JP2000261039A - 光源装置 - Google Patents

光源装置

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JP2000261039A JP11066193A JP6619399A JP2000261039A JP 2000261039 A JP2000261039 A JP 2000261039A JP 11066193 A JP11066193 A JP 11066193A JP 6619399 A JP6619399 A JP 6619399A JP 2000261039 A JP2000261039 A JP 2000261039A
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Takuo Murai
卓生 村井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 照明装置や表示装置などに組み込む場合に、
単一部品として簡単に取り扱うことができ、放熱効率が
高く、安定した発光を行うことができる光源装置を得
る。 【解決手段】 略直方体形状の絶縁基板１において、断
面が凹形状の溝部を長手方向に形成し、この溝部の断面
幅を上部から下部に沿って狭くし、複数の発光ダイオー
ド素子２を溝部の底面に長手方向に設け、電極３を絶縁
基板１の溝部における発光ダイオード素子２の両側に長
手方向に沿って連続して設け、ワイヤ４により各発光ダ
イオード素子２を電極３に並列接続し、透明または半透
明の樹脂５を発光ダイオード素子２、電極３、ワイヤ４
を包み込みように溝部へ充填する。さらに、電極３は陽
電極３ａと陰電極３ｂから成り、陰電極３ａの電極面積
を樹脂５の充填部分以外まで広げる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば照明機器、表
示機器、情報機器等の光源として用いられる光源装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１６は、例えば特開昭６２−２３５７
８７号公報に示された従来の照明装置における発光ダイ
オード素子（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄ
ｅ 以下、ＬＥＤという）を用いた光源装置の要部断面
図である。
【０００３】図において、光源装置は、灯体２１を構成
するアウターレンズ１９及びバックカバー２０と、灯体
２１内に配設されたインナーレンズ２２及び金属基板２
３と、金属基板２３上の凹部に設けられた基台２７及び
基台２７に配設された多数のＬＥＤ２４から構成され
る。
【０００４】さらにインナーレンズ２２はアウターレン
ズ１９と金属基板２３との間に配設され、その表面には
多数の集光レンズ２５がＬＥＤ２４に対応して突出形成
されている。集光レンズ２５は略半球状の球面レンズか
らなり、集光レンズ２５に対応してインナーレンズ２２
の裏面にも緩やかな凸曲面に形成された補助レンズ２６
が設けられており、これによってインナーレンズ２２の
集光度をあげるようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の光源装置では、構成部品が金属基板２３、イン
ナーレンズ２２、アウターレンズ１９といくつかの部品
に分離しているため、例えばインナーレンズ２２の凸部
と金属基板２３の凹部の精密な位置決めが困難であり、
また、その照明装置自身にこれらレンズを取付、固定す
る構造が不可欠となり、構造が複雑になってしまうなど
の問題点があった。
【０００６】また、基台２７および金属基板２３は熱伝
導性がよく、ＬＥＤ２４から発生する熱を効率よく逃が
すため、放熱効果に優れている。これにより、光源装置
の温度上昇を防止している。しかしながら、発熱はＬＥ
Ｄ２４の陰電極上での発生割合が高く、結果的にインナ
ーレンズ２２と金属基板２３との間の温度上昇を十分に
防止することができず、ＬＥＤ２４の発光光束や寿命に
影響を与えてしまうという問題点があった。
【０００７】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、構成部品の位置決めを行うこと
