JP5232011B2 - 光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法 - Google Patents

光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5232011B2
JP5232011B2 JP2008547848A JP2008547848A JP5232011B2 JP 5232011 B2 JP5232011 B2 JP 5232011B2 JP 2008547848 A JP2008547848 A JP 2008547848A JP 2008547848 A JP2008547848 A JP 2008547848A JP 5232011 B2 JP5232011 B2 JP 5232011B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal support
support
terminal
radiation
semiconductor body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008547848A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009522757A (ja
Inventor
シュテークミュラー ウルリッヒ
ジンガー フランク
シュヴァルツ トーマス
シュルツ ローラント
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2009522757A publication Critical patent/JP2009522757A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5232011B2 publication Critical patent/JP5232011B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/041—Optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
    • H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法に関する。
本発明の課題は、半導体装置を殊に低コストで製造することができる方法を提供することである。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、方法は端子支持体結合体が提供されるステップを有する。端子支持体結合体とは有利には、複数の端子支持体を有するパネル（Nutzen）である。このことは端子支持体結合体が機械的に固く相互に結合されている複数の端子支持体を有することを意味する。端子支持体結合体の各端子支持体はこの端子支持体結合体の個別化後に個別の端子支持体を形成する。有利には端子支持体結合体は同種の端子支持体を有する。結合体を個別化する前に、端子支持体結合体の端子支持体を導電的に相互に接続することができる。
端子支持体結合体の端子支持体は例えば基体を有し、この基体は電気的に絶縁されている熱伝性が良好な材料から構成されている。端子支持体の表面には導電性の材料からなる導体路が被着されている。導体路を介して例えば、端子支持体上に被着されている半導体構成素子を電気的に接触させることができる。有利には端子支持体結合体の全ての端子支持体は共通の基体を有し、この基体を介して結合体の端子支持体は機械的に相互に接続されている。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、表面発光型の半導体ボディが端子支持体結合体の端子支持体上に配置される。有利には、端子支持体結合体の各端子支持体上に表面発光型の半導体ボディが配置される。殊に有利には、支持体結合体の各端子支持体上に表面発光型の半導体ボディがちょうど１つ配置される。有利には、表面発光型の半導体ボディは同一または類似する物理的特性を有する同種の半導体ボディである。例えば、これらの半導体ボディを一緒に製造することができる。
半導体ボディは有利には放射通過面を有し、この放射通過面を介して電磁放射を半導体ボディに入力結合させることができ、また電磁放射を半導体ボディから出力結合することができる。殊に放射通過面を介して半導体ボディを光学的にポンピングすることができる。このことは、放射通過面を介して半導体ボディに入力結合されるポンプ放射によって半導体ボディ内では電磁放射が生成され、この電磁放射が放射通過面を介して再び半導体ボディから放出されることを意味している。半導体ボディは、外部に配置されている、すなわち半導体ボディから距離を置いて配置されている共振器ミラーを使用してレーザ放射を生成することに適している。有利には、放射通過面が端子支持体から距離を置いているように半導体ボディは端子支持体上に配置される。殊に有利には、放射通過面が端子支持体に平行に延在する。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、端子支持体結合体が別のステップにおいて個々の端子支持体に個別化される。個々の端子支持体はそれぞれ１つの光学的にポンピング可能な半導体装置の端子支持体を表す。
光学的にポンピングされる半導体装置を製造するための方法の少なくとも１つの実施形態によれば、方法が以下のステップを有する：先ず、機械的に固く相互に接続されている複数の端子支持体を有する端子支持体結合体が提供される。続けて、表面発光型の半導体ボディが端子支持体結合体の各端子支持体上に配置される。最後のステップにおいては、例えば端子支持体結合体が個別化され個々の半導体装置が製造される。
少なくとも１つの実施形態によれば、方法は端子支持体結合体の端子支持体上にポンプ放射源が被着される別のステップを有する。ポンプ放射源は例えば端面放射型の半導体レーザまたは端面放射型の半導体レーザバーを有することができる。さらにポンプ放射源は熱伝素子を有することができ、この熱伝素子上に半導体レーザが被着されている。有利には、結合体の各端子支持体上にちょうど１つのポンプ放射源が配置され、このポンプ放射源は同一の端子支持体上に配置されている表面発光型の半導体ボディを光学的にポンピングすることに適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法の１つのステップにおいて、ポンプ放射を半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している光学素子が端子支持体結合体の端子支持体上に配置される。有利には、端子支持体結合体の各端子支持体上に少なくとも１つのその種の光学素子が配置される。有利には、ポンプ放射を半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適しているように光学素子が端子支持体上に配置される。このことは、ポンプ放射が完成した半導体装置の動作時にポンプ放射源から直接的に半導体ボディの放射通過面へと配向されるのではなく、ポンプ放射を半導体ボディの放射通過面へと偏向させる少なくとも１つの光学素子をポンプ放射が通過するか、その種の光学素子に入射することを意味している。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、光学素子はポンプ放射を光学的な屈折によって半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している。すなわち、光学素子の放射通過面を通過する際に、ポンプ放射は光学素子と周囲の物質、例えば空気との屈折率の差に基づき、光学素子の通過後に半導体ボディの放射通過面へと配向されているように偏向される。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、光学素子はポンプ放射を反射によって半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している。すなわち光学素子は反射性の光学素子である。有利には、光学素子はポンプ放射を１回の反射によって半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している。すなわち、光学素子は有利には光導体であり、この光導体においてポンプ放射は複数回の反射により偏向される。例えば光学素子は高反射性ミラーである。
本方法により製造された半導体装置の動作時に、ポンプ放射は例えば少なくともある区間において半導体ボディの放射通過面に対して差し当たり平行にまたは実質的に平行に延びる。ポンプ放射は例えば半導体ボディの放射通過面を超えて延びていてもよい。すなわちポンプ放射は半導体ボディに入射せずに、差し当たり半導体ボディを超えて延びる。反射性の光学素子はポンプ放射の方向において半導体ボディに後置されている。ポンプ放射は半導体ボディ、したがって半導体ボディの放射通過面を横切った後に、反射性の光学素子に入射する。反射性の光学素子による反射によってポンプ放射は半導体ボディの放射通過面へと偏向される。
