JP2006352129A - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006352129A JP2006352129A JP2006164196A JP2006164196A JP2006352129A JP 2006352129 A JP2006352129 A JP 2006352129A JP 2006164196 A JP2006164196 A JP 2006164196A JP 2006164196 A JP2006164196 A JP 2006164196A JP 2006352129 A JP2006352129 A JP 2006352129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- pattern
- light emitting
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 139
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QEQWDEBBDASYQQ-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Sr++].[Ta+5].[Bi+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Sr++].[Ta+5].[Bi+3] QEQWDEBBDASYQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEBXVKWKYKWDDA-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Bi].[Sr] Chemical compound [Ta].[Bi].[Sr] OEBXVKWKYKWDDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYGIQCIWMDOZJI-UHFFFAOYSA-N [Ti].[La].[Zr] Chemical compound [Ti].[La].[Zr] FYGIQCIWMDOZJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- QNZFKUWECYSYPS-UHFFFAOYSA-N lead zirconium Chemical compound [Zr].[Pb] QNZFKUWECYSYPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明は基板の上部にパターンを形成し、パターンが形成された基板の上部に発光構造物を形成した後、基板を発光構造物から離脱させ離脱された発光構造物面に前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを形成することにより、素子の光出力を向上
させられる。
【選択図】図3e
Description
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳述する。
この際、前記発光構造物は図7aに示したように、基板311上にN−GaN層313、活性層314とP−GaN層315を含む図4bの工程が完了された状態の構造物を指す。
そして、前記N-オーミックコンタクト用物質330は電流の分散のため“+”字形に形成することが望ましい。
前述したように製造された本発明の発光ダイオードは窒化ガリウムが成長される前に基板をパタニングして特定形態の屈曲を形成した後、その屈曲された形状の上部に窒化ガリウム成長を進行して、エピ層の欠点が減少し結晶性が良好になって高効率、高信頼性のエピ層を形成することができる。
210、221、312、313a: パターン
220: 第1層
230、314: 活性層 240: 第2層
250、270: 電極 260: 支持部
313: NーGaN層 315: PーGaN層
316、321、322、330: オーミックコンタクト物質
317: 反射用メタル
318: UBM層 320: 伝導性 基板
322: ソルダ 360: 伝導性ホルダ
501: ナノロッド 520: 金属薄膜層
521: 集塊
Claims (20)
- 基板の上部にパターンを形成する段階と、
前記パターンが形成された基板の上部に第1極性を有する第1層、活性層、第1極性と反対の第2極性を有する第2層と第1電極を形成する段階と、
前記第1電極の上部に支持部をボンディングする段階と、
前記第1層からパターンされた基板を分離させるリフトオフ工程を行なって、前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを前記第1層に形成する段階と、
前記第1層に第2電極を形成する段階とを含んでなる発光ダイオードの製造方法。 - 前記支持部は、
伝導性基板の上部及び下部にオーミックコンタクト物質が形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記第1電極の上部にUBM層をさらに形成することを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第1電極と前記UBM層との間に反射層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記反射層は、
Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti、透明伝導性酸化膜の一つまたはこれらの組み合わせで形成されることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 基板の上部にパターンを形成する段階と、
前記パターンが形成された基板の上部に第1極性を有する第1層、活性層、第1極性と反対の第2極性を有する第2層と第1電極を形成する段階と、
前記第1電極の上部に伝導性ホルダを形成する段階と、
前記第1層からパターンされた基板を分離させるリフトオフ工程を行なって、前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを前記第1層に形成する段階と、
前記第1層に第2電極を形成する段階とを含んでなる発光ダイオードの製造方法。 - 前記第1電極と前記伝導性ホルダとの間に反射層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第1層はn−GaN層であり、
前記第2層はp−GaN層であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記基板は、
サファイア基板、シリコン基板、酸化亜鉛基板と窒化物半導体基板のいずれか一つの基板と、
サファイア基板、シリコン基板と酸化亜鉛基板のいずれか一つにGaN、InGaN、AlGaN、 AlInGaNのいずれか一つが積層されたテンプレート基板と、
これらの基板上に誘電層が形成された基板のいずれか一つであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記基板の上部にパターンを形成する段階は、
所定のパターンを有するマスクを基板の上部に形成して湿式エッチング、乾式エッチングとHVPEのいずれか一つを通じてエッチングして形成することを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記パターンは、
多数の膨らんだストライプ状のパターン、多数の凹んだストライプ状のパターンと多数の凹んだスクラッチ状のパターンのいずれか一つ、または凹状、凸状、凹と凸の混合状のいずれか一つを有する多数の四角筒、ドームとロッドのいずれか一つであることを特徴とする請求項1または6に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記パターンの高さと幅は0.001〜100μmであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記伝導性基板はSi、AlN、SiC、GaAs、Cu、W、Moのいずれか一つ以上を含んでなることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記伝導性ホルダは、電気メッキ、無電解メッキ、CVD、スパッタリングの一つ以上の方法により形成されることを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記伝導性ホルダの厚さは10〜400μmであることを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記伝導性ホルダは、
Cu、W、Au、Ni、Mo、Pt、Pd、Co、Ag、Al及びTiよりなる群から一つ以上を含んでなることを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記基板の上部にパターンを形成する段階は、
基板の上部に金属薄膜層を形成する工程と、
前記金属薄膜層を熱処理して相互離隔された複数個のナノサイズの集塊を形成する工程と、
前記複数個のナノサイズの集塊をマスクにして、前記基板の上部を選択的にエッチングする工程と、
前記複数個のナノサイズの集塊を除去して、前記基板の上部に相互離隔された複数個のナノロッドを形成する工程を行なうことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 基板の上部にパターンを形成する段階と、
前記パターンが形成された基板の上部にn−GaN層、活性層、p−GaN層と第1電極を形成する段階と、
前記第1電極の上部に反射層を形成する段階と、
前記反射層の上部に伝導性ホルダを形成する段階と、
前記nーGaN層から前記パターンされた基板を分離させるリフトオフ工程を行って、前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを前記nーGaN層に形成する段階と、
前記nーGaN層に第2電極を形成する段階とからなる発光ダイオードの製造方法。 - 前記反射層は、
Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti、透明伝導性酸化膜のうち一つまたはこれらの組み合わせで形成されることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記パターンは、
