレーザダイオードチップ
の後方劈開面から出射されるレーザ光は、従来のように
空間を通ってモニタ素子に到達するのではなく、固体導
波路を通ってモニタ素子に到達する。固体導波路は、樹
脂等の固体で形成されるから、導波路に結露か生したり
、塵等か入り込んだりすることはありえず、また、レー
ザダイオードチップからモニタ素子へのレーザ光導波性
能が経時的に低下することもありえない。
の後方劈開面から出射されるレーザ光は、従来のように
空間を通ってモニタ素子に到達するのではなく、固体導
波路を通ってモニタ素子に到達する。固体導波路は、樹
脂等の固体で形成されるから、導波路に結露か生したり
、塵等か入り込んだりすることはありえず、また、レー
ザダイオードチップからモニタ素子へのレーザ光導波性
能が経時的に低下することもありえない。
以下、本願発明の実施例を図面を参照しつつ具体的に説
明する。 第１図および第２図は、本願発明をユニットタイブのレ
ーザダイオードに適用した例を示す。 このレーザダイオードは、基板６上に、レーザダイオー
ドチップ４をボンディングしたサブマウント３を固定す
るとともに、上記基板６上の一端に接続したフレキシブ
ル回路９上のり−１１０゜１１．１２とレーザダイオー
ド構成要素との間をワイヤボンデインクすることによっ
て大略構成される。 上記基板６は、アルミニウム板の表面にニッケルメッキ
および金メツキを施してあり、その表面前方中央部に上
記サブマウント３がインジウム等の接続材料によって載
置固定される。サブマウント３は、シリコン製の矩形板
材によって基本的に構成され、その表面には、二酸化シ
リコン皮膜１３を介して、レーザダイオードチップ４に
電力を供給するためのアルミニウム配線１４、後記する
モニタ素子８の作動によりサブマウント３に生じた電流
を取り出すためのアルミニウム配線Ｉ５が形成される。 上記サブマウント３上における前方中央部には、上記ア
ルミニウム配線１４が延びてボンディング面を形成して
おり、このボンディング面上にレーザダイオードチップ
４か導電性ロウ材によってボンデインクされる。このと
き、レーザダイオードチップ４の二つの襞開面４ａ、４
ｂは、それぞれサブマウント３の前後方向を向くように
配置される。 そして、上記サブマウント３の表面中央部、すなわち、
上記レーザダイオードチップ４の後方勇開面４ｂと隣接
する領域には、表面からＰ型不純物を拡散させてＰＮ接
合部としたフォトダイオード素子か一体に作り込まれて
おり、これが上記のモニタ素子８として機能する。Ｐ型
不純物には、上記アルミニウム配線１５が連絡させられ
ている。 上記アルミニウム配線１４．１５は、それぞれ上記フレ
キンプル回路上の対応するり−１”１Ｌ１２に対し、ワ
イヤボンディングによって連絡させられており、上記レ
ーザダイオードチップの負極は、サブマウント３上の二
酸化ソリコン皮膜を窓開けして内部導通させられたパッ
ト１６との間をワイヤボンデインクすることにより、基
板上の伝導性メツキ部、およびこれとフレキンプル回路
９間のワイヤボンディングを介して、フレキノプル回路
上の所定のり−１１０に導通させられている。なお、サ
ブマウント３ないしレーザダイオードチップ４は、透明
な保護膜で覆われる。 リードｌＯとリード１１との間に所定の電圧を印加する
と、レーザダイオードチップ４は、その双方の劈開面４
ａ、４ｂからレーザ光を出射する。 そして、モニタ素子８は、後方の劈開面４ｂからのレー
ザ光を受け、その強さに応した電流を発生する。この電
流値をモニタリングすることによってなされるレーザダ
イオードチップのレーザ光強さのモニタリング情報に応
して、レーザダイオードチップ４の光出力をフィードバ
ック制御することができる。 さて、本願発明において、上記レーザダイオードチップ
４の後方襞開面４ｂと、モニタ素子８の表面との間を、
透光性または半透光性の固体導波路１７で連絡する。 それには、液状の樹脂、たとえば、シリコン樹脂やエポ
キシ樹脂１７ａを、上記後方襞開面４ｂおよびモニタ素
子８の表面の双方を覆うようにして塗布し、これを硬化
させるたけでよい。シリコン樹脂を使用する場合、硬化
後においても弾性変形しうる比較的柔らかいものとなる
か、内部への塵等の侵入を阻止しうるという意味におい
て、常温において流動性を有する気体または肢体とは区
別され、ここにいう固体の範噴に含まれる。 レーザダイオードチップ４の後方襞開面４ｂから発する
レーザ光は、その多くか上記樹脂１７ａ中を通ってモニ
タ素子８の表面に到達することになる。なぜなら、樹脂
中を進行し、その表面に到達するレーザ光は、その多く
の部分か、屈折率の相違により、外部に透過することな
く全反射して樹脂中に戻り、モニタ素子８の表面に到達
するからである。 また、上記樹脂中に微細な酸化アルミニウム粉等の散乱
剤を分散配合させたり、樹脂自体を光散乱性の半透明の