偏向されたポンプ放射を少なくとも短い区間にわたり、このポンプ放射が反射性の光学素子に入射する前に有しているポンプ放射の方向とは逆方向に延ばすことができる。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、光学素子はポンプ放射が半導体ボディの実装面の方向へと偏向されることに適しているよう配置される。すなわち、ポンプ放射は光学素子に入射する前に差し当たり所定の区間にわたり実装平面に平行に延びるか、実装平面から距離を置いて延びる。いずれの場合にも、ポンプ放射はこの区間にわたり実装面の上方の所定の高さに延び、有利には半導体ボディの放射通過面の上方にも延びる。光学素子はポンプ放射を下方に向かって、つまり実装面の方向、したがって半導体ボディの放射通過面の方向へと偏向させることに適している。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディがこの半導体ボディの実装面においてポンプ放射源と光学素子との間に配置される。すなわちポンプ放射は半導体ボディの放射通過面へと偏向される前に半導体ボディを超えて延びる。例えば、ポンプ放射源、半導体ボディおよび光学素子をこの順序で一直線に配置することができる。
光学的にポンピングされる半導体装置を製造するための方法の少なくとも１つの実施形態によれば、端子支持体が端子支持体結合体においてマトリクス状に配置されている。すなわち、端子支持体結合体は複数の行および列を有し、端子支持体結合体の各端子支持体はマトリクス素子を形成する。すなわち、結合体の各端子支持体には一義的に所定数の行と列が対応付けられている。端子支持体結合体のマトリクス状の構造によって殊に簡単なやり方で、結合体における複数の構成素子を同時に端子支持体結合体上、したがって結合体の個々の端子支持体上にそれぞれ配置することができる。
つまり本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、結合体における同種の構成素子が端子支持体結合体上に被着される。例えば同種の構成素子は光学素子でよい。光学素子を例えばストライプ状の結合体として構成することができる。例えば各結合体は、端子支持体結合体の列の数に対応させることができる複数の光学素子を有する。有利には、端子支持体結合体の少なくとも２つの行に同種の構成素子のその種の結合体が配置される。殊に有利には、端子支持体結合体の各行に同種の構成素子のその種の結合体が配置される。すなわち、結合体の各端子支持体上には同数の構成素子、例えばちょうど１つのその種の構成素子が存在する。端子結合体の個々の行への実装を連続的または同時に行うことができる。
少なくとも１つの実施形態によれば、端子支持体結合体は少なくとも２つの主位置合わせマークを有する。端子支持体結合体上の主位置合わせマークは、例えば画像処理システムを用いた実装マシンにおいて端子支持体結合体の方向決定のために使用される。端子支持体結合体の個々の端子支持体における個々の構成素子の少なくともおおよその搭載位置を２つの主位置合わせマークの位置に依存して計算することができる。「少なくともおおよその」とは主位置合わせマークに基づき、結合体における個々の端子支持体の位置を少なくとも求めることができるということを意味している。端子支持体上自体には画像処理システムのための別のオリエンテーションガイド、例えば副位置合わせマークを配置することができる。
主位置合わせマークを例えば、端子支持体結合体の２つの対角において、上述の構成素子が搭載されている端子支持体結合体の上面に設けることができる。主位置合わせマークは端子支持体結合体の構造化部または位置合わせチップでよく、これらは端子支持体結合体の実装前に端子支持体結合体上に固定される。
少なくとも１つの実施形態によれば、端子支持体結合体の少なくとも１つの端子支持体が少なくとも１つの副位置合わせマークを有する。有利には、結合体の各端子支持体が少なくとも１つの副位置合わせマークを有する。殊に有利には、各端子支持体が複数の副位置合わせマークを有する。副位置合わせマークは例えば、端子支持体における個々の構成素子の搭載位置をマークしている搭載構造体によって形成されている。搭載構造体は例えばフォト技術により構造化された薄膜層でよい。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、１つのステップにおいて共振器載着体が結合体の端子支持体上に配置される。有利には、結合体の各端子支持体上にちょうど１つの共振器載着体が配置される。共振器載着体は、半導体ボディの主放射方向において半導体ボディの放射通過面に後置されているように配置される。
共振器載着体は例えば第２の支持体、個別支持体を有し、この支持体上には共振器ミラーが固定されている。共振器載着体は有利には半導体ボディの実装面上方においてこの半導体ボディの実装面に平行にまたは実質的に平行に配置されている。
例えば、各端子支持体上にはスペーサ素子が配置されており、このスペーサ素子上には共振器載着体が固定される。スペーサ素子は例えば端子支持体上に固定される。スペーサ素子上には共振器載着体が固定されている。
少なくとも１つの実施形態によれば、スペーサ素子は光学素子を有するか、光学素子は光学素子から形成されている。例えばスペーサ素子は、ポンプ放射を半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している光学素子を有することができるか、スペーサ素子をその種の光学素子から構成することができる。
しかしながらさらには、半導体装置のスペーサ素子が別の光学的な機能を利用することも考えられる。例えば、スペーサ素子の内の１つがポンプ放射の方向を変更することに適していてもよく、その結果ポンプ放射がスペーサ素子の通過後には半導体ボディの実装面から距離を置いている。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、共振器載着体が端子支持体上に配置するために以下のステップにより製造される：先ず支持体結合体が提供される。有利には支持体結合体が有利には複数の個別支持体領域を有し、これらの個別支持体領域は機械的に固く相互に接続されている。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、各個別支持体領域上に共振器ミラーが配置される。有利には、各個別支持体領域上には共振器ミラーがちょうど１つ配置される。後続のステップにおいては、共振器載着体が例えば支持体結合体の個別支持体への個別化により完成される。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、放射偏向素子が支持体結合体の個別支持体領域上に配置される。有利には、放射偏向素子は偏向ミラーであり、この偏向ミラーは共振器において回転された基本波長の電磁放射に対して高反射性である。有利には、各個別支持体領域上には偏向素子がちょうど１つ配置される。偏向素子は例えば偏向ミラーでよい。動作時に半導体ボディから放出される電磁放射は先ず偏向素子に入射し、この偏向素子から共振器ミラーに入射する。共振器ミラーからレーザ放射は再び偏向素子へと反射され、偏向素子はこの放射を放射通過面を介して半導体ボディへと偏向させる。半導体ボディは例えば反射性の層列、例えばブラッグミラーを有し、この層列はこのようにして形成されたレーザ共振器の別の共振器ミラーを形成する。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、個別支持体は支持体結合体においてマトリクス状に配置されている。すなわち、支持体結合体は複数の行および列を有し、支持体結合体の個別支持体領域はそれぞれマトリクス素子を形成する。すなわち、支持体結合体の各個別支持体には一義的に所定数の行および列が対応付けられている。端子支持体結合体のマトリクス状の構成によって例えば殊に簡単なやり方で、結合体内の複数の構成素子を同時に支持体結合体上、したがって各個別支持体領域上に配置することができる。つまり本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、結合体における同種の構成素子が支持体結合体上に被着される。例えば同種の構成素子は光学素子、例えば共振器ミラーでよい。光学素子を例えばストライプ状の結合体として構成することができる。その種のストライプ状の結合体は有利には、支持体結合体の列の数に対応する複数の光学素子を有する。有利には、支持体結合体の各行に、同種の構成素子からなるその種のストライプ状の結合体が配置されるので、結合体の各個別支持体領域上には同数のそれらの構成素子、例えばそれぞれちょうど１つのその種の構成素子が配置される。支持体結合体の個々の行への実装を連続的または同時に行うことができる。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、支持体結合体の個別支持体領域上には少なくとも１つの構成素子がボンディングを用いて固定される。有利には、各個別支持体領域上に少なくとも１つの構成素子がボンディングを用いて固定される。例えば構成素子を「ダイレクトボンディング（Direct Bonding）」または陽極接合により固定することができる。構成素子は有利には以下の構成素子の内の少なくとも１つである：偏向素子、共振器ミラー、周波数変換素子。殊にボンディングを用いることにより、支持体結合体上に配置されている構成素子を同時に固定することも可能である。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、構成素子を支持体結合体上に配置する前に構造化された金属コーティング部が個別支持体領域上に被着される。有利には、各個別支持体領域上には構造化された金属コーティング部が被着される。金属コーティング部は有利には、金属コーティング部を接触させるための電気的なコンタクト個所を有する。有利には各個別支持体領域が金属コーティング部を有し、この金属コーティング部を用いて本方法により製造された半導体装置における共振器載着体の温度を高める、および／または、求めることができる。有利には共振器載着体の温度を金属コーティング部により高め、また求めることができる。金属コーティング部は有利には構造化された金属コーティング部である。例えば、金属コーティング部はメアンダ状に構成されているか、金属コーティング部は複数の切欠きを有する。金属コーティング部は有利には以下の金属：白金、金のうちの少なくとも１つを含有するか、その金属から構成される。