ナノロッドよりなるものであり、
前記ナノロッドの高さは10〜1000nmであり、幅は2〜5000nmであることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0051671 | 2005-06-16 | ||
KR1020050051671A KR20060131327A (ko) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010105176A Division JP2010245542A (ja) | 2005-06-16 | 2010-04-30 | 発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006352129A true JP2006352129A (ja) | 2006-12-28 |
JP4786430B2 JP4786430B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=37055971
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006164196A Expired - Fee Related JP4786430B2 (ja) | 2005-06-16 | 2006-06-14 | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2010105176A Pending JP2010245542A (ja) | 2005-06-16 | 2010-04-30 | 発光ダイオード |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010105176A Pending JP2010245542A (ja) | 2005-06-16 | 2010-04-30 | 発光ダイオード |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8709835B2 (ja) |
EP (2) | EP2264795B1 (ja) |
JP (2) | JP4786430B2 (ja) |
KR (1) | KR20060131327A (ja) |
CN (1) | CN100407464C (ja) |
DE (1) | DE602006018223D1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011515859A (ja) * | 2008-03-26 | 2011-05-19 | ラティス パワー (チアンシ) コーポレイション | 高反射性オーム電極を有する半導体発光デバイス |
JP2011109061A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-06-02 | Tekcore Co Ltd | 垂直型発光ダイオードの製造方法 |
JP2011530164A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
JP2012059750A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
JP2012235117A (ja) * | 2011-04-29 | 2012-11-29 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013048301A (ja) * | 2010-01-08 | 2013-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 光デバイス |
WO2014084500A1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 서울바이오시스 주식회사 | 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100654533B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2006-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 광 추출용 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR20070063731A (ko) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | 엘지전자 주식회사 | 나노 패턴이 형성된 기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한발광소자 |
KR100820546B1 (ko) * | 2006-09-07 | 2008-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
TWI331411B (en) * | 2006-12-29 | 2010-10-01 | Epistar Corp | High efficiency light-emitting diode and method for manufacturing the same |
EP2003702A1 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | High Power Optoelectronics Inc. | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
KR101381985B1 (ko) * | 2007-08-10 | 2014-04-10 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광소자 제조 방법 |
KR100921466B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2009-10-13 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100889568B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2009-03-23 | 우리엘에스티 주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100889569B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2009-03-23 | 우리엘에스티 주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
US8994052B2 (en) * | 2008-03-04 | 2015-03-31 | Epistar Corporation | High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof |
TWI381551B (zh) | 2008-08-01 | 2013-01-01 | Epistar Corp | 一種包含複合電鍍基板之發光元件 |
CN101877377B (zh) * | 2009-04-30 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种分立发光二极管的外延片及其制造方法 |
KR101007078B1 (ko) | 2009-11-02 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
US8283676B2 (en) * | 2010-01-21 | 2012-10-09 | Siphoton Inc. | Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate |
US8129205B2 (en) | 2010-01-25 | 2012-03-06 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices and associated methods of manufacturing |
JP5940775B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2016-06-29 | ローム株式会社 | 液晶表示装置バックライト用led光源装置および液晶表示装置 |
JP5573632B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-08-20 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
CN102169932A (zh) * | 2011-01-15 | 2011-08-31 | 郑州大学 | 氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法 |
TWI449219B (zh) * | 2011-01-20 | 2014-08-11 | Innolux Corp | 發光二極體裝置及其製造方法 |
TWI459592B (zh) * | 2011-04-26 | 2014-11-01 | Univ Nat Chiao Tung | 奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法 |
CN103236395B (zh) * | 2011-05-25 | 2016-09-28 | 新加坡科技研究局 | 在基底上形成纳米结构的方法及其用途 |
US9806228B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-10-31 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US9105792B2 (en) | 2011-10-10 | 2015-08-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US10153396B2 (en) | 2011-10-10 | 2018-12-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US9691939B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-06-27 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
