CN1881631A - 制造发光二极管的方法 - Google Patents
制造发光二极管的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1881631A CN1881631A CNA2006100937382A CN200610093738A CN1881631A CN 1881631 A CN1881631 A CN 1881631A CN A2006100937382 A CNA2006100937382 A CN A2006100937382A CN 200610093738 A CN200610093738 A CN 200610093738A CN 1881631 A CN1881631 A CN 1881631A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- layer
- electrode
- ground floor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 38
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QEQWDEBBDASYQQ-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Sr++].[Ta+5].[Bi+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Sr++].[Ta+5].[Bi+3] QEQWDEBBDASYQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEBXVKWKYKWDDA-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Bi].[Sr] Chemical compound [Ta].[Bi].[Sr] OEBXVKWKYKWDDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYGIQCIWMDOZJI-UHFFFAOYSA-N [Ti].[La].[Zr] Chemical compound [Ti].[La].[Zr] FYGIQCIWMDOZJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N titanium zirconium Chemical compound [Ti].[Zr] PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种制造LED的方法，通过该方法，通过在衬底的上表面上形成图案，在形成有图案的衬底的上表面上形成发光结构，将该衬底从发光结构去除，以及在发光结构的表面上形成与形成在该衬底的上表面上的图案对应的图案，能够增强器件的取光效率。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2005年6月16日提交于韩国工业产权局并且分配的序列号为No.10-2005-0051671的申请的权益，将其内容结合于此以作参考。
技术领域
本说明书总的来说涉及制造发光二极管的方法。
背景技术
通常，氮化镓(GaN)基III族化合物半导体发光二极管(下文中称其为LED)相对于使用其他半导体的二极管具有宽的带隙和优良的可靠性，使得能够开发出覆盖从紫外到红外的光线的宽的光发射谱范围的LED。
在由III族氮化化合物制成的半导体LED的技术上的最新进展允许将该二极管使用于各种商业目的领域。
具体的，GaN基III族化合物半导体LED广泛地用于标志牌、显示器、背光以及电灯泡，并且其应用正逐渐增长。因此开发高端LED是很重要的。
图1是III族氮化物半导体LED的剖面图。通过在蓝宝石衬底上顺序淀积缓冲层110、N-GaN层112、有源层(active layer)113及P-GaN层114，来形成二极管。而且，从P-GaN层114到部分的N-GaN层112进行台面刻蚀(mesa-etching)，并在P-GaN层114的上表面上形成透明电极115。在被台面刻蚀了的N-GaN层112的上表面上形成N型金属层117，使得如果经N和P电极施加电压，则电子和空穴从N-GaN层112和P-GaN层14流进有源层113，产生电子-空穴复合并产生光。
然而，存在这样的问题，由于LED是从具有低热导率的蓝宝石衬底制造来的，因而在二极管工作过程中产生的热不能够平稳地发射，从而使二极管的特性退化。
还存在这样的问题，不能在LED之上和之下同时形成电极，而是形成在相同的方向上，如图1中所示，遇到有源层的部分去除的问题。结果是，发光面积减少，使得难以实现具有高亮度的高质量LED。不可避免地降低了从同一晶片生产的芯片的数量，从而使在封装期间涉及两次接合(bonding)的制造工艺复杂。
还存在另一问题，当在晶片上完成LED芯片工艺之后，在研磨、抛光、划片、用于将晶片分裂为单元芯片的裂片工艺中使用蓝宝石衬底时，由于蓝宝石衬底与相对较软的GaN基底层硬度之间面(facet)不匹配，成品率遇到问题。
图2是示出根据现有技术其中从氮化物基化合物LED发射的光被全反射并被约束在器件内的现象的概念图。
首先，在两个具有不同折射率的媒介之间传播的光，经历界面处的反射和透射，并且如果入射角度等于或大于规定的角度，则不出现透射，而发生内部全反射，此时，该角度称为临界角。
换而言之，如果从现有技术的氮化物化合物LED的有源层153发出的光，以大于临界角的角度向透明电极155传播，那么其被全反射，并被约束在器件内，且被吸收入器件的外延层和蓝宝石衬底151，从而降低了外量子效率(external quantum efficiency)。
发明内容
本发明意图解决上述问题，并且本发明的目是提供制造发光二极管的方法，通过该方法，在衬底的上表面上嵌入图案，在嵌入图案的该衬底上形成发光结构，在通过将衬底从发光结构分开在产生的发光结构的表面上嵌入图案印记(pattern impression)，并形成与该衬底的上表面上的图案对应的图案，从而增强器件的取光效率。
在一个一般方面中，一种制造发光二极管的方法包括：在衬底的上表面上形成图案；在形成有图案的衬底的上表面上形成具有第一极性的第一层、有源层、具有与该第一层的极性相反的极性的第二层、以及第一电极；将支撑物结合到第一电极的上表面；进行剥离(lift-off)工艺，其中将形成有图案的衬底从第一层分开，来在第一层上形成与在衬底的上表面上形成的图案对应的图案；以及在第一层上形成第二电极。
在另一一般方面中，一种制造发光二极管的方法包括：在衬底的上表面上形成图案；在形成有图案的衬底的上表面上形成具有第一极性的第一层、有源层、具有与该第一层的极性相反的极性的第二层、以及第一电极；在第一电极的上表面上形成导电支持物(holder)；进行剥离工艺，其中将形成有图案的衬底从第一层分开，来在第一层上形成与在衬底的上表面上形成的图案对应的图案；以及在第一层上形成第二电极。
在又一一般方面中，一种制造发光二极管的方法包括：在衬底的上表面上形成图案；在形成有图案的衬底的上表面上形成N-GaN层、有源层、P-GaN层、以及第一电极；在第一电极的上表面上形成反射层；在该反射层的上表面上形成导电支持物；进行剥离工艺，其中将形成图案的衬底与n-GaN分开，来在n-GaN层上形成与在衬底的上表面上形成的图案对应的图案；以及在n-GaN层上形成第二电极。
附图说明
图1是III族氮化物半导体LED的剖面图；
图2是示出根据现有技术从氮化物基化合物LED发出的光被全反射并被约束在器件内的现象的概念图；
图3a至图3e是示出根据本发明制造发光二极管的方法的剖面图；
图4a和图4b是示出根据本发明形成LED结构的方法的剖面图；
图5a至图5f是示出根据本发明的衬底图案的形式的透视图；
