JPH0992877A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPH0992877A JPH0992877A JP24323295A JP24323295A JPH0992877A JP H0992877 A JPH0992877 A JP H0992877A JP 24323295 A JP24323295 A JP 24323295A JP 24323295 A JP24323295 A JP 24323295A JP H0992877 A JPH0992877 A JP H0992877A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来法と同程度の容易さで、外部取り出し効
率の高い半導体発光素子を得ることができる半導体発光
素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 化合物半導体基板の表面を、該化合物半
導体基板の材料とは異なる材料を溶解させた溶液（液相
エピタキシャル工程において用いる溶液）により溶解さ
せて、該化合物半導体基板の表面を多数の凹部２が形成
された面とし、該化合物半導体基板の凹部２が形成され
た面上に、半導体発光素子を構成する複合エピタキシャ
ル層３を、液相エピタキシャル成長法により成長させて
該化合物半導体基板と該複合エピタキシャル層との積層
体４を形成する。該積層体から該化合物半導体基板を選
択的にエッチング除去して、該積層体を、該複合エピタ
キシャル層の該化合物半導体基板が除去された面に該化
合物半導体基板の表面に形成された凹部２に対応した凸
部５が形成された複合エピタキシャル層体６とする。
率の高い半導体発光素子を得ることができる半導体発光
素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 化合物半導体基板の表面を、該化合物半
導体基板の材料とは異なる材料を溶解させた溶液（液相
エピタキシャル工程において用いる溶液）により溶解さ
せて、該化合物半導体基板の表面を多数の凹部２が形成
された面とし、該化合物半導体基板の凹部２が形成され
た面上に、半導体発光素子を構成する複合エピタキシャ
ル層３を、液相エピタキシャル成長法により成長させて
該化合物半導体基板と該複合エピタキシャル層との積層
体４を形成する。該積層体から該化合物半導体基板を選
択的にエッチング除去して、該積層体を、該複合エピタ
キシャル層の該化合物半導体基板が除去された面に該化
合物半導体基板の表面に形成された凹部２に対応した凸
部５が形成された複合エピタキシャル層体６とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の
製造方法の改良に関する。
製造方法の改良に関する。
【０００２】
【関連技術】従来、一般的に採用されている半導体発光
素子の製造方法について、ＡｌＧａＡｓ発光素子を例に
して説明する。図４（ａ）〜（ｆ）は上記半導体発光素
子の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。ｐ型
ＧａＡｓ基板４１〔図４（ａ）〕の鏡面研磨面４１ａ上
に発光素子を構成する複合エピタキシャル層４２、すな
わち、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４２ａ、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ活性層４２ｂ及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４
２ｃにより構成されるＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造層
４２を、液相エピタキシャル成長法により成長して積層
体４３を形成する〔図４（ｂ）〕。この積層体４３から
基板４１を適宜の方法で除去することにより、片面が鏡
面研磨面４１ａに対応して平坦鏡面４４となった複合エ
ピタキシャル層体４５が得られる〔図４（ｃ）〕。
素子の製造方法について、ＡｌＧａＡｓ発光素子を例に
して説明する。図４（ａ）〜（ｆ）は上記半導体発光素
子の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。ｐ型
ＧａＡｓ基板４１〔図４（ａ）〕の鏡面研磨面４１ａ上
に発光素子を構成する複合エピタキシャル層４２、すな
わち、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４２ａ、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ活性層４２ｂ及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４
２ｃにより構成されるＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造層
４２を、液相エピタキシャル成長法により成長して積層
体４３を形成する〔図４（ｂ）〕。この積層体４３から
基板４１を適宜の方法で除去することにより、片面が鏡
面研磨面４１ａに対応して平坦鏡面４４となった複合エ
ピタキシャル層体４５が得られる〔図４（ｃ）〕。
【０００３】前記複合エピタキシャル層体４５の両面
に、常法により、夫々電極４６，４７を形成した後〔図
４（ｄ）〕、ダイシングにより分割して、半導体発光素
子ペレット５０，５０・・・を得る〔図４（ｅ）〕。こ
の半導体発光素子ペレット５０を銀ペースト等の導電性
固着剤５１で支持体（フレーム）５２に固着し、ワイヤ
ボンディング後エポキシ樹脂等の封止材料５３でモール
ドして半導体発光素子６０が製造される〔図４
（ｆ）〕。
に、常法により、夫々電極４６，４７を形成した後〔図
４（ｄ）〕、ダイシングにより分割して、半導体発光素
子ペレット５０，５０・・・を得る〔図４（ｅ）〕。こ
の半導体発光素子ペレット５０を銀ペースト等の導電性
固着剤５１で支持体（フレーム）５２に固着し、ワイヤ
ボンディング後エポキシ樹脂等の封止材料５３でモール
ドして半導体発光素子６０が製造される〔図４
（ｆ）〕。
【０００４】半導体発光素子の輝度（外部出力）は、一
般的に内部発光効率と、発生した光の外部取り出し効率
によって決まることはよく知られている。また、内部発
光効率が主に発光素子を形成する材料結晶の品質に依存
