JP2000183406A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

Info

Publication number
JP2000183406A
JP2000183406A JP35614598A JP35614598A JP2000183406A JP 2000183406 A JP2000183406 A JP 2000183406A JP 35614598 A JP35614598 A JP 35614598A JP 35614598 A JP35614598 A JP 35614598A JP 2000183406 A JP2000183406 A JP 2000183406A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
light emitting
mold
heat
heat radiating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP35614598A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3743186B2 (ja
Inventor
Taku Sumitomo
卓 住友
Eiji Shiohama
英二 塩浜
Masaru Sugimoto
勝 杉本
Hideyoshi Kimura
秀吉 木村
Shinji Hitsuma
晋二 日妻
Teintein Cho
ティンティン 張
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP35614598A priority Critical patent/JP3743186B2/ja
Publication of JP2000183406A publication Critical patent/JP2000183406A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3743186B2 publication Critical patent/JP3743186B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップの発熱によって生じるモールド部の黄
変による光出力の低下を防止し、寿命特性を改善した高
輝度の発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 チップ5を覆う透明樹脂のモールド部1
の側面に、2枚の放熱板7の一端部がそれぞれ埋入され
る。放熱板7によりモールド部1の温度上昇が抑制され
るから、高輝度化のために通電電流を大きくしてチップ
5の発熱量が増加してもモールド部の黄変を抑制するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、発光ダイオードは、順方向に電
流を流すとチップの発光部(pn接合部の近傍)から光
を放射し、この電流を増加させると光出力が増加する。
ただし、順方向の電流を増加させても光出力が際限なく
増加するわけではなく、光出力はある電流値で最大にな
り、それ以上電流を増加させても以後は光出力が減少す
る。また、一般に市販されている発光ダイオードの定格
最大電流は、光出力を最大とする電流値よりも小さく設
定されており、発光ダイオードの光出力に関する性能を
十分に引き出しているとは言えない。
【0003】定格最大電流が光出力を最大とする電流値
よりも小さく設定されているのは、定格最大電流が発光
部の温度によって制限されるからである。すなわち、順
方向電流が増加するにつれて発光部の温度が上昇するか
ら、仮に、定格最大電流以上の順方向電流を流し続けた
とすると、発光部の温度が上昇して発光部が急速に劣化
し、結果的に寿命特性、特に光束寿命特性が十分に満足
されなくなる。そこで、発光ダイオードのメーカーは、
光出力よりも寿命特性を優先させ、発光部が所定温度以
下に保たれるように定格最大電流を定めているのであ
る。
【0004】逆に言うと、発光部の温度を十分に低減さ
せることができれば、定格最大電流を大きくすることが
できるので、寿命特性を維持しながらも光出力がより大
きい高輝度の発光ダイオードが得られる。
【0005】そこで、例えば実開平2−52465号公
報に記載されているように放熱部を設けた発光ダイオー
ドが提案されている。上記公報に記載された発光ダイオ
ードは、図14に示すように、発光部を形成するチップ
5が透明樹脂のモールド部1で覆われ、モールド部1の
内部でリード端子2,3の一端部がチップ5に電気的に
接続されるとともに、リード端子2,3の他端部がモー
ルド部1の外部に引き出されている。さらに、各リード
端子2,3においてモールド部1の外部に露出している
部位には、それぞれリード端子2,3の一部の幅を他の