图6a和图6b是示出根据本发明制造其也是一种支撑物的贴片安装(sub-mount)衬底的方法的剖面图；
图7a至图7e是示出根据本发明通过将贴片安装结合到发光结构制造LED方法的剖面图；
图8是示出根据本发明形成图案的LED的光输出的概念图；
图9是示出根据本发明另一实施例制造LED方法的剖面图；
图10a至图10d是示出根据本发明在衬底上表面上形成纳米尺寸的图案的方法的示意剖面图。
具体实施方式
参考图3a至图3e，图案210形成在衬底200的上表面上(图3a)。此处，图案210由衬底200的上表面上的凸起、凹陷或者凸起与凹陷的组合来限定。
形成有图案210的衬底200在其上形成有具有第一极性的第一层220、有源层230、具有与第一层220的极性相反的极性的第二层240、以及第一电极250(图3b)。随后，第一电极250结合于支撑物260的上表面(图3c)。
支撑物260作用在于当在工艺过程中去除衬底200时(稍后说明)可靠地固定包括第一层220、有源层230以及第二层240的发光结构。优选的，支撑物260是在导电衬底上和下形成有欧姆接触材料的贴片安装衬底。该贴片安装衬底仅是支撑物的示例，本发明并不限于此。
第一电极250可以在其上进一步形成有金属化层(metallurgiclayer)作为凸点下金属化(Under Bump Metallurgy，UBM)层，并且支撑物260可以通过焊料结合到该UBM层。在第一电极250与UBM层之间，可以进行处理以形成包括Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti和透射传导氧化层的至少一个或其组合的反射层。
接着，进行剥离工艺，以将形成有图案的衬底200从第一层220分开，来在第一层220上形成与衬底200的上表面上形成的那些图案对应的图案(图3d)。随后，形成有图案221的第一层220被形成有第二电极270(图3e)。通过前述图3的工艺完成LED的制造。
同时该第一层220和第二层240是优选由化合物半导体制成。优选的，第一层220是n-GaN层，而第二层240是p-GaN层。
现在，转到图4a和图4b，衬底311在其上表面上形成有图案312(图4a)。
通过在衬底311上形成具有预定图案的掩模以及通过干法或湿法刻蚀工艺刻蚀衬底311，从而在衬底311的顶部上形成图案312。另一方法是在衬底311的上表面上形成未掺杂的un-GaN层，然后经湿法刻蚀、干法刻蚀和HVPE(氢化物气相外延)工艺刻蚀该衬底使之具有预定图案的未掺杂的un-GaN层。
更优选的，由于存在对于湿法或干法刻蚀工艺使用形成图案的掩模的不便之处，因此以激光束照射在形成于衬底311上的未掺杂的un-GaN层的预定区域，以形成图案312。
接着，在形成有图案312的衬底311的上表面上进行MOCVD，顺序层叠N-GaN层313、有源层314和P-GaN层315，并在600摄氏度进行大约20分钟的热处理，以激活P-GaN层315的杂质(图4a)。
在P-GaN层315的上表面上形成P-欧姆接触材料316，以形成UBM层318。为了实现更好的取光效率，优选的，该P-欧姆接触材料316其上形成有反射金属317(图4b)。在P-GaN层315的顶部上形成的P-欧姆材料316用作P-电极。
如果在该GaN层上形成了电极，则制备欧姆接触材料，以维持高的透射性以及获得优良的欧姆接触特性，因而可以使用本领域中所有已知的欧姆接触材料。
对于反射金属317只要其具有反射光的特性就没有限制，但是优选的，反射金属317有选择地以Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti、ATO(掺杂有Sb的SnO2)和ITO的任一形成，并且其厚度超过0.2μm。
优选的，UBM层318是下面的叠层结构的任意一种：Ti/Pt/Au、或Ti/Au、Ni/Au和Pt/Au。
在该发光结构中，也可以在形成图案的衬底311上淀积N-GaN层313之前形成缓冲层(未示出)。
优选的，通过以MOCVD工艺或高GaN生长速率的HVPE工艺，在水平方向和纵向外延地生长未掺杂的氮化物化合物半导体层，来淀积该缓冲层。优选的，该缓冲层有选择地包括AIN、GaN和AlInN层的任一。
图5a至图5f是示出根据本发明的衬底图案形式的透视图，其中图案312可以以多种形状形成，并且不限于附图中所示出的。
然而优选的，每一图案312是如图5a和图5b中所示的多个凸起的带状形状、多个凹陷的带状形状、如图5c中所示多个凹陷挖刻(scratched)形状的任意一种。尽管在图中没有示出，图案的凹陷挖刻形状表示了图案的不规则地挖刻状况。因此以无规律的、不规则的和挖刻的槽在衬底上形成凹陷挖刻形状的图案。
并且，在不同的概念中，每一图案312优选具有每一都具有凹陷、凸起以及凹陷与凸起的组合的任一形状的圆顶形状、杆状以及方柱的任意一种。此处，方柱形状、圆顶形状和杆状的每一都具有凹陷形状、凸起形状以及凹陷与凸起形状的组合的任意一种。
图5d的附图标记‘312d’示出凹陷结构中的透镜形状的圆顶，图5e的‘312e’示出块状的杆，而图5f的‘312f’示出块状的方柱。
优选的，每一图案312的高度(深度)、宽度及长度是在0.001～100μm的范围中，每一图案成形的角部与顶点的角度是在0～180度的范围中，并且对于凹陷的透镜形状的圆顶，对曲率半径没有限制。
对于衬底311的类型并没有特别的限制，并且任何衬底，只要该衬底能够生长外延层，就可以选择它。
可以理解，该衬底可以包括：蓝宝石衬底、硅衬底、氧化锌衬底以及氮化物半导体衬底的任意一种；以GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN的任意一种层叠在蓝宝石衬底、硅衬底和氧化锌衬底上的模板衬底；以及在这些衬底上形成有介质层的任一衬底。
介质层的材料并没有特别的限制，介质层可以以铝、氧化钇氧化物、二氧化硅、氮化硅、氧化硅、PZT(铅锆钛：PbTiO3-PbZrO3)、诸如PLZT(铅镧锆钛：PbTiO3-PbZrO3-La2O3)的钙钛矿基氧化物膜，以及诸如SBT(锶铋钽：SrBi2Ta2O3)的锶-铋-钽氧化物膜。
现在参考图6a和图6b，导电衬底320其上和其下形成有欧姆接触材料321和322(图6a)。
导电材料320最好是具有优良热和电传导率的材料。导电衬底320最好具有类似于外延层的热膨胀系数。优选的，导电衬底320包含Si、AlN、SiC、GaAs、Cu、W和Mo的组的至少一个或多个。
接着，形成有欧姆接触材料321和322的导电衬底320其上层叠有焊料322(6b)。结果，在该导电衬底上和下的形成有欧姆接触材料的贴片安装衬底350的制造完成，其也是前述支撑物的一种。
现在，转到图7a至7e，贴片安装衬底350的焊料322与贴片安装衬底350上的反向的层叠发光结构堆叠，并与之结合，使得能够接触该反向的层叠发光结构的UBM层318(图7a)。
此时，如图7a中所示，发光结构定义了以图4b的工艺完成的结构，其包括N-GaN层313、有源层314和P-GaN层315。该结构正是用于制造一个或多个LED的，而图7a至图7e中的结构是用于制造多个LED的。
现在，经剥离工艺从N-GaN层313去除衬底311(图7b)。此时，与衬底311的上表面上形成的那些图案对应的图案313a，被留在了去除了衬底311的N-GaN层313的表面上。
随后，与每一LED对应的N-GaN层313下形成有N-欧姆接触材料330(图7c)。优选的，为了分散电流，在N-GaN层313下形成的N-欧姆接触材料330以‘+’的形状形成。在N-GaN层313下形成的N-欧姆接触材料330可以是N-电极。最后，经划片和裂片工艺将该结构分成单独的器件(图7d和图7e)。
因此，根据本发明制造发光二极管的方法能够增强器件的取光效率，在该方法中图案嵌入在衬底的上表面上，在嵌入图案的衬底上形成发光结构，在通过将该衬底从发光结构分开而生产的发光结构的表面上嵌入图案。