ものとすると、樹脂中でレーサ光が乱反射し、樹脂の塗
布形状の如何にかかわりなく、モニタ素子がその表面全
域において平均したレーザ光を受けることができること
になる。これは、モニタ素子８が受は取るレーザ光の量
を従来より増大させ、モニタ電流が大きくなって、レー
ザダイオードチップの出力のより正確な制御を可能とす
ることにつながる。 以上は、本願発明をユニットタイプのレーザダイオード
に適用した例であるが、本願発明は、レーザダイオード
チップの後方劈開面からのレーザ光をモニタ素子でモニ
タリングするタイプのすべてのレーザダイオードに適用
することができる。 第３図および第４図は、カンシールタイプの基本構造を
もつレーザダイオードに本願発明を適用した例である。 第３図に示すものは、サブマウント３とは別途のモニタ
素子８をヒートシンクの上面に配置しである。また、第
４図に示すものは、ユニットタイプのものと同様にして
、サブマウント３上にモニタ素子８を一体に作り込んで
ある。いずれの場合においても、レーザダイオードチッ
プ４の後部劈開面と、モニタ素子８の表面間を、上記と
同様にして、固体樹脂１７ａで覆うことにより、簡単に
本願発明にいう固体導波路１７を形威し、モニタ素子８
によるレーザダイオードチップからのレーザ光のモニタ
リングの確実性を図ることが可能となる。
明する。 第１図および第２図は、本願発明をユニットタイブのレ
ーザダイオードに適用した例を示す。 このレーザダイオードは、基板６上に、レーザダイオー
ドチップ４をボンディングしたサブマウント３を固定す
るとともに、上記基板６上の一端に接続したフレキシブ
ル回路９上のり−１１０゜１１．１２とレーザダイオー
ド構成要素との間をワイヤボンデインクすることによっ
て大略構成される。 上記基板６は、アルミニウム板の表面にニッケルメッキ
および金メツキを施してあり、その表面前方中央部に上
記サブマウント３がインジウム等の接続材料によって載
置固定される。サブマウント３は、シリコン製の矩形板
材によって基本的に構成され、その表面には、二酸化シ
リコン皮膜１３を介して、レーザダイオードチップ４に
電力を供給するためのアルミニウム配線１４、後記する
モニタ素子８の作動によりサブマウント３に生じた電流
を取り出すためのアルミニウム配線Ｉ５が形成される。 上記サブマウント３上における前方中央部には、上記ア
ルミニウム配線１４が延びてボンディング面を形成して
おり、このボンディング面上にレーザダイオードチップ
４か導電性ロウ材によってボンデインクされる。このと
き、レーザダイオードチップ４の二つの襞開面４ａ、４
ｂは、それぞれサブマウント３の前後方向を向くように
配置される。 そして、上記サブマウント３の表面中央部、すなわち、
上記レーザダイオードチップ４の後方勇開面４ｂと隣接
する領域には、表面からＰ型不純物を拡散させてＰＮ接
合部としたフォトダイオード素子か一体に作り込まれて
おり、これが上記のモニタ素子８として機能する。Ｐ型
不純物には、上記アルミニウム配線１５が連絡させられ
ている。 上記アルミニウム配線１４．１５は、それぞれ上記フレ
キンプル回路上の対応するり−１”１Ｌ１２に対し、ワ
イヤボンディングによって連絡させられており、上記レ
ーザダイオードチップの負極は、サブマウント３上の二
酸化ソリコン皮膜を窓開けして内部導通させられたパッ
ト１６との間をワイヤボンデインクすることにより、基
板上の伝導性メツキ部、およびこれとフレキンプル回路
９間のワイヤボンディングを介して、フレキノプル回路
上の所定のり−１１０に導通させられている。なお、サ
ブマウント３ないしレーザダイオードチップ４は、透明
な保護膜で覆われる。 リードｌＯとリード１１との間に所定の電圧を印加する
と、レーザダイオードチップ４は、その双方の劈開面４
ａ、４ｂからレーザ光を出射する。 そして、モニタ素子８は、後方の劈開面４ｂからのレー
ザ光を受け、その強さに応した電流を発生する。この電
流値をモニタリングすることによってなされるレーザダ
イオードチップのレーザ光強さのモニタリング情報に応
して、レーザダイオードチップ４の光出力をフィードバ
ック制御することができる。 さて、本願発明において、上記レーザダイオードチップ
４の後方襞開面４ｂと、モニタ素子８の表面との間を、
透光性または半透光性の固体導波路１７で連絡する。 それには、液状の樹脂、たとえば、シリコン樹脂やエポ
キシ樹脂１７ａを、上記後方襞開面４ｂおよびモニタ素
子８の表面の双方を覆うようにして塗布し、これを硬化
させるたけでよい。シリコン樹脂を使用する場合、硬化
後においても弾性変形しうる比較的柔らかいものとなる
か、内部への塵等の侵入を阻止しうるという意味におい
て、常温において流動性を有する気体または肢体とは区
別され、ここにいう固体の範噴に含まれる。 レーザダイオードチップ４の後方襞開面４ｂから発する
