JP3023883B2 - サブマウント型レーザ - Google Patents

サブマウント型レーザ

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JP3023883B2 JP3306558A JP30655891A JP3023883B2 JP 3023883 B2 JP3023883 B2 JP 3023883B2 JP 3306558 A JP3306558 A JP 3306558A JP 30655891 A JP30655891 A JP 30655891A JP 3023883 B2 JP3023883 B2 JP 3023883B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサブマウント型レーザに
関する。さらに詳しくは、応答特性の改善されたサブマ
ウント型レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図３に示すような一対の電極
１０２、１０４とその間に挿入された絶縁体１０３から
構成されたサブマウント１０５の一方の端部近傍に半導
体レーザ１０１が載置されたサブマウント型レーザが用
いられている。図において、Ｈはヒートシンクを示す。
図４はかかるサブマウント型レーザの等価回路である。
図４において、Ｃはサブマウントによる静電容量であ
り、ＬＤは半導体レーザを示す。こようにサブマウント
型レーザにおいては、サブマウントによる静電容量Ｃの
ためにこの静電容量Ｃに比例した時定数を有する。した
がって、サブマウント型レーザの高速応答性を確保しよ
うとすれば、この時定数を小さくする必要がある。しか
るに、この静電容量Ｃは周知のごとく、一対の電極１０
２、１０４の間隔に反比例する。それゆえ、時定数を小
さくしようとすれば、一対の電極１０２、１０４の間隔
を広げる必要がある。
【０００３】しかしながら、この間隔をあまり大きくす
ると、サブマウントでの熱抵抗が増大し、半導体レーザ
１０１から発生する熱を充分に放熱することができな
い。
【０００４】そのため、現状では高速応答性をある程度
犠牲にして、半導体レーザ１０１から発生する熱の充分
なる放熱が優先される程度に、サブマウントの厚さを抑
えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、高速応答性を
犠牲にすることなく、しかも充分な放熱が確保できるサ
ブマウント型レーザを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のサブマウント型
レーザは、一対の電極と該電極間に挿入された絶縁体と
からなるサブマウントの端部近傍に載置された半導体レ
ーザからなるサブマウント型レーザであって、前記サブ
マウントの一方の端部の間隔が他の部分よりも狭められ
ており、該狭められた部分に半導体レーザが載置されて
いることを特徴としている。
【０００７】本発明のサブマウント型レーザにおいて
は、前記サブマウントの一方の端部がステップ状に変化
することにより前記一対の電極間が狭められているのが
好ましい。
【０００８】本発明のサブマウント型レーザにおいて
は、前記電極間の間隔が狭められていない部分に挿入さ
れた絶縁体が複数層からなるのが、さらに好ましい。
【０００９】
【作用】本発明のサブマウント型レーザにおいては、サ
ブマウントの半導体レーザが載置されている部分のみ薄
くされており、他の部分は厚くされているので、高速応
答性を犠牲にすることなく、充分な放熱を確保すること
ができる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
【００１１】図１は本発明の第１実施例の断面図、図２
は本発明の第２実施例の断面図で、図において、１は半
導体レーザ、２は一方の電極、３はシリコン基板（他方
の電極）、４は電極２、３間に挿入された絶縁体であ
り、電極２、３および絶縁体４でサブマウント５を形成
している。６は接続端子、Ｈはヒートシンクを示す。
【００１２】図１に示す第１実施例においては、電極２
の一方端部がステップ状に降下させられ、この降下した
部分に、半導体レーザ１が載置されている。また、電極
２、３の間隔は、充分な高速応答性を確保するために、
広い方で、２００００Å程度であり、一方、充分な放熱
を確保するために、狭い方で、１０００Å程度である。
また、絶縁体４の材質としては、シリコン酸化膜，チッ
化膜，アルミナなどを用いることができるが、熱酸化に
より簡単にシリコン基板３上に形成できるので、シリコ
ン酸化膜を用いるのが好ましい。
【００１３】その余の点については従来よりサブマウン
ト型レーザと同様であるので、その構成の詳細な説明は
省略する。
【００１４】図２に示す第２実施例においては、絶縁体
４が第一層４ａと第二層４ｂの２層に構成されている他
は、第１実施例と同様である。絶縁体４をこのように構
成するのは、第１実施例よりもさらに低容量化を図るた
めである。したがって、第一層４ａの材質としては、第
１実施例と同様の理由で、シリコン酸化膜を熱酸化によ
り形成するが，熱酸化で安定に膜厚を厚くするのには限
界がある。そのため、第２層４ｂを形成するものであ
る。第二層４ｂとしては、アルミナ、チッ化膜を用いる
ことができるが、誘電率が低くかつ比較的安定なチッ化
膜を用いるのが好ましい。また、その膜厚は、前述の理
由より安定に量産するため、第一層４ａが２００００Å
程度であり、第二層４ｂが２００００Å程度である。
【００１５】なお、図１〜２に示す実施例においては、
一方の電極がステップ状に降下させられているが、電極
の間隔の狭め方はこれに限定されるものではなく、適宜
手段を採用することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば高
速応答性を損なうことなく、充分な放熱を確保すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】 本発明の第２実施例の断面図である。
【図３】 従来のサブマウント型レーザの断面図であ
る。
【図４】 従来のサブマウント型レーザの等価回路図で
ある。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ ２ 一方の電極 ３ シリコン基板（他方の電極） ４ 絶縁体 ５ サブマウント ６ 接続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−208887（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−107780（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−87892（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−4534（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の電極と該電極間に挿入された絶縁
    体とからなるサブマウントの端部近傍に載置された半導
    体レーザからなるサブマウント型レーザであって、 前記サブマウントの一方の端部の間隔が他の部分よりも
    狭められており、該狭められた部分に半導体レーザが載
    置されていることを特徴とするサブマウント型レーザ。
  2. 【請求項２】 前記サブマウントの一方の端部がステッ
    プ状に変化することにより前記一対の電極間が狭められ
    ていることを特徴とする請求項１記載のサブマウント型
    レーザ。
  3. 【請求項３】 前記電極間の間隔が狭められていない部
    分に挿入された絶縁体が複数層からなることを特徴とす
    る請求項１または２記載のサブマウント型レーザ。
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