JPH0487381A - 発光ダイオードアレイチップ - Google Patents
発光ダイオードアレイチップInfo
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- JPH0487381A JPH0487381A JP2202849A JP20284990A JPH0487381A JP H0487381 A JPH0487381 A JP H0487381A JP 2202849 A JP2202849 A JP 2202849A JP 20284990 A JP20284990 A JP 20284990A JP H0487381 A JPH0487381 A JP H0487381A
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- electrode
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- emitting
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- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Led Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、LED (発光ダイオード)プリンタのLE
Dプリンタへラドなどに使用するのに適しt二LEDア
レイチ・ノブに係り、とく1こLEDアレイの発光時に
生ずる熱を効率よく放熱することができるLEDアレイ
チップに関する。
Dプリンタへラドなどに使用するのに適しt二LEDア
レイチ・ノブに係り、とく1こLEDアレイの発光時に
生ずる熱を効率よく放熱することができるLEDアレイ
チップに関する。
第4因は従来のLEDアレイチップ10の全体を示して
いる。LEDアレイチップ1oには、それぞれ発光層4
を有する複数のLEDエレメントが形成されている。第
5図はこのLEDアレイチップの構造を示すだめの第4
図の■−v線断面図である。第5図において、符号6は
基板、5はエピタキシャル層、4は発光層、2は絶縁層
、1はエピタキシャル層5の上面に形成され発光層4と
接続された上部電極、3は基板6の発光層4と反対側の
面に形成された下部電極である。 このLEDアレイチップ10では、LEDアレイの発光
時に生じる熱は、発光層4と反対側に形成された下部電
極3からのみチップ10の外部に放出されるようになっ
ている。
いる。LEDアレイチップ1oには、それぞれ発光層4
を有する複数のLEDエレメントが形成されている。第
5図はこのLEDアレイチップの構造を示すだめの第4
図の■−v線断面図である。第5図において、符号6は
基板、5はエピタキシャル層、4は発光層、2は絶縁層
、1はエピタキシャル層5の上面に形成され発光層4と
接続された上部電極、3は基板6の発光層4と反対側の
面に形成された下部電極である。 このLEDアレイチップ10では、LEDアレイの発光
時に生じる熱は、発光層4と反対側に形成された下部電
極3からのみチップ10の外部に放出されるようになっ
ている。
前述のように、従来のLEDアレイチップ10では、発
光層4で発光時に生じた大部分の熱が熱伝導率の低い基
板6を通り下部電極3かも放熱されるようになっている
ので、発光時の熱が効率よく放熱されず、その結果、L
EDアレイの温度を上昇させ、LEDアレイの発光出力
の低下や発光波長の変動、更にはLEDアレイの寿命の
低下などの問題を生じていた。 本発明は、このような従来の技術の問題点に着目してな
されたものであり、LEDアレイの発光時に発生する熱
を効率的に放出することができるLEDアレイチップを
提供することを目的とする。 また本発明は、発光面側に設けられた放熱用の熱伝導体
を発光面と反対側の電極に接続してこの熱伝導体を電極
としても使用することにより、発光面側のみを使用する
ことを可能にするLEDアレイチップを提供することを
目的とする。
光層4で発光時に生じた大部分の熱が熱伝導率の低い基
板6を通り下部電極3かも放熱されるようになっている
ので、発光時の熱が効率よく放熱されず、その結果、L
EDアレイの温度を上昇させ、LEDアレイの発光出力
の低下や発光波長の変動、更にはLEDアレイの寿命の
低下などの問題を生じていた。 本発明は、このような従来の技術の問題点に着目してな
されたものであり、LEDアレイの発光時に発生する熱
を効率的に放出することができるLEDアレイチップを
提供することを目的とする。 また本発明は、発光面側に設けられた放熱用の熱伝導体
を発光面と反対側の電極に接続してこの熱伝導体を電極
としても使用することにより、発光面側のみを使用する
ことを可能にするLEDアレイチップを提供することを
目的とする。
本発明に係るLEDアレイチップは、複数の発光ダイオ
ードが集積化された発光ダイオードアレイチップにおい
て、各発光ダイオードの発光面と同じ側のチップ面上の
前記発光面の近傍の位置に熱伝導体を形成したことを特
徴とするものである。 また、前記発光ダイオードアレイチップの熱伝導体は、
前記チップの外部に設けられる放熱体と接続されている
のがよい。 さらに、前記発光ダイオードアレイチップにおいて、前
記熱伝導体は、発光面と反対側にある電極と電気的に接
続されているのがよい。
ードが集積化された発光ダイオードアレイチップにおい
て、各発光ダイオードの発光面と同じ側のチップ面上の
前記発光面の近傍の位置に熱伝導体を形成したことを特
徴とするものである。 また、前記発光ダイオードアレイチップの熱伝導体は、
前記チップの外部に設けられる放熱体と接続されている