部位よりも広幅に形成することにより表面積を大きくし
た放熱部2a,3aが形成されている。
【0006】このような放熱部2a,3aを設けること
によって、チップ5から発生しリード端子2,3に伝達
される熱は放熱部2a,3aを通して放熱されるから、
チップ5の温度上昇が抑制されることになり、定格最大
電流を引き上げることが可能になる。その結果、寿命特
性を維持しつつ光出力を大きくすることが可能になると
考えられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図14
に示す構成の発光ダイオードであっても、光出力を最大
にするような順方向電流を流したときの寿命特性は十分
ではない。これは、発光部から発生する熱によりモール
ド部1は経時的に黄変し、モールド部1の透過率が減少
して光出力が低下することに起因している。また、モー
ルド部1の黄変部分は通電時間の経過とともに広がりか
つ濃くなるから、通電時間が長くなれば光出力は一層低
下することになる。
【0008】ここで、図14に示す構成の発光ダイオー
ドでは、リード端子3にチップ5が取り付けられ、かつ
チップ5とリード端子2とが金ワイヤ6を介して接続さ
れている。金ワイヤ6はチップ5から放射される光を妨
げないように断面積の小さいものが用いられているか
ら、チップ5で発生した熱はリード端子2には伝達され
にくいが、リード端子3にはチップ5が取り付けられて
いるからチップ5で発生した熱が伝達されやすく、モー
ルド部1のうちリード端子3の近傍部位では他の部位よ
りも黄変しやすくなる。
【0009】本発明は、上記事由に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、チップの発熱によって生じるモー
ルド部の黄変による光出力の低下を防止し、寿命特性を
改善した高輝度の発光ダイオードを提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、発光
部を形成するチップと、チップを覆う透明樹脂のモール
ド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接
続され他端部がモールド部の外部に露出するリード端子
と、一端部がモールド部の中に埋入され他端部がモール
ド部の外部に引き出された複数枚の放熱板とを備えるも
のである。この構成によれば、モールド部の熱を複数枚
の放熱板を通してモールド部の外部に放熱するので、モ
ールド部の温度上昇を抑制してモールド部の黄変による
光出力の低下を防止することができ、結果的に通電電流
を増加させて従来構成よりも高輝度で点灯させることが
可能になる。
【0011】請求項2の発明は、発光部を形成するチッ
プと、チップを覆う透明樹脂のモールド部と、モールド
部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモ
ールド部の外部に露出する複数のリード端子と、一端部
がモールド部の内部で各リード端子にそれぞれ一体に結
合され他端部がモールド部の外部に引き出された複数枚
の放熱板とを備えるものである。この構成によれば、リ
ード端子に一体に結合された放熱板を備え、各放熱板の
一端部がモールド部の内部に位置し他端部がモールド部
の外部に引き出されていることによって、モールド部の
熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部に放熱す
ることができるので、モールド部の温度上昇を抑制して
モールド部の黄変による光出力の低下を防止することが
でき、寿命特性を改善することができる。しかも、チッ
プで生じた熱はリード端子を通して放熱板に伝達される
から、チップの温度上昇をさらに低減することができ、
寿命特性を維持しながらもチップへの通電電流を大きく
して光出力の一層の高出力化が可能になる。
【0012】請求項3の発明は、請求項2の発明におい
て、上記放熱板の一部を覆う絶縁材料よりなる絶縁膜を
設けたものである。この構成では、請求項2の発明と同
様の作用を奏するとともに、他の電子部品を近接して配
置しても絶縁膜によって放熱板との絶縁を保ちやすく、
他の電子部品と誤って接触することによる電気事故の発
生を防止することができる。
【0013】請求項4の発明は、発光部を形成するチッ
プと、チップを覆う透明樹脂のモールド部と、モールド
部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモ
ールド部の外部に露出するリード端子と、一端部がモー
ルド部の内部に埋入され他端部がモールド部の外周に沿
う形状に形成された放熱板とを備えるものである。この
構成によれば、放熱板がモールド部の外周に沿う形状に
形成されているので、放熱板の放熱性能をほとんど損な
わずに放熱板を含む全体の占有スペースが比較的小さく
なり、他の電子部品を近接して配置する際に他の電子部
