CN105514229A - 一种晶圆级led垂直芯片的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶圆级LED垂直芯片的制作方法,包括以下步骤：1)Si图形衬底的制作；2)LED外延层的生长；3)SiO2阻隔层的制作；4)防腐层的制作；5)键合基板的准备；6)晶圆级键合；7)Si图形衬底的剥离；8)N电极的制作。本发明将Si衬底剥离，根本上解决Si吸光问题；同时在沟槽处引入SiO2阻隔层，能在不切割芯片的情况下实现晶圆尺寸垂直芯片光电性能的检测，并且适用于任何晶圆级Si图形衬底的垂直芯片制作，具有检测工序简化，兼容性好的优点。
Description
技术领域
本发明涉及LED垂直芯片的制作，具体涉及一种晶圆级LED垂直芯片的制作方法。
背景技术
LED是提倡节能减排的社会背景下的产物，其环保、节能、抗震性能好，在未来照明市场上前景广阔，被誉为第四代绿色照明光源。GaN作为第三代半导体材料代表之一，具有直接带隙、宽禁带、高饱和电子漂移速度、高击穿电场和高热导率等优异性能，在微电子应用方面得到了广泛的关注。自I.Akasaki首次成功获得p-GaN，实现蓝光LED的新突破后，GaN基化合物一直是制备LED器件的主要材料，在室内照明、商业照明、工程照明等领域有着广泛的应用。
高质量GaN材料一般都通过异质外延方法制作。作为常用于生长GaN的衬底，蓝宝石有稳定的物理化学性质，但它与GaN间存在很大的晶格失配(16％)及热失配(25％)，造成生长的GaN薄膜质量较差；SiC虽然与GaN的晶格失配度仅3.5％，导热率较高，但它的热失配与蓝宝石相当(25.6％)，与GaN的润湿性较差，价格昂贵，并且外延技术已被美国科锐公司垄断，因此也无法普遍使用。相比较下，Si衬底具有成本低、单晶尺寸大且质量高、导热率高、导电性能良好等诸多特点，并且Si的微电子技术十分成熟，在Si衬底上生长GaN薄膜有望实现光电子和微电子的集成。正是因为Si衬底的上述诸多优点，Si衬底上生长GaN薄膜进而制备LED越来越备受关注。但是，Si与GaN热失配远远高于蓝宝石，导致外延片更易产生裂纹，Si对可见光的吸收作用也会大大降低LED发光效率。
基于此，Si图形衬底具有很好的优势。通过人为在Si衬底制作沟槽，能释放应力，抑制外延层的大面积生长，从而得到无裂纹的LED外延薄膜方块。不过，Si图形衬底由于沟槽的存在，使得后续芯片加工流程大大改变，目前基于Si图形衬底LED外延薄膜的芯片制作鲜有报道。同时，Si吸光问题仍然存在。
由此可见，即便Si图形衬底具有非常良好的发展前景，但要从Si图形衬底上制作LED芯片，解决Si吸光问题，还需要开发新的方法及工艺。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的是为了提供一种晶圆级LED垂直芯片的制作方法，该方法将Si衬底剥离，根本上解决Si吸光问题，同时在沟槽处引入SiO2阻隔层，能在不切割芯片的情况下实现晶圆尺寸垂直芯片光电性能的检测，并且适用于任何晶圆级Si图形衬底的垂直芯片制作，具有检测工序简化，兼容性好的优点。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种晶圆级LED垂直芯片的制作方法，包括以下步骤：
1)Si图形衬底的制作：采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺在Si衬底上实现图形的转移，得到Si图形衬底；所述Si图形衬底上的图形包括若干个按矩阵排列的方形凸块，每相邻的两个方形凸块之间均设有沟槽；所述方形凸块的边长为0.5-2mm，沟槽的宽度为10-15μm，沟槽的深度为5-10μm；
2)LED外延层的生长：Si图形衬底经清洗、N2吹干后，采用薄膜沉积方法在Si图形衬底上生长LED外延层；所述LED外延层具有与Si图形衬底一致的图形形貌；
3)SiO2阻隔层的制作：采用等离子体增强化学气相沉积方法，于LED外延层上沉积SiO2层，采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺，去除LED外延层的对应每个方形凸块位置上的SiO2层,形成第一方形缺口，留下LED外延层的对应沟槽位置上的SiO2层，形成SiO2阻隔层；控制第一方形缺口的边长比方形凸块的边长小0.05-1μm；