レーザ光は、その多くか上記樹脂１７ａ中を通ってモニ
タ素子８の表面に到達することになる。なぜなら、樹脂
中を進行し、その表面に到達するレーザ光は、その多く
の部分か、屈折率の相違により、外部に透過することな
く全反射して樹脂中に戻り、モニタ素子８の表面に到達
するからである。 また、上記樹脂中に微細な酸化アルミニウム粉等の散乱
剤を分散配合させたり、樹脂自体を光散乱性の半透明の
ものとすると、樹脂中でレーサ光が乱反射し、樹脂の塗
布形状の如何にかかわりなく、モニタ素子がその表面全
域において平均したレーザ光を受けることができること
になる。これは、モニタ素子８が受は取るレーザ光の量
を従来より増大させ、モニタ電流が大きくなって、レー
ザダイオードチップの出力のより正確な制御を可能とす
ることにつながる。 以上は、本願発明をユニットタイプのレーザダイオード
に適用した例であるが、本願発明は、レーザダイオード
チップの後方劈開面からのレーザ光をモニタ素子でモニ
タリングするタイプのすべてのレーザダイオードに適用
することができる。 第３図および第４図は、カンシールタイプの基本構造を
もつレーザダイオードに本願発明を適用した例である。 第３図に示すものは、サブマウント３とは別途のモニタ
素子８をヒートシンクの上面に配置しである。また、第
４図に示すものは、ユニットタイプのものと同様にして
、サブマウント３上にモニタ素子８を一体に作り込んで
ある。いずれの場合においても、レーザダイオードチッ
プ４の後部劈開面と、モニタ素子８の表面間を、上記と
同様にして、固体樹脂１７ａで覆うことにより、簡単に
本願発明にいう固体導波路１７を形威し、モニタ素子８
によるレーザダイオードチップからのレーザ光のモニタ
リングの確実性を図ることが可能となる。
以上説明したように、本願発明のレーザダイオードによ
れば、レーザダイオードチップの後方劈開面とモニタ素
子表面との間を、固体導波路で連絡しているから、オー
プンタイプとした場合であっても、結露や塵の影響を受
けることなく、レーザダイオードチップからのレーザ光
をモニタ素子によって確実にモニタリングすることがで
き、従来のような結露や塵に起因するモニタ不良、ない
しはレーザダイオードチップの破壊を予防することがで
きる。また、モニタ素子が受けるレーザ光の光量が従来
に比して増大し、十分なモニタ用電流を発生させること
ができるので、とくに、後方劈開面からのレーザ光の光
軸とモニタ素子表面とのなす角度が小さいユニットタイ
プのレーザダイオードにおいて、そのレーザダイオード
チップ出力のより正確なフィードバック制御が可能とな
る。
れば、レーザダイオードチップの後方劈開面とモニタ素
子表面との間を、固体導波路で連絡しているから、オー
プンタイプとした場合であっても、結露や塵の影響を受
けることなく、レーザダイオードチップからのレーザ光
をモニタ素子によって確実にモニタリングすることがで
き、従来のような結露や塵に起因するモニタ不良、ない
しはレーザダイオードチップの破壊を予防することがで
きる。また、モニタ素子が受けるレーザ光の光量が従来
に比して増大し、十分なモニタ用電流を発生させること
ができるので、とくに、後方劈開面からのレーザ光の光
軸とモニタ素子表面とのなす角度が小さいユニットタイ
プのレーザダイオードにおいて、そのレーザダイオード
チップ出力のより正確なフィードバック制御が可能とな
る。
第１図は本願発明の第一の実施例の全体斜視図、第２図
は第１図の■−■線にそう断面図、第３図および第４図
は他の実施例の断面図、第５図および第６図は従来例の
説明図である。 第３図 ３・・・サブマウント、４・・・レーザダイオードチッ
プ、５・・・カンシール、６・・・基板、８・・・モニ
タ素子、４ａ、４ｂ・・・劈開面、１７・・・導波路、
１７ａ・・・樹脂。 第４図
は第１図の■−■線にそう断面図、第３図および第４図
は他の実施例の断面図、第５図および第６図は従来例の
説明図である。 第３図 ３・・・サブマウント、４・・・レーザダイオードチッ
プ、５・・・カンシール、６・・・基板、８・・・モニ
タ素子、４ａ、４ｂ・・・劈開面、１７・・・導波路、
１７ａ・・・樹脂。 第４図
Claims (5)
- （１）基台上にサブマウントを介してレーザダイオード
チップをボンディングし、上記基台上または上記サブマ
ウント上に形成したモニタ素子によって上記レーザダイ
オードチップの後方劈開面からのレーザ光をモニタリン
グするように構成されたレーザダイオードにおいて、 上記後方劈開面と上記モニタ素子の表面と の間を、透光性または半透光性の固体導波路で連絡した
ことを特徴とする、レーザダイオード。 - （２）上記固体導波路は、上記後方劈開面と上記モニタ
素子の表面との間の空間を、樹脂で覆うことによって構
成されている、請求項１のレーザダイオード。 - （３）上記樹脂は、透明な樹脂である、請求項２のレー