金属コーティング部は有利にはさらにコンタクト個所を有し、このコンタクト個所により金属コーティング部を電気的に接触させることができる。金属コーティング部に電流を流すことによって、共振器載着体の温度を完成した半導体装置の動作時に所期のように高めることができる。このようにして周波数変換素子を例えば所定の動作温度に加熱することができる。さらには、例えば金属コーティング部の温度に依存する電気抵抗を測定することによって、金属コーティング部の温度、したがって共振器載着体および周波数変換素子の温度を求めることができる。
このために有利には金属コーティング部が制御装置と接続され、この制御装置は外部から設定される金属コーティング部の温度を調整し、制御することに適している。制御装置は例えばマイクロプロセッサを有することができる。制御装置を半導体装置の端子支持体上に配置することができる。このために、光学的にポンピングされる半導体装置を製造するための方法の１つのステップにおいては、端子支持体結合体の各端子支持体上に１つの制御装置を配置することができる。しかしながら、制御装置が半導体装置の外部に配置され、この半導体装置と導電的に接続されることも考えられる。
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、各共振器載着体はこの共振器載着体が配置される端子支持体と導電的に接続される。この接続を例えば端子ワイヤを用いて行うことができ、この端子ワイヤにより金属コーティング部のコンタクト個所が端子支持体と接続される。
以下では本発明による方法ならびにこの方法により製造される半導体装置を複数の実施例および所属の図面に基づき詳細に説明する。
図１Ａは、半導体装置の第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
図１Ｂは、第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
図１Ｃは、第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。
図１Ｄは、第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な斜視図を示す。
図１Ｅは、半導体装置の第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
図１Ｆは、第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
図２Ａは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な斜視図を示す。
図２Ｂは、本方法により製造された半導体装置の第１の角度での概略的な斜視図を示す。
図２Ｃは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の第２の角度での概略的な斜視図を示す。
図２Ｄは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な平面図を示す。
図２Ｅおよび２Ｆは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の種々の方向からの概略的な断面図を示す。
図２Ｇは、第３の実施例による、受動的な光学素子が実装される前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
図２Ｈは、所属の概略的な平面図を示す。
図３Ａ，３Ｂ，３Ｃおよび３Ｄは、本方法の実施例による共振器載着体４０の製造工程を概略的な平面図で示す。
図３Ｅは、そのようにして製造された共振器載着体４０の概略的な断面図を示す。
図３Ｆは、そのようにして製造された共振器載着体４０の概略的な平面図を示す。
図４Ａ〜４Ｄは、本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラー３１を製造するための製造方法を示す。
図５は、本方法の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体１４を有する端子支持体結合体５０を示す。
図６Ａは、本方法の別の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体１４を有する端子支持体結合体５０の概略的な平面図を示す。
図６Ｂは、端子支持体５０の裏面の概略的な平面図を示す。
図６Ｃは、端子支持体５０の概略的な断面図を示す。
図６Ｄは、端子支持体結合体５０の端子支持体１４の概略的な平面図を示す。
実施例および図面において、同一の構成要素または同じ働きをもつ構成要素にはそれぞれ同じ参照番号が付されている。図示されている構成要素は縮尺通りに示されたものではなく、より良い理解のためにはむしろ個々の要素が誇張的に拡大して示されている場合もある。
図１Ａは、半導体装置の第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
ポンプユニットは端子支持体１４を有する。ここで説明する表面発光型の半導体装置の底部面積、すなわち端子支持体１４の底部面積は有利には３０ｍｍ2〜１５０ｍｍ2である。この実施例において端子支持体１４は基体１２、下面メタライジング１１ならびに構造化された上面メタライジング１３を有する。端子支持体１４は有利にはＤＢＣ（Direct Bonded Copper）複合材料である。基体１２は例えばＡｌＮのようなセラミック材料から構成されている。基体１２の厚さは有利には０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、殊に有利には０．３８ｍｍである。上面メタライジング１３ならびに下面メタライジング１１は例えば銅から構成されており、また０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ、有利には０．２ｍｍの厚さを有する。有利には、銅は約４００Ｗ／ｍＫの高い熱伝導率を有する。ＡｌＮ基体１２との接合によって、端子支持体１４の表面における実効熱膨張係数は低減される。このことは熱膨張係数が低い半導体ボディの実装にとって有利である。
構造化された上面メタライジング１３は導体路を形成し、端子支持体１４上に固定された能動的な半導体素子はこの導体路を介して電気的に接触される。
図１Ａを参照しながら説明した端子支持体１４の代わりに、例えばＡｌＮから構成されているセラミック基体１２を有する端子支持体１４も使用することができる。この場合、基体１２の上面に上面メタライジング１３を被着させることができる。このために金メタライジングがマスクを用いて基体１２に直接的に、例えばスパッタリングまたは蒸着により構造化されている。金層の厚さは最大で１μｍ、有利には最大で５００ｎｍである。その種の端子支持体はＤＢＣ端子支持体に比べて表面が殊に平坦である点で優れている。基体１２の厚さは有利には最大で１ｍｍ、殊に有利には最大で０．７ｍｍである。例えば白金またはＮｉＣｒから構成することができるか、これらの材料の内の少なくとも１つを含有する、例えばはんだ材料のための金属性の遮断部を蒸着またはスパッタリングによって端子支持体１４上に直接的に析出し構造化することができる。
端子支持体１４上には表面発光型の半導体ボディ１が被着されている。表面発光型の半導体ボディ１は例えば端子支持体１４上にはんだ付けされているか、接着されている。有利には表面発光型の半導体ボディ１ははんだ接合により端子支持体１４上に固定されている。このために薄膜はんだが殊に適している。すなわち表面発光型の半導体ボディ１は、スパッタリングまたは蒸着によって析出されているはんだを用いて固定されている。はんだは有利には以下の材料のうちの少なくとも１つを含有するか、その材料から構成されている：ＡｕＳｎ，Ｓｎ，ＳｎＡｇ，Ｉｎ，ＩｎＳｎ。有利には、はんだ層の厚さは１μｍ〜５μｍである。