US10622515B2 (en) | 2011-10-10 | 2020-04-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
CN103367584B (zh) * | 2012-03-30 | 2017-04-05 | 清华大学 | 发光二极管及光学元件 |
CN103367585B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-04-13 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103367583B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-08-17 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN102629652B (zh) * | 2012-04-23 | 2014-03-19 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
TWI539624B (zh) * | 2012-05-28 | 2016-06-21 | 晶元光電股份有限公司 | 具有圖形化界面之發光元件及其製造方法 |
TWI540768B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-07-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 發光晶片組合及其製造方法 |
CN103066178B (zh) * | 2012-12-29 | 2015-07-29 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种倒装光子晶体led芯片及其制造方法 |
KR20150039518A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR102323686B1 (ko) * | 2014-10-21 | 2021-11-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR102307062B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2021-10-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치 |
CN105702824B (zh) * | 2016-01-26 | 2018-07-24 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种采用晶圆级Si图形衬底制作LED垂直芯片的方法 |
CN105514229B (zh) * | 2016-01-26 | 2018-01-02 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种晶圆级led垂直芯片的制作方法 |
CN108305918B (zh) | 2017-01-12 | 2019-07-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 |
US10879420B2 (en) | 2018-07-09 | 2020-12-29 | University Of Iowa Research Foundation | Cascaded superlattice LED system |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04283948A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
JPH06326210A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
JPH0778807A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Sony Corp | マスク及びその形成方法及びこれを用いたエッチング方法 |
JPH0992877A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JPH0992878A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH10270761A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-10-09 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
US20030222263A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-04 | Kopin Corporation | High-efficiency light-emitting diodes |
JP2004047704A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子の製造方法およびその製品 |
JP2004228540A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-08-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2004265959A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
JP2005039197A (ja) * | 2003-05-27 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6331356B1 (en) * | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
KR0173932B1 (ko) * | 1995-07-25 | 1999-02-01 | 김광호 | 내부리드와 기판 본딩패드가 직접 전기적 연결된 멀티칩 패키지 |
US6936859B1 (en) * | 1998-05-13 | 2005-08-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US6570251B1 (en) * | 1999-09-02 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Under bump metalization pad and solder bump connections |
JP2002057190A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
US6562648B1 (en) * | 2000-08-23 | 2003-05-13 | Xerox Corporation | Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials |
JP2002284600A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板 |
US6723165B2 (en) * | 2001-04-13 | 2004-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating Group III nitride semiconductor substrate |
JP3470706B2 (ja) | 2001-04-25 | 2003-11-25 | ソニー株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物半導体層の端面の形成方法および半導体装置 |
US6649942B2 (en) * | 2001-05-23 | 2003-11-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
TW531873B (en) * | 2001-06-12 | 2003-05-11 | Advanced Interconnect Tech Ltd | Barrier cap for under bump metal |
JP4055503B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP4720051B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法 |
US6498355B1 (en) * | 2001-10-09 | 2002-12-24 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High flux LED array |
TW526337B (en) * | 2001-11-16 | 2003-04-01 | Advanced Semiconductor Eng | Device for testing the electrical characteristics of chip |
US6784462B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
JP2003197961A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
US6586043B1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-01 | Micron Technology, Inc. | Methods of electroless deposition of nickel, methods of forming under bump metallurgy, and constructions comprising solder bumps |