し、外部取り出し効率が発光素子ペレットの構造・形状
に大きく左右することも知られている。
般的に内部発光効率と、発生した光の外部取り出し効率
によって決まることはよく知られている。また、内部発
光効率が主に発光素子を形成する材料結晶の品質に依存
し、外部取り出し効率が発光素子ペレットの構造・形状
に大きく左右することも知られている。
【０００５】発光素子（発光素子ペレット）を形成して
いる化合物半導体結晶の屈折率は３以上と非常に大きい
ため、発光した光を外部に取り出す際、化合物半導体結
晶の表面（上表面、側表面）に臨界角（エポキシ樹脂モ
ールドの場合２０数度）以上に傾いて入射する光は全反
射してしまい外部に取り出すことができず、外部取り出
し効率ひいては輝度が大きく低下する大きな要因となっ
ている。それ故、図４（ｅ）に示すような形状の発光素
子ペレットでは、発光した光の発光素子ペレット表面で
の全反射する割合が大きく、発光した光を効率よく外部
に取り出すことができない。
いる化合物半導体結晶の屈折率は３以上と非常に大きい
ため、発光した光を外部に取り出す際、化合物半導体結
晶の表面（上表面、側表面）に臨界角（エポキシ樹脂モ
ールドの場合２０数度）以上に傾いて入射する光は全反
射してしまい外部に取り出すことができず、外部取り出
し効率ひいては輝度が大きく低下する大きな要因となっ
ている。それ故、図４（ｅ）に示すような形状の発光素
子ペレットでは、発光した光の発光素子ペレット表面で
の全反射する割合が大きく、発光した光を効率よく外部
に取り出すことができない。
【０００６】そこで、外部取り出し効率を向上させるた
めに、半導体発光素子を構成するエピタキシャル層の上
部に、機械研磨等の加工を施して複数の球面状凸部（ペ
レット化後、各々の球面状凸部は該ペレット上部の球面
凸形状部になる。）を形成したもの、化合物半導体発光
素子ペレットの上表面及び／又は側表面を薬液で処理し
て該表面に微細な凹凸を多数形成したものなど前記全反
射の割合を低減させる工夫がなされている。
めに、半導体発光素子を構成するエピタキシャル層の上
部に、機械研磨等の加工を施して複数の球面状凸部（ペ
レット化後、各々の球面状凸部は該ペレット上部の球面
凸形状部になる。）を形成したもの、化合物半導体発光
素子ペレットの上表面及び／又は側表面を薬液で処理し
て該表面に微細な凹凸を多数形成したものなど前記全反
射の割合を低減させる工夫がなされている。
【０００７】また、半導体発光素子ペレットの上部を球
面凸形状にする技術として、特開平７−１４７４２９号
公報に、半導体基板に燐酸系のエッチング液を用い球面
形状の凹部を複数形成する工程と、該基板の球面形状の
凹部形成面に半導体発光素子を形成するエピタキシャル
層（複合エピタキシャル層）を成長して積層体となす工
程と、この積層体から前記基板を選択的にエッチング除
去する工程とにより、前記エピタキシャル層の基板除去
面に、前記基板の球面形状の凹部に対応した球面形状の
凸部（ペレット化後、該ペレット上部の球面凸形状部に
なる。）を形成する技術も提案されている。
面凸形状にする技術として、特開平７−１４７４２９号
公報に、半導体基板に燐酸系のエッチング液を用い球面
形状の凹部を複数形成する工程と、該基板の球面形状の
凹部形成面に半導体発光素子を形成するエピタキシャル
層（複合エピタキシャル層）を成長して積層体となす工
程と、この積層体から前記基板を選択的にエッチング除
去する工程とにより、前記エピタキシャル層の基板除去
面に、前記基板の球面形状の凹部に対応した球面形状の
凸部（ペレット化後、該ペレット上部の球面凸形状部に
なる。）を形成する技術も提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術で
は、下記に示す様な問題点があった。即ち、基板と複合
エピタキシャル層との積層体或いは該積層体から基板を
エッチング除去した複合エピタキシャル層体の複合エピ
タキシャル層の上部に、機械研磨等の加工を施して複数
の球面状凸部を形成する技術においては、球面凸形状に
加工することが極めて難しく、加工中に前記積層体或い
は前記複合エピタキシャル層体に亀裂、割れが起こりや
すい等の問題点があった。特に、複合エピタキシャル層
の材料結晶がＡｌＧａＡｓの場合、大きな反りを生じて
いるため、上記した問題は顕著となる。
は、下記に示す様な問題点があった。即ち、基板と複合
エピタキシャル層との積層体或いは該積層体から基板を
エッチング除去した複合エピタキシャル層体の複合エピ
タキシャル層の上部に、機械研磨等の加工を施して複数
の球面状凸部を形成する技術においては、球面凸形状に
加工することが極めて難しく、加工中に前記積層体或い
は前記複合エピタキシャル層体に亀裂、割れが起こりや
すい等の問題点があった。特に、複合エピタキシャル層
の材料結晶がＡｌＧａＡｓの場合、大きな反りを生じて
いるため、上記した問題は顕著となる。
【０００９】半導体発光素子ペレットの表面を薬液で処
理して該表面に微細な凹凸を多数形成する技術において
は、凹凸が小さいため、顕著な外部取り出し効率の向上
が図れないという問題点、所望の形状・サイズの凸形
状、特に球面凸形状を形成するための適切なエッチャン
トが見出せない等の問題点があった。
理して該表面に微細な凹凸を多数形成する技術において
は、凹凸が小さいため、顕著な外部取り出し効率の向上
が図れないという問題点、所望の形状・サイズの凸形
状、特に球面凸形状を形成するための適切なエッチャン
トが見出せない等の問題点があった。
【００１０】また、基板に球面形状の凹部を形成し、該
基板の凹部形成面に複合エピタキシャル層を成長する技
術においては、基板に球面形状の凹部を形成するため
に、フォトリソグラフィー工程と凹部を形成するための
エッチング工程が加わり、工程数が増加するという問題
点があった。
基板の凹部形成面に複合エピタキシャル層を成長する技
術においては、基板に球面形状の凹部を形成するため
に、フォトリソグラフィー工程と凹部を形成するための
エッチング工程が加わり、工程数が増加するという問題
点があった。
【００１１】本発明者らは、上記した問題を解決すべく
鋭意研究した結果、化合物半導体基板の表面を、該化合
物半導体基板の材料とは異なる材料を溶解した溶液で、
溶解させると、前記基板表面に多数凹部が形成されるこ
とを見出し、本発明に至った。
鋭意研究した結果、化合物半導体基板の表面を、該化合
物半導体基板の材料とは異なる材料を溶解した溶液で、