4)防腐层的制作：采用蒸镀方法于LED外延层上依次蒸镀两种不同折射率的金属材料，两种不同折射率的金属材料以交替层叠的方式设置，得到金属反射层；所述金属反射层具有与Si图形衬底一致的图形形貌；
5)键合基板的准备：采用浙江立晶光电科技有限公司的高掺平面Si衬底作为键合基板，通过蒸镀方法于键合基板的正反两面分别蒸镀金属Au层；所述金属Au层的厚度为0.5-1.5μm；
6)晶圆级键合：将步骤4)得到的Si图形衬底的金属反射层与步骤5)得到的高掺平面Si衬底的金属Au层采用晶圆级键合方法进行键合，键合物料为金锡合金；所述金属反射层和金属Au层共同构成LED垂直芯片的P电极；
7)Si图形衬底的剥离：采用减薄方法将Si图形衬底减薄至露出LED外延层；
8)N电极的制作：经有机溶剂清洗，采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺，在经过步骤7)处理后露出的LED外延层表面上蒸镀预设的N电极。
作为优选，步骤2)所述薄膜沉积方法是金属有机化学气相沉积、分子束外延、脉冲激光沉积中的一种或两者以上的组合。
作为优选，步骤3)所述SiO2阻隔层的厚度为10-100nm，能防止垂直芯片在晶圆级性能检测时电流经沟槽区域造成的短路。
作为优选，步骤4)所述蒸镀方法为电子束蒸镀、热蒸镀中的一种。
作为优选，步骤4)所述金属反射层的厚度为10-50nm，起到反射光线的作用。
作为优选，步骤4)采用蒸镀方法于LED外延层上依次蒸镀10nm的Ti层、20nm的Ag层、10nm的Ti层、20nm的Ag层，得到金属反射层。
作为优选，步骤5)所述高掺平面Si衬底的P掺电阻率为0.001-0.005Ω·cm，厚度为400-450μm。所述高掺平面Si衬底可选择浙江立晶光电科技有限公司生产的高掺平面Si衬底。
作为优选，步骤5)所述蒸镀方法是电子束蒸镀、热蒸镀中的一种。
作为优选，步骤7)所述的减薄方法是研磨、干法刻蚀、湿法腐蚀中的一种。
作为优选，步骤8)中，在经过步骤7)处理后露出的LED外延层表面上依次蒸镀5nm的Cr金属层、15nm的Pt金属层、1μm的Au金属层作为N电极。
本发明的有益效果在于：
本发明提出的晶圆级LED垂直芯片的制作方法，将LED外延片转移至高掺Si衬底以实现电流的垂直导通，同时引入以交替层叠的方式设置(ABAB型)的金属反射层以反射光子，解决了常规Si衬底吸光的问题。该方法在沟槽处引入SiO2阻隔层，能在不切割芯片的情况下实现晶圆尺寸垂直芯片光电性能的检测，并且适用于任何晶圆级Si图形衬底的垂直芯片制作，具有检测工序简化，兼容性好的优点。
进一步的，以本发明制作的晶圆级LED垂直芯片为例，在不切割芯片的情况下测试的光电性能如下：在低工作电流20mA下，芯片的正向偏置电压为2.8V，输出功率达24mW；在高工作电流350mA下，芯片的正向偏置电压为2.7V，输出功率达620mW。测试数据证实了采用本发明技术制作的LED垂直芯片光电性能优良，有很好的应用前景。
附图说明
图1为实施例1中晶圆级LED垂直芯片的制作方法的流程图。
图2为实施例1中Si图形衬底的截面示意图。
图3为实施例1中Si图形衬底的图形排布方式示意图。
图4为实施例1中生长于Si图形衬底上的LED外延层截面图。
图5为实施例1中Si图形衬底上经刻蚀的SiO2阻隔层示意图。
图6为实施例1中键合的LED外延片示意图。
图7为实施例1中晶圆级LED垂直芯片示意图。
其中，1、Si图形衬底；2、LED外延层；3、SiO2阻隔层；4、金属反射层；5、金锡合金物料；6、金属Au层；7、P掺平面Si衬底；8、N电极。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述：本发明所采用原材料均可从市场购得。
实施例1：
如图1所示，本实施例的一种晶圆级LED垂直芯片的制作方法，包括以下步骤：
1)Si图形衬底的制作：采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺在Si衬底上实现图形的转移，得到Si图形衬底；所述Si图形衬底上的图形包括若干个按矩阵排列的方形凸块(参照图2，为Si图形衬底的截面示意图)，每相邻的两个方形凸块之间均设有沟槽；所述方形凸块的边长为1mm，沟槽的宽度为15μm，沟槽的深度为5μm；图形的排布方式如图3所示。