のがよい。 さらに、前記発光ダイオードアレイチップにおいて、前
記熱伝導体は、発光面と反対側にある電極と電気的に接
続されているのがよい。
このような特徴を有する本発明によれば、発光ダイオー
ドアレイチップの発光時の熱を発光部の近辺から放熱す
ることができるので、前記熱を効率よく放出できるよう
になる。 また前記熱伝導体を導電材料で形成し発光面と反対側に
ある電極に接続させることにより、この熱伝導体を電極
としても使用できるようになるので、発光ダイオードア
レイチップの発光面側のみを使用するデバイスを作成す
ることができるようになる。
ドアレイチップの発光時の熱を発光部の近辺から放熱す
ることができるので、前記熱を効率よく放出できるよう
になる。 また前記熱伝導体を導電材料で形成し発光面と反対側に
ある電極に接続させることにより、この熱伝導体を電極
としても使用できるようになるので、発光ダイオードア
レイチップの発光面側のみを使用するデバイスを作成す
ることができるようになる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
嬉1図は本発明の第1実施例に係るLEDアレイチップ
を示す断面図である。第1図中第5図と共通する部分に
は同一の符号を付している・本実施例では、エピタキシ
ャル層5の上面の発光層4の近傍に下部電極3とワイヤ
(図示せず)で電気的に接続した電極3aを形成してい
る。この電極3aを形成する位置は、LEDアレイの各
発光部からの発光lこ影響を与えない範囲でかつ発光部
に最も近い位置とすることが望ましい。また本実施例で
は、前記電極3aの上にさらに絶縁層2を形成して、電
極3aと上部電極1および発光層4との間の絶縁を図っ
ている。また、前記電極3aは図示していないチップ外
部の放熱板などの放熱部に接続されており、発光時の熱
はこの電極3aかも放熱部に伝わって外部に放出される
ようになっている。 以上のように本実施例によれば、LEDアレイが発光時
に発生する熱を発光部の近辺から効率よく放出すること
ができるので、発光時の熱の外部への放出を効率的に行
い、発光時の熱によるLEDアレイの温度の上昇を抑え
、LEDアレイの発光出力の低下や発光波長の変動、更
にはLEDアレイの寿命の低下などを防ぐことができる
。また、本実施例では、発光層4からの熱をその近辺か
ら放出するための熱伝導体を電極3aとしても使用する
ようにしているので、LEDアレイチップの発光面側の
みを使用することができるようになる。 次に第2図は本発明の第2実施例を示す断面図である。 この第2実施例では、エピタキシャル層5の上に絶縁層
2を介して熱伝導の良好な金属層7が形成されている。 この金属層7は、第1実施例と同様に、各発光部からの
発光に影響を与えない範囲で且つ発光部に最も近い位置
に形成されている。この金属層7にはLEDアレイチッ
プ10の外部に設けられた放熱部(図示せず)が接続さ
れている。また金属層7の上には絶縁層2が形成され、
金属層7と電極1との間の絶縁が行われている。以上の
ように本実施例では、発光層4の近傍に金属層7を形成
し、LEDアレイの発光時の熱をこの金属層7を通して
チップ10の外部に放出するようにしているので、発光
時の熱の外部への放出を効率的に行い、発光時の熱によ
るLEDアレイの温度の上昇を抑え、LEDアレイの発
光出力の低下や発光波長の変動、更にはLEDアレイの
寿命の低下などを防ぐことができる。 次に第3図は本発明の第3実施例を示す断面図である。 この第3実施例では、エピタキシャル層5の上に、熱は
通すが電気は通さない合金層8が形成され、この合金層
8にはLEDアレイチップlOの外部に設けられた放熱
部(図示せず)が接続されている。また合金層8の上に
は絶縁層2が形成され、合金層8と発光層4および電極
1との間の絶縁が行われている。以上のように本実施例
では、発光層4の近傍に合金層8を形成し、LEDアレ
イの発光時の熱をこの合金層8かもチップ10の外部に
放出するようにしているので、第2実施例について述べ
たのと同様の効果が奏されるようになる。
を示す断面図である。第1図中第5図と共通する部分に
は同一の符号を付している・本実施例では、エピタキシ
ャル層5の上面の発光層4の近傍に下部電極3とワイヤ
(図示せず)で電気的に接続した電極3aを形成してい
る。この電極3aを形成する位置は、LEDアレイの各
発光部からの発光lこ影響を与えない範囲でかつ発光部
に最も近い位置とすることが望ましい。また本実施例で
は、前記電極3aの上にさらに絶縁層2を形成して、電
極3aと上部電極1および発光層4との間の絶縁を図っ
ている。また、前記電極3aは図示していないチップ外
部の放熱板などの放熱部に接続されており、発光時の熱
はこの電極3aかも放熱部に伝わって外部に放出される
ようになっている。 以上のように本実施例によれば、LEDアレイが発光時
に発生する熱を発光部の近辺から効率よく放出すること
ができるので、発光時の熱の外部への放出を効率的に行
い、発光時の熱によるLEDアレイの温度の上昇を抑え
、LEDアレイの発光出力の低下や発光波長の変動、更
にはLEDアレイの寿命の低下などを防ぐことができる
。また、本実施例では、発光層4からの熱をその近辺か
ら放出するための熱伝導体を電極3aとしても使用する
ようにしているので、LEDアレイチップの発光面側の
みを使用することができるようになる。 次に第2図は本発明の第2実施例を示す断面図である。 この第2実施例では、エピタキシャル層5の上に絶縁層
2を介して熱伝導の良好な金属層7が形成されている。 この金属層7は、第1実施例と同様に、各発光部からの
発光に影響を与えない範囲で且つ発光部に最も近い位置
に形成されている。この金属層7にはLEDアレイチッ