表面発光型の半導体ボディ１は反射層列および放射生成層列を有する。反射層列は有利には反射性の金属層、ブラッグミラーまたはこれらの反射層の組合せである。有利には反射層列が、有利には屈折率差の大きい複数の半導体層組のブラッグミラーである。有利にはブラッグミラーが２０〜３０またはそれ以上の一連の半導体層組を有し、これによりミラーの９９．９％またはそれ以上の殊に高い反射率が生じる。有利にはブラッグミラーが半導体ボディ１のその他の半導体層と一緒にエピタキシャルに製造される。ブラッグミラーは有利には、半導体ボディ１の端子支持体１４と対向する側に配置されている。
半導体ボディの放射生成層列は、放射生成に適しているｐｎ接合部および／または単一量子井戸構造および／または有利には多重量子井戸構造、殊に有利にはドープされていない多重量子井戸構造を有する。本明細書において量子井戸構造の概念には、キャリアの閉じこめ（「confinement」）によってそのエネルギ状態が量子化されるあらゆる構造が含まれる。殊に、量子井戸構造の概念には量子化の次元数に関する規定は含まれない。したがって量子井戸構造には、例えば、量子箱、量子細線、量子点およびこれらの構造のあらゆる組み合わせが含まれる。
有利には、放射生成層列はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を基礎とする。つまり、放射生成層列はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料から構成されている少なくとも１つの層を有する。有利には、放射生成層列は窒化物化合物半導体、リン化物化合物半導体または殊に有利にはヒ化物化合物半導体材料を基礎とする。
本発明との関連において「窒化物化合物半導体を基礎とする」とは、放射生成層列またはこの層列の少なくとも１つの層が窒化物Ｖ属化合物半導体材料、有利にはＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＮ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を含有することを意味している。ここで、この材料は必ずしも上述の式に従った数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、ＡｌnＧａmＩｎ1-n-mＮ材料の特徴的な物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有していてもよい。しかしながら分かり易くするために、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ）の主要な構成要素のみが含まれている。
本発明との関連において「リン化物化合物半導体を基礎とする」とは、放射生成層列またはこの層列の少なくとも１つの層が有利にはＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＰ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を含有することを意味している。ここで、この材料は必ずしも上述の式に従った数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、その物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有していてもよい。しかしながら分かり易くするために、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｐ)の主要な構成要素のみが含まれている。
本発明との関連において「ヒ化物化合物半導体を基礎とする」とは、放射生成層列またはこの層列の少なくとも１つの層が有利にはＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＡｓ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を含有することを意味している。ここで、この材料は必ずしも上述の式に従った数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、その物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有していてもよい。しかしながら分かり易くするために、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｓ）の主要な構成要素のみが含まれている。
これらの材料の特徴は容易に高い内部量子効率を達成できることであり、また紫外線スペクトル領域（殊に窒化物を基礎とする化合物半導体材料）から可視スペクトル領域（殊にリン化物を基礎とする化合物半導体材料）にわたり赤外線スペクトル領域（殊にヒ化物を基礎とする化合物半導体材料）までの放射に適している。
有利には、半導体ボディの放射生成層列はヒ化物化合物半導体材料を基礎とする。赤外線スペクトル領域にある放射、殊に８００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長領域にある放射をこの材料系において殊に効率的に生成することができる。例えば、支持体はガリウムヒ化物を含有し、放射生成層列またはこの層列の少なくとも１つの層が材料系ＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＡｓ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を基礎とする。
さらに端子支持体１４上にはポンプ放射源２が配置されている。ポンプ放射源２は例えば端面発光型の半導体レーザならびに熱伝素子２ａを有する。熱伝素子２ａは有利には良好な熱伝性を有する材料、例えばダイヤモンド、窒化アルミニウムまたは炭化シリコンから構成されているか、これらの材料の内の少なくとも１つを含有する。ポンプ放射源２は端子ワイヤ２ｂを用いて端子支持体１４に導電的に接続されている。有利にはポンプ放射源２ははんだ接合により端子支持体１４上に固定されている。このために薄膜はんだが殊に適している。すなわちポンプ放射源２は、スパッタリングまたは蒸着によって析出されているはんだを用いて固定されている。はんだは有利には以下の材料のうちの少なくとも１つを含有するか、その材料から構成されている：ＡｕＳｎ，Ｓｎ，ＳｎＡｇ，Ｉｎ，ＩｎＳｎ。有利には、はんだ層の厚さは１μｍ〜５μｍである。
ポンプ放射源２にはレンズ３が後置されている。レンズ３は例えば、ポンプ放射源２から放出されたポンプ放射１７の高速軸視準（ＦＡＣ；fast axis collimination）に使用される。レンズ３はこのために非球面状に湾曲した放射放出面を有し、またこのレンズ３をＧａＰのような高屈折性材料から構成することができる。
ポンプ放射源２の主放射方向においてレンズ３には別の光学素子４が後置されている。光学素子４は有利には通過するポンプ放射を屈折させることに適している。例えば光学素子４はポンプ放射１７を端子支持体１４から離れる方向に屈折または偏向させることに適している。光学素子４は有利にはガラスを含有する。
光学素子４には円柱レンズ５ならびに球面レンズ６が後置されている。レンズ５，６は通過するポンプ放射の低速軸視準（ＳＡＣ；slow axis collimination）および／または高速軸視準に使用される。例えば、２つのレンズ５，６を非球面状に湾曲した放射通過面を有する単一の円柱レンズに置換することもできる。ポンプ放射はレンズ５，６から偏向素子７に到達する。
偏向素子７は例えばガラスを含有し、表面発光型の半導体ボディと対向する面はポンプ放射に対して高反射性にコーティングされている。偏向素子７は、有利には入射したポンプ放射１７が鋭角で放射通過面１ａに入射するようにこのポンプ放射１７を半導体ボディ１の放射通過面１ａに偏向する。
さらにスペーサ素子８を端子支持体１４上に配置することができる。素子８，４，７は同様に成形されており、また同一の材料から構成されている素子である。これらの素子は反射性に構成された表面、反射防止性に構成された表面またはコーティングされていない表面ならびに端子支持体１４上におけるその方向によってのみ区別される。
図１Ｂは、第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
図１Ｂから見て取れるように、端子支持体１４上にはさらに温度センサ９が取り付けられており、この温度センサ９は例えばＮＴＣ抵抗を有する。温度センサ９を用いて端子支持体１４の平均温度を求めることができる。端子支持体１４の平均温度に依存して、例えば端子支持体１４の下面に配置することができる熱電式の冷却器を用いてポンプユニットの動作温度を調整することができる。有利には、ポンプユニットの動作温度は２０℃〜３５℃、殊に有利には２５℃である。
図１Ｃは、第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。
ポンプユニットには表面発光型の半導体ボディ１の主放射方向において共振器載着体４０が後置されている。
