JPS5996789A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS5996789A JPS5996789A JP57206739A JP20673982A JPS5996789A JP S5996789 A JPS5996789 A JP S5996789A JP 57206739 A JP57206739 A JP 57206739A JP 20673982 A JP20673982 A JP 20673982A JP S5996789 A JPS5996789 A JP S5996789A
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- JP
- Japan
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- pellet
- diode element
- pin
- heat sink
- metal film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の構造に関し、特に半導体レーザダ
イオード素子及び受光ダイオード素子よりなる半導体装
置の構造に関する。
イオード素子及び受光ダイオード素子よりなる半導体装
置の構造に関する。
この種の半導体装置としてはアルミニウムガリウム砒素
（ＡｔＧａＡｓ ）レーザダイオードペレットとシリコ
ン（８ｉ）ＰＩＮダイオードベレットを同一容器に組み
込み、レーザ素子の発光出力をＰＩＮダイオード素子に
てモニタする半導体装置が挙げられる。
（ＡｔＧａＡｓ ）レーザダイオードペレットとシリコ
ン（８ｉ）ＰＩＮダイオードベレットを同一容器に組み
込み、レーザ素子の発光出力をＰＩＮダイオード素子に
てモニタする半導体装置が挙げられる。
第１図は従来の構造の上記種類の半導体装置の代表的な
例である。第１図（ａ）はレーザダイオードペレット２
及びＰＩＮダイオードペレット３示同−ステム１に組み
込まれキャップにて封止された。
例である。第１図（ａ）はレーザダイオードペレット２
及びＰＩＮダイオードペレット３示同−ステム１に組み
込まれキャップにて封止された。
状態を示す全体の断面を示したもので各ペレットは各リ
ード端子と然るべく電気接続されている。
ード端子と然るべく電気接続されている。
第１図（ｂ）は本発明と密接に関係する主要部分を抽出
した概念図（断面図）である。レーザダイオードペレッ
ト２は材質的に熱伝導があまシよくなく動作時には発光
部が高温になシ素子寿命を劣化させる事等のため発光部
側をマウント（グイボンド）するいわゆるアップサイド
ダウン（ｕｐ ５ｉｄｅ ｄｏｗｎ）構造がとられるの
が普通τあシ、レーザダイオードペレット２とステム↓
との間には熱伝導がよくかつ、電気的に導通のあるヒー
トシンク４が用いられている。ヒートシンク４はメタラ
イズされたダイアモンドやシリコン等で構成されている
。−万ＰＩＮダイオードペレット３は鎮１図（ｂ）の如
く絶縁材５を介してレーザダイオードペレット２とはほ
ぼ垂直になる様にマウントされ、レーザダイオードペレ
ット２の発光ビームを検知モニタできる様にされている
。ここで絶縁材５は、光通信等で実用上レーザダイオー
ドの光出力を帰還制御するだめにモニタ用ＰＩＮダイオ
ードとの電気接続を分離する必要上導入されるものでア
ルミナ虎２０３）おベリリア（Ｂｅｄ）等のセラミック
片が、上下各面メタライズされかつ絶縁された状態で通
常用いられる。
した概念図（断面図）である。レーザダイオードペレッ
ト２は材質的に熱伝導があまシよくなく動作時には発光
部が高温になシ素子寿命を劣化させる事等のため発光部
側をマウント（グイボンド）するいわゆるアップサイド
ダウン（ｕｐ ５ｉｄｅ ｄｏｗｎ）構造がとられるの
が普通τあシ、レーザダイオードペレット２とステム↓
との間には熱伝導がよくかつ、電気的に導通のあるヒー
トシンク４が用いられている。ヒートシンク４はメタラ
イズされたダイアモンドやシリコン等で構成されている
。−万ＰＩＮダイオードペレット３は鎮１図（ｂ）の如
く絶縁材５を介してレーザダイオードペレット２とはほ
ぼ垂直になる様にマウントされ、レーザダイオードペレ
ット２の発光ビームを検知モニタできる様にされている
。ここで絶縁材５は、光通信等で実用上レーザダイオー
ドの光出力を帰還制御するだめにモニタ用ＰＩＮダイオ