溶解させると、前記基板表面に多数凹部が形成されるこ
とを見出し、本発明に至った。
【００１２】本発明の目的は、従来法と同程度の容易さ
で、外部取り出し効率の高い半導体発光素子を得ること
ができるようにした半導体発光素子の製造方法を提供す
ることにある。
で、外部取り出し効率の高い半導体発光素子を得ること
ができるようにした半導体発光素子の製造方法を提供す
ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体発光
素子の製造方法は、化合物半導体基板の表面を、該化合
物半導体基板の材料とは異なる材料を溶解させた溶液
（液相エピタキシャル工程において用いる溶液）により
溶解させて、該化合物半導体基板の表面を多数の凹部が
形成された面とする工程と、該化合物半導体基板の凹部
が形成された面上に、半導体発光素子を構成する複合エ
ピタキシャル層を、液相エピタキシャル成長法により成
長して該化合物半導体基板と該複合エピタキシャル層と
の積層体を形成する工程と、該積層体から該化合物半導
体基板を選択的にエッチング除去して、該積層体を、該
複合エピタキシャル層の該化合物半導体基板が除去され
た面に該化合物半導体基板の表面に形成された凹部に対
応した凸部が形成された複合エピタキシャル層体とする
工程とを含むことを特徴とする。
素子の製造方法は、化合物半導体基板の表面を、該化合
物半導体基板の材料とは異なる材料を溶解させた溶液
（液相エピタキシャル工程において用いる溶液）により
溶解させて、該化合物半導体基板の表面を多数の凹部が
形成された面とする工程と、該化合物半導体基板の凹部
が形成された面上に、半導体発光素子を構成する複合エ
ピタキシャル層を、液相エピタキシャル成長法により成
長して該化合物半導体基板と該複合エピタキシャル層と
の積層体を形成する工程と、該積層体から該化合物半導
体基板を選択的にエッチング除去して、該積層体を、該
複合エピタキシャル層の該化合物半導体基板が除去され
た面に該化合物半導体基板の表面に形成された凹部に対
応した凸部が形成された複合エピタキシャル層体とする
工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】なお、上記した化合物半導体基板の材料と
は異なる材料には、化合物半導体基板の材料に、化合物
半導体の結晶成分である他の材料を加えたものも含まれ
る。
は異なる材料には、化合物半導体基板の材料に、化合物
半導体の結晶成分である他の材料を加えたものも含まれ
る。
【００１５】本発明方法の好ましい実施態様として、前
記化合物半導体基板の表面を溶解させる溶液と前記複合
エピタキシャル層を構成する第１のエピタキシャル層を
成長させる溶液は同一であり、前記基板の表面を溶解さ
せる工程と前記第１のエピタキシャル層を成長する工程
を連続的に行う方法が挙げられ、また化合物半導体基板
の表面に形成された凹部の形状として略球面形状が挙げ
られる。
記化合物半導体基板の表面を溶解させる溶液と前記複合
エピタキシャル層を構成する第１のエピタキシャル層を
成長させる溶液は同一であり、前記基板の表面を溶解さ
せる工程と前記第１のエピタキシャル層を成長する工程
を連続的に行う方法が挙げられ、また化合物半導体基板
の表面に形成された凹部の形状として略球面形状が挙げ
られる。
【００１６】前記化合物半導体基板の材料結晶は、例え
ばＧａＡｓであり、前記複合エピタキシャル層の材料結
晶は、例えばＡｌＧａＡｓである。また前記複合エピタ
キシャル層として、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、Ａｌ
ＧａＡｓ活性層及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層で構成
されるＡｌＧａＡｓダブルヘテロ接合構造層を含む複合
エピタキシャル層が挙げられる。
ばＧａＡｓであり、前記複合エピタキシャル層の材料結
晶は、例えばＡｌＧａＡｓである。また前記複合エピタ
キシャル層として、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、Ａｌ
ＧａＡｓ活性層及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層で構成
されるＡｌＧａＡｓダブルヘテロ接合構造層を含む複合
エピタキシャル層が挙げられる。
【００１７】前記化合物半導体基板の表面を溶解させる
溶液は、例えばＧａ融液にＧａＡｓとＡｌを溶解させた
Ｇａ溶液であり、前記複合エピタキシャル層を成長する
に用いる液相エピタキシャル成長用溶液は、例えば、Ｇ
ａ融液にＧａＡｓとＡｌを溶解させたＧａ溶液である。
溶液は、例えばＧａ融液にＧａＡｓとＡｌを溶解させた
Ｇａ溶液であり、前記複合エピタキシャル層を成長する
に用いる液相エピタキシャル成長用溶液は、例えば、Ｇ
ａ融液にＧａＡｓとＡｌを溶解させたＧａ溶液である。
【００１８】
【実施例】本発明に係る半導体発光素子の製造方法を実
施例を挙げてさらに詳細に説明する。
施例を挙げてさらに詳細に説明する。
【００１９】（実施例１）本発明方法の１実施例を、図
１、図２及び図３を参照して説明する。図１（ａ）〜
（ｆ）は半導体発光素子ペレットの製造方法を工程順に
示す断面図、図２（ａ）〜（ｅ）は複合エピタキシャル
層を成長するに用いるスライド式液相エピタキシャル成
長装置及びその操作手順を示す図、並びに図３は前記複
合エピタキシャル層（ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｐ
型ＡｌＧａＡｓ活性層及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
で構成されるＡｌＧａＡｓダブルヘテロ接合構造層）を
液相エピタキシャル成長する際の成長プログラムを示す
図である。
１、図２及び図３を参照して説明する。図１（ａ）〜
（ｆ）は半導体発光素子ペレットの製造方法を工程順に
示す断面図、図２（ａ）〜（ｅ）は複合エピタキシャル
層を成長するに用いるスライド式液相エピタキシャル成
長装置及びその操作手順を示す図、並びに図３は前記複
合エピタキシャル層（ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｐ
型ＡｌＧａＡｓ活性層及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