ポンプユニットは上述したような端子支持体１４を有する。ポンプユニットはさらにポンプ放射源２を有し、このポンプ放射源２にはＦＡＣレンズ３が後置されている。ポンプ放射はＦＡＣレンズ３から光学素子４に入射し、この光学素子４はポンプ放射１７を端子支持体１４から遠ざかる方向に屈折させる。続けてポンプ放射は非球面レンズ１６を通過する。この非球面レンズ１６はポンプ放射を視準するために設けられている。この非球面レンズ１６からポンプ放射は偏向素子７に入射し、この偏向素子７はポンプ放射を表面発光型の半導体ボディ１の放射通過面１ａへと偏向させる。ポンプ放射１７により半導体ボディ１においては基本周波数のレーザ放射１８が生成される。基本周波数のレーザ放射１８は、共振器載着体４０の支持体３４内に設けられている切欠き３０を通過し共振器載着体４０に入射する。レーザ放射は例えばドーブプリズムによって形成されている偏向素子３３から共振器ミラー３１の方向へと偏向される。レーザ共振器においては有利には非線形光学結晶３１が配置されており、この非線形光学結晶３１は例えば通過するレーザ放射の周波数倍化のために使用される。このようにして生成され変換された放射１９の大部分は偏向素子３３を通過して半導体装置から出力結合される。
有利には非線形光学結晶３１は以下の結晶の内の少なくとも１つを有する：三ホウ酸リチウム、例えばＬｉＢ3Ｏ5（ＬＢＯ）、三ホウ酸ビスマス、例えばＢｉＢ3Ｏ6（ＢｉＢＯ）、チタン燐酸カリウムＫＴｉＯＰＯ4（ＫＴＰ）、酸化マグネシウムドープされたコングルエント組成のニオブ酸リチウム、例えばＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3（ＭｇＯ：ＬＮ）、酸化マグネシウムドープされたストイキオメトリ組成のニオブ酸リチウム、例えばＭｇＯ：ｓ−ＬｉＮｂＯ3（ＭｇＯ：ＳＬＮ）、酸化マグネシウムドープされたストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウム、例えばＭｇＯ：ＬｉＴａＯ3（ＭｇＯ：ＳＬＴ）、ストイキオメトリ組成のＬｉＮｂＯ3（ＳＬＮ）、ストイキオメトリ組成のＬｉＴａＯ3（ＳＬＴ）、ＲＴＰ（ＲｂＴｉＯＰＯ4）、ＫＴＡ（ＫＴｉＯＡｓＯ4）、ＲＴＡ（ＲｂＴｉＯＡｓＯ4）、ＣＴＡ（ＣｓＴｉＯＡｓＯ4）。
有利には、非線形光学結晶は通過する放射の周波数の２倍化に適している。
さらにレーザ共振器内には周波数選択素子、例えばエタロンまたは複屈折フィルタを配置することができ、これらはレーザのスペクトル的に安定した狭帯域の動作を有利には容易にする。
図１Ｄは、第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な斜視図を示す。
図１Ｅは、第１または第２の実施例による、受動的な光学素子が取り付けられる前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
図１Ｆは、第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
図１Ｅおよび１Ｆから見て取れるように、端子支持体１４は副位置合わせマーク１５を有する。副位置合わせマーク１５は、フォト技術により構造化された薄膜として実施されている搭載構造体である。
副位置合わせマークは画像処理システムのためのオリエンテーションガイドとして使用され、これにより端子支持体１４上の半導体装置の個々の素子の搭載位置が求められる。個々の素子に関する搭載精度は有利には±５μｍ〜±５０μｍである。殊に有利には、搭載精度は少なくとも±１０μｍである。
図２Ａは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な斜視図を示す。この実施例においては、半導体装置の底部面積、すなわち端子支持体１４の面積が最初の２つの実施例に比べて約３０％低減されている。図１Ａから図１Ｆを参照しながら説明した実施例とは異なり、この実施例においてはポンプ放射源２、表面発光型の半導体ボディ１ならびに偏向光学系７が一直線に配置されていない。
ポンプ放射はポンプ放射源２を出発して先ずＦＡＣレンズ３を通過する。このＦＡＣレンズ３からポンプ放射は、例えばビーム通過プリズム（Durchstrahlprisma ）または平行六面体によって形成されている光学素子４を通過する。続いてポンプ放射は偏向ミラー４５によって非球面円柱レンズ４６へと配向され、この非球面円柱レンズ４６によりポンプ放射はさらに視準される。この非球面円柱レンズ４６からポンプ放射は偏向光学系７に入射し、この偏向光学系７はポンプ放射を表面発光型の半導体ボディ１の放射通過面へと偏向させる。
図２Ｂは、本方法により製造された半導体装置の第１の角度での概略的な斜視図を示す。
図２Ｃは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の第２の角度での概略的な斜視図を示す。
図１Ａから図１Ｆを参照しながら説明した実施例とは異なり、第３の実施例においては偏向光学系３３がドーブプリズムではなく、平行六面体によって形成されている。
図２Ｄは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な平面図を示す。
図２Ｅおよび２Ｆは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の種々の方向からの概略的な断面図を示す。
図２Ｅから見て取れるように、第２の実施例による半導体装置においては、必要に応じて表面発光型の半導体ボディ１の放射通過面１ａにおいて反射されるポンプ放射は非線形光学結晶には入射しない。このようにして有利には、殊に安定した周波数変換を行うことができる。何故ならば、非線形光学結晶３２は反射されたポンプ放射１７によって加熱される可能性がないからである。
図２Ｇは、第３の実施例による、受動的な光学素子が実装される前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。図２Ｈは、所属の概略的な平面図を示す。
図２Ｇおよび２Ｈから見て取れるように、端子支持体１４は副位置合わせマーク１５を有する。すなわち端子支持体１４には搭載構造体１５が構造化されており、この搭載構造体１５は画像処理システムのためのオリエンテーションガイドとして使用される。副位置合わせマーク１５は、フォト技術により構造化された薄膜として実施されている搭載構造体である。
副位置合わせマークは画像処理システムのためのオリエンテーションガイドとして使用され、これにより端子支持体１４上の半導体装置の個々の素子の搭載位置が求められる。個々の素子に関する搭載精度は有利には±５μｍ〜±５０μｍである。殊に有利には、搭載精度は少なくとも±１０μｍである。
例えば、端子支持体１４の幅ｙは９ｍｍ〜１３ｍｍ、有利には約１０ｍｍである。端子支持体４の長さｘは９ｍｍ〜１４ｍｍ、例えば１２ｍｍである。
図３Ａ，３Ｂ，３Ｃおよび３Ｄは、本方法の実施例による共振器載着体４０の製造工程を概略的な平面図で示す。図３Ｅは、そのようにして製造された共振器載着体４０の概略的な断面図を示す。
図３Ａには支持体結合体８０が示されており、この支持体結合体８０は複数の個別支持体領域３４のマトリクス状の配置構成を有する。支持体結合体８０は例えばシリコンウェハによって形成されている。シリコンウェハは例えば６インチまたは８インチのシリコンウェハである。各個別支持体領域３４は切欠き３０、例えば孔を有する。切欠き３０は共振器載着体４０へと入射する、または共振器載着体４０から放出されたレーザ放射を通過させることができる。
後続のステップ（図３Ｂを参照されたい）においては、構造化金属コーティング部６０が個別支持体領域３４上に構造化される。金属コーティング部６０は例えばメアンダ状の白金コーティング部によって形成されており、この白金コーティング部はコンタクト個所６１を用いて電気的に接触される。
図３Ｃを参照しながら説明するステップにおいては、偏向ミラー３３、非線形光学結晶３４ならびに共振器ミラー３１のような光学素子が個別支持体領域３４上に配置される。有利には光学素子が結合体の形で、例えば複数の共振器ミラー３１を有するストライプとして支持体結合体８０上に配置される。このようにして複数の個別支持体領域３４上にそれぞれ１つの光学素子を同時に配置することができる。光学素子を例えば接着させることができる。有利には光学素子がボンディングを用いて、例えば陽極接合により個別支持体領域３４上に固定される。
続くステップにおいては支持体結合体８０を図３Ｄに示されているように矢印に沿って個別化することができる。結合体内に配置されている光学素子も個別化することができる。これにより複数の共振器載着体４０が得られる。この種の共振器載着体は例えば図３Ｅに概略的に示されている。
図３Ｆは、共振器載着体４０の概略的な平面図を示す。有利には、共振器載着体４０の長さはｃ＝８ｍｍ〜ｃ＝１２ｍｍ、例えばｃ＝１０ｍｍである。共振器載着体４０の幅は有利にはｄ＝１．７５ｍｍ〜ｄ＝３ｍｍであり、例えばｄ＝２．１５ｍｍである。
図４Ａ〜４Ｄを参照しながら、本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラー３１を製造するための製造方法を説明する。この製造方法においては、ガラスウェハ７０内に例えばシリコン球が形成され、これにより複数の共振器ミラー３１をアレーで形成することができる。図４Ａは、このようにして形成されたアレーの所属の概略的な平面図を示す。
図４Ｂは線７２に沿ったアレー７０の個別化を示す。これによって図４Ｃに示されたマイクロミラー３１のストライプが形成される。その種のマイクロミラーのバーは例えば約１００ｍｍの長さｌを有する。個々のマイクロミラー３１相互間の間隔ｐは約２ｍｍである。バーの高さｈは有利には約２ｍｍであり、幅ｂは有利には０．７ｍｍ〜２．５ｍｍである。