图8是示出根据本发明形成图案的LED的光输出的概念图，其中，如果进行上述的LED的制造工艺，则图案313a嵌入在LED的光输出表面上，并且该图案在光输出表面上产生凹陷和凸起，以防止从LED有源层发出的光被从该光输出表面全反射。
换而言之，光输出表面的凹陷和凸起避免了从器件发出的光被全反射，使得向器件外部发出的光的量增加，而降低被约束在器件内部的光，从而增强了器件的取光效率。
图9是示出了根据本发明另一实施例的制造LED的方法的剖面图，其中在第一电极的上表面上形成导电支持物而不是上述的支撑物。
可以理解，根据本发明另一实施例的制造LED的方法包括：在衬底的上表面上形成图案；在形成有图案的衬底的上表面上形成具有第一极性的第一层、有源层、具有与第一层的极性相反极性的第二层、以及第一电极；在第一电极的上表面上形成导电支持物；执行剥离工艺，其中将形成有图案的衬底从第一层分开，以在第一层上形成与形成在该衬底的上表面上的那些图案对应的图案；以及在形成图案的第一层上形成第二电极。
因此，在本实施例中，在图4a的工艺之后，在P-GaN层315的上表面上顺序形成P-欧姆接触材料316和反射金属317，并且在反射金属317的上表面上形成该导电支持物360，并然后去除该衬底。
导电支持物360作用来支持发光结构，使得在制造LED的过程中该结构可以被剥离和移动。此时，反射金属317的形成是可选工艺。导电支持物360可以通过MOCVD方法淀积，但出于简化目的，最好通过电镀方法淀积该导电支持物360。
换句话说，可以通过电镀方法、无电镀方法、CVD(化学气相淀积)方法以及溅射方法的任意一种或多种，形成该导电支持物360。
对于该导电支持物360的厚度并没有限制，但优选的，其在10～400μm的范围。对于导电支持物360的材料亦没有特别限制，而是可以选择具有优良热和电传导率并具有类似于外延层的热膨胀系数的材料。优选的，该材料包含Cu、W、Au、Ni、Mo、Pt、Pd、Co、Ag、Al和Ti的组的至少一个或多个。
现在，参考图10a至图10d，在衬底500的上表面上形成金属薄膜层520(图10a)。对该金属薄膜层520进行热处理，以允许形成多个离散的纳米团聚块(nano agglomeration)521(图10b)。随后，利用纳米团聚块521作为掩模有选择地刻蚀衬底500的上表面(图10c)。最后，去除纳米团聚块521，以允许在衬底500的上表面上形成多个离散的纳米杆501(图10d)。结果是，如果进行图10a至图10d的工艺，则能够在衬底500的上表面上形成包括该纳米杆的图案。优选的，每一杆的高度是在10～1000nm的范围，而其宽度是2～5000nm。
从前述显而易见，上述制造LED的方法中的优点在于，通过在衬底的上表面上形成图案、在对应于形成在衬底的上表面上的图案的衬底图案的上表面上形成发光结构，将该衬底从发光结构去除，以及在该发光结构的表面上形成图案印记，能够增强器件的取光效率。
另一优点在于，由于出于再使用的目的，通过剥离工艺分开形成图案的衬底，因而能够降低制造成本。
尽管在此参考了优选实施例说明了本发明，本领域的技术人员可以容易地理解，可以进行各种修改和变化，而不脱离本发明的精神的范围。这种修改和变化被认为是在所附权利要求及其等效物的界限和范围内。
Claims (20)
1.一种制造发光二极管的方法，包括：
在衬底的上表面上形成图案；
在形成有图案的衬底的上表面上形成具有第一极性的第一层、有源层、具有与该第一层的极性相反的极性的第二层、以及第一电极；
将支撑物结合到第一电极的上表面；
进行剥离工艺，其中将形成有图案的衬底与第一层分开，来在第一层上形成与在该衬底的上表面上形成的图案对应的图案；以及
在第一层上形成第二电极。
2.如权利要求1所述的方法，其中以该支撑物在导电衬底之上和之下形成有欧姆接触材料。
3.如权利要求1或2所述的方法，进一步包括第一电极的上表面上的凸点下金属化层。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括在第一电极与该凸点下金属化层之间形成反射层的工艺。
5.如权利要求4所述的方法，其中该反射层包括Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti和透射传导氧化层的至少一个或其组合。
6.一种制造发光二极管的方法，包括：
在衬底的上表面上形成图案；
在形成有图案的衬底的上表面上形成具有第一极性的第一层、有源层、具有与该第一层的极性相反的极性的第二层、以及第一电极；
在第一电极的上表面上形成导电支持物；
进行剥离工艺，其中将形成有图案的衬底从该第一层分开，来在第一层上形成与在衬底的上表面上形成的图案对应的图案；以及
在第一层上形成第二电极。
7.如权利要求6所述的方法，进一步包括在第一电极与该导电支持物之间形成反射层的工艺。
8.如权利要求1至7的任一项所述的方法，其中该第一层是n-GaN层，而该第二层是p-GaN层。
9.如权利要求1至6的任一项所述的方法，其中该衬底包括：蓝宝石衬底、硅衬底、氧化锌衬底以及氮化物半导体衬底的任意一种；以GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN的任意一种层叠在蓝宝石衬底、硅衬底和氧化锌衬底上的模板衬底；以及在这些衬底上形成有介质层的任一衬底。
10.如权利要求1至7的任一项所述的方法，其中在该衬底的上表面上形成图案的步骤包括步骤：在该衬底的上表面上形成具有预定图案的掩模以及通过湿法刻蚀方法、干法刻蚀方法和HVPE方法中的任一种方法刻蚀。
11.如权利要求1或6所述的方法，其中该图案包括：多个凸起的带状形状、多个凹陷的带状形状和多个凹陷挖刻形状的任意一种，或者具有凹陷、凸起以及凹陷与凸起的组合的多个矩形柱、圆顶、杆的任意一种。
12.如权利要求1所述的方法，其中每一图案的高度和宽度是在0.001～100μm。
13.如权利要求2所述的方法，其中该导电衬底包括Si、AlN、SiC、GaAs、Cu、W和Mo的组的至少一个或多个。
14.如权利要求6所述的方法，其中通过电镀方法、无电镀方法、CVD方法以及溅射方法的任意一种或多种，形成该导电支持物。
15.如权利要求6所述的方法，其中该导电支持物的厚度在10～400μm的范围。
16.如权利要求6所述的方法，其中该导电支持物的材料包括Cu、W、Au、Ni、Mo、Pt、Pd、Co、Ag、Al和Ti的组中的至少一个或多个。
17.如权利要求1至7的任一项所述的方法，其中在衬底的上表面上形成图案的步骤包括：
在衬底的上表面上形成薄金属膜层；
对该薄金属膜层进行热处理，以允许形成多个离散的纳米团聚块；
利用纳米团聚块作为掩模，有选择地刻蚀衬底的上表面；以及
去除纳米团聚块，以允许在衬底的上表面上形成多个离散的纳米杆。
18.一种制造发光二极管的方法，包括：
在衬底的上表面上形成图案；
在形成有图案的衬底的上表面上形成N-GaN层、有源层、P-GaN层、以及第一电极；
在第一电极的上表面上形成反射层；
在该反射层的上表面上形成导电支持物；
进行剥离工艺，其中将形成有图案的衬底从n-GaN分开，以在n-GaN层上形成与在衬底的上表面上形成的图案对应的图案；以及
在n-GaN层上形成第二电极。
19.如权利要求18所述的方法，其中该反射层包括包括Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti和透射传导氧化层的至少一个或其组合。
20.如权利要求18所述的方法，其中该图案包括纳米杆，并且每一纳米杆的高度是在10～1000nm的范围，而其宽度是2～5000nm。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050051671 | 2005-06-16 | ||
| KR1020050051671A KR20060131327A (ko) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1881631A true CN1881631A (zh) | 2006-12-20 |