で構成されるＡｌＧａＡｓダブルヘテロ接合構造層）を
液相エピタキシャル成長する際の成長プログラムを示す
図である。
【００２０】まず、図１（ｃ）に示す基板と複合エピタ
キシャル層との積層体を形成する工程について、図１
（ａ）〜（ｃ）、図２及び図３を参照して説明する。図
２に示すスライド式液相エピタキシャル成長装置３０に
おいて、ｐ型ＧａＡｓ基板１は、その上面がボート本体
２０の上面と同一面となる様に固定される。
キシャル層との積層体を形成する工程について、図１
（ａ）〜（ｃ）、図２及び図３を参照して説明する。図
２に示すスライド式液相エピタキシャル成長装置３０に
おいて、ｐ型ＧａＡｓ基板１は、その上面がボート本体
２０の上面と同一面となる様に固定される。
【００２１】ボート本体２０上を操作棒２５によりスラ
イドするスライド式溶液溜２１には、ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ
0.25Ａｓクラッド層３ａ成長用Ｇａ溶液２２ａを収容す
る第１溶液溜２２、ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層３
ｂ成長用Ｇａ溶液２３ａを収容する第２溶液溜２３及び
ｎ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層３ｃ成長用Ｇａ溶
液２４ａを収容する第３溶液溜２４がそれぞれ設けてあ
り、各溶液溜には底がなく、直接ボート本体２０上面に
接触する様になっている。
イドするスライド式溶液溜２１には、ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ
0.25Ａｓクラッド層３ａ成長用Ｇａ溶液２２ａを収容す
る第１溶液溜２２、ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層３
ｂ成長用Ｇａ溶液２３ａを収容する第２溶液溜２３及び
ｎ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層３ｃ成長用Ｇａ溶
液２４ａを収容する第３溶液溜２４がそれぞれ設けてあ
り、各溶液溜には底がなく、直接ボート本体２０上面に
接触する様になっている。
【００２２】前記Ｇａ溶液２２ａ及び前記Ｇａ溶液２４
ａは、形成される前記両ＡｌＧａＡｓクラッド層３ａ、
３ｃがＡｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓに成るべく、Ｇａ融液にＡ
ｌ及びＧａＡｓ多結晶を溶解したＧａ溶液にｐ型ドーパ
ントとしてＺｎ及びｎ型ドーパントとしてＴｅを夫々溶
解させたものであり、Ｇａ溶液２３ａは、形成される前
記ＡｌＧａＡｓ活性層３ｂがＡｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓに成
るべく、Ｇａ融液にＡｌ、ＧａＡｓ多結晶及びｐ型ドー
パントとしてＺｎを溶解させたものである。
ａは、形成される前記両ＡｌＧａＡｓクラッド層３ａ、
３ｃがＡｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓに成るべく、Ｇａ融液にＡ
ｌ及びＧａＡｓ多結晶を溶解したＧａ溶液にｐ型ドーパ
ントとしてＺｎ及びｎ型ドーパントとしてＴｅを夫々溶
解させたものであり、Ｇａ溶液２３ａは、形成される前
記ＡｌＧａＡｓ活性層３ｂがＡｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓに成
るべく、Ｇａ融液にＡｌ、ＧａＡｓ多結晶及びｐ型ドー
パントとしてＺｎを溶解させたものである。
【００２３】次に、上記装置３０を用いてｐ型ＧａＡｓ
基板１の鏡面研磨された表面１ａ〔図１（ａ）〕に略球
面形状の凹部を多数形成し〔図１（ｂ）〕、該凹部を形
成した面上に３層の複合エピタキシャル層３を成長して
積層体を形成する〔図１（ｃ）〕工程を図２及び図３を
参照して説明する。
基板１の鏡面研磨された表面１ａ〔図１（ａ）〕に略球
面形状の凹部を多数形成し〔図１（ｂ）〕、該凹部を形
成した面上に３層の複合エピタキシャル層３を成長して
積層体を形成する〔図１（ｃ）〕工程を図２及び図３を
参照して説明する。
【００２４】ｐ型ＧａＡｓ基板１を図２（ａ）の位置に
固定し、第１溶液溜２２に所望量のＡｌ、ＧａＡｓ多結
晶及びＺｎ、第２溶液溜２３に所望量のＡｌ、ＧａＡｓ
多結晶及びＺｎ並びに第３溶液溜２４に所望量のＡｌ、
ＧａＡｓ多結晶及びＴｅを添加したＧａ融液を収容した
後、装置３０を成長炉（図示せず）の所定の位置に挿入
し、然る後、９００℃に昇温そして該温度で６０分保持
して、Ｇａ融液にＡｌ、ＧａＡｓ、ドーパント（Ｚｎ、
Ｔｅ）が溶解されたＧａ溶液（２２ａ、２３ａ、２４
ａ）を形成する〔図２（ａ）及び図３のステップＡ→Ｂ
→Ｃ〕。この時Ｇａ溶液２２ａはＧａＡｓの飽和Ｇａ溶
液となっている。
固定し、第１溶液溜２２に所望量のＡｌ、ＧａＡｓ多結
晶及びＺｎ、第２溶液溜２３に所望量のＡｌ、ＧａＡｓ
多結晶及びＺｎ並びに第３溶液溜２４に所望量のＡｌ、
ＧａＡｓ多結晶及びＴｅを添加したＧａ融液を収容した
後、装置３０を成長炉（図示せず）の所定の位置に挿入
し、然る後、９００℃に昇温そして該温度で６０分保持
して、Ｇａ融液にＡｌ、ＧａＡｓ、ドーパント（Ｚｎ、
Ｔｅ）が溶解されたＧａ溶液（２２ａ、２３ａ、２４
ａ）を形成する〔図２（ａ）及び図３のステップＡ→Ｂ
→Ｃ〕。この時Ｇａ溶液２２ａはＧａＡｓの飽和Ｇａ溶
液となっている。
【００２５】次に、スライド式溶液溜２１を、操作棒２
５を用いて図２（ａ）の位置から矢印の方向にスライド
させ、第１溶液溜２２に収容されているｐ型Ａｌ0.75Ｇ
ａ0. 25Ａｓクラッド層３ａ成長用Ｇａ溶液２２ａをｐ型
ＧａＡｓ基板１の表面１ａに接触させた後、９００℃か
ら９１０℃まで昇温そして９１０℃で約１０分保持し、
前記基板の表面部をＧａ溶液２２ａに溶解させる〔図２
（ｂ）及び図３のステップＣ→Ｄ→Ｅ〕。この工程によ
り前記基板１の表面は、略球面形状の凹部２〔図１
（ｂ）〕が多数形成された面状態となる。
５を用いて図２（ａ）の位置から矢印の方向にスライド
させ、第１溶液溜２２に収容されているｐ型Ａｌ0.75Ｇ
ａ0. 25Ａｓクラッド層３ａ成長用Ｇａ溶液２２ａをｐ型
ＧａＡｓ基板１の表面１ａに接触させた後、９００℃か
ら９１０℃まで昇温そして９１０℃で約１０分保持し、