JP3782357B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
CN101383393B (zh) * | 2002-01-28 | 2013-03-20 | 日亚化学工业株式会社 | 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法 |
US6869820B2 (en) * | 2002-01-30 | 2005-03-22 | United Epitaxy Co., Ltd. | High efficiency light emitting diode and method of making the same |
TW530402B (en) * | 2002-03-01 | 2003-05-01 | Advanced Semiconductor Eng | Bump process |
JP3982284B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2007-09-26 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
US20030189215A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Jong-Lam Lee | Method of fabricating vertical structure leds |
JP4233268B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2003332508A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101052139B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2011-07-26 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치 |
DE10245628A1 (de) | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7110180B2 (en) * | 2002-10-09 | 2006-09-19 | Ricoh Company, Ltd. | Diffraction grating, method of fabricating diffraction optical element, optical pickup device, and optical disk drive |
JP4074505B2 (ja) | 2002-10-25 | 2008-04-09 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
US8969883B2 (en) * | 2002-11-16 | 2015-03-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light device and fabrication method thereof |
US20040104395A1 (en) * | 2002-11-28 | 2004-06-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light-emitting device, method of fabricating the same, and OHMIC electrode structure for semiconductor device |
US6977396B2 (en) | 2003-02-19 | 2005-12-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | High-powered light emitting device with improved thermal properties |
US7683377B2 (en) * | 2003-07-16 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same |
JP3951300B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2007-08-01 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
TWI312582B (en) * | 2003-07-24 | 2009-07-21 | Epistar Corporatio | Led device, flip-chip led package and light reflecting structure |
WO2005015648A1 (en) | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Epivalley Co., Ltd. | Method of forming grating on substrate and iii-nitride semiconductor light emitting device using the substrate |
KR20050041536A (ko) | 2003-10-31 | 2005-05-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
TWI234298B (en) * | 2003-11-18 | 2005-06-11 | Itswell Co Ltd | Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same |
TWI230425B (en) * | 2004-02-06 | 2005-04-01 | South Epitaxy Corp | Bumping process for light emitting diode |
KR100593536B1 (ko) | 2004-03-08 | 2006-06-28 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
KR20070013273A (ko) | 2004-03-15 | 2007-01-30 | 팅기 테크놀러지스 프라이빗 리미티드 | 반도체 장치의 제조 |
US7419912B2 (en) * | 2004-04-01 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Laser patterning of light emitting devices |
US7161188B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element |
US20070102692A1 (en) * | 2004-07-12 | 2007-05-10 | Hirokazu Asahara | Semiconductor light emitting device |
KR100616600B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자 |
US20060043513A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-02 | Deok-Hoon Kim | Method of making camera module in wafer level |
US7321140B2 (en) * | 2005-03-11 | 2008-01-22 | Applied Materials, Inc. | Magnetron sputtered metallization of a nickel silicon alloy, especially useful as solder bump barrier |
US20060237735A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Jean-Yves Naulin | High-efficiency light extraction structures and methods for solid-state lighting |
KR100588377B1 (ko) | 2005-05-10 | 2006-06-09 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-06-16 KR KR1020050051671A patent/KR20060131327A/ko not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-06-12 US US11/450,343 patent/US8709835B2/en active Active
- 2006-06-14 JP JP2006164196A patent/JP4786430B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-16 CN CN2006100937382A patent/CN100407464C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-16 DE DE602006018223T patent/DE602006018223D1/de active Active
- 2006-06-16 EP EP20100183454 patent/EP2264795B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-16 EP EP06290985A patent/EP1734592B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-18 US US11/802,073 patent/US8008646B2/en active Active
-
2010