マイクロミラーのその種のバーを例えば図３Ａ〜３Ｄに示されているような支持体結合体８０上に被着することができ、またこの支持体結合体８０と一緒に個別化することができる。しかしながら、個別支持体領域３４上に被着する前にストライプを個々の共振器ミラー３１に個別化することも考えられる。その種の共振器ミラー３１は図４Ｄにおいて平面図および断面図で概略的に示されている。
図５は、本方法の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体１４を有する端子支持体結合体５０を示す。
端子支持体結合体５０は主位置合わせマーク５１を有し、この主位置合わせマーク５１は端子支持体結合体５０の２つの対角に配置されている。主位置合わせマーク５１は、例えば端子支持体結合体５０の材料における薄膜構造化部である。さらに主位置合わせマーク５１は、例えばシリコン、ガラスまたはセラミックから構成することができる位置合わせチップであってもよい。この位置合わせチップは薄膜構造化部を有することができる。主位置合わせマークは端子支持体結合体５０上の全ての構成素子の位置合わせに使用される。端子支持体結合体５０はパネルを形成する。パネルにおける個別構成素子が１つのユニットを表すので、以下の実装プロセスが可能である：
−複数の構成素子をストライプとして１つのステップで実装し、後にパネルと一緒に個別化する、
−プリズムのストライプまたはレンズのストライプを被着する、
−バキュームツールにおいてマトリクス状に自動調整されて装填されている個々の部品を実装する。
端子支持体結合体５０における端子支持体１４の規則的なマトリクス状の配置構成に基づき、複数の構成素子を１つのステップで連続的または同時に配置することができる。
端子支持体結合体の個別化を例えばソーイングまたはスクライビングおよび破断によって行うことができる。端子支持体結合体５０は有利には接着フィルム上でフレームに張設される。
端子支持体結合体５０は有利には５０ｍｍ×５０ｍｍ〜２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさを有する。この端子支持体結合体５０は円形または矩形であってよい。有利には端子支持体の上面の表面粗さは１μｍ以下である。これにより端子支持体上の個々の構成素子の殊に精確な位置合わせが実現される。
図６Ａは、本方法の別の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体１４を有する端子支持体結合体５０の概略的な平面図を示す。
端子支持体結合体５０の長さｆは例えば１００ｍｍ〜１２０ｍｍ、有利には１１０ｍｍである。端子支持体結合体５０の幅ｅは有利には４５ｍｍ〜６５ｍｍ、例えば５５ｍｍである。この実施例において端子支持体結合体５０は１１×４の端子支持体１４を有する。
図６Ｂは、端子支持体結合体５０の裏面の概略的な平面図を示す。
図６Ｃは、端子支持体結合体５０の概略的な断面図を示す。例えば窒化アルミニウムを含有するか、窒化アルミニウムから構成されている基体１２の幅ｊは有利には０．２５ｍｍ〜０．４５ｍｍ、例えば０．３８ｍｍである。例えば銅から構成されている下面メタライジング１１の厚さｉは０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ、例えば０．３ｍｍの厚さを有する。例えば銅から構成されている、構造化された上面メタライジング１３の厚さｇは有利には０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ、例えば０．２５ｍｍの厚さを有する。
図６Ｄは、端子支持体結合体５０の端子支持体１４の概略的な平面図を示す。端子支持体１４はワイヤボンディング面１６３を有し、このワイヤボンディング面１６３はボンディングワイヤを用いて端子支持体１４上に構成素子を電気的に接触させるために設けられている。さらに端子支持体１４ははんだ面１６４を有し、このはんだ面１６４上に能動的な構成素子を取り付けることができる。さらに端子支持体１４ははんだストップ層１６５を有する。
本発明のうちの１つの方法により製造される半導体装置は殊にその小型の構造を特徴とする。これにより例えば数ｍｍ、有利には最長で１５ｍｍ、殊に有利には最長で１０ｍｍの共振器長が実現される。その種の短い共振器長によりレーザ生成時の殊に迅速な応答時間が実現され、これは例えば光学式投影の用途にとって有利である。さらに本発明のうちの１つの方法により製造される半導体装置は殊に、動作時に熱が発生する構成素子、例えばポンプ放射源および表面発光型の半導体ボディが高い熱伝導率を有する支持体上に平面実装で取り付けられていることを特徴とする。これによって動作時に生じる熱を直接的に支持体に排出することができるので、例えば所定の角度だけ向きを変える必要はない。さらには、ポンプユニットと共振器載着体の熱分離は非線形光学結晶の殊に安定した温度を実現する。このようにして例えば、可視領域の殊に均等なレーザ放射を生成することができる。
本発明は実施例に基づいた説明に制限されるものではない。むしろ本発明はあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の組み合わせ各々が含まれ、このことはそのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないにしてもあてはまる。
本明細書は、ドイツ連邦共和国特許出願第102005063103.7号および102006017293.0号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により本願に含まれるものとする。
半導体装置の第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。 第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。 第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。 第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な斜視図を示す。 半導体装置の第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。 第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。 第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な斜視図を示す。 本方法により製造された半導体装置の第１の角度での概略的な斜視図を示す。 第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の第２の角度での概略的な斜視図を示す。 第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な平面図を示す。 第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。 第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。 第３の実施例による、受動的な光学素子が実装される前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。 第３の実施例による、受動的な光学素子が実装される前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。 本方法の実施例による共振器載着体の製造工程を示す。 本方法の実施例による共振器載着体の製造工程を示す。 本方法の実施例による共振器載着体の製造工程を示す。 本方法の実施例による共振器載着体の製造工程を示す。 共振器載着体の概略的な断面図を示す。 共振器載着体の概略的な平面図を示す。 本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラーを製造するための製造方法を示す。 本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラーを製造するための製造方法を示す。 本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラーを製造するための製造方法を示す。 本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラーを製造するための製造方法を示す。 本方法の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体を有する端子支持体結合体を示す。 本方法の別の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体を有する端子支持体結合体の概略的な平面図を示す。 端子支持体の裏面の概略的な平面図を示す。 端子支持体の概略的な断面図を示す。 端子支持体結合体の端子支持体の概略的な平面図を示す。