前記基板の表面部をＧａ溶液２２ａに溶解させる〔図２
（ｂ）及び図３のステップＣ→Ｄ→Ｅ〕。この工程によ
り前記基板１の表面は、略球面形状の凹部２〔図１
（ｂ）〕が多数形成された面状態となる。
【００２６】上記溶解工程が終了後、図２（ｂ）のセッ
ト状態で、９１０℃から８５０℃まで降温することによ
り、厚さ約７０μｍのｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッ
ド層３ａを成長させる〔図２（ｂ）及び図３のステップ
Ｅ→Ｆ〕。
ト状態で、９１０℃から８５０℃まで降温することによ
り、厚さ約７０μｍのｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッ
ド層３ａを成長させる〔図２（ｂ）及び図３のステップ
Ｅ→Ｆ〕。
【００２７】次に、スライド式溶液溜２１をさらに矢印
の方向にスライドさせ、第２溶液溜２３に収容されてい
るｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層３ｂ成長用Ｇａ溶液
２３ａをｐ型クラッド層３ａに接触させた後、８５０℃
から８４５℃まで降温することにより厚さ約１μｍのｐ
型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層３ｂを成長させる〔図２
（ｃ）及び図３のステップＦ→Ｇ→Ｈ〕。
の方向にスライドさせ、第２溶液溜２３に収容されてい
るｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層３ｂ成長用Ｇａ溶液
２３ａをｐ型クラッド層３ａに接触させた後、８５０℃
から８４５℃まで降温することにより厚さ約１μｍのｐ
型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層３ｂを成長させる〔図２
（ｃ）及び図３のステップＦ→Ｇ→Ｈ〕。
【００２８】次に、スライド式溶液溜２１をさらに矢印
の方向にスライドさせ、８４５℃から６５０℃まで降温
することにより厚さ約１２０μｍのｎ型Ａｌ0.75Ｇａ
0.25Ａｓクラッド層３ｃを成長させる〔図２（ｄ）及び
図３のステップＨ→Ｉ→Ｊ〕。その後、スライド式溶液
溜２１をさらに矢印の方向にスライドさせて成長工程を
終了する〔図２（ｅ）及び図３のステップＪ→〕。
の方向にスライドさせ、８４５℃から６５０℃まで降温
することにより厚さ約１２０μｍのｎ型Ａｌ0.75Ｇａ
0.25Ａｓクラッド層３ｃを成長させる〔図２（ｄ）及び
図３のステップＨ→Ｉ→Ｊ〕。その後、スライド式溶液
溜２１をさらに矢印の方向にスライドさせて成長工程を
終了する〔図２（ｅ）及び図３のステップＪ→〕。
【００２９】上記した工程により、略球面形状の凹部２
を多数有するｐ型ＧａＡｓ基板１上に複合エピタキシャ
ル層３（ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層３ａ、ｐ
型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層３ｂ及びｎ型Ａｌ0.75Ｇ
ａ0.25Ａｓクラッド層３ｃで構成されたＡｌＧａＡｓダ
ブルヘテロ接合構造層）が積層された積層体４が得られ
る〔図１（ｃ）〕。
を多数有するｐ型ＧａＡｓ基板１上に複合エピタキシャ
ル層３（ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層３ａ、ｐ
型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層３ｂ及びｎ型Ａｌ0.75Ｇ
ａ0.25Ａｓクラッド層３ｃで構成されたＡｌＧａＡｓダ
ブルヘテロ接合構造層）が積層された積層体４が得られ
る〔図１（ｃ）〕。
【００３０】次に、上記積層体４を用いて、半導体発光
素子ペレットを製造する工程を図１（ｃ）〜（ｆ）を参
照して説明する。積層体４〔図１（ｃ）〕をアンモニア
・過酸化水素水溶液に浸漬して、基板１を選択的に溶解
除去することにより、前記基板に形成された略球面形状
の凹部２に対応する形状の略球面形状の凸部５が、前記
複合エピタキシャル層の前記基板除去面側に形成された
複合エピタキシャル層体６が得られる〔図１（ｄ）〕。
素子ペレットを製造する工程を図１（ｃ）〜（ｆ）を参
照して説明する。積層体４〔図１（ｃ）〕をアンモニア
・過酸化水素水溶液に浸漬して、基板１を選択的に溶解
除去することにより、前記基板に形成された略球面形状
の凹部２に対応する形状の略球面形状の凸部５が、前記
複合エピタキシャル層の前記基板除去面側に形成された
複合エピタキシャル層体６が得られる〔図１（ｄ）〕。
【００３１】この複合エピタキシャル層体６の両面に各
々電極７，８を形成した後〔図１（ｅ）〕。ダイシング
により分割して、半導体発光素子ペレット１０，１０・
・・が得られる〔図１（ｆ）〕。前記半導体発光素子ペ
レット１０を素子化することにより半導体発光素子を得
る。なお、図１（ｆ）に示す半導体発光素子ペレット１
０において、同図の下面が支持体固着面である。
々電極７，８を形成した後〔図１（ｅ）〕。ダイシング
により分割して、半導体発光素子ペレット１０，１０・
・・が得られる〔図１（ｆ）〕。前記半導体発光素子ペ
レット１０を素子化することにより半導体発光素子を得
る。なお、図１（ｆ）に示す半導体発光素子ペレット１
０において、同図の下面が支持体固着面である。
【００３２】（比較例１）比較例１（従来例１）を図
２、図４及び図６を参照して説明する。図６は、比較例
１における複合エピタキシャル層（図４の符号４２）を
成長する際の成長プログラムを示す図である。
２、図４及び図６を参照して説明する。図６は、比較例
１における複合エピタキシャル層（図４の符号４２）を
成長する際の成長プログラムを示す図である。
【００３３】まず、図４（ｂ）に示す基板４１と複合エ
ピタキシャル層（ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ 0.25Ａｓクラッド層
４２ａ、ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層４２ｂ及びｎ
型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層４２ｃで構成される
ダブルヘテロ接合構造層）４２との積層体４３を形成す
る工程について図２、図４（ａ）〜（ｂ）及び図６を参