ザダイオード。 - （４）上記樹脂には、光散乱剤が分散されている、請求
項２のレーザダイオード。 - （５）上記樹脂は、光散乱性をもつ、半透明の樹脂であ
る、請求項２のレーザダイオード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2074286A JPH03274781A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | レーザダイオード |
| US07/673,591 US5218611A (en) | 1990-03-23 | 1991-03-22 | Laser diode system having an air-tight interconnecting solid state wave-guide means for transmitting light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2074286A JPH03274781A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | レーザダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03274781A true JPH03274781A (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13542731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2074286A Pending JPH03274781A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | レーザダイオード |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5218611A (ja) |
| JP (1) | JPH03274781A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008153320A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 光源システム |
| JP2013062468A (ja) | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Rohm Co Ltd | フォトダイオード内蔵サブマウントおよび発光素子モジュール |
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| DE19841204A1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-23 | Siemens Ag | Anordnung mit lichtemittierendem Leistungshalbleiterbauelement sowie Verfahren zur Herstellung derselben |
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| US8143108B2 (en) | 2004-10-07 | 2012-03-27 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of dissipating heat from thin package-on-package mounted to substrate |
| USRE44438E1 (en) | 2001-02-27 | 2013-08-13 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of dissipating heat from thin package-on-package mounted to substrate |
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-
1990
- 1990-03-23 JP JP2074286A patent/JPH03274781A/ja active Pending
-
1991
- 1991-03-22 US US07/673,591 patent/US5218611A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5218611A (en) | 1993-06-08 |
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