ードとの電気接続を分離する必要上導入されるものでア
ルミナ虎２０３）おベリリア（Ｂｅｄ）等のセラミック
片が、上下各面メタライズされかつ絶縁された状態で通
常用いられる。
この様な構造の半導体装置の組立に際しては、例えばメ
タライズしたセラミック絶縁材５をロー接等によってス
テム１に一体物として組与込んだステムを用意し、一方
予めレーザダイオードペレット２をヒートシンク４にグ
イボンドしておき、ＰＩＮダイオードペレット３を予め
用意した一体化されたステム１の絶縁材５上にマウント
した後、レーザダイオードペレット搭載済のヒートシン
クを同ステム１にマウントしなければならない。また、
しかる後に各リード端子と各ペレットの電気接続するだ
めの金属ワイヤボンディングを実施しなければならない
。
タライズしたセラミック絶縁材５をロー接等によってス
テム１に一体物として組与込んだステムを用意し、一方
予めレーザダイオードペレット２をヒートシンク４にグ
イボンドしておき、ＰＩＮダイオードペレット３を予め
用意した一体化されたステム１の絶縁材５上にマウント
した後、レーザダイオードペレット搭載済のヒートシン
クを同ステム１にマウントしなければならない。また、
しかる後に各リード端子と各ペレットの電気接続するだ
めの金属ワイヤボンディングを実施しなければならない
。
上記例ではレーザダイオードペレット２は基材がＱａ
Ａｓであり、ＰＩＮダイオードペレ、ト３のそれはＳｌ
であるためヒートシンク４にレーザダイオードペレット
２をグイボンドする時のソルダよシヒートシンク４をス
テム１にマウントする時のソルダは低温用のものでなく
てはならないし、ＰＩＮダイオードベレット３をステム
１の絶縁材５上にマウントする時のソルダはヒートシン
ク４をステム１にマウントする時のソルダよＹ）？４温
用のものでなくてはならない。一方レーザダイオードペ
レットのマウント方向とＰＩＮダイオードベレットのマ
ウント方向はほぼ垂直に配力、されているため、ステム
１を通常約９０°回転してマウントするのが普通であシ
、マウント作業は１回ではできない。更にかかる光半導
体装置ではレーザビームの位置が極めて重要であるため
各ペレットのマウント位置出しは十分に厳密に行われね
ばならなインクに際しても（はぼ直交したレーザダイオ
ードペレット及びＰＩＮダイオードベレットの両方向に
行うため）十分な製品信頼度を持って立体的ボンディン
グを行う事は技術的に極めて難しく通常は２回に分けて
約９０°回転してリードボンドする方法がとられる。従
ってかかる構造の半導体装置の組立作業は複雑でお９作
業標準化や自動化を行いにくい。従って製品コストは高
価なものになると同時に製品の品質バラツキを避は得な
い欠点をもっている。
Ａｓであり、ＰＩＮダイオードペレ、ト３のそれはＳｌ
であるためヒートシンク４にレーザダイオードペレット
２をグイボンドする時のソルダよシヒートシンク４をス
テム１にマウントする時のソルダは低温用のものでなく
てはならないし、ＰＩＮダイオードベレット３をステム
１の絶縁材５上にマウントする時のソルダはヒートシン
ク４をステム１にマウントする時のソルダよＹ）？４温
用のものでなくてはならない。一方レーザダイオードペ
レットのマウント方向とＰＩＮダイオードベレットのマ
ウント方向はほぼ垂直に配力、されているため、ステム
１を通常約９０°回転してマウントするのが普通であシ
、マウント作業は１回ではできない。更にかかる光半導
体装置ではレーザビームの位置が極めて重要であるため
各ペレットのマウント位置出しは十分に厳密に行われね
ばならなインクに際しても（はぼ直交したレーザダイオ
ードペレット及びＰＩＮダイオードベレットの両方向に
行うため）十分な製品信頼度を持って立体的ボンディン
グを行う事は技術的に極めて難しく通常は２回に分けて
約９０°回転してリードボンドする方法がとられる。従
ってかかる構造の半導体装置の組立作業は複雑でお９作
業標準化や自動化を行いにくい。従って製品コストは高
価なものになると同時に製品の品質バラツキを避は得な
い欠点をもっている。
本発明は上記に鑑みなされたものであシ、前記構造例と
同機能を有し、かつ安定した品質バラツキのない光半導
体装置を安価に供給する新規な構造を提供する事を目的
とするものである。
同機能を有し、かつ安定した品質バラツキのない光半導
体装置を安価に供給する新規な構造を提供する事を目的
とするものである。
第２図は前記半導体装置の説明の第１図ｔｂ）に相当す