照して説明する。
ピタキシャル層（ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ 0.25Ａｓクラッド層
４２ａ、ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層４２ｂ及びｎ
型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層４２ｃで構成される
ダブルヘテロ接合構造層）４２との積層体４３を形成す
る工程について図２、図４（ａ）〜（ｂ）及び図６を参
照して説明する。
【００３４】スライド式液相エピタキシャル成長装置３
０の図２（ａ）の位置にｐ型ＧａＡｓ基板４１を固定
し、第１溶液溜２２、第２溶液溜２３及第３溶液溜２４
に、夫々実施例１と同一にして、Ａｌ、ＧａＡｓ多結
晶、Ｚｎを添加したＧａ融液、Ａｌ、ＧａＡｓ多結晶、
Ｚｎを添加したＧａ融液及びＡｌ、ＧａＡｓ多結晶、Ｔ
ｅを添加したＧａ融液を収容した後、前記装置３０を成
長炉（図示せず）の所定の位置に挿入し、然る後９１５
℃に昇温そして該温度で６０分保持して、Ｇａ融液に、
Ａｌ、ＧａＡｓ、ドーパント（Ｚｎ、Ｔｅ）が溶解され
たＧａ溶液２２ａ、２３ａ、２４ａを形成する〔図２
（ａ）及び図６のＡ' →Ｂ' →Ｃ' 〕。この時Ｇａ溶液
２２ａはＧａＡｓの飽和Ｇａ溶液となっている。
０の図２（ａ）の位置にｐ型ＧａＡｓ基板４１を固定
し、第１溶液溜２２、第２溶液溜２３及第３溶液溜２４
に、夫々実施例１と同一にして、Ａｌ、ＧａＡｓ多結
晶、Ｚｎを添加したＧａ融液、Ａｌ、ＧａＡｓ多結晶、
Ｚｎを添加したＧａ融液及びＡｌ、ＧａＡｓ多結晶、Ｔ
ｅを添加したＧａ融液を収容した後、前記装置３０を成
長炉（図示せず）の所定の位置に挿入し、然る後９１５
℃に昇温そして該温度で６０分保持して、Ｇａ融液に、
Ａｌ、ＧａＡｓ、ドーパント（Ｚｎ、Ｔｅ）が溶解され
たＧａ溶液２２ａ、２３ａ、２４ａを形成する〔図２
（ａ）及び図６のＡ' →Ｂ' →Ｃ' 〕。この時Ｇａ溶液
２２ａはＧａＡｓの飽和Ｇａ溶液となっている。
【００３５】次に、図２（ａ）の状態で、温度を９１５
℃から９１０℃に降温した後、スライド式溶液溜２１を
スライド棒２５を用いて図２（ａ）の位置から矢印の方
向にスライドさせ、ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド
層成長用Ｇａ溶液２２ａ（この時、Ｇａ溶液２２ａは過
飽和状態になっている）をｐ型ＧａＡｓ基板４１の鏡面
研磨面４１ａに接触させ、然る後、９１０℃から８５０
℃まで降温することにより、厚さ約７０μｍｐ型Ａｌ
0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層４２ａを成長させる〔図２
（ｂ）及び図６のステップＣ' →Ｄ' →Ｅ' →Ｆ' 〕。
℃から９１０℃に降温した後、スライド式溶液溜２１を
スライド棒２５を用いて図２（ａ）の位置から矢印の方
向にスライドさせ、ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド
層成長用Ｇａ溶液２２ａ（この時、Ｇａ溶液２２ａは過
飽和状態になっている）をｐ型ＧａＡｓ基板４１の鏡面
研磨面４１ａに接触させ、然る後、９１０℃から８５０
℃まで降温することにより、厚さ約７０μｍｐ型Ａｌ
0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層４２ａを成長させる〔図２
（ｂ）及び図６のステップＣ' →Ｄ' →Ｅ' →Ｆ' 〕。
【００３６】以下、実施例１と同じ方法で、厚さ１μｍ
のｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層４２ｂ、厚さ約１２
０μｍのｎ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層４２ｃを
成長し、ｐ型ＧａＡｓ基板４１と前記複合エピタキシャ
ル層４２との積層体４３を得た〔図２（ｃ）〜（ｅ）、
図４（ｂ）及び図６のステップＦ' →Ｇ' →Ｈ' →Ｉ '
→Ｊ' 〕。
のｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層４２ｂ、厚さ約１２
０μｍのｎ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層４２ｃを
成長し、ｐ型ＧａＡｓ基板４１と前記複合エピタキシャ
ル層４２との積層体４３を得た〔図２（ｃ）〜（ｅ）、
図４（ｂ）及び図６のステップＦ' →Ｇ' →Ｈ' →Ｉ '
→Ｊ' 〕。
【００３７】上記積層体４２を用い、実施例１と同じ方
法で、図４（ｅ）に示す半導体発光素子ペレット５０を
製造した〔図４（ｃ）〜（ｅ）〕。なお、複合エピタキ
シャル層体４５のＧａＡｓ基板除去面４４は、基板の鏡
面研磨面４１ａに対応して平坦鏡面になっており〔図４
（ｃ）〕、図４（ｅ）に示す半導体発光素子ペレット５
０において、同図の下面が支持体固着面である。
法で、図４（ｅ）に示す半導体発光素子ペレット５０を
製造した〔図４（ｃ）〜（ｅ）〕。なお、複合エピタキ
シャル層体４５のＧａＡｓ基板除去面４４は、基板の鏡
面研磨面４１ａに対応して平坦鏡面になっており〔図４
（ｃ）〕、図４（ｅ）に示す半導体発光素子ペレット５
０において、同図の下面が支持体固着面である。
【００３８】（比較例２）比較例１で得られたペレット
５０の上面及び下面にフッ化水素酸でエッチング処理を
施し、前記上表面及び側表面を微細な凹凸を有する面４
８と成した半導体発光素子ペレット７０を得た〔図
５〕。
５０の上面及び下面にフッ化水素酸でエッチング処理を
施し、前記上表面及び側表面を微細な凹凸を有する面４
８と成した半導体発光素子ペレット７０を得た〔図
５〕。
【００３９】実施例１、比較例１及び比較例２で得られ
た半導体発光素子の輝度（相対値）を測定し、その結果
を表１に示す。なお、表１において、輝度（相対値）
は、おのおの５０サンプルの平均値である。
た半導体発光素子の輝度（相対値）を測定し、その結果
を表１に示す。なお、表１において、輝度（相対値）
は、おのおの５０サンプルの平均値である。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１に示した結果から、本発明の実施例１
で得られた半導体発光素子の輝度は、比較例１（従来
法）に対し約３０％、比較例２（従来法）に対し約１０