- 2010-04-30 JP JP2010105176A patent/JP2010245542A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04283948A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
JPH06326210A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
JPH0778807A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Sony Corp | マスク及びその形成方法及びこれを用いたエッチング方法 |
JPH0992877A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JPH0992878A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH10270761A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-10-09 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
US20030222263A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-04 | Kopin Corporation | High-efficiency light-emitting diodes |
JP2004047704A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子の製造方法およびその製品 |
JP2004228540A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-08-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2004265959A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
JP2005039197A (ja) * | 2003-05-27 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011515859A (ja) * | 2008-03-26 | 2011-05-19 | ラティス パワー (チアンシ) コーポレイション | 高反射性オーム電極を有する半導体発光デバイス |
JP2011530164A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
US9425352B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-08-23 | Lg Siltron Inc. | Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same |
JP2011109061A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-06-02 | Tekcore Co Ltd | 垂直型発光ダイオードの製造方法 |
JP2013048301A (ja) * | 2010-01-08 | 2013-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 光デバイス |
JP2012059750A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
US8470625B2 (en) | 2010-09-06 | 2013-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device |
JP2012235117A (ja) * | 2011-04-29 | 2012-11-29 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
US8748203B2 (en) | 2011-04-29 | 2014-06-10 | Tsinghua University | Method for making light emitting diode |
WO2014084500A1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 서울바이오시스 주식회사 | 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8709835B2 (en) | 2014-04-29 |
EP2264795B1 (en) | 2015-04-22 |
JP4786430B2 (ja) | 2011-10-05 |
CN1881631A (zh) | 2006-12-20 |
EP1734592A2 (en) | 2006-12-20 |
EP2264795A2 (en) | 2010-12-22 |
KR20060131327A (ko) | 2006-12-20 |
EP1734592B1 (en) | 2010-11-17 |
US20070267644A1 (en) | 2007-11-22 |
EP1734592A3 (en) | 2009-03-18 |
EP2264795A3 (en) | 2011-03-02 |
US8008646B2 (en) | 2011-08-30 |
US20060286697A1 (en) | 2006-12-21 |
CN100407464C (zh) | 2008-07-30 |
JP2010245542A (ja) | 2010-10-28 |
DE602006018223D1 (de) | 2010-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4786430B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
JP5165276B2 (ja) | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 | |
JP4572270B2 (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
KR101125395B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2012256918A (ja) | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2008172040A (ja) | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、バックライト、ディスプレイおよび電子機器 | |
JP2007521641A (ja) | 表面粗化による高効率の(B,Al,Ga,In)Nベースの発光ダイオード | |
JP2008047860A (ja) | 表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 | |
JP2012028773A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
WO2010050501A1 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法、発光装置 | |
JP2009054688A (ja) | 発光素子 | |
KR101009744B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101008268B1 (ko) | 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
US20100289050A1 (en) | Light-emitting element | |
JP2009135192A (ja) | 発光素子 | |
JP2009094108A (ja) | GaN系LED素子の製造方法 | |
KR20090109598A (ko) | 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법 | |
JP2006295057A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
JP5702165B2 (ja) | 表面粗化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード | |
JP2010147242A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5037980B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2009182010A (ja) | 3族窒化物化合物半導体の製造方法、発光素子、照明装置及び3族窒化物化合物半導体成長用の基板 | |
JP2007157778A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101681573B1 (ko) | 발광소자의 제조방법 | |
KR101181018B1 (ko) | 주기적 편향구조가 내재된 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090723 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100616 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100809 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110121 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4786430 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |