JPS58222578A - 照明装置 - Google Patents
照明装置Info
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- JPS58222578A JPS58222578A JP57104863A JP10486382A JPS58222578A JP S58222578 A JPS58222578 A JP S58222578A JP 57104863 A JP57104863 A JP 57104863A JP 10486382 A JP10486382 A JP 10486382A JP S58222578 A JPS58222578 A JP S58222578A
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- light emitting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は画像読み取り装置等において原稿を読みとる
ときに用いられる照明装置に関ｒるものである。
ときに用いられる照明装置に関ｒるものである。
従来、ファクシミリ、複写機、オフィス・オートメーシ
ョン機器等において、原稿の読み取りを行なう画像読み
取り装置には一般的に螢光管が用いられている。この螢
光管は交流の周期的変化によるちらつきや１点滅時の局
部放電等ｌこよる陰極物質の損失（短寿命）、あるいは
螢光物質層の塗布むらによる照度の不均一など螢光管特
有の欠点がある。
ョン機器等において、原稿の読み取りを行なう画像読み
取り装置には一般的に螢光管が用いられている。この螢
光管は交流の周期的変化によるちらつきや１点滅時の局
部放電等ｌこよる陰極物質の損失（短寿命）、あるいは
螢光物質層の塗布むらによる照度の不均一など螢光管特
有の欠点がある。
近年、このような欠点を回避するために、照明装置の固
体化すなわち発光ダイオードアレイ等を用いることが提
案されている。
体化すなわち発光ダイオードアレイ等を用いることが提
案されている。
発光ダイオード（以後ＬＩＥｄ）と呼ぶ）は螢光管に比
べてちらつきがなく、長寿命で振動に強く、シかも得ら
れる光が単色光であるという特長を有する。
べてちらつきがなく、長寿命で振動に強く、シかも得ら
れる光が単色光であるという特長を有する。
そこで、従来この特長に着目し、エポキシ・レンズ・モ
ールドをほどこした複数個のＬＥＤを直線状に配列させ
た照明装置が考えられている。
ールドをほどこした複数個のＬＥＤを直線状に配列させ
た照明装置が考えられている。
しかし、 １，１！！ｌ）を画像読み取り装置の光源と
して用いる場合、原稿画像の黒もしくは赤（朱印）を読
み１０！る必要上、その波長が制限されるため１通常。
して用いる場合、原稿画像の黒もしくは赤（朱印）を読
み１０！る必要上、その波長が制限されるため１通常。
λ＝ｓｓｓ；もしくは５６５；ａの緑色ＬＦ３Ｄを用い
る。
る。
一般に可視域のＩ、ＥＤの発光効率は数チで、特に緑色
ＬＥＤにおいては発光効率が１チ以下であり、供給電力
の９９チが熱に変換される。このため、放熱機能を十分
に考慮しなければならない。
ＬＥＤにおいては発光効率が１チ以下であり、供給電力
の９９チが熱に変換される。このため、放熱機能を十分
に考慮しなければならない。
しかしながら、ここに用いるＬＥＤはエポキシ舎レンズ
によってモールドされているために放熱効果が著しく悪
くなり、ＬＥＤ自体が加熱して発光効率が低下し充分な
照度が得られないため実用化が困難であった。
によってモールドされているために放熱効果が著しく悪
くなり、ＬＥＤ自体が加熱して発光効率が低下し充分な
照度が得られないため実用化が困難であった。
この発明は上述の事情を考慮しでなされたもの、で１発
光ダイオードの放熱効果を良好にし発光効率を向上させ
充分な照度を安定して得ることができる照明装置を提供
しようとするものである。
光ダイオードの放熱効果を良好にし発光効率を向上させ
充分な照度を安定して得ることができる照明装置を提供
しようとするものである。
この発明は金属電極基体に直線状に溝を形成し。
この溝の底部に複数個の発光ダイオードチップを直線状
ζこ配役し、シリンドリカル・レンダにより発光ダイオ
ードチップからの光を集束させて原高画像を照射するも
のである。
ζこ配役し、シリンドリカル・レンダにより発光ダイオ
ードチップからの光を集束させて原高画像を照射するも
のである。
金属電極基体を介して効率よく放熱させて発光ダイオー
ドの発光効率全良好にすることができる。
ドの発光効率全良好にすることができる。
〔発明の実）准１列〕
以下１図面を参照してこの発明の一実施例を脱膜を用い
て矩彩状に形成した金Ｍ ｉｉＥ 甑書体である。
て矩彩状に形成した金Ｍ ｉｉＥ 甑書体である。
この金属に、ｆｆ１体１の長手方向に図示のように逆台
形状の溝２が直線状に形成される。この溝２の両側には
反射面となる傾斜部２ａ、２ｂを備えている。
形状の溝２が直線状に形成される。この溝２の両側には
反射面となる傾斜部２ａ、２ｂを備えている。
次に、／４２の底部２ｃに複数個の発光ダイオードチッ
プ３をマウント等の手段を用いて固着させるとともに、
それぞれの発光ダイオードチップ３を金属４極基体１（
こ電気的に接続する。このとき。
プ３をマウント等の手段を用いて固着させるとともに、
それぞれの発光ダイオードチップ３を金属４極基体１（
こ電気的に接続する。このとき。
Ａ４原矯巾約２２０ ｒｘｓ長の線光源を得るためには
。
。
緑色（λ＝５６５＋ａ）の発光ダイオードチップ３を一
方、溝２に沿って金属電極基体１の平坦部１ａに絶縁層
例えば約５Ｑ、ｇｍ厚の有機フィルム４を介して櫛歯状
の配線成極５．抵抗６および接続端子ツブ３と同数の櫛
歯５ａを有し、各櫛歯５ａの先端に抵抗６を介在させて
接続端子７を配線しである。この接続端子７と発光ダイ
オードチップ３との間をワイヤ拳ボンディングにより結
線する。これにより１発光ダイオードチップ３と抵抗を
＠３図１こ示すように並列に接続することができる。そ
して、発光ダイオードチップ３の上方に発光グイ接着等
の手段を用いて一体に形成する。
方、溝２に沿って金属電極基体１の平坦部１ａに絶縁層
例えば約５Ｑ、ｇｍ厚の有機フィルム４を介して櫛歯状
の配線成極５．抵抗６および接続端子ツブ３と同数の櫛
歯５ａを有し、各櫛歯５ａの先端に抵抗６を介在させて
接続端子７を配線しである。この接続端子７と発光ダイ
オードチップ３との間をワイヤ拳ボンディングにより結
線する。これにより１発光ダイオードチップ３と抵抗を
＠３図１こ示すように並列に接続することができる。そ
して、発光ダイオードチップ３の上方に発光グイ接着等
の手段を用いて一体に形成する。
次にこの実施例の作用を説明する。いま、金属電極基体
１と配線電極５間に所定の鑞流を流すと。
１と配線電極５間に所定の鑞流を流すと。
発光ダイオードは供給電力の約１１が光に変換され、９
９％が熱Ｉこ変換される。このとき１発光ダイオードチ
ップ３のａＩＭから発した光は反射面１ａ。
９％が熱Ｉこ変換される。このとき１発光ダイオードチ
ップ３のａＩＭから発した光は反射面１ａ。
ｌｂｌこより溝２の開口部に集められ、上面から発する
光とともにシリンドリカル・レンズ８を介して原稿画像
上に線状光として照射される。一方。
光とともにシリンドリカル・レンズ８を介して原稿画像
上に線状光として照射される。一方。
発光ダイオードチップ３から発した熱は金属１極基体１
を伝わって大気中に放熱される。
を伝わって大気中に放熱される。
したがって１発光ダイオードチップ３を金属電極基体１
１こ直接接続することｌこより、金属電極基体１を放熱
器として用いることができるため１発光ダイオードチッ
プ３の異状加熱を防止することができる。これにより１
発光ダイオードチップ３の動作を安定させることができ
１発光効率を従来の発光ダイオードアレイ照明ｉｆに比
べて著しく向上させることができるとともに、長時間動
作による持続性劣化を小さく抑え安定な光源を供給する
ことができる。
１こ直接接続することｌこより、金属電極基体１を放熱
器として用いることができるため１発光ダイオードチッ
プ３の異状加熱を防止することができる。これにより１
発光ダイオードチップ３の動作を安定させることができ
１発光効率を従来の発光ダイオードアレイ照明ｉｆに比
べて著しく向上させることができるとともに、長時間動
作による持続性劣化を小さく抑え安定な光源を供給する
ことができる。
また、光源として発光ダイオードチップ３用いることに
より、螢光管に比べＣちらつきがなく。
より、螢光管に比べＣちらつきがなく。
長寿命でかつ撮動に強いという特長を有する。
さらに、金属１極基体１に溝２を設けることにより、こ
の溝２をガイドとして利用することができるため、複数
個の発光ダイオードチップ３を容易に配設することがで
きる。また、この溝７に反１２ ’ 射面Ｊ ａ Ｊｂを形成することにより１発光ダイオー
め、原稿面照度を従来の発光ダイオードアレイ照明装置
に比べて著しく向上させることができる。
の溝２をガイドとして利用することができるため、複数
個の発光ダイオードチップ３を容易に配設することがで
きる。また、この溝７に反１２ ’ 射面Ｊ ａ Ｊｂを形成することにより１発光ダイオー
め、原稿面照度を従来の発光ダイオードアレイ照明装置
に比べて著しく向上させることができる。
参考までに１発光ダイオードチップ３の表面上原稿面間
の距離１４趨、原稿面上での集光幅０．２ｖ１みして１
発光ダイオードチップ３に定格電流を流し紙面への入射
角度６０°で原稿面照度を測定したところ約４５００ル
クスが得られた。これと比較するため金属電極基体１に
代えてセラミック基体を用いたものを作成して、同様の
条件で入射角度６００で原稿面照度を測定したところ約
２６００ルクスであり、この発明によるものの場合に、
照度は約２倍に向上されでいることを知ることができた
。−次に第４図は上記実施例の溝をＵ字形状の溝１１を
こ形成し、彎曲部１１ａ、ｌｌｂを放物面として反射面
に形成したものである。他の構造は第１図と同一構造を
なしているため、ここでは対応する部分１こ同−付量を
記して説明を省略した。
の距離１４趨、原稿面上での集光幅０．２ｖ１みして１
発光ダイオードチップ３に定格電流を流し紙面への入射
角度６０°で原稿面照度を測定したところ約４５００ル
クスが得られた。これと比較するため金属電極基体１に
代えてセラミック基体を用いたものを作成して、同様の
条件で入射角度６００で原稿面照度を測定したところ約
２６００ルクスであり、この発明によるものの場合に、
照度は約２倍に向上されでいることを知ることができた
。−次に第４図は上記実施例の溝をＵ字形状の溝１１を
こ形成し、彎曲部１１ａ、ｌｌｂを放物面として反射面
に形成したものである。他の構造は第１図と同一構造を
なしているため、ここでは対応する部分１こ同−付量を
記して説明を省略した。
したがって、このような構造により上述と同様の効果を
挙げることができる。
挙げることができる。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、′線上を変更しない範囲において種々変形して実施す
ることができる。
、′線上を変更しない範囲において種々変形して実施す
ることができる。
この発明は発光ダイオードチップを塔載した複数個の金
属電極基体を直線状に配設し、シリンドリカル・レンズ
により一体に形成し長尺化を計ることができる。また、
溝の形状は逆台形 Ｕ字形のみならＶ、形状、大きさは
設計により任岨に変形することができる。
属電極基体を直線状に配設し、シリンドリカル・レンズ
により一体に形成し長尺化を計ることができる。また、
溝の形状は逆台形 Ｕ字形のみならＶ、形状、大きさは
設計により任岨に変形することができる。
また、絶縁層として有機フィルムのみならず、無機フィ
ルムまたは無機絶縁体からなる別基板を用いることもで
きる。
ルムまたは無機絶縁体からなる別基板を用いることもで
きる。
ざらζこ、金属電極体の放熱効果を向上させるために、
フィン等の放熱構造体を一体に設けることもできる。
フィン等の放熱構造体を一体に設けることもできる。
第１図はこの発明の一実施例の一分を切欠いて示す斜悦
図、第２図は同実施例の縦断面図、第３図は同実施例の
回路構成図、第４図はこの発明の他の実施列を示す縦断
面図である。 ｌ・・・金属電極基体 １ａ・・・モ坦部２・−・溝
２ａ、２ｂ・・・傾斜部２Ｃ・・・底部
３・・・発光ダイオードチップ４・・・有機フ
ィルム ５・・・配線電極５ａ・・・櫛歯
６・・・抵抗７・・・接続端子 ８・・・シリンドリカル−レンズ 出願人 東京芝浦電気株式会社 代理人 弁理士小宮幸−（ほか 第１図 第２ｖ！Ｊ １３３図 第４図 ３８Ｃ
図、第２図は同実施例の縦断面図、第３図は同実施例の
回路構成図、第４図はこの発明の他の実施列を示す縦断
面図である。 ｌ・・・金属電極基体 １ａ・・・モ坦部２・−・溝
２ａ、２ｂ・・・傾斜部２Ｃ・・・底部
３・・・発光ダイオードチップ４・・・有機フ
ィルム ５・・・配線電極５ａ・・・櫛歯
６・・・抵抗７・・・接続端子 ８・・・シリンドリカル−レンズ 出願人 東京芝浦電気株式会社 代理人 弁理士小宮幸−（ほか 第１図 第２ｖ！Ｊ １３３図 第４図 ３８Ｃ
Claims (5)
- （１）金属製１を極基体と、この電極基体に直線状に形
成された溝吉、この溝の底部に直線状に配設されるとと
もに前記、を極基体に直接接続される複数１固の発光ダ
イオードチップと、これらの発光ダイオードチップにそ
れぞれ対応させて前記（甑基体に絶縁層を介して設けら
れた配線電極と、前記発光ダイオードチップの上方に設
けられ発光ダイオードチップからの光を集束させるシリ
ンドリカル・レンズとを具備したことを特徴とする照明
装置。 - （２）電極基体に直線状に形成された溝は発光ダイオー
ドチップよりの光をシリンドリカル・レンズの方向に集
束させる形状を備えていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の照明装置。 - （３） 金属製電極基体は直線状に複数個配設されシ
リンドリカル・レンズにより一体化されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項のいずれか
に記載の照明装置。 - （４）金属製電極基体は放熱効果を増強させるフィン等
の放熱構造体を一体に設けていることを特徴とする特許
請求の範囲第１１頁ないし第３項のいずれかに記載の照
明装置。 - （５）金属製電極基体は押し出し成形加工により形成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１頃ないし第４