や装置自身にその部品を取付けるための構造を設けるこ
となく、レンズ効果を有し、単一部品として取り扱える
光源装置を得るものである。
【０００８】また、光源の陰電極部分の放熱効率を高
め、さらには光源素子周囲の環境温度変化による光束変
化を補正できる光源装置を得るものである。
【０００９】この発明に係る光源装置においては、断面
が凹形状の溝部を長手方向に形成し、この溝部の断面幅
が上部から下部に沿って狭くなる略直方体形状の絶縁基
板と、絶縁基板の溝部の底面に長手方向に設けられた複
数の発光ダイオード素子と、絶縁基板の溝部における発
光ダイオード素子の両側に長手方向に沿って連続して設
けられた電極と、各発光ダイオード素子を電極に並列接
続するワイヤと、発光ダイオード素子、電極、ワイヤを
包み込みように溝部へ充填された透明または半透明の樹
脂と、を備えたものである。
【００１０】また、絶縁基板の溝部を覆うように絶縁基
板に設けられ、発光ダイオード側の面に蛍光材料を塗布
した透明または半透明の樹脂カバーと、を備えたもので
ある。
【００１１】さらに、絶縁基板の溝部の表面に、発光ダ
イオード素子および電極に接しないように高反射率材料
層を設けたものである。
【００１２】また、樹脂の発光側表面形状を略曲面状に
形成したものである。
【００１３】また、樹脂カバーの発光側表面形状を略曲
面状に形成したものである。
【００１４】また、電極は陽電極と陰電極から成り、陰
電極の電極面積を樹脂の充填部分以外まで広げたもので
ある。
【００１５】また、陰電極における樹脂の充填部分以外
の電極表面を凹凸形状にしたものである。
【００１６】また、電極は陽電極と陰電極から成り、陰
電極における樹脂の充填部分以外の電極表面に絶縁層を
設けたものである。
【００１７】また、発光ダイオード素子と陰電極の間に
温度センサを直列に接続したものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１である光源装置の断面図、図２はこの光源
装置の上面図を示す。図において、１は断面が凹型であ
り、紙面に対して横長の直線的な略直方体形状からなる
絶縁基板、２は発光ダイオード素子（以下、ＬＥＤとい
う）であり、ｐ型半導体２ａ、ｎ型半導体２ｂから成
る。３は電極であり、陽電極３ａ、陰電極３ｂから成
る。４はワイヤ、５は凹部全体に充填される樹脂であ
り、以上より光源装置６が構成される。７は光源装置６
に接続され、光源装置６を駆動する点灯回路であり、入
力電圧をＬＥＤ２の個数等に応じた適当な直流電圧や全
波整流電圧などに変換、出力する。
【００１９】次に光源装置６の構成について詳述する。
絶縁基板１は例えばセラミックス基板であり、その凹型
内部の溝部の幅は上部から下部にかけて狭くなる連続斜
面を有する。このことにより凹部外へ光を効率よく発光
することが可能となる。ＬＥＤ２はｎ型半導体２ｂが絶
縁基板１に接着剤等により固定され、その上にｐ型半導
体２ａが積層される構造とし、溝部の底面に長手方向に
複数設置される。
【００２０】凹部斜面には印刷などの手法により絶縁基
板１の長手方向に沿うように横長の陽電極３ａおよび陰
電極３ｂを設け、ｐ型半導体２ａと陽電極３ａ、ｎ型半
導体２ｂと陰電極３ｂをそれぞれ金線などのワイヤ４で
結ぶ。このように、斜面上の電極３から直接ワイヤ４を
引くことにより従来の方法に対して結線長を短くするこ
とができる。
【００２１】さらに絶縁基板１の溝部内のＬＥＤ２、電
極３、ワイヤ４全てを包み込みようにエポキシ材やシリ
コン材などからなる透明あるいは半透明の樹脂５を充填
する。樹脂層は周囲温度変化に対して絶縁基板１の溝部
や各部品から剥離を起こさない程度に温度膨張係数が高
いもの、特に紫外光などに対して劣化速度が緩やかなも
のなど耐候性の強いものがよい。なお、絶縁基板１に変
えてガラス材を用いた場合には、上記周囲温度による剥
離、ひび割れなどの面で問題が生じるため、樹脂５を用
いた場合が良いことは言うまでもない。
【００２２】次に照明動作については、点灯回路７によ
り直流電圧や全波整流電圧を陽電極３ａおよび陰電極３
ｂへ印加する。これにより、ｐ型半導体２ａとｎ型半導
体２ｂの接合面から発光が行われ、樹脂５を介して光を
出力し、照明が行われる。
【００２３】以上のように光源装置６を構成したことに