Claims (15)

  1. 光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法において、
    機械的に固く相互に接続されている複数の端子支持体（１４）を有する端子支持体結合体（５０）を提供するステップ、ただし、前記端子支持体（１４）は前記端子支持体結合体（５０）においてマトリクス状に配置されており、
    前記端子支持体結合体（５０）の各端子支持体（１４）上に表面発光型の半導体ボディ（１）をただ１つ配置するステップ、
    前記端子支持体結合体（５０）の各端子支持体（１４）上に同一の端子支持体上に配置されている前記表面発光型の半導体ボディ（１）を光学的にポンピングすることに適しているポンプ放射源（２）をただ１つ配置するステップ、
    ポンプ放射を前記半導体ボディ（１）の前記放射通過面（１ａ）へと偏向させることに適している前記光学素子（７）を、前記半導体ボディ（１）がそれぞれ、該半導体ボディ（１）の実装面においてポンプ放射源（２）と光学素子（７）との間に一直線に配置されるように前記端子支持体結合体（５０）の端子支持体（１４）上に配置し、その結果、動作時に生成されるポンプ放射は前記半導体ボディ（１）の放射通過面（１ａ）へと偏向される前に前記半導体ボディ（１）の上方を通過するステップ、
    を有することを特徴とする、光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法。
  2. 同種の構成素子の結合体を前記端子支持体結合体（５０）上に載置する、請求項１記載の方法。
  3. 前記端子支持体結合体（５０）は２つの主位置合わせマーク（５１）を有し、該主位置合わせマークは前記端子支持体結合体の構造化部または位置合わせチップとして構成されている、請求項１または２記載の方法。
  4. 前記端子支持体結合体（５０）の前記端子支持体（１４）は少なくとも１つの副位置合わせマーク（１５）を有し、該副位置合わせマークは搭載構造体によって形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
  5. 共振器載着体を端子支持体（１４）上に配置するステップを有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
  6. 請求項５記載の方法により製造された光学的にポンピングされる半導体装置用の共振器載着体の製造方法において、
    機械的に固く相互に接続されている複数の個別支持体領域（３４）を有する支持体結合体（８０）を提供するステップと、
    共振器ミラー（３１）を各個別支持体領域（３４）上にただ１つ配置するステップとを有することを特徴とする、共振器載着体の製造方法。
  7. 放射偏向素子（３３）を前記支持体結合体（８０）の個別支持体領域（３４）上に配置するステップを有する、請求項６記載の方法。
  8. 前記個別支持体領域（３４）は前記支持体結合体（８０）においてマトリクス状に配置されている、請求項６または７記載の方法。
  9. 同種の構成素子の結合体を前記支持体結合体（８０）上に載置する、請求項８記載の方法。
  10. 前記支持体結合体（８０）の個別支持体領域（３４）上に少なくとも１つの構成素子をボンディングにより固定する、請求項６から９までのいずれか１項記載の方法。
  11. 電気的に接触可能な構造化された金属層（６０）を前記支持体結合体（８０）の個別支持体領域（３４）上に被着させる、請求項６から１０までのいずれか１項記載の方法。
  12. 各共振器載着体（４０）を所属の端子支持体（１４）と導電的に接続させる、請求項５から１１までのいずれか１項記載の方法。
  13. 前記構造化された金属層（６０）を前記個別支持体領域（３４）上に構造化し、
    前記構造化された金属層（６０）はメアンダ状に形成されているか、または、
    前記構造化された金属層（６０）は複数の切欠を有し、
    前記構造化された金属層（６０）はコンタクト個所（６１）を用いて前記支持体結合体（８０）と電気的に接触される、請求項１１記載の方法。
  14. 前記共振器載着体（４０）の温度を、前記構造化された金属層（６０）によって高めて求める、請求項１３記載の方法。
  15. 各端子支持体（１４）上にそれぞれ１つの温度センサ（９）を取り付け、該温度センサ（９）を用いて前記端子支持体（１４）それぞれの平均温度を求め、それぞれの端子支持体（１４）の求められた平均温度に依存して、熱電式の冷却器を用いて前記ポンプ放射源（２）の動作温度を調整する、請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
JP2008547848A 2005-12-30 2006-12-29 光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法 Active JP5232011B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005063103 2005-12-30
DE102005063103.7 2005-12-30
DE102006017293A DE102006017293A1 (de) 2005-12-30 2006-04-12 Verfahren zur Herstellung einer optisch pumpbaren Halbleitervorrichtung
DE102006017293.0 2006-04-12
PCT/DE2006/002337 WO2007076845A1 (de) 2005-12-30 2006-12-29 Vertical emittierender, optisch gepumpter halbleiter mit externem resonator auf separatem substrat