る本発明の半導体装置の主要部分の概念図（断面図）で
るる。第３図はＰ’Ｉ Ｎダイオード素子を内在したヒ
ートシンク用ペレット１６（以後ＰＩＮヒートシンクベ
レットと呼ぶ）の概念図である。ＰＩＮヒートシンクペ
レットはＳｌを基材としほぼ半面にＰＩＮダイオード素
子を構成する。
る本発明の半導体装置の主要部分の概念図（断面図）で
るる。第３図はＰ’Ｉ Ｎダイオード素子を内在したヒ
ートシンク用ペレット１６（以後ＰＩＮヒートシンクベ
レットと呼ぶ）の概念図である。ＰＩＮヒートシンクペ
レットはＳｌを基材としほぼ半面にＰＩＮダイオード素
子を構成する。
このＰＩＮダイオード素子Ｑ設計諸元は通常のＰＩＮダ
イオ下ドベレットの設計と同様に行えばよく、詳細な接
合構造はここでは割合するが第３図に於いて１６１はレ
ーザビームを受光する九めの受光窓であシリコン酸化膜
（Ｓｉ、Ｎ４膜）等で無反射コートされている受光窓１
６１下にはＰＩＮダイオード機能を有する接合が存在し
電極金属膜１６２と接続されている。一方ＰＩＮヒート
シンクペレット１６のＰＩＮダイオード素子が形成され
ていない半面にはレーザダイオードペレット１２をダイ
ボンドするための金属膜１６３が形成されておシＰＩＮ
ダイオード素子電極１６２とは絶縁されている。又金属
膜１６３はＳｉ基板とシリコン酸化膜（８ｉ０２）等の
絶縁膜１６４にょシ絶縁された状態で形成されている。
イオ下ドベレットの設計と同様に行えばよく、詳細な接
合構造はここでは割合するが第３図に於いて１６１はレ
ーザビームを受光する九めの受光窓であシリコン酸化膜
（Ｓｉ、Ｎ４膜）等で無反射コートされている受光窓１
６１下にはＰＩＮダイオード機能を有する接合が存在し
電極金属膜１６２と接続されている。一方ＰＩＮヒート
シンクペレット１６のＰＩＮダイオード素子が形成され
ていない半面にはレーザダイオードペレット１２をダイ
ボンドするための金属膜１６３が形成されておシＰＩＮ
ダイオード素子電極１６２とは絶縁されている。又金属
膜１６３はＳｉ基板とシリコン酸化膜（８ｉ０２）等の
絶縁膜１６４にょシ絶縁された状態で形成されている。
ＰＩＮダイオード電極金属膜１６２とレーザペレットボ
ンデインクパッド金属膜１６３は例えばチタン（Ｔｉ
）−白金（Ｐｔ）−金（Ａｕ ） （Ｄスパッタリング
法等によル同時に形成する事ができイオンシリング法等
を用い簡単にパターンナイズして得られる。このＰＩＮ
ヒートシンクベレット１６のレーザポンディングパッド
１６３上に予め例えば金錫（ＡｕＳｎ）合金等でレーザ
ダイオードペレット１２をアブサイドダウンで（発光部
側を下にして）ダイボンドしておき、このレーザペレッ
ト搭載筒ＰＩＮヒートシンクベレットをステム１１に第
２図の如くマウントする。ＰＩＮヒートシンク１６とス
テム１１のマウントは、例えば錫鉛（ｓｎＰｂ）半田を
用いればレーザダイオードペレット１２及びＰＩＮヒー
トシンク１６間のダイホンドラ何ら損うことなく、１回
で完了する。更に各リード端子と各ペレット（即ちレー
ザダイオードペレット上面電極金属膜及びＰＩＮヒート
シンクペレ。
ンデインクパッド金属膜１６３は例えばチタン（Ｔｉ
）−白金（Ｐｔ）−金（Ａｕ ） （Ｄスパッタリング
法等によル同時に形成する事ができイオンシリング法等
を用い簡単にパターンナイズして得られる。このＰＩＮ
ヒートシンクベレット１６のレーザポンディングパッド
１６３上に予め例えば金錫（ＡｕＳｎ）合金等でレーザ
ダイオードペレット１２をアブサイドダウンで（発光部
側を下にして）ダイボンドしておき、このレーザペレッ
ト搭載筒ＰＩＮヒートシンクベレットをステム１１に第
２図の如くマウントする。ＰＩＮヒートシンク１６とス
テム１１のマウントは、例えば錫鉛（ｓｎＰｂ）半田を
用いればレーザダイオードペレット１２及びＰＩＮヒー
トシンク１６間のダイホンドラ何ら損うことなく、１回
で完了する。更に各リード端子と各ペレット（即ちレー
ザダイオードペレット上面電極金属膜及びＰＩＮヒート
シンクペレ。
ト電極金属膜１６２）とのリード（ワイヤ）ボンディン
グも９０°回転する事等なく１回で容易に行うことがで
きる。
グも９０°回転する事等なく１回で容易に行うことがで
きる。
一方、レーザダイオードペレットは例えばＧａＡＳ基板
上に４〜５層のダブルへテロエピタキシャル層が形成さ
れておシ、いわゆるレーザ発光する活性層を覆っていわ
ゆるクラッド層、キャップ層等のＡｔＧａＡＳ鳩が存在