１Ａのいずれかに記載の照明装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104863A JPS58222578A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104863A JPS58222578A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 照明装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222578A true JPS58222578A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14392079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57104863A Pending JPS58222578A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 照明装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222578A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0202335A1 (en) * | 1984-11-15 | 1986-11-26 | Japan Traffic Management Technology Association | Signal light unit having heat dissipating function |
| US5187377A (en) * | 1988-07-15 | 1993-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | LED array for emitting light of multiple wavelengths |
| US5418384A (en) * | 1992-03-11 | 1995-05-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-source device including a linear array of LEDs |
| WO2001057937A1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Concentrically leaded power semiconductor device package |
| US6429464B1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-08-06 | Para Light Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
| EP1380057A1 (en) * | 2001-02-22 | 2004-01-14 | Weldon Technologies, Inc. | High power led |
| EP1523041A1 (en) * | 2004-12-08 | 2005-04-13 | Jeffrey Chen | Light emitting diode assembly having high-performance heat dissipation means |
| US6995405B2 (en) * | 2001-04-23 | 2006-02-07 | Plasma Ireland Limited | Illuminator |
| KR100910959B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2009-08-05 | 교토덴키키 가부시키가이샤 | 조명 장치 |
| US8049244B2 (en) * | 2008-09-25 | 2011-11-01 | Lextar Electronics Corp. | Package substrate and light emitting device using the same |
| CN109716517A (zh) * | 2016-09-23 | 2019-05-03 | 深圳市客为天生态照明有限公司 | 一种类太阳光谱led灯珠结构 |
-
1982
- 1982-06-18 JP JP57104863A patent/JPS58222578A/ja active Pending
Cited By (13)
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| CN109716517A (zh) * | 2016-09-23 | 2019-05-03 | 深圳市客为天生态照明有限公司 | 一种类太阳光谱led灯珠结构 |
| EP3518297A4 (en) * | 2016-09-23 | 2020-06-10 | Shenzhen Keweitian Eco-Lighting Co., Ltd. | LED LAMP BEAD STRUCTURE HAVING A QUASI-SOLAR SPECTRUM |
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