| CN100407464C CN100407464C (zh) | 2008-07-30 |
Family
ID=37055971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006100937382A Expired - Fee Related CN100407464C (zh) | 2005-06-16 | 2006-06-16 | 制造发光二极管的方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8709835B2 (zh) |
| EP (2) | EP2264795B1 (zh) |
| JP (2) | JP4786430B2 (zh) |
| KR (1) | KR20060131327A (zh) |
| CN (1) | CN100407464C (zh) |
| DE (1) | DE602006018223D1 (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102169932A (zh) * | 2011-01-15 | 2011-08-31 | 郑州大学 | 氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法 |
| CN101877377B (zh) * | 2009-04-30 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种分立发光二极管的外延片及其制造方法 |
| CN102760801A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-10-31 | 清华大学 | 发光二极管的制备方法 |
| TWI449219B (zh) * | 2011-01-20 | 2014-08-11 | Innolux Corp | 發光二極體裝置及其製造方法 |
| CN105514229A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-04-20 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种晶圆级led垂直芯片的制作方法 |
| CN105529384A (zh) * | 2014-10-21 | 2016-04-27 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光设备 |
| CN105702824A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-06-22 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种采用晶圆级Si图形衬底制作LED垂直芯片的方法 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100654533B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2006-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 광 추출용 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR20070063731A (ko) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | 엘지전자 주식회사 | 나노 패턴이 형성된 기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한발광소자 |
| KR100820546B1 (ko) * | 2006-09-07 | 2008-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWI331411B (en) * | 2006-12-29 | 2010-10-01 | Epistar Corp | High efficiency light-emitting diode and method for manufacturing the same |
| US8304805B2 (en) * | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
| EP2003702A1 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | High Power Optoelectronics Inc. | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| KR101381985B1 (ko) * | 2007-08-10 | 2014-04-10 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광소자 제조 방법 |
| KR100921466B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2009-10-13 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR100889568B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2009-03-23 | 우리엘에스티 주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100889569B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2009-03-23 | 우리엘에스티 주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8994052B2 (en) * | 2008-03-04 | 2015-03-31 | Epistar Corporation | High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof |
| CN102119449B (zh) * | 2008-03-26 | 2013-01-23 | 晶能光电（江西）有限公司 | 具有高反射欧姆电极的半导体发光器件 |
| TWI381551B (zh) | 2008-08-01 | 2013-01-01 | Epistar Corp | 一種包含複合電鍍基板之發光元件 |
| KR100956499B1 (ko) * | 2008-08-01 | 2010-05-07 | 주식회사 실트론 | 금속층을 가지는 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자 |
| TW201104921A (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-01 | Tekcore Co Ltd | Method of manufacturing a vertical type light-emitting diode |
| KR101007078B1 (ko) * | 2009-11-02 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8283676B2 (en) * | 2010-01-21 | 2012-10-09 | Siphoton Inc. | Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate |
| US8129205B2 (en) | 2010-01-25 | 2012-03-06 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices and associated methods of manufacturing |
| JP5940775B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2016-06-29 | ローム株式会社 | 液晶表示装置バックライト用ｌｅｄ光源装置および液晶表示装置 |
| JP5185344B2 (ja) | 2010-09-06 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
| JP5573632B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-08-20 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| TWI459592B (zh) * | 2011-04-26 | 2014-11-01 | Univ Nat Chiao Tung | 奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法 |
| CN103236395B (zh) * | 2011-05-25 | 2016-09-28 | 新加坡科技研究局 | 在基底上形成纳米结构的方法及其用途 |
| US10153396B2 (en) | 2011-10-10 | 2018-12-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US9105792B2 (en) | 2011-10-10 | 2015-08-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US9806228B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-10-31 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US10622515B2 (en) | 2011-10-10 | 2020-04-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US9691939B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-06-27 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| CN103367585B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-04-13 | 清华大学 | 发光二极管 |
| CN103367583B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-08-17 | 清华大学 | 发光二极管 |
| CN103367584B (zh) * | 2012-03-30 | 2017-04-05 | 清华大学 | 发光二极管及光学元件 |
| CN102629652B (zh) * | 2012-04-23 | 2014-03-19 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
| TWI539624B (zh) * | 2012-05-28 | 2016-06-21 | 晶元光電股份有限公司 | 具有圖形化界面之發光元件及其製造方法 |
| KR20140068474A (ko) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | 서울바이오시스 주식회사 | 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법 |
| TWI540768B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-07-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 發光晶片組合及其製造方法 |
| CN103066178B (zh) * | 2012-12-29 | 2015-07-29 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种倒装光子晶体led芯片及其制造方法 |
| KR20150039518A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR102307062B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2021-10-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치 |
| CN108305918B (zh) | 2017-01-12 | 2019-07-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 |
| US10879420B2 (en) | 2018-07-09 | 2020-12-29 | University Of Iowa Research Foundation | Cascaded superlattice LED system |
Family Cites Families (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331356B1 (en) * | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
| JPH04283948A (ja) | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
| JP3377553B2 (ja) | 1993-05-13 | 2003-02-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JPH0778807A (ja) | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Sony Corp | マスク及びその形成方法及びこれを用いたエッチング方法 |
| KR0173932B1 (ko) * | 1995-07-25 | 1999-02-01 | 김광호 | 내부리드와 기판 본딩패드가 직접 전기적 연결된 멀티칩 패키지 |
| JPH0992877A (ja) | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JPH0992878A (ja) | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP4146527B2 (ja) | 1997-01-24 | 2008-09-10 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製法 |
| US6936859B1 (en) * | 1998-05-13 | 2005-08-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US6570251B1 (en) * | 1999-09-02 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Under bump metalization pad and solder bump connections |