2)LED外延层的生长：Si图形衬底经HF超声清洗3min、N2吹干后，采用金属有机物化学气相沉积方法在Si图形衬底上生长LED外延层；外延层包括AlN缓冲层、AlGaN步进缓冲层、n-GaN层、发光层及p-GaN层。
图4为生长于Si图形衬底上的LED外延层截面图，LED外延层2与Si图形衬底1具有一致的形貌。
3)SiO2阻隔层的制作：采用等离子体增强化学气相沉积方法，于LED外延层上沉积50nm的SiO2层，采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺，去除LED外延层的对应每个方形凸块位置上的SiO2层,形成第一方形缺口，留下LED外延层的对应沟槽位置上的SiO2层，形成SiO2阻隔层；
图5为经刻蚀的SiO2阻隔层示意图，SiO2阻隔层3致密覆盖沟槽侧壁，控制第一方形缺口的边长比方形凸块的边长小1μm。
4)防腐层的制作：采用蒸镀方法于LED外延层上依次蒸镀10nm的Ti层、20nm的Ag层、10nm的Ti层、20nm的Ag层，得到金属反射层；所述金属反射层具有与Si图形衬底一致的图形形貌；
5)键合基板的准备：采用P掺电阻率为0.002Ω·cm，厚度为400μm的高掺平面Si衬底作为键合基板，通过热蒸镀方法于键合基板的正反两面分别蒸镀金属Au层；所述金属Au层的厚度为1μm；所述高掺平面Si衬底可选择浙江立晶光电科技有限公司生产的高掺平面Si衬底。
6)晶圆级键合：将步骤4)得到的Si图形衬底的金属反射层与步骤5)得到的高掺平面Si衬底的金属Au层采用晶圆级键合方法进行键合，键合物料为金锡合金；所述金属反射层和金属Au层共同构成LED垂直芯片的P电极；
图6为键合的LED外延片，金属反射层4致密覆盖在LED外延层上，P掺平面Si衬底7正反两面被金属Au层6包裹，Si图形衬底的金属反射层4与高掺平面Si衬底的金属Au层通过金锡合金物料5的粘合，实现Si图形衬底的LED外延片与P掺平面Si衬底的键合。
7)Si图形衬底的剥离：采用研磨减薄方法将Si图形衬底减薄至露出LED外延层；
8)N电极的制作：经丙酮溶剂超声清洗后，采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺，在经过步骤7)处理后露出的LED外延层表面上依次蒸镀5nm的Cr金属层、15nm的Pt金属层、1μm的Au金属层作为N电极。
图7为晶圆级LED垂直芯片，N电极8分布在经研磨减薄的外延层面，金属反射层4和金属Au层6共同构成P电极。
实施例2：
本实施例除下述特征外，其余特征均与实施例1相同或类似。
步骤1)中Si衬底的方形凸块的边长L＝0.5mm，沟槽宽度d＝10μm，沟槽深度h＝10μm。
实施例3：
本实施例除下述特征外，其余特征均与实施例1相同或类似。
步骤(2)中LED外延层的生长采用金属有机物化学气相沉积和分子束外延相结合，于Si图形衬底上生长LED外延层，外延层包括AlN缓冲层、AlGaN步进缓冲层、n-GaN层、发光层及p-GaN层。
实施例4：
本实施例除下述特征外，其余特征均与实施例1相同或类似。
步骤4)中金属反射层的制作采用热蒸镀方法实现。
以本发明制作的晶圆级Si图形衬底上LED垂直芯片为例，在不切割芯片的情况下测试的光电性能如下：在低工作电流20mA下，芯片的正向偏置电压为3V，输出功率达26mW；在高工作电流350mA下，芯片的正向偏置电压为2.9V，输出功率达640mW。测试数据证实了采用本发明技术制作的LED垂直芯片光电性能优良，有很好的应用前景。
对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种晶圆级LED垂直芯片的制作方法，其特征是：包括以下步骤：
1)Si图形衬底的制作：采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺在Si衬底上实现图形的转移，得到Si图形衬底；所述Si图形衬底上的图形包括若干个按矩阵排列的方形凸块，每相邻的两个方形凸块之间均设有沟槽；所述方形凸块的边长为0.5-2mm，沟槽的宽度为10-15μm，沟槽的深度为5-10μm；
2)LED外延层的生长：Si图形衬底经清洗、N2吹干后，采用薄膜沉积方法在Si图形衬底上生长LED外延层；所述LED外延层具有与Si图形衬底一致的图形形貌；