より、従来のように構成部品が分離せず、耐候性が強く
照明機器などに組み込む場合に、大変取り扱いやすい器
具部品とすることができる。
【００２４】なお、器具へ光源装置６を組み込む場合に
は、複数の光源装置６の長辺を隣接させ並べることによ
り、面上光源を実現できる。また、この場合に点灯回路
７は各光源装置６に対して１つ設けても、あるいは複数
の光源装置に対して１つ設けるようにしても構わない。
【００２５】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２である光源装置の断面図を示し、図において、上記
実施の形態と同一または相当部分には同一符号を付け、
説明を省略する。８は絶縁基板１の上面に取りつけら
れ、ＬＥＤ２側の表面に蛍光塗料９を塗布した樹脂カバ
ーである。この実施の形態２では樹脂カバー８と絶縁基
板１との間は中空状態になっている。
【００２６】樹脂カバー８に塗布する蛍光材料の励起波
長がＬＥＤ発光波長、またその発光波長分布が所望の光
色になるよう材料選定することにより、幅広い光色が実
現できる。この際に、短波長の光ほど高エネルギーを有
し可視光域の任意の色に変換できる割合が高いため、Ｌ
ＥＤ発光波長は可視光域内短波長や紫外線などがよい。
【００２７】以上のように光源装置６を構成したことに
より、ＬＥＤ発光波長と蛍光体の組み合わせにより、任
意の可視光色や蛍光感のある発光を実現できる。
【００２８】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３である光源装置の断面図を示し、図において、上記
実施の形態と同一または相当部分には同一符号を付け、
説明を省略する。１０は金型基板１の内側の斜め表面に
ＬＥＤ２および電極３に接しないように設けた高反射率
材料層である。
【００２９】ここで、高反射率材料層１０は、例えば銀
めっき層や銀蒸着層などの光を高効率で反射する材料を
用いる。また、金型基板１への高反射率材料層１０の加
工方法は、例えばマスクなどを用い、パターン転写を行
う方法などがある。
【００３０】以上のように高反射率材料層１０を設ける
ことにより、ＬＥＤ２の発光時に表面樹脂からの発光光
束を高めることができ、光源装置６の発光効率を高める
ことができる。なお、この実施の形態３を上記実施の形
態２に用いても同様の効果が得られることはいうまでも
ない。
【００３１】実施の形態４．図５はこの発明の実施の形
態４である光源装置の断面図を示し、図において、上記
実施の形態と同一または相当部分には同一符号を付け、
説明を省略する。樹脂５は発光側表面の形状を略半球状
の曲面とし、曲面の中心上にＬＥＤ２が位置するように
構成される。
【００３２】樹脂５を上記の形状にすることによりレン
ズ効果を有することになる。そこで、ＬＥＤ２から樹脂
５表面までの距離ｈを短くとり曲面形状を緩やかにした
場合には、図１に比べて指向性が強い拡散光を得ること
ができ、一方距離ｈを長くとり曲面形状を砲弾状にした
場合には、指向性が強く、その発光角度内で高い光束を
得ることができる。
【００３３】以上のように樹脂５の表面形状を曲面にす
ることにより発光光束の指向性を高めることができ、さ
らに、その曲面形状を調整することにより狭い範囲での
線上照明を実現できる。なお、この実施の形態４を上記
実施の形態２に用い、樹脂カバー８の発光側表面の形状
を半球状の曲面とし、曲面の中心線上にＬＥＤ２が位置
するように構成しても同様の効果が得られることはいう
までもない。
【００３４】実施の形態５．図６はこの発明の実施の形
態５である光源装置の断面図、図７は陰電極の他の形状
を示す光源装置の断面図、図８は陰電極の他の形状を示
す光源装置の断面図、図９は陰電極の他の形状を示す光
源装置の断面図、図１０は陰電極の他の形状を示す光源
装置の断面図を示し、図において、上記実施の形態と同
一または相当部分には同一符号を付け、説明を省略す
る。
【００３５】次に動作について各図毎に説明する。ま
ず、一般的にＬＥＤ２は、電子を供給する陰電極側３ｂ
が陽電極３ａ側よりも多量の熱を発生する特性があり、
特に陰電極３ｂ側の発熱によりＬＥＤ２自身の素子温度
が上昇してしまい、結果的に発光光束に影響を与え、発
光光束が低くなるとともに、光源装置６全体の温度上昇
にもつながってしまう。このため、陰電極５側において