％の輝度の向上がはかれることが分かる。
で得られた半導体発光素子の輝度は、比較例１（従来
法）に対し約３０％、比較例２（従来法）に対し約１０
％の輝度の向上がはかれることが分かる。
【００４２】本発明の特徴点としては次のことをあげる
ことができる。即ち、本発明の半導体発光素子の製造方
法は、化合物半導体基板の表面を液相エピタキシャル工
程で用いる溶液により溶解させる工程を加えただけで、
従来法（比較例１）とほとんど同じ製造工程を採用して
おり、したがって、従来法（比較例１）とほとんど同程
度の容易さで外部取り出し効率の高い半導体発光素子を
製造することができる。
ことができる。即ち、本発明の半導体発光素子の製造方
法は、化合物半導体基板の表面を液相エピタキシャル工
程で用いる溶液により溶解させる工程を加えただけで、
従来法（比較例１）とほとんど同じ製造工程を採用して
おり、したがって、従来法（比較例１）とほとんど同程
度の容易さで外部取り出し効率の高い半導体発光素子を
製造することができる。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明方法によれ
ば、従来法と同程度の容易さで、外部取り出し効率の高
い半導体発光素子を得ることができるという効果を奏す
る。
ば、従来法と同程度の容易さで、外部取り出し効率の高
い半導体発光素子を得ることができるという効果を奏す
る。
【図１】本発明に係る半導体発光素子ペレットの製造方
法の一例を工程順に示す断面図である。
法の一例を工程順に示す断面図である。
【図２】複合エピタキシャル層を成長するに用いるスラ
イド式液相エピタキシャル成長装置及びその操作手順を
示す図である。
イド式液相エピタキシャル成長装置及びその操作手順を
示す図である。
【図３】実施例１における複合エピタキシャル層を液相
エピタキシャル成長する際の成長プログラムを示す図で
ある。
エピタキシャル成長する際の成長プログラムを示す図で
ある。
【図４】従来の半導体発光素子ペレットの製造方法を工
程順に示す断面図である。
程順に示す断面図である。
【図５】比較例２で得られた半導体発光素子ペレットの
断面図である。
断面図である。
【図６】比較例１における複合エピタキシャル層を成長
する際の成長プログラムを示す図である。
する際の成長プログラムを示す図である。
１，４１ ｐ型ＧａＡｓ基板 １ａ，４１ａ 鏡面研磨面 ２ 凹部 ３，４２ 複合エピタキシャル層 ３ａ ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層 ３ｂ ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層 ３ｃ ｎ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層 ４，４３ 積層体 ５ 凸部 ６，４５ 複合エピタキシャル層体 ７，８，４６，４７ 電極 １０，５０，７０ 半導体発光素子ペレット ２０ ボート本体 ２１ スライド式溶液溜 ２２ 第１溶液溜 ２３ 第２溶液溜 ２４ 第３溶液溜 ２２ａ ｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層成長用Ｇ
ａ溶液 ２３ａ ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層成長用Ｇａ溶
液 ２４ａ ｎ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層成長用Ｇ
ａ溶液 ２５ 操作棒 ３０ スライド式液相エピタキシャル成長装置 ４２ａ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｐ型Ａｌ0.75Ｇ
ａ0.25Ａｓクラッド層 ４２ｂ ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層、ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ
0.62Ａｓ活性層 ４２ｃ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｎ型Ａｌ0.75Ｇ
ａ0.25Ａｓクラッド層 ４４ ＧａＡｓ基板除去面 ４８ 微細な凹凸を有する面 ５１ 導電性固着剤 ５２ 支持体（フレーム） ５３ 封止部材 ６０ 半導体発光素子
ａ溶液 ２３ａ ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ0.62Ａｓ活性層成長用Ｇａ溶
液 ２４ａ ｎ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓクラッド層成長用Ｇ
ａ溶液 ２５ 操作棒 ３０ スライド式液相エピタキシャル成長装置 ４２ａ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｐ型Ａｌ0.75Ｇ
ａ0.25Ａｓクラッド層 ４２ｂ ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層、ｐ型Ａｌ0.38Ｇａ
0.62Ａｓ活性層 ４２ｃ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｎ型Ａｌ0.75Ｇ
ａ0.25Ａｓクラッド層 ４４ ＧａＡｓ基板除去面 ４８ 微細な凹凸を有する面 ５１ 導電性固着剤 ５２ 支持体（フレーム） ５３ 封止部材 ６０ 半導体発光素子
Claims (7)
- 【請求項１】 化合物半導体基板の表面を、該化合物半
導体基板の材料とは異なる材料を溶解させた溶液（液相
エピタキシャル工程において用いる溶液）により溶解さ
せて、該化合物半導体基板の表面を多数の凹部が形成さ
れた面とする工程と、該化合物半導体基板の凹部が形成
された面上に、半導体発光素子を構成する複合エピタキ
シャル層を、液相エピタキシャル成長法により成長して
該化合物半導体基板と該複合エピタキシャル層との積層
体を形成する工程と、該積層体から該化合物半導体基板
を選択的にエッチング除去して、該積層体を、該複合エ
ピタキシャル層の該化合物半導体基板が除去された面に
該化合物半導体基板の表面に形成された凹部に対応した
凸部が形成された複合エピタキシャル層体とする工程と
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記化合物半導体基板の表面を溶解させ