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009522757A JP2009522757A (ja) 2009-06-11
JP5232011B2 true JP5232011B2 (ja) 2013-07-10

Family

ID=37943969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008547848A Active JP5232011B2 (ja) 2005-12-30 2006-12-29 光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8076166B2 (ja)
EP (1) EP1966857B1 (ja)
JP (1) JP5232011B2 (ja)
KR (1) KR101280752B1 (ja)
CN (2) CN102684065B (ja)
DE (1) DE102006017293A1 (ja)
TW (1) TWI334676B (ja)
WO (1) WO2007076845A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007062047A1 (de) 2007-12-21 2009-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kompaktgehäuse
DE102008009110A1 (de) * 2008-02-14 2009-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlasermodul
DE102008009108A1 (de) * 2008-02-14 2009-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser
DE102008010297A1 (de) 2008-02-21 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Frequenz-Konversions-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Frequenz-Konversions-Vorrichtung
DE102008036254A1 (de) * 2008-08-04 2010-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser
CN103906151B (zh) * 2009-03-12 2018-03-23 Lg电子株式会社 在无线通信系统中在用户设备及网络处操作载波的方法和操作载波的用户设备
DE102012205513B4 (de) * 2012-04-04 2021-12-09 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung und Strahlungsanordnung
DE102013205594A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN110088994B (zh) * 2016-12-22 2021-03-23 古河电气工业株式会社 半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法
JP7206494B2 (ja) * 2019-02-15 2023-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置
CN111585165B (zh) * 2019-02-15 2024-06-18 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法、发光装置、或基部
CN110289555A (zh) * 2019-06-21 2019-09-27 中国科学院半导体研究所 半导体激光光源

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4211899C2 (de) * 1992-04-09 1998-07-16 Daimler Benz Aerospace Ag Mikrosystem-Laseranordnung und Mikrosystem-Laser
US5461637A (en) 1994-03-16 1995-10-24 Micracor, Inc. High brightness, vertical cavity semiconductor lasers
US5761227A (en) 1994-08-23 1998-06-02 Laser Power Corporation Efficient frequency-converted laser
DE4440976A1 (de) * 1994-11-17 1996-05-23 Ant Nachrichtentech Optische Sende- und Empfangseinrichtung mit einem oberflächenemittierenden Laser
US6128134A (en) * 1997-08-27 2000-10-03 Digital Optics Corporation Integrated beam shaper and use thereof
US6072815A (en) 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
US5991318A (en) * 1998-10-26 1999-11-23 Coherent, Inc. Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
WO2002008806A2 (en) 2000-07-21 2002-01-31 Motorola, Inc. Monolithic optical system
US6637885B2 (en) 2001-03-26 2003-10-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for self-detection of pupillary response
US6853007B2 (en) 2001-12-28 2005-02-08 Finisar Corporation Submount for vertical cavity surface emitting lasers and detectors
EP1464084A1 (de) * 2002-01-09 2004-10-06 Infineon Technologies AG Photodiodenanordnung und verfahren zur herstellung einer verbindung zwischen einem ersten halbleiterbauelement und einem zweiten halbleiterbauelement
DE10253907A1 (de) * 2002-09-20 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optischer Abtastkopf und Verfahren zur Herstellung desselben
US6793407B2 (en) * 2002-09-25 2004-09-21 International Business Machines Corporation Manufacturable optical connection assemblies
DE10313608A1 (de) * 2003-03-26 2004-10-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit mehreren oberflächenemittierenden, optisch gepumpten Halbleiterlasern mit externem Resonator
KR100566290B1 (ko) * 2003-09-18 2006-03-30 삼성전자주식회사 스캔 테이블을 이용한 영상 주사방법과 그를 적용한 이산코사인 변환 장치
US7520679B2 (en) * 2003-09-19 2009-04-21 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device package with turning mirror and alignment post
KR100593995B1 (ko) * 2004-01-02 2006-06-30 삼성전자주식회사 수직 공동 표면 발광 레이저 모듈
JP4039367B2 (ja) * 2004-01-15 2008-01-30 株式会社日立製作所 光素子実装基板の製造方法
DE102004012014B4 (de) * 2004-03-11 2009-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Scheibenlaser mit einer Pumpanordnung
DE102004050118A1 (de) 2004-07-30 2006-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserbauelement, optische Vorrichtung für ein Halbleiterlaserbauelement und Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung
CN101023568A (zh) 2004-09-22 2007-08-22 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 表面发射的半导体激光器装置以及用于制造表面发射的半导体激光器装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1966857B1 (de) 2013-03-27
EP1966857A1 (de) 2008-09-10
WO2007076845A1 (de) 2007-07-12
JP2009522757A (ja) 2009-06-11
KR101280752B1 (ko) 2013-07-05
DE102006017293A1 (de) 2007-07-05
CN102684065A (zh) 2012-09-19
CN102684065B (zh) 2014-08-27
US8076166B2 (en) 2011-12-13
TWI334676B (en) 2010-12-11
TW200742211A (en) 2007-11-01
CN101351936B (zh) 2012-05-30
US20090246898A1 (en) 2009-10-01
KR20080083043A (ko) 2008-09-12
CN101351936A (zh) 2009-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5232011B2 (ja) 光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法
JP5232010B2 (ja) 光学的にポンピングされる半導体装置および光学式投影装置
US10581219B2 (en) Semiconductor laser device
JP4886686B2 (ja) 半導体レーザモジュール、半導体レーザモジュールのための光学装置および光学装置の製造方法
JP2008508698A5 (ja)
JP4868505B2 (ja) レーザ装置
JP2001168444A (ja) 半導体発光素子、その製造方法および配設基板
JP2001168442A (ja) 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板
US10594107B2 (en) Semiconductor laser device
CA2855913C (en) Semiconductor laser excitation solid-state laser
JP6631609B2 (ja) 半導体レーザ装置の製造方法
JPH04283948A (ja) 光半導体素子用サブマウント
JPH03268381A (ja) 半導体レーザ素子用サブマウント

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090825

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101227

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111104

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120206

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120502

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120808

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130322

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250