放熱の仕組みを施すことが必要である。
【００３６】そこで、図６は陰電極３ｂの電極面積を広
げ、絶縁基板１の凹部内部から上面まで広げたものであ
る。これにより電極３上の電流密度を低減し、さらに陰
電極３ｂの表面のうち空気に触れる面積を多くするよう
に構成し、放熱効果を高めることが可能となる。なお、
この陰電極３ｂの電極面積を広げることを上記実施の形
態２に用いても同様の効果が得られることはいうまでも
なく、図７にその構成図を示し、説明は図６の場合と同
様であるため省略する。
【００３７】次に図８、図９は陰電極３ｂのうち絶縁基
板１上面に位置する部分に細い複数の溝を設け、放熱面
積を増したものであり、図７に比べてさらに放熱効果を
上げることができる。具体的には図８は陰電極３ｂをそ
のまま複数の細いシンク状に加工したものであり、図９
は陰電極３ｂのうち絶縁基板１上面に位置する部分に、
細い複数の溝を有するシンク材１１を接着剤などにより
取り付けたものである。なお、シンク材料としては、例
えばアルミニウムを微細加工した材料等を用いる。
【００３８】次に図１０は陰電極３ｂの基板表面１上に
位置し、かつ、樹脂５が覆われていない部分が空気に直
接触れることを避けるために、その部分に絶縁層１２を
設けたものである。この絶縁層１２によりこの光源装置
６を静電気などによる破壊から保護することができる。
ここで、絶縁層１２の材料には例えば表面が白色で反射
率が高めのアルマイトなどを用い、それを蒸着するよう
にして設ける。
【００３９】以上のように陰電極３ｂの表面積を広げる
ことにより、ＬＥＤ２自身の温度上昇を防止し、これに
ともない発光光束の低下、光源装置６全体の温度上昇を
防止できる。また、陰電極３ｂ表面に絶縁層を設けるこ
とにより、光源装置６を静電気などから保護することが
できる。
【００４０】実施の形態６．図１１はこの発明の実施の
形態６である光源装置の上面図、図１２はこの光源装置
の部分断面図であり、図１１のＡ−Ａ´断面を示す。図
１３はこの光源装置の回路図、図１４はＬＥＤにおける
周囲温度と光束の関係図、図１５は温度センサにおける
周囲温度と抵抗値の関係図を示す。図において、上記実
施の形態と同一または相当部分には同一符号を付け、説
明を省略する。１３はサーミスタ、１４は抵抗である。
【００４１】まず、ＬＥＤ２は図１４の実線Ａに示すよ
うに、周囲環境温度が上昇するにつれて光束が小さくな
る特性を有し、温度変化により光源装置６としての基本
機能である明るさに大きな変化が生じてしまう。よって
周囲環境温度が変化してもＬＥＤ２の光束を一定に保つ
ために補正を行う必要がある。
【００４２】この補正については、例えば図１５に示す
ような周囲温度が変化した場合に抵抗値が変化する特性
を有するサーミスタなどの温度センサを、光源装置６に
用いることにより行うことができる。そこで、図１１〜
１３に示すように、サーミスタ１３およびＬＥＤ２の初
期電流値設定用の抵抗１４をｎ型半導体２ｂと陰電極３
ｂの間に直列に設ける。サーミスタは図１５に示すよう
に周囲の温度が上昇するのにつれて抵抗値が小さくなる
素子であり、この特性を光源装置に利用する。
【００４３】回路図は図１３に示すように、サーミスタ
１３とＬＥＤ２の初期電流値設定用の抵抗１４を直列に
接続し、さらにＬＥＤ２および陰電極３ｂに直列接続に
なるように配線する。これによりＬＥＤ２が発光し、周
囲環境温度が上昇するにつれて、サーミスタ１３の抵抗
値が小さくなり、ＬＥＤ２に流れる電流が増加すること
になる。ここで、ＬＥＤ２の使用温度範囲での光束変化
を補正しうる温度抵抗特性を有するサーミスタ１３を選
定することにより、図１１の実線ＢのようにＬＥＤ２の
光束の変化を安定化できる。
【００４４】また、サーミスタ１３の取りつけ位置を図
１１のようにＬＥＤ素子に近くすることにより、ＬＥＤ
素子の温度変化を精度よくサーミスタ１３の抵抗値変化
に反映することができる。さらに、ＬＥＤ２をサーミス
タ１３の近くに設置することにより、ＬＥＤ２の温度変
化を予測しやすくなる。これにより、サーミスタ１３や
抵抗１４の選定は、ＬＥＤ２の標準仕様に基づき、バラ
ツキが少なく手間なく行うことができる。
【００４５】また、図１２のように絶縁基板１の凹部内
にサーミスタ１３および抵抗１４を設置することによ