| JP2002057190A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
| US6562648B1 (en) * | 2000-08-23 | 2003-05-13 | Xerox Corporation | Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials |
| JP2002284600A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板 |
| US6723165B2 (en) * | 2001-04-13 | 2004-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating Group III nitride semiconductor substrate |
| JP3470706B2 (ja) | 2001-04-25 | 2003-11-25 | ソニー株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の端面の形成方法および半導体装置 |
| US6649942B2 (en) * | 2001-05-23 | 2003-11-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
| TW531873B (en) * | 2001-06-12 | 2003-05-11 | Advanced Interconnect Tech Ltd | Barrier cap for under bump metal |
| JP4055503B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4720051B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法 |
| US6498355B1 (en) * | 2001-10-09 | 2002-12-24 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High flux LED array |
| TW526337B (en) * | 2001-11-16 | 2003-04-01 | Advanced Semiconductor Eng | Device for testing the electrical characteristics of chip |
| US6784462B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
| JP2003197961A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| US6586043B1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-07-01 | Micron Technology, Inc. | Methods of electroless deposition of nickel, methods of forming under bump metallurgy, and constructions comprising solder bumps |
| JP3782357B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
| EP2105977B1 (en) * | 2002-01-28 | 2014-06-25 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor element with supporting substrate and method for producing nitride semiconductor element |
| US6869820B2 (en) * | 2002-01-30 | 2005-03-22 | United Epitaxy Co., Ltd. | High efficiency light emitting diode and method of making the same |
| TW530402B (en) * | 2002-03-01 | 2003-05-01 | Advanced Semiconductor Eng | Bump process |
| JP3982284B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2007-09-26 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
| US20030189215A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Jong-Lam Lee | Method of fabricating vertical structure leds |
| JP4233268B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2003332508A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20030222263A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-04 | Kopin Corporation | High-efficiency light-emitting diodes |
| JP3896044B2 (ja) | 2002-07-11 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子の製造方法およびその製品 |
| KR100891403B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2009-04-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치 |
| DE10245628A1 (de) | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7110180B2 (en) * | 2002-10-09 | 2006-09-19 | Ricoh Company, Ltd. | Diffraction grating, method of fabricating diffraction optical element, optical pickup device, and optical disk drive |
| JP4074505B2 (ja) | 2002-10-25 | 2008-04-09 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
| AU2003280878A1 (en) * | 2002-11-16 | 2004-06-15 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device and fabrication method thereof |
| JP3997523B2 (ja) | 2002-11-28 | 2007-10-24 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