3)SiO2阻隔层的制作：采用等离子体增强化学气相沉积方法，于LED外延层上沉积SiO2层，采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺，去除LED外延层的对应每个方形凸块位置上的SiO2层,形成第一方形缺口，留下LED外延层的对应沟槽位置上的SiO2层，形成SiO2阻隔层；控制第一方形缺口的边长比方形凸块的边长小0.05-1μm；
4)防腐层的制作：采用蒸镀方法于LED外延层上依次蒸镀两种不同折射率的金属材料，两种不同折射率的金属材料以交替层叠的方式设置，得到金属反射层；所述金属反射层具有与Si图形衬底一致的图形形貌；
5)键合基板的准备：采用高掺平面Si衬底作为键合基板，通过蒸镀方法于键合基板的正反两面分别蒸镀金属Au层；所述金属Au层的厚度为0.5-1.5μm；
6)晶圆级键合：将步骤4)得到的Si图形衬底的金属反射层与步骤5)得到的高掺平面Si衬底的金属Au层采用晶圆级键合方法进行键合，键合物料为金锡合金；所述金属反射层和金属Au层共同构成LED垂直芯片的P电极；
7)Si图形衬底的剥离：采用减薄方法将Si图形衬底减薄至露出LED外延层；
8)N电极的制作：经有机溶剂清洗，采用常规的匀胶、曝光、刻蚀工艺，在经过步骤7)处理后露出的LED外延层表面上蒸镀预设的N电极。
2.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤2)所述薄膜沉积方法是金属有机化学气相沉积、分子束外延、脉冲激光沉积中的一种或两者以上的组合。
3.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤3)所述SiO2阻隔层的厚度为10-100nm。
4.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤4)所述蒸镀方法为电子束蒸镀、热蒸镀中的一种。
5.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤4)所述金属反射层的厚度为10-50nm。
6.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤5)所述高掺平面Si衬底的P掺电阻率为0.001-0.005Ω·cm，厚度为400-450μm。
7.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤4)采用蒸镀方法于LED外延层上依次蒸镀10nm的Ti层、20nm的Ag层、10nm的Ti层、20nm的Ag层，得到金属反射层。
8.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤5)所述蒸镀方法是电子束蒸镀、热蒸镀中的一种。
9.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤7)所述的减薄方法是研磨、干法刻蚀、湿法腐蚀中的一种。
10.根据权利要求1所述的采用Si图形衬底制作晶圆级LED垂直芯片的方法，其特征是：步骤8)中，在经过步骤7)处理后露出的LED外延层表面上依次蒸镀5nm的Cr金属层、15nm的Pt金属层、1μm的Au金属层作为N电极。
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Denomination of invention: A fabrication method of wafer level led vertical chip Effective date of registration: 20220520 Granted publication date: 20180102 Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd. Heyuan branch Pledgor: HEYUAN CHOICORE PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2022980006017 |
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