り、光源装置６表面に特別に設置場所を確保する必要性
がなく、照明器具など組み込む際にも取付性が向上す
る。また、サーミスタ１３と抵抗１４はそれ自身が発熱
するので、図１１のように放熱対策を施した陰電極３ｂ
側に近い側に設置すれば、それら自体の発熱が陰電極３
ｂを介して放熱されるため、絶縁基板１の凹部内の温度
上昇に与える影響を少なくすることができる。
【００４６】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【００４７】断面が凹形状の溝部を長手方向に形成し、
この溝部の断面幅が上部から下部に沿って狭くなる略直
方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の溝部の底面に長手方
向に設けられた複数の発光ダイオード素子と、絶縁基板
の溝部における前記発光ダイオード素子の両側に長手方
向に沿って連続して設けられた電極と、各発光ダイオー
ド素子を前記電極に並列接続するワイヤと、発光ダイオ
ード素子、電極、ワイヤを包み込みように溝部へ充填さ
れた透明または半透明の樹脂を備えたので、装置自身が
単体となり、従来例のように構成部品が分離せず、位置
決めを行うことや装置自身にその部品取付構造を設ける
ことの必要がないため、照明機器などに組み込む場合の
取り扱いが簡単になる。
【００４８】また、絶縁基板の溝部を覆うように絶縁基
板に設けられ、発光ダイオード側の面に蛍光材料を塗布
した透明または半透明樹脂カバーを備えたので、ＬＥＤ
発光波長と蛍光体の組み合わせで任意の可視光色や蛍光
感のある発光を実現できる。
【００４９】さらに、絶縁基板の溝部の表面に、発光ダ
イオード素子および電極に接しないように高反射率材料
層を設けたので、表面樹脂からの発光光束を高め、発光
効率を高めることができる。
【００５０】また、樹脂の発光側表面形状を略曲面状に
形成したので、レンズ効果、すなわち発光する光の指向
性を高めることができ、さらにその形状を砲弾状にする
ことにより狭範囲での線照明を実現することも可能であ
る。
【００５１】また、樹脂カバーの発光側表面形状を略曲
面状に形成したので、レンズ効果、すなわち発光する光
の指向性を高めることができ、さらにその形状を砲弾状
にすることにより狭範囲での線照明を実現することも可
能である。
【００５２】また、電極は陽電極と陰電極から成り、陰
電極の電極面積を樹脂の充填部分以外まで広げたので、
電極上の電流密度を低減し、さらに陰電極の電極面積に
うち樹脂の充填部分以外は空気に触れるため、放熱効果
を高めることが可能となる。
【００５３】また、陰電極における樹脂の充填部分以外
の電極表面を凹凸形状にしたので、放熱効果をさらに向
上させることができる。
【００５４】また、陰電極における樹脂の充填部分以外
の電極表面に絶縁層を設けたので、静電気などによる破
壊から保護することができる。
【００５５】また、発光ダイオード素子と陰電極の間に
温度センサを直列に接続したので、周囲の環境温度変化
に応じて抵抗が変化する温度センサの特性を用いて、発
光ダイオード素子近傍の温度状態に基づき発光ダイオー
ド素子の光束変化を補正し、安定化させることが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１を示す光源装置の断
面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１を示す光源装置の上
面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２を示す光源装置の断
面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３を示す光源装置の断
面図である。
【図５】 この発明の実施の形態４を示す光源装置の断
面図である。
【図６】 この発明の実施の形態５を示す光源装置の断
面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５を示す光源装置の陰
電極の他形状の断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態５を示す光源装置の陰