| US20040104395A1 (en) * | 2002-11-28 | 2004-06-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light-emitting device, method of fabricating the same, and OHMIC electrode structure for semiconductor device |
| JP3935091B2 (ja) | 2003-02-27 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
| US6977396B2 (en) | 2003-02-19 | 2005-12-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | High-powered light emitting device with improved thermal properties |
| JP3818297B2 (ja) | 2003-05-27 | 2006-09-06 | 松下電工株式会社 | 半導体発光素子 |
| EP2475006B1 (en) * | 2003-07-16 | 2015-09-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same |
| JP3951300B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2007-08-01 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| TWI312582B (en) * | 2003-07-24 | 2009-07-21 | Epistar Corporatio | Led device, flip-chip led package and light reflecting structure |
| WO2005015648A1 (en) | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Epivalley Co., Ltd. | Method of forming grating on substrate and iii-nitride semiconductor light emitting device using the substrate |
| KR20050041536A (ko) | 2003-10-31 | 2005-05-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| JP2005150675A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Itswell Co Ltd | 半導体発光ダイオードとその製造方法 |
| TWI230425B (en) * | 2004-02-06 | 2005-04-01 | South Epitaxy Corp | Bumping process for light emitting diode |
| KR100593536B1 (ko) | 2004-03-08 | 2006-06-28 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
| ATE533187T1 (de) | 2004-03-15 | 2011-11-15 | Tinggi Technologies Private Ltd | Fabrikation von halbleiterbauelementen |
| US7419912B2 (en) * | 2004-04-01 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Laser patterning of light emitting devices |
| US7161188B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element |
| WO2006006556A1 (ja) | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
| KR100616600B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자 |
| US20060043513A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-02 | Deok-Hoon Kim | Method of making camera module in wafer level |
| US7321140B2 (en) * | 2005-03-11 | 2008-01-22 | Applied Materials, Inc. | Magnetron sputtered metallization of a nickel silicon alloy, especially useful as solder bump barrier |
| US20060237735A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Jean-Yves Naulin | High-efficiency light extraction structures and methods for solid-state lighting |
| KR100588377B1 (ko) * | 2005-05-10 | 2006-06-09 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-06-16 KR KR1020050051671A patent/KR20060131327A/ko not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-06-12 US US11/450,343 patent/US8709835B2/en active Active
- 2006-06-14 JP JP2006164196A patent/JP4786430B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-16 EP EP20100183454 patent/EP2264795B1/en not_active Not-in-force
- 2006-06-16 CN CN2006100937382A patent/CN100407464C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-16 EP EP06290985A patent/EP1734592B1/en not_active Not-in-force
- 2006-06-16 DE DE602006018223T patent/DE602006018223D1/de active Active
-
2007
- 2007-05-18 US US11/802,073 patent/US8008646B2/en active Active
-
2010
- 2010-04-30 JP JP2010105176A patent/JP2010245542A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101877377B (zh) * | 2009-04-30 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种分立发光二极管的外延片及其制造方法 |