し、更に表面には電気接続用の金属膜が（場合によって
はアブサイドダウンボンドするため数ミクロン（μｍ）
存在するため、第２図の如く組立てられたレーザダイオ
ードの発光ビームはＰＩＮヒートシンクペレット受光ｍ
１６１より数ミクロン（μｍ）上の位置から放射され
る。
上に４〜５層のダブルへテロエピタキシャル層が形成さ
れておシ、いわゆるレーザ発光する活性層を覆っていわ
ゆるクラッド層、キャップ層等のＡｔＧａＡＳ鳩が存在
し、更に表面には電気接続用の金属膜が（場合によって
はアブサイドダウンボンドするため数ミクロン（μｍ）
存在するため、第２図の如く組立てられたレーザダイオ
ードの発光ビームはＰＩＮヒートシンクペレット受光ｍ
１６１より数ミクロン（μｍ）上の位置から放射され
る。
ここでレーザ発光ビームは、設計上のパラメータによっ
ては多少異るが、いわゆる発光ビームは、設計上のパラ
メータによっては多少異るが、いわゆる放射角を持って
おり半値全角にて２０°〜５０゜程度の広が９が生ずる
。従ってレーザダイオードペレットより後方放射された
レーザ発光ビームはＰＩＮヒートシンクペレットのＰＩ
Ｎダイオード素子部で十分検知可能であυレーザ発光ビ
ームの強度に比例したＰＩＮダイオード電流を得る事が
出来モニタ機能は十分はたす事ができる。
ては多少異るが、いわゆる発光ビームは、設計上のパラ
メータによっては多少異るが、いわゆる放射角を持って
おり半値全角にて２０°〜５０゜程度の広が９が生ずる
。従ってレーザダイオードペレットより後方放射された
レーザ発光ビームはＰＩＮヒートシンクペレットのＰＩ
Ｎダイオード素子部で十分検知可能であυレーザ発光ビ
ームの強度に比例したＰＩＮダイオード電流を得る事が
出来モニタ機能は十分はたす事ができる。
更に本発明によれば発生／モニシ受光素子間位置制御は
従来構造に比べ必然的にタイトになり性能バラツキは小
さく抑える事ができる。又、前述の如く本発明によれば
ステムへのマウント及びボンディングの作業は基本的に
一方向で行うことができ作業が簡略化でき容易となるた
め作業の標準化、自動化も可能となる。後続のキャップ
封止等の工程は従来と全く同様に行えばよい。尚本発明
を実施した場合の各リード端子の電気接続は従来構造の
それと弱干異る（即ち、従来の構造ではステム１自体が
レーザダイオードの一電極を兼ねるが、本発明ではステ
ム１１自体はＰＩＮダイオードの一電極を兼ねる事にな
る）が実用上例の支障もない。又レーザダイオードペレ
ット１２の放熱１ｄＰＩＮヒートシンクペレツトの金属
膜１６３よシ５Ｉ０２等の絶縁膜１６４を介してかっＳ
ｉ基板１６０を経て金属ステム１１に放出されるが、絶
縁膜１６４は高々〜１μ程度とすればよく、更に熱伝導
のよい金属膜１６３により広面に拡げられて放熱される
ため、シリコンヒートシンクの放熱特性を損うことは殆
んどなく実用上問題はない。
従来構造に比べ必然的にタイトになり性能バラツキは小
さく抑える事ができる。又、前述の如く本発明によれば
ステムへのマウント及びボンディングの作業は基本的に
一方向で行うことができ作業が簡略化でき容易となるた
め作業の標準化、自動化も可能となる。後続のキャップ
封止等の工程は従来と全く同様に行えばよい。尚本発明
を実施した場合の各リード端子の電気接続は従来構造の
それと弱干異る（即ち、従来の構造ではステム１自体が
レーザダイオードの一電極を兼ねるが、本発明ではステ
ム１１自体はＰＩＮダイオードの一電極を兼ねる事にな
る）が実用上例の支障もない。又レーザダイオードペレ
ット１２の放熱１ｄＰＩＮヒートシンクペレツトの金属
膜１６３よシ５Ｉ０２等の絶縁膜１６４を介してかっＳ
ｉ基板１６０を経て金属ステム１１に放出されるが、絶
縁膜１６４は高々〜１μ程度とすればよく、更に熱伝導
のよい金属膜１６３により広面に拡げられて放熱される
ため、シリコンヒートシンクの放熱特性を損うことは殆
んどなく実用上問題はない。
又本発明でのＰＩＮヒートシンクペレットは厚さは２０
０μ程度（細くはＰＩＮダイオード素子設計に依存）で
あるため、ＰＩＮヒートシンクベレット内に形成されて
いるＰＩＮダイオード素子の接合部とレーザダイオード
ボンティングパッド１６３との間隔をほぼ厚さと同程度
以上適轟に設計してやればレーザ発光時の発熱にょるＰ
ＩＮダイオード素子性能への影響は無視でき、実用上の
問題は全くない。更に以上の説明では省略したが、レー
ザダイオードペレットの後方放射レーザビームがステム
