JPH04283948A - 光半導体素子用サブマウント - Google Patents
光半導体素子用サブマウントInfo
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- JPH04283948A JPH04283948A JP3048109A JP4810991A JPH04283948A JP H04283948 A JPH04283948 A JP H04283948A JP 3048109 A JP3048109 A JP 3048109A JP 4810991 A JP4810991 A JP 4810991A JP H04283948 A JPH04283948 A JP H04283948A
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Landscapes
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体素子のチップ
の実装に使用する光半導体素子用サブマウントに関する
ものである。
の実装に使用する光半導体素子用サブマウントに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は半導体レ−ザダイオ−ドチップ（
ＬＤチップ）をサブマウントを介して放熱用金属ブロッ
クにダイボンドした状態を示す断面側面図である。この
図において、１はＬＤチップ、３はＳｉＣの電気絶縁材
料からなるサブマウント基体、５はこのサイブマウント
基体３の両面にメタライズされたバリヤ層である。６は
このバリヤ層５上に形成されたＳｎ半田層で、このＳｎ
半田層６とＬＤチップ１および放熱用金属ブロック７が
それぞれ接着されている。
ＬＤチップ）をサブマウントを介して放熱用金属ブロッ
クにダイボンドした状態を示す断面側面図である。この
図において、１はＬＤチップ、３はＳｉＣの電気絶縁材
料からなるサブマウント基体、５はこのサイブマウント
基体３の両面にメタライズされたバリヤ層である。６は
このバリヤ層５上に形成されたＳｎ半田層で、このＳｎ
半田層６とＬＤチップ１および放熱用金属ブロック７が
それぞれ接着されている。
【０００３】ＬＤチップ１は図示はしていないＧａＡｓ
基板上に液相または気相成長法によりＧａＡｓ，ＧａＡ
ｌｘ Ａｓ１−ｘ の各層が順次積層され、ダブルヘテ
ロ接合を形成している。また、内部ストライプ構造によ
り電流注入によるキャリアの閉じ込めが効率よく行われ
、その結果、電子とホ−ルの再結合により光が発生する
。発生した光は、共振器端面での反射を繰り返し、導波
路内で増幅していき、内部吸収ロスと同じになったとこ
ろでレ−ザ発振を開始する。レ−ザ光は共振器端面の微
小な領域より放射されるため、結晶内部ではかなりの発
熱が起こる。発振後のレ−ザ特性を安定に得るためには
放熱が必須である。
基板上に液相または気相成長法によりＧａＡｓ，ＧａＡ
ｌｘ Ａｓ１−ｘ の各層が順次積層され、ダブルヘテ
ロ接合を形成している。また、内部ストライプ構造によ
り電流注入によるキャリアの閉じ込めが効率よく行われ
、その結果、電子とホ−ルの再結合により光が発生する
。発生した光は、共振器端面での反射を繰り返し、導波
路内で増幅していき、内部吸収ロスと同じになったとこ
ろでレ−ザ発振を開始する。レ−ザ光は共振器端面の微
小な領域より放射されるため、結晶内部ではかなりの発
熱が起こる。発振後のレ−ザ特性を安定に得るためには
放熱が必須である。
【０００４】ここでは、放熱効果をよくするためにＡｇ
からなる放熱用金属ブロック７上に電気絶縁材料からな
るＳｉＣ（シリコンカ−バイト）のサブマウント基体３
をマウントし、このサブマウント基体３上にＬＤチップ
１をマウントしている。電気絶縁材料からなるＳｉＣ製
のサブマウント基体３は図示していないワイヤで任意に
ワイヤボンディングを行うことにより、客先から要求さ
れた極性を満足させることができる点で非常に効果的な
材料である。
からなる放熱用金属ブロック７上に電気絶縁材料からな
るＳｉＣ（シリコンカ−バイト）のサブマウント基体３
をマウントし、このサブマウント基体３上にＬＤチップ
１をマウントしている。電気絶縁材料からなるＳｉＣ製
のサブマウント基体３は図示していないワイヤで任意に
ワイヤボンディングを行うことにより、客先から要求さ
れた極性を満足させることができる点で非常に効果的な
材料である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
光半導体素子用サブマウントは、放熱を良くし、客先か
ら要求された極性にあった組立を行うために、ＳｉＣ製
のサブマウント基体３を使用しているが、材料コストが
非常に高く、低価格化要求に対応できないという問題点
があった。
光半導体素子用サブマウントは、放熱を良くし、客先か
ら要求された極性にあった組立を行うために、ＳｉＣ製
のサブマウント基体３を使用しているが、材料コストが
非常に高く、低価格化要求に対応できないという問題点
があった。
【０００６】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、安価な材料でサブマウントを構
成し、低価格な光半導体素子を得ることを目的とする。
ためになされたもので、安価な材料でサブマウントを構
成し、低価格な光半導体素子を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光半導体素
子用サブマウントは、ＳｉまたはＧｅを用いてサブマウ
ント基体を構成し、このサブマウント基体上に電気絶縁
層を設け、さらにこの電気絶縁層上およびサブマウント
基体の裏面に多層構造のバリヤ層を形成し、前記バリア
層の上に半田層を形成したものである。
子用サブマウントは、ＳｉまたはＧｅを用いてサブマウ
ント基体を構成し、このサブマウント基体上に電気絶縁
層を設け、さらにこの電気絶縁層上およびサブマウント
基体の裏面に多層構造のバリヤ層を形成し、前記バリア
層の上に半田層を形成したものである。
【０００８】
【作用】本発明における光半導体素子用サブマウントは