る溶液と前記複合エピタキシャル層を構成する第１のエ
ピタキシャル層を成長させる溶液は同一であり、前記基
板の表面を溶解させる工程と前記第１のエピタキシャル
層を成長する工程を連続して行うことを特徴とする請求
項１に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記化合物半導体基板の表面に形成され
た凹部の形状は略球面凹形状であることを特徴とする請
求項１又は２に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記化合物半導体の材料結晶はＧａＡｓ
であり、前記複合エピタキシャル層の材料結晶はＡｌＧ
ａＡｓであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記複合エピタキシャル層は、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層、ＡｌＧａＡｓ活性層及びｎ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層で構成されるＡｌＧａＡｓダブルヘ
テロ接合構造層を含む複合エピタキシャル層であること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導
体発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記化合物半導体の表面を溶解させるに
用いる溶液は、Ｇａ融液にＧａＡｓとＡｌを溶解させた
Ｇａ溶液であることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
か１項に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記半導体発光素子を構成する複合エピ
タキシャル層を成長するに用いる液相エピタキシャル成
長用溶液は、Ｇａ融液にＧａＡｓとＡｌを溶解させたＧ
ａ溶液であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24323295A JPH0992877A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24323295A JPH0992877A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992877A true JPH0992877A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17100807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24323295A Pending JPH0992877A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992877A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1681727A1 (en) * | 2003-11-04 | 2006-07-19 | Pioneer Corporation | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
| JP2006196543A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2006352129A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Lg Electronics Inc | 発光ダイオードの製造方法 |
| KR100668966B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-01-12 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자의 제조 방법 |
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| JP2009267418A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 発光装置、これを含むパッケージとシステム、およびその製造方法 |
| EP1798780A3 (en) * | 2005-12-15 | 2014-06-25 | LG Electronics, Inc. | Method for fabricating a substrate with nano structures, light emitting device and manufacturing method thereof |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP24323295A patent/JPH0992877A/ja active Pending
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| JP2009267418A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 発光装置、これを含むパッケージとシステム、およびその製造方法 |
| US8937321B2 (en) | 2008-04-25 | 2015-01-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Luminous devices, packages and systems containing the same, and fabricating methods thereof |
| US9287479B2 (en) | 2008-04-25 | 2016-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Luminous devices, packages and systems containing the same, and fabricating methods thereof |
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