而や、従来構造に於けるＰＩＮダイオードペレット面で
反射を受は干渉を生ずる事があるが、この干渉作用が問
題となる場合には、従来構造ではＰＩＮダイオードペレ
ット３をレーザダイオードペレット２となる角度を垂直
ではなく斜めにマウントする必要がちシステムの加工又
はペレットの加工が複雑となるが、本発明では後方放射
レーザビームの照射されるステム１１の部位に例えばＶ
字状の溝を形成する等を予め行っておけば簡単に回避可
能である。
０μ程度（細くはＰＩＮダイオード素子設計に依存）で
あるため、ＰＩＮヒートシンクベレット内に形成されて
いるＰＩＮダイオード素子の接合部とレーザダイオード
ボンティングパッド１６３との間隔をほぼ厚さと同程度
以上適轟に設計してやればレーザ発光時の発熱にょるＰ
ＩＮダイオード素子性能への影響は無視でき、実用上の
問題は全くない。更に以上の説明では省略したが、レー
ザダイオードペレットの後方放射レーザビームがステム
而や、従来構造に於けるＰＩＮダイオードペレット面で
反射を受は干渉を生ずる事があるが、この干渉作用が問
題となる場合には、従来構造ではＰＩＮダイオードペレ
ット３をレーザダイオードペレット２となる角度を垂直
ではなく斜めにマウントする必要がちシステムの加工又
はペレットの加工が複雑となるが、本発明では後方放射
レーザビームの照射されるステム１１の部位に例えばＶ
字状の溝を形成する等を予め行っておけば簡単に回避可
能である。
従って本発明を実施する事によってレーザダイオード素
子及び受光ダイオード素子よシなる従来の構造と同じ機
能、性能を有し、かつ高品質でバラツキの少い光半導体
装置を安定し安価に供給する事ができる。
子及び受光ダイオード素子よシなる従来の構造と同じ機
能、性能を有し、かつ高品質でバラツキの少い光半導体
装置を安定し安価に供給する事ができる。
第１図は従来の半導体レーザダイオード素子及びモニタ
用受光ダイオード素子よシなる光半導体装置を示し、同
図（ａ）はレーザダイオードペレット及びＰＩＮダイオ
ードペレットが組込れキャップにて封止された状態を示
す装置全体の断面図で、同図（ｂ）は第１図（ａ）の主
要部分を抽出した概念図（断面図）。第２図は本発明の
半導体レーザダイオード素子及びモニタ用受光ダイオー
ド素子よりなる光半導体装置の主要部分を抽出した概念
図（第１図（ｂ）に相当する断面図）。第３図は本発明
に使用されるＰＩＮダイオード素子を内在したヒートシ
ンク用ペレットの概念図。 １．１１・・・・・・ステム、２．１２・・・・・・レ
ーザダイオードペレット、３・・・・・・ＰＩＮダイオ
ートヘレノト、４・・・・・・ヒートシンク（メタライ
ズ済）、５・・・・・・セラミック絶縁材、１６・・・
・・・ＰＩＮダイオード素子を内在したシリコンヒート
／ンクペレ、ト、ＣＰＩＮヒートシンクペレット）、１
６０・・・・・・シリコン基板、１６１・・・・・・Ｐ
ＩＮダイオード素子受光面（Ｓ１３Ｎ４膜無反射コート
）、１６２・・・・・・ＰＩＮダイオード素子電極金属
膜（Ｔｉ −Ｐｔ−Ａｕ等）、１６３・・・・・・レー
ザダイオードペレットダイボンド用パッド金属膜（Ｔｉ
−Ｐｔ−Ａｕ等）、１６４・・・・・・ＳｉＯ□膜等
の絶縁膜 第 ／ 図
用受光ダイオード素子よシなる光半導体装置を示し、同
図（ａ）はレーザダイオードペレット及びＰＩＮダイオ
ードペレットが組込れキャップにて封止された状態を示
す装置全体の断面図で、同図（ｂ）は第１図（ａ）の主
要部分を抽出した概念図（断面図）。第２図は本発明の
半導体レーザダイオード素子及びモニタ用受光ダイオー
ド素子よりなる光半導体装置の主要部分を抽出した概念
図（第１図（ｂ）に相当する断面図）。第３図は本発明
に使用されるＰＩＮダイオード素子を内在したヒートシ
ンク用ペレットの概念図。 １．１１・・・・・・ステム、２．１２・・・・・・レ
ーザダイオードペレット、３・・・・・・ＰＩＮダイオ
ートヘレノト、４・・・・・・ヒートシンク（メタライ
ズ済）、５・・・・・・セラミック絶縁材、１６・・・
・・・ＰＩＮダイオード素子を内在したシリコンヒート
／ンクペレ、ト、ＣＰＩＮヒートシンクペレット）、１
６０・・・・・・シリコン基板、１６１・・・・・・Ｐ
ＩＮダイオード素子受光面（Ｓ１３Ｎ４膜無反射コート
）、１６２・・・・・・ＰＩＮダイオード素子電極金属
膜（Ｔｉ −Ｐｔ−Ａｕ等）、１６３・・・・・・レー
ザダイオードペレットダイボンド用パッド金属膜（Ｔｉ
−Ｐｔ−Ａｕ等）、１６４・・・・・・ＳｉＯ□膜等