、ＳｉまたはＧｅでサブマウント基体を構成し、このサ
ブマウント基体上に電気絶縁層を形成し、その上にバリ
ヤ層を形成し、その上に半田層を形成して光半導体素子
のチップが接着されることから、電気絶縁層としてＳｉ
の熱拡散により酸化膜が形成されて、電気絶縁特性が得
られ、バリヤ層によりＳｉの拡散上昇が防止され、かつ
ボンディングも任意に行える。
、ＳｉまたはＧｅでサブマウント基体を構成し、このサ
ブマウント基体上に電気絶縁層を形成し、その上にバリ
ヤ層を形成し、その上に半田層を形成して光半導体素子
のチップが接着されることから、電気絶縁層としてＳｉ
の熱拡散により酸化膜が形成されて、電気絶縁特性が得
られ、バリヤ層によりＳｉの拡散上昇が防止され、かつ
ボンディングも任意に行える。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の光半導体素子用サブマウントの一実
施例を示す断面側面図、図２は本発明のサブマウントを
用いてダイボンドされた状態を示す断面側面図である。 これらの図において、２は光半導体素子用サブマウント
（以下、単にサブマウントという）で、安価な材料であ
るＳｉ（またはＧｅ）からなる電気伝導性を有しており
、このサブマウント基体２の主面にＳｉの熱酸化膜から
なる電気絶縁層４を形成し、その上に第１層Ｔｉ層５１
，第２層Ｎｉ層またはＰｔ層５２，第３層Ａｕ層５３か
らなるＳｉの拡散上昇を防ぎ、ボンディングを行うため
のバリヤ層５を形成し、さらにその上に、例えばＳｎ半
田層６を形成し、このＳｎ半田層６によりＬＤチップ１
がサブマウント基体２上にマウントされる。また、この
サブマウント基体２は、その裏面に同じくバリヤ層５を
形成し、放熱用金属ブロック７上にダイボンドされてい
る。
る。図１は本発明の光半導体素子用サブマウントの一実
施例を示す断面側面図、図２は本発明のサブマウントを
用いてダイボンドされた状態を示す断面側面図である。 これらの図において、２は光半導体素子用サブマウント
（以下、単にサブマウントという）で、安価な材料であ
るＳｉ（またはＧｅ）からなる電気伝導性を有しており
、このサブマウント基体２の主面にＳｉの熱酸化膜から
なる電気絶縁層４を形成し、その上に第１層Ｔｉ層５１
，第２層Ｎｉ層またはＰｔ層５２，第３層Ａｕ層５３か
らなるＳｉの拡散上昇を防ぎ、ボンディングを行うため
のバリヤ層５を形成し、さらにその上に、例えばＳｎ半
田層６を形成し、このＳｎ半田層６によりＬＤチップ１
がサブマウント基体２上にマウントされる。また、この
サブマウント基体２は、その裏面に同じくバリヤ層５を
形成し、放熱用金属ブロック７上にダイボンドされてい
る。
【００１０】次に、本発明の動作について説明する。図
２は本発明のサブマウント基体２を用いてＬＤチップ１
を放熱用金属ブロック７にダイボンドした状態を示す図
である。なお、その詳細は従来例で述べたので、ここで
は省略する。
２は本発明のサブマウント基体２を用いてＬＤチップ１
を放熱用金属ブロック７にダイボンドした状態を示す図
である。なお、その詳細は従来例で述べたので、ここで
は省略する。
【００１１】本発明のサブマウントは、安価な材料で、
しかも量産性，加工性に優れたＳｉ（またはＧｅ）をサ
ブマウント基体２として用い、従来のＳｉＣ製のサブマ
ウント基体２の持つ電気絶縁特性を得るために、ＬＤチ
ップ１をマウントする側（主面）に電気絶縁層４である
熱酸化膜（ＳｉＯ２ 膜）を形成している。電気絶縁層
４の上に順次第１層Ｔｉ層５１，第２層Ｎｉ層またはＰ
ｔ層５２，表面層としてワイヤボンディングするための
第３層Ａｕ層５３をバリヤ層５として形成し、客先より
の要求に応じた極性を得るように任意にワイヤボンディ
ングを行う。
しかも量産性，加工性に優れたＳｉ（またはＧｅ）をサ
ブマウント基体２として用い、従来のＳｉＣ製のサブマ
ウント基体２の持つ電気絶縁特性を得るために、ＬＤチ
ップ１をマウントする側（主面）に電気絶縁層４である
熱酸化膜（ＳｉＯ２ 膜）を形成している。電気絶縁層
４の上に順次第１層Ｔｉ層５１，第２層Ｎｉ層またはＰ
ｔ層５２，表面層としてワイヤボンディングするための
第３層Ａｕ層５３をバリヤ層５として形成し、客先より
の要求に応じた極性を得るように任意にワイヤボンディ
ングを行う。
【００１２】なお、上記実施例では、半導体レ−ザ素子
について述べたがＬＥＤ，ＰＤでも良い。また、サブマ
ウント基体２としては電気伝導性の材料でＳｉと同等の
物性特性が得られるものであれば良い。
について述べたがＬＥＤ，ＰＤでも良い。また、サブマ
ウント基体２としては電気伝導性の材料でＳｉと同等の
物性特性が得られるものであれば良い。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
サブマウント基体をＳｉまたはＧｅで構成し、このサブ
マウント基体上に電気絶縁層を形成し、この上に電気絶
縁層およびサブマウント基体の裏面の表面にワイヤボン
ディング可能なＡｕ層が形成された多層構造のバリヤ層
を形成し、このバリヤ層上に半田層を形成したので、適
当な寸法に加工することも容易に行え、かつ十分な電気
絶縁特性が得られ、ワイヤボンディングも任意に行うこ
とができるとともに、安価に電気絶縁性を有するサブマ
ウントを作成することができ、低価格化に対応できる効
果が得られる。
サブマウント基体をＳｉまたはＧｅで構成し、このサブ
マウント基体上に電気絶縁層を形成し、この上に電気絶
縁層およびサブマウント基体の裏面の表面にワイヤボン
ディング可能なＡｕ層が形成された多層構造のバリヤ層
を形成し、このバリヤ層上に半田層を形成したので、適
当な寸法に加工することも容易に行え、かつ十分な電気
絶縁特性が得られ、ワイヤボンディングも任意に行うこ
とができるとともに、安価に電気絶縁性を有するサブマ
ウントを作成することができ、低価格化に対応できる効
果が得られる。
【図１】本発明の一実施例による光半導体素子用サブマ
ウントの断面側面図である。
ウントの断面側面図である。
【図２】本発明によるサブマウントを介してＬＤチップ
を放熱用金属ブロックにダイボンドした状態を示す断面