電極の他形状の断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態５を示す光源装置の陰
電極の他形状の断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態５を示す光源装置の
陰電極の他形状の断面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態６を示す光源装置の
上面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態６を示す光源装置の
部分断面図である。
【図１３】 この発明の実施の形態６を示す光源装置の
回路図である。
【図１４】 発光ダイオード素子における周囲温度と光
束の関係図である。
【図１５】 温度センサにおける周囲温度と抵抗値の関
係図である。
【図１６】 従来の光源装置の要部断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁基板、 ２ 発光ダイオード素子、 ２ａ ｐ
型半導体 、 ２ｂｎ型半導体、 ３ 電極、 ３ａ
陽電極、 ３ｂ 陰電極、 ４ ワイヤ、５ 樹脂、
６ 光源装置、 ８ 樹脂カバー、 ９ 蛍光塗料、
１０ 高反射率材料層、 １１ シンク材料、 １２
絶縁層、 １２ サーミスタ、 １３ 抵抗。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】断面が凹形状の溝部を長手方向に形成し、
    この溝部の断面幅が上部から下部に沿って狭くなる略直
    方体形状の絶縁基板と、 前記絶縁基板の溝部の底面に長手方向に設けられた複数
    の発光ダイオード素子と、 前記絶縁基板の溝部における前記発光ダイオード素子の
    両側に長手方向に沿って連続して設けられた電極と、 前記各発光ダイオード素子を前記電極に並列接続するワ
    イヤと、 前記発光ダイオード素子、前記電極、前記ワイヤを包み
    込みように溝部へ充填された透明または半透明の樹脂
    と、を備えたことを特徴とする光源装置。
  2. 【請求項２】断面が凹形状の溝部を長手方向に形成し、
    この溝部の断面幅が上部から下部に沿って狭くなる略直
    方体形状の絶縁基板と、 前記絶縁基板の溝部の底面に長手方向に設けられた複数
    の発光ダイオード素子と、 前記絶縁基板の溝部における発光ダイオード素子の両側
    に長手方向に沿って連続して設けられた電極と、 前記各発光ダイオード素子を前記電極に並列接続するワ
    イヤと、 前記絶縁基板の溝部を覆うように前記絶縁基板に設けら
    れ、前記発光ダイオード側の面に蛍光材料を塗布した透
    明または半透明の樹脂カバーと、を備えたことを特徴と
    する光源装置。
  3. 【請求項３】前記絶縁基板の溝部の表面に、前記発光ダ
    イオード素子および前記電極に接しないように高反射率
    材料層を設けたことを特徴とする請求項１または請求項
    ２記載の光源装置。
  4. 【請求項４】前記樹脂の発光側表面形状を略曲面状に形
    成したことを特徴とする請求項１記載の光源装置。
  5. 【請求項５】前記樹脂カバーの発光側表面形状を略曲面
    状に形成したことを特徴とする請求項２記載の光源装
    置。
  6. 【請求項６】前記電極は陽電極と陰電極から成り、陰電
    極の電極面積を前記樹脂の充填部分以外まで広げたこと
    を特徴とする請求項１または請求項４または請求項５記
    載の光源装置。
  7. 【請求項７】前記陰電極における前記樹脂の充填部分以
    外の電極表面を凹凸形状にしたことを特徴とする請求項
    ６記載の光源装置。
  8. 【請求項８】前記電極は陽電極と陰電極から成り、前記
    陰電極における前記樹脂の充填部分以外の電極表面に絶
    縁層を設けたことを特徴とする請求項６または請求項７
    記載の光源装置。
  9. 【請求項９】前記発光ダイオード素子と前記陰電極の間
    に温度センサを直列に接続したことを特徴とする請求項
    １、請求項２記載、請求項４または請求項５記載の光源
    装置。
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