プ10の外部に設けられた放熱部(図示せず)が接続さ
れている。また金属層7の上には絶縁層2が形成され、
金属層7と電極1との間の絶縁が行われている。以上の
ように本実施例では、発光層4の近傍に金属層7を形成
し、LEDアレイの発光時の熱をこの金属層7を通して
チップ10の外部に放出するようにしているので、発光
時の熱の外部への放出を効率的に行い、発光時の熱によ
るLEDアレイの温度の上昇を抑え、LEDアレイの発
光出力の低下や発光波長の変動、更にはLEDアレイの
寿命の低下などを防ぐことができる。 次に第3図は本発明の第3実施例を示す断面図である。 この第3実施例では、エピタキシャル層5の上に、熱は
通すが電気は通さない合金層8が形成され、この合金層
8にはLEDアレイチップlOの外部に設けられた放熱
部(図示せず)が接続されている。また合金層8の上に
は絶縁層2が形成され、合金層8と発光層4および電極
1との間の絶縁が行われている。以上のように本実施例
では、発光層4の近傍に合金層8を形成し、LEDアレ
イの発光時の熱をこの合金層8かもチップ10の外部に
放出するようにしているので、第2実施例について述べ
たのと同様の効果が奏されるようになる。
以上のように本発明によれば、発光ダイオードアレイチ
ップの発光時の熱を発光部の近辺から放熱することがで
きるので、前記熱を効率よく放出できるようになる。よ
って、発光時の熱によるLEDアレイの温度の上昇を抑
え、LEDアレイの発光出力の低下や発光波長の変動、
更にはLEDアレイの寿命の低下などを防ぐことかでき
る。 また請求項3の発明では、前記熱伝導体を発光面と反対
側にある電極に電気的に接続させ、この熱伝導体を電極
としても使用するようにしているので、発光ダイオード
アレイチップの発光面側のみを使用するデバイスを作成
することができるようになる。
ップの発光時の熱を発光部の近辺から放熱することがで
きるので、前記熱を効率よく放出できるようになる。よ
って、発光時の熱によるLEDアレイの温度の上昇を抑
え、LEDアレイの発光出力の低下や発光波長の変動、
更にはLEDアレイの寿命の低下などを防ぐことかでき
る。 また請求項3の発明では、前記熱伝導体を発光面と反対
側にある電極に電気的に接続させ、この熱伝導体を電極
としても使用するようにしているので、発光ダイオード
アレイチップの発光面側のみを使用するデバイスを作成
することができるようになる。
第1図は本発明の第1実施例に係るLEDアレイチップ
を示す断面図、第2図は第2実施例の断面図、第3図は
第3実施例の断面図、第4図は従来のLEDアレイチッ
プを示す平面図、第5図は第4図のv−V線断面図であ
る。 a 電極、 二合金層、 二発光層、 二発光ダイオ :金属層、 ドアレイチップ
を示す断面図、第2図は第2実施例の断面図、第3図は
第3実施例の断面図、第4図は従来のLEDアレイチッ
プを示す平面図、第5図は第4図のv−V線断面図であ
る。 a 電極、 二合金層、 二発光層、 二発光ダイオ :金属層、 ドアレイチップ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の発光ダイオードが集積化された発光ダイオー
ドアレイチップにおいて、各発光ダイオードの発光面と
同じ側のチップ面上の前記発光面の近傍の位置に熱伝導
体が形成されていることを特徴とする発光ダイオードア
レイチップ。 2、請求項1記載の発光ダイオードアレイチップにおい
て、前記熱伝導体は、チップの外部に設けられる放熱体
と接続されていることを特徴とする発光ダイオードアレ
イチップ。 3、請求項1記載の発光ダイオードアレイチップにおい
て、前記熱伝導体は、発光面と反対側にある電極と電気
的に接続されていることを特徴とする発光ダイオードア
レイチップ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2202849A JPH0487381A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 発光ダイオードアレイチップ |
US07/719,406 US5113232A (en) | 1990-07-31 | 1991-06-24 | LED array chips with thermal conductor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2202849A JPH0487381A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 発光ダイオードアレイチップ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487381A true JPH0487381A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16464212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2202849A Pending JPH0487381A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 発光ダイオードアレイチップ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5113232A (ja) |
JP (1) | JPH0487381A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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