の絶縁膜 第 ／ 図
Claims (1)
- 単一半導体材料基板よシなシ、その一端に受光ダイオー
ド素子を内圧し、かつ該受光ダイオード素子の電気特性
を外部に導出するだめの第１の電極金属膜パターンと絶
縁された状態で、前記基板の反対側端にレーザダイオー
ド素子をマウントするための第２の金属膜パターンを配
置し、かつ前記半導体基板と前記第２金属膜パターンと
の間に絶縁膜を配置して前記金属膜パターンを半導体基
板とも絶縁した状態の、熱放散部材を基盤上に配置し、
前記熱放散部材の前記第２の金属膜パターン上に化合物
半導体材料よシなるレーザダイオード素子をマウントし
、前記基盤を前記受光ダイオード素子の一方の電極とし
、前記第１の電極金属膜パターンを前記受光ダイオード
素子の他方の電極とし、前記第２の金属膜パターンをレ
ーザダイオード素子の一方の電極とし、前記第２の金属
膜パターンと接しない前記レーザダイオード素子のメタ
ライス面をレーザダイオード素子の他方の電極とし、各
電極が互に絶縁された状態で外部導出されていることを
特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206739A JPS5996789A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206739A JPS5996789A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996789A true JPS5996789A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16528296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57206739A Pending JPS5996789A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996789A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188588A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Sony Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS61151366U (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-18 | ||
| JPS61151363U (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-18 | ||
| JPS62204360U (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-26 | ||
| US4821389A (en) * | 1986-12-03 | 1989-04-18 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making a pin fin heat exchanger |
| JPH02125486A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-05-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH065990A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ用パッケージ |
| US5566142A (en) * | 1994-02-10 | 1996-10-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus using an optical pickup |
| US7044654B2 (en) | 2002-11-11 | 2006-05-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmission module and optical transmitter |