| CN102169932A (zh) * | 2011-01-15 | 2011-08-31 | 郑州大学 | 氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法 |
| TWI449219B (zh) * | 2011-01-20 | 2014-08-11 | Innolux Corp | 發光二極體裝置及其製造方法 |
| CN102760801A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-10-31 | 清华大学 | 发光二极管的制备方法 |
| CN102760801B (zh) * | 2011-04-29 | 2015-04-01 | 清华大学 | 发光二极管的制备方法 |
| CN105529384A (zh) * | 2014-10-21 | 2016-04-27 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光设备 |
| CN105529384B (zh) * | 2014-10-21 | 2019-04-09 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光设备 |
| CN105514229A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-04-20 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种晶圆级led垂直芯片的制作方法 |
| CN105702824A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-06-22 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种采用晶圆级Si图形衬底制作LED垂直芯片的方法 |
| CN105702824B (zh) * | 2016-01-26 | 2018-07-24 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种采用晶圆级Si图形衬底制作LED垂直芯片的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060286697A1 (en) | 2006-12-21 |
| JP2010245542A (ja) | 2010-10-28 |
| EP2264795A3 (en) | 2011-03-02 |
| EP1734592A3 (en) | 2009-03-18 |
| EP1734592B1 (en) | 2010-11-17 |
| KR20060131327A (ko) | 2006-12-20 |
| EP2264795B1 (en) | 2015-04-22 |
| US8709835B2 (en) | 2014-04-29 |
| EP2264795A2 (en) | 2010-12-22 |
| DE602006018223D1 (de) | 2010-12-30 |
| US20070267644A1 (en) | 2007-11-22 |
| EP1734592A2 (en) | 2006-12-20 |
| JP4786430B2 (ja) | 2011-10-05 |
| CN100407464C (zh) | 2008-07-30 |
| JP2006352129A (ja) | 2006-12-28 |
| US8008646B2 (en) | 2011-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100407464C (zh) | 制造发光二极管的方法 | |
| JP5165276B2 (ja) | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 | |
| JP5286045B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| US9041005B2 (en) | Solid state lighting devices with cellular arrays and associated methods of manufacturing | |
| JP5037169B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP5719493B2 (ja) | 表面粗化による高効率の（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎベースの発光ダイオード | |
| US8294166B2 (en) | Transparent light emitting diodes | |
| CN1957481A (zh) | 制造三族氮化物装置的方法及使用该方法制造的装置 | |
| CN102822996A (zh) | 半导体发光器件 | |
| TW201340403A (zh) | 具有凹槽電極與光提取結構的發光二極體晶粒及其製作方法 | |
| CN1510765A (zh) | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置及其制造方法 | |
| US10069037B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| KR100735488B1 (ko) | 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법 | |
| KR100762003B1 (ko) | 수직구조 질화물계 발광다이오드 소자의 제조방법 | |
| US20180019378A1 (en) | Method For Fabricating High-Efficiency Light Emitting Diode Having Light Emitting Window Electrode Structure | |
| CN1790755A (zh) | 用于制造发光装置的方法 | |
| JP2005197506A (ja) | 窒化ガリウム基ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光ダイオードとその製造方法 | |
| CN1516294A (zh) | 氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法 | |
| US9130114B2 (en) | Vertical light emitting diode (VLED) dice having confinement layers with roughened surfaces and methods of fabrication | |
| CN110571317B (zh) | 一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法 | |
| CN1606178A (zh) | 高亮度的发光元件及其制造方法 | |
| KR101054229B1 (ko) | 표면 거칠기를 갖는 ⅲ―ⅴ족 화합물 반도체 발광소자의 제조방법 | |
| CN1571178A (zh) | 一种发光二极管结构及其制造方法 | |
| CN1641894A (zh) | 发光二极管元件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080730 Termination date: 20170616 |