側面図である。
を放熱用金属ブロックにダイボンドした状態を示す断面
側面図である。
【図３】従来のサブマウントを介してＬＤチップを放熱
用金属ブロックにダイボンドした状態を示す断面側面図
である。
用金属ブロックにダイボンドした状態を示す断面側面図
である。
１ ＬＤチップ
２ サブマウント基体
４ 電気絶縁層
５ バリヤ層
５１ 第１層Ｔｉ層
５２ 第２層Ｎｉ層またはＰｔ層
５３ 第３層Ａｕ層
６ Ｓｎ半田層
７ 放熱用金属ブロック
Claims (1)
- 【請求項１】光半導体素子のチップをサブマウントを介
して放熱用金属ブロックに接着する光半導体素子用サブ
マウントにおいて、サブマウント基体をＳｉまたはＧｅ
の電気伝導性材料で構成するとともに、前記サブマウン
ト基体の主面に電気絶縁層を形成し、この電気絶縁層上
および前記サブマウント基体の裏面に第１層Ｔｉ層，第
２層Ｎｉ層またはＰｔ層，第３層Ａｕ層からなるバリヤ
層を設け、このバリヤ層上に半田層を形成したことを特
徴とする光半導体素子用サブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048109A JPH04283948A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 光半導体素子用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048109A JPH04283948A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 光半導体素子用サブマウント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283948A true JPH04283948A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=12794150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3048109A Pending JPH04283948A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 光半導体素子用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04283948A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352129A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Lg Electronics Inc | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP2007300063A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-11-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| WO2007126720A3 (en) * | 2006-04-27 | 2008-01-03 | Cree Inc | Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same |
| CN104701435A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-10 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3048109A patent/JPH04283948A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352129A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Lg Electronics Inc | 発光ダイオードの製造方法 |
| US8008646B2 (en) | 2005-06-16 | 2011-08-30 | Lg Electronics Inc. | Light emitting diode |
| US8709835B2 (en) | 2005-06-16 | 2014-04-29 | Lg Electronics Inc. | Method for manufacturing light emitting diodes |
| JP2007300063A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-11-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| WO2007126720A3 (en) * | 2006-04-27 | 2008-01-03 | Cree Inc | Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same |
| US7655957B2 (en) | 2006-04-27 | 2010-02-02 | Cree, Inc. | Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same |
| US8378374B2 (en) | 2006-04-27 | 2013-02-19 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting device packages including submounts |
| CN104701435A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-10 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
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