| US7095682B2 (en) | 2000-04-06 | 2006-08-22 | Fujitsu Limited | Compact optical signal detecting mechanism and optical storage device having improved signal quality |
| EP1976023A2 (en) | 2007-03-29 | 2008-10-01 | Eudyna Devices Inc. | Optical semiconductor module and light receiving element |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP57206739A patent/JPS5996789A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188588A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Sony Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS61151363U (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-18 | ||
| JPS61151366U (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-18 | ||
| JPS62204360U (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-26 | ||
| US4821389A (en) * | 1986-12-03 | 1989-04-18 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making a pin fin heat exchanger |
| JPH02125486A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-05-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH065990A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ用パッケージ |
| US5566142A (en) * | 1994-02-10 | 1996-10-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus using an optical pickup |
| US7095682B2 (en) | 2000-04-06 | 2006-08-22 | Fujitsu Limited | Compact optical signal detecting mechanism and optical storage device having improved signal quality |
| US7044654B2 (en) | 2002-11-11 | 2006-05-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmission module and optical transmitter |
| EP1976023A2 (en) | 2007-03-29 | 2008-10-01 | Eudyna Devices Inc. | Optical semiconductor module and light receiving element |
| US7807954B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-10-05 | Eudyna Devices Inc. | Light receiving element with upper and side light receiving faces and an optical semiconductor module with the light receiving element and a light emitting element mounted on the same mounting unit |
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