品との間隔を小さくすることが可能になる。
【0014】請求項5の発明は、発光部を形成するチッ
プと、チップを覆う合成樹脂のモールド部と、モールド
部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモ
ールド部の外部に引き出された複数枚の放熱板とを備
え、一つのチップに電気的に接続された2枚の放熱板の
うちの一方には雄連結部が形成され他方には雄連結部に
嵌合可能な雌連結部が形成されているものである。この
構成によれば、モールド部の熱を複数枚の放熱板を通し
てモールド部の外部に放熱するので、モールド部の温度
上昇を抑制してモールド部の黄変による光出力の低下を
防止し寿命特性を改善することができる。しかも、チッ
プで生じた熱は放熱板に伝達されるから、チップの温度
上昇をより低減することができ、寿命特性を維持しなが
らもチップへの通電電流を大きくして光出力を高出力化
することが可能になる。加えて、放熱板には互いに嵌合
可能となる雄連結部と雌連結部とがそれぞれ形成されて
いるので、複数個の発光ダイオードの雄連結部と雌連結
部とを互いに嵌合させることによって、複数個の発光ダ
イオードを機械的に結合すると同時に電気的に接続する
ことが可能になり、複数個の発光ダイオードをアレイ状
に接続するのが容易になる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
【0016】(実施形態1)本実施形態の発光ダイオー
ドは、図1に示すように、透明樹脂を砲弾形に成形した
モールド部1に2枚の放熱板7の一端部を埋入したもの
である。モールド部1は発光部を形成する半導体のチッ
プ5を覆っており、チップ5はアルミニウムのような導
電性の高い材料により形成したリード端子2,3に電気
的に接続される。リード端子2,3はリードフレームに
より形成される。
【0017】チップ5は、半導体のpn接合により電気
エネルギーを光エネルギーに変換する素子であって、図
1(b)における下面側がn形半導体、上面側がp形半
導体になっている。図示する構成ではp形半導体側から
光出力を取り出すから図1(b)の上方を前方とする。
このチップ5の下面はリード端子3の前端部に取り付け
られたミラー4に対してダイボンドによって接合され、
チップ5の上面には金ワイヤ6がワイヤボンディングに
より接続され、この金ワイヤ6を介してチップ5とリー
ド端子2とが電気的に接続される。金ワイヤ6はチップ
5から放射される光を妨げないように断面積の小さいも
のが用いられる。
【0018】ミラー4はチップ5の側面および後面から
放射された光を前方に反射する機能を有し、チップ5か
ら前方に放射された光およびミラー4により前方に反射
された光は、半球状に形成されレンズとして機能するモ
ールド部1の前端部を通してモールド部1から前方に放
射される。モールド部1は、ミラー4、金ワイヤ6、リ
ード端子2,3の一部とともに、チップ5を覆ってお
り、チップ5が大気中の水分などと反応することによる
特性の劣化が防止されている。各リード端子2,3の後
端部はそれぞれモールド部1の後面から外部に突出す
る。
【0019】ところで、上述したように、モールド部1
の後部両側面には短冊状に形成された放熱板7の長手方
向の一端部が埋入され、放熱板7の長手方向の他端部は
モールド部1から外部に突出している。また、放熱板7
の幅方向は前後方向にほぼ一致する。しかして、チップ
5への通電による発熱に伴ってモールド部1が加熱され
るが、上述のように放熱板7の一端部がモールド部1に
埋入されていることによって、モールド部1の熱は両放
熱板7を通して放熱されることになる。その結果、放熱
板7を設けていない場合に比較してモールド部1の温度
を引き下げることができ、モールド部1の黄変を抑制す
ることができる。すなわち、モールド部1の黄変による
光出力の低下が防止され長寿命になる。また、モールド
部1の黄変が抑制されるから、放熱板7を設けていない
場合と同程度の寿命とするのであれば、チップ5への通
電電流を大きくして発光輝度を高めることができる。
【0020】(実施形態2)本実施形態は、図2のよう
に、実施形態1と同様の発光ダイオードにおいて、各放
熱板9,10(実施形態1の放熱板7に相当する)のう
ちモールド部1に埋入されている部位を各リード端子
2,3とそれぞれ一体化したものである。
【0021】本実施形態の構成では、両放熱板9,10
がそれぞれリード端子2,3と連続一体に結合されてい
るから、放熱板9,10はモールド部1の熱を放熱する
だけではなく、リード端子2,3から直接伝導した熱も
効率よく放熱することができる。つまり、チップ5から
ミラー4や金ワイヤ6を通してリード端子2,3に伝導
した熱が効率よく放熱されることになり、チップ5の温
度上昇を抑制することができる。その結果、モールド部
1の黄変が抑制されるだけではなく、チップ5の温度上
昇による劣化も抑制され、実施形態1に比較して一層の
長寿命化や高輝度化が可能になる。ここに、本実施形態
の放熱板9,10はリード端子2,3と連続一体である
から、リードフレームを用いてリード端子2,3を作製
する際に放熱板9,10も同時に作製することができ、
しかもモールド部1に埋入する際にリード端子2,3と
放熱板9,10とを一部品として扱うことが可能になっ
て製造が容易になる。
【0022】ところで、本実施形態の構成では、各放熱
板9,10がそれぞれリード端子2,3と一体であるか
ら、放熱板9,10はリード端子2,3に電気的に接続
されていることになる。すなわち、チップ5への通電時
には放熱板9,10には電圧が印加されるから、複数個
の発光ダイオードを近接して配列すると、隣接する発光
ダイオードの放熱板9,10が互いに接触し短絡などの
電気事故が発生する可能性がある。
【0023】そこで、隣接する発光ダイオードの放熱板
9,10同士の電気的接触を防止する必要があるときに
は、図3のように、放熱板9,10におけるモールド部
1からの露出部位のうち、放熱板9,10の厚み方向の
一面と長手方向の一端部とを絶縁膜11,12で覆えば
よい。絶縁膜11,12はモールド部1の成形時に同時
に形成すればよく、この場合は絶縁膜11,12はモー
ルド部1に連続し、かつ透明樹脂により形成される。な
お、両放熱板9,10を厚み方向の一面側から見たとき
に、一方の絶縁膜11が放熱板9の背面側を覆うとすれ
ば、他方の絶縁膜12は放熱板10の前面側を覆うよう
に絶縁膜11,12を設けている。このような関係とす
れば、隣接する発光ダイオードの放熱板9,10間に絶
縁膜11,12を介在させることができ、放熱板9,1
0間の電気的接触を防止することができるとともに、放
熱板9,10の片面が開放されていることにより放熱性
も確保される。
【0024】また、放熱板9,10を絶縁する際には、
図4のように、放熱板9,10の全周を覆う形で絶縁膜
13,14を設けてもよい。ただし、放熱板9,10の
放熱性を確保するために、絶縁膜13,14には放熱板
9,10の一部を露出させるように多数の通気孔13
a,14aを形成しておく。この構成によっても、放熱
板9,10の絶縁性と放熱性とを確保することが可能で
ある。
【0025】(実施形態3)本実施形態は、図5に示す
ように、放熱板15,16(実施形態2における放熱板
9,10に相当する)においてモールド部1から露出す
る部位をモールド部1の外周に沿うように曲成したもの
である。ここに、各放熱板15,16は実施形態2と同
様にそれぞれリード端子2,3と連続一体に結合されて
いる。また、各放熱板15,16は、互いに接触するこ
とがないように、モールド部1の周方向の長さがモール
ド部1の外周長の半分以下に設定されている。
【0026】本実施形態の構成では、モールド部1から
の放熱板15,16の突出寸法が実施形態2に比較して
小さくなるから、放熱板15,16の占有スペースを小
さくすることができ、複数個の発光ダイオードを並設す
る場合に実施形態2の構成よりも実装密度を高めること
ができる。
【0027】また、放熱板15,16によりモールド部
1を囲んでいるから、放熱板15,16が配置されてい
る部位ではモールド部1から光出力を取り出すことがで
きない。そこで、図5(b)に示すように、両放熱板1
5,16をチップ5よりも後方に位置させることによっ
て、放熱板15,16による配光特性の変化を防止して
いる。
【0028】本実施形態においても実施形態2と同様に
放熱板15,16がリード端子2,3と電気的に接続さ
れているから、複数個の発光ダイオードを隣接して配置
するときには互いに短絡することがないように絶縁する
必要がある。そこで、図6に示すように、モールド部1
の外周面における放熱板15,16の前後両側(図6の
上下両側)にそれぞれ鍔状のスペーサ17を突設するの
が望ましい。スペーサ17はモールド部1と連続一体に
形成される。この構成によれば、隣接する発光ダイオー
ドのスペーサ17同士が当接することによって、放熱板
15,16同士は互いに接触することがなく、放熱板1
5,16間の絶縁性が確保される。
【0029】(実施形態4)以上説明した各実施形態で
はモールド部1が砲弾形である発光ダイオードを示した
が、本実施形態では図7のようにモールド部が直方体状
である例を示す。本実施形態におけるモールド部は、非
透光性の合成樹脂よりなるパッケージ19と、パッケー
ジ19の前面中央部に埋め込まれた透明樹脂よりなる窓
部18とを備える。本実施形態ではチップ5(図2参
照)は窓部18に覆われる。
【0030】実施形態2と同様に、本実施形態では放熱
板22,23がチップ5に電気的に接続されているが、
放熱板22,23がリード端子として兼用されており、
モールド部からは放熱板22,23とは別のリード端子
は突設されていない。この構成でも実施形態2とほぼ同
様の放熱性能を得ることが可能である。
【0031】ところで、本実施形態における各放熱板2
2,23は窓部18の表面に平行な断面がL字状であっ
て、窓部18の表面の中心を通り窓部18の表面に直交
する対称軸の回りに2回回転対称となるように配置され
ている。すなわち、図7のパッケージ19の右側面にお
ける放熱板22はパッケージ19の奥側から突出して手
前側に延設され、パッケージ19の左側面における放熱
板23はパッケージ19の手前側から突出して奥側に延
設されている。各放熱板22,23においてパッケージ
19の側面と対向する部位は、パッケージ19の側面と
の距離が放熱板22,23の厚み寸法にほぼ一致する。
したがって、両放熱板22,23は互いに嵌合可能な雄
連結部と雌連結部とを形成していることになる。ここ
に、本実施形態における発光ダイオードを複数個並設
し、隣接する発光ダイオードの放熱板22,23同士を
嵌合させると、パッケージ19の周面のうち放熱板2
2,23を設けていない面同士がほぼ同一平面上に並ぶ
ように放熱板22,23の寸法が設定されている。
【0032】上述の発光ダイオードは、プリント基板に
おいて回路パターンが形成されている面に半田を用いて
表面実装される。また、複数個の発光ダイオードをアレ
イ状に配列する際には、放熱板22,23を互いに嵌合
させた状態で、プリント基板に表面実装すればよい。こ
のとき、隣接する各一対の発光ダイオードは放熱板2
2,23同士が嵌合することにより機械的に結合され位
置決めが容易になる。また、発光ダイオード同士が電気
的に接続されているから、電気的接続状態の信頼性の向
上につながる。しかも、隣接する各一対の発光ダイオー
ドの放熱板22,23が互いに嵌合することによって、
両発光ダイオード間の距離が比較的小さくなり、面積当
たりの実装密度を高めることができる。
【0033】たとえば、プリント基板に表面実装される
発光ダイオードとしては、図8に示すように、パッケー
ジ19の両側部にリード端子20,21を備えるものが
あるが、アレイ状に配列しようとすれば、個々の発光ダ
イオードをプリント基板に対して位置決めする必要にな
り、実装作業が本実施形態の構成に比較すると面倒であ
る。また、隣接する各一対の発光ダイオードはリード端
子20,21の突出寸法の合計分だけ離れることにな
り、本実施形態の構成に比較すると面積当たりの実装密
度が低くなる。すなわち、アレイ状に配列する際には本
実施形態の構成のほうが、実装作業および実装密度の点
で優れている。
【0034】放熱板の形状としては、図7に示したもの
のほか、図9のように、雄結合部となる一方の放熱板2
4をパッケージ19の側面中央付近から突設して窓部1
8の表面に平行な断面がT字状となるように形成し、雌
結合部となる他方の放熱板25をパッケージ19の側面
両端部から突設して放熱板24と嵌合可能となる形状に
形成することもできる。ここに、各放熱板24,25と
発光ダイオードの極性とを対応付けておけば、発光ダイ
オード同士は必ず直列接続されることになり、接続時に
おける極性の誤りが防止される。
【0035】また、図10に示すように、一方の放熱板
26の先端部をパッケージ19の後方に折曲し、他方の
放熱板27の先端部をパッケージ19の前方に折曲して
もよい。
【0036】あるいはまた、図11に示すように、放熱
板28,29の一部をパッケージ19において嵌合に寄
与しない面に延長した形とすれば、放熱板28,29の
表面積が図7に示した構成よりも大きくなり、放熱性能
が一層高くなる。
【0037】(実施形態5)本実施形態は、モールド部
に複数個のチップを収納し、各チップごとに一対の放熱
板を設けた例を示す。たとえば、図12のように実施形
態4と同様の直方体状のパッケージ19を用いると、パ
ッケージ19の側面は4面になるから各側面に放熱板を
1枚ずつ設けるとすれば、4枚の放熱板を設けることが
できる。そこで、パッケージ19の各側面にそれぞれ放
熱板22a,23a,22b,23bを突設し、2個の
チップ5a,5bをパッケージ19に収納してある。ま
た、パッケージ19の側面のうち互いに離れた側面に設
けた各一対の放熱板22a,23a,22b,23bが
それぞれ各チップ5a,5bに対応する。各放熱板22
a,23a,22b,23bは窓部18の表面に平行な
断面がL字状であり、窓部18の中心を通る対称軸の回
りで4回回転対称となるように配置されている。実施形
態4と同様に、各放熱板22a,23a,22b,23
bは互いに嵌合可能になっている。
【0038】また、図13に示すように、六角柱状のパ
ッケージ19を用いると、パッケージ19に6側面が形
成できるから、各側面にそれぞれ放熱板22a,23
a,22b,23b,22c,23cを設けると、6枚
の放熱板22a,23a,22b,23b,22c,2
3cを設けることが可能であり、1つのパッケージ19
に3個のチップ5a,5b,5cを設けることができ
る。放熱板22a,23a,22b,23b,22c,
23cは窓部18の中心を通る対称軸の回りで6回回転
対称となるように配置され、各放熱板22a,23a,
22b,23b,22c,23cは互いに嵌合可能にな
っている。この構成では、たとえば発光色の異なる3色
のチップ5a,5b,5cを用いると、可変色の発光ダ
イオードを実現できる。
【0039】本実施形態の構成を採用すれば、1つのパ
ッケージ19に複数個のチップを設けるとともに、各チ
ップごとに別系統として発光させることが可能になり、
複数系統の発光制御が可能になる。なお、本実施形態に
おいても放熱板を図9や図10に示す形状に形成しても
よい。
【0040】
【発明の効果】請求項1の発明は、発光部を形成するチ
ップと、チップを覆う透明樹脂のモールド部と、モール
ド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部が
モールド部の外部に露出するリード端子と、一端部がモ
ールド部の中に埋入され他端部がモールド部の外部に引
き出された複数枚の放熱板とを備えるものであり、モー
ルド部の熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部
に放熱するので、モールド部の温度上昇を抑制してモー
ルド部の黄変による光出力の低下を防止することがで
き、結果的に通電電流を増加させて従来構成よりも高輝
度で点灯させることが可能になるという効果がある。
【0041】請求項2の発明は、発光部を形成するチッ
プと、チップを覆う透明樹脂のモールド部と、モールド
部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモ
ールド部の外部に露出する複数のリード端子と、一端部
がモールド部の内部で各リード端子にそれぞれ一体に結
合され他端部がモールド部の外部に引き出された複数枚
の放熱板とを備えるものであり、リード端子に一体に結
合された放熱板を備え、各放熱板の一端部がモールド部
の内部に位置し他端部がモールド部の外部に引き出され
ていることによって、モールド部の熱を複数枚の放熱板
を通してモールド部の外部に放熱することができるの
で、モールド部の温度上昇を抑制してモールド部の黄変
による光出力の低下を防止することができ、寿命特性を
改善することができるという効果がある。しかも、チッ
プで生じた熱はリード端子を通して放熱板に伝達される
から、チップの温度上昇をさらに低減することができ、
寿命特性を維持しながらもチップへの通電電流を大きく
して光出力の一層の高出力化が可能になるという効果が
ある。
【0042】請求項3の発明は、請求項2の発明におい
て、放熱板の一部を覆う絶縁材料よりなる絶縁膜を設け
たものであり、請求項2の発明と同様の効果を奏すると
ともに、他の電子部品を近接して配置しても絶縁膜によ
って放熱板との絶縁を保ちやすく、他の電子部品と誤っ
て接触することによる電気事故の発生を防止することが
できるという効果がある。
【0043】請求項4の発明は、発光部を形成するチッ
プと、チップを覆う透明樹脂のモールド部と、モールド
部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモ
ールド部の外部に露出するリード端子と、一端部がモー
ルド部の内部に埋入され他端部がモールド部の外周に沿
う形状に形成された放熱板とを備えるものであり、放熱
板がモールド部の外周に沿う形状に形成されているの
で、放熱板の放熱性能をほとんど損なわずに放熱板を含
む全体の占有スペースが比較的小さくなり、他の電子部
品を近接して配置する際に他の電子部品との間隔を小さ
くすることが可能になるという効果がある。
【0044】請求項5の発明は、発光部を形成するチッ
プと、チップを覆う合成樹脂のモールド部と、モールド
部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモ
ールド部の外部に引き出された複数枚の放熱板とを備
え、一つのチップに電気的に接続された2枚の放熱板の
うちの一方には雄連結部が形成され他方には雄連結部に
嵌合可能な雌連結部が形成されているものであり、モー
ルド部の熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部
に放熱するので、モールド部の温度上昇を抑制してモー
ルド部の黄変による光出力の低下を防止し寿命特性を改
善することができるという効果がある。しかも、チップ
で生じた熱は放熱板に伝達されるから、チップの温度上
昇をより低減することができ、寿命特性を維持しながら
もチップへの通電電流を大きくして光出力を高出力化す
ることが可能になるという効果がある。さらに、放熱板
には互いに嵌合可能となる雄連結部と雌連結部とがそれ
ぞれ形成されているので、複数個の発光ダイオードの雄
連結部と雌連結部とを互いに嵌合させることによって、
複数個の発光ダイオードを機械的に結合すると同時に電
気的に接続することが可能になり、複数個の発光ダイオ
ードをアレイ状に接続するのが容易になるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1を示し、(a)は斜視図、
(b)は断面図である。
【図2】本発明の実施形態2を示す断面図である。
【図3】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図4】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図5】本発明の実施形態3を示し、(a)は斜視図、
(b)は断面図である。
【図6】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図7】本発明の実施形態4を示す斜視図である。
【図8】同上の比較例を示す斜視図である。
【図9】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図10】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図11】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図12】本発明の実施形態5を示し、(a)は斜視
図、(b)は内部配線図である。
【図13】同上の他の構成例を示し、(a)は斜視図、
(b)は内部配線図である。
【図14】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 モールド部 2,3 リード端子 5 チップ 5a,5b,5c チップ 7 放熱板 9,10 放熱板 11,12 絶縁膜 13,14 絶縁膜 15,16 放熱板 18 窓部 19 パッケージ 22,23 放熱板 22a,22b,22c 放熱板 23a,23b,23c 放熱板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 勝 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 木村 秀吉 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 日妻 晋二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 張 ティンティン 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Fターム(参考) 4M109 AA01 BA01 CA21 DA07 DB02 EA02 EC06 EC07 EC11 EC15 FA04 GA01 GA05 5F041 AA33 AA44 CA02 DA07 DA12 DA18 DA35 DA36 DA43 DA92 DB01 DB03

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光部を形成するチップと、チップを覆
    う透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部が
    チップに電気的に接続され他端部がモールド部の外部に
    露出するリード端子と、一端部がモールド部の中に埋入
    され他端部がモールド部の外部に引き出された複数枚の
    放熱板とを備えて成ることを特徴とする発光ダイオー
    ド。
  2. 【請求項2】 発光部を形成するチップと、チップを覆
    う透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部が
    チップに電気的に接続され他端部がモールド部の外部に
    露出する複数のリード端子と、一端部がモールド部の内
    部で各リード端子にそれぞれ一体に結合され他端部がモ
    ールド部の外部に引き出された複数枚の放熱板とを備え
    て成ることを特徴とする発光ダイオード。
  3. 【請求項3】 上記放熱板の一部を覆う絶縁材料よりな
    る絶縁膜を設けたことを特徴とする請求項2記載の発光
    ダイオード。
  4. 【請求項4】 発光部を形成するチップと、チップを覆
    う透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部が
    チップに電気的に接続され他端部がモールド部の外部に
    露出するリード端子と、一端部がモールド部の内部に埋
    入され他端部がモールド部の外周に沿う形状に形成され
    た放熱板とを備えることを特徴とする発光ダイオード。
  5. 【請求項5】 発光部を形成するチップと、チップを覆
    う合成樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部が
    チップに電気的に接続され他端部がモールド部の外部に
    引き出された複数枚の放熱板とを備え、一つのチップに
    電気的に接続された2枚の放熱板のうちの一方には雄連
    結部が形成され他方には雄連結部に嵌合可能な雌連結部
    が形成されて成ることを特徴とする発光ダイオード。
JP35614598A 1998-12-15 1998-12-15 発光ダイオード Expired - Fee Related JP3743186B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35614598A JP3743186B2 (ja) 1998-12-15 1998-12-15 発光ダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35614598A JP3743186B2 (ja) 1998-12-15 1998-12-15 発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000183406A true JP2000183406A (ja) 2000-06-30
JP3743186B2 JP3743186B2 (ja) 2006-02-08

Family

ID=18447567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35614598A Expired - Fee Related JP3743186B2 (ja) 1998-12-15 1998-12-15 発光ダイオード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3743186B2 (ja)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184911A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Nippon Inter Electronics Corp 樹脂封止型電子部品
JP2006253528A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Opto Device Kenkyusho:Kk 反射型発光ダイオードユニットおよび発光ダイオード
JP2006269785A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子及び発光装置
KR100679272B1 (ko) 2005-06-30 2007-02-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
WO2007126074A1 (ja) * 2006-04-28 2007-11-08 Shimane Prefectural Government 半導体発光モジュール、装置、およびその製造方法
JP2007311786A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光素子パッケージ及び発光素子パッケージアレイ
US20080237625A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode lamp with low thermal resistance
US7705365B2 (en) 2006-01-24 2010-04-27 Denso Corporation Lighting device and light emitting module for the same
JP2010537437A (ja) * 2007-08-30 2010-12-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Ledケーシング
JP2010538451A (ja) * 2007-08-28 2010-12-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
JP2011082420A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US7952262B2 (en) * 2006-09-30 2011-05-31 Ruud Lighting, Inc. Modular LED unit incorporating interconnected heat sinks configured to mount and hold adjacent LED modules
JP2011146715A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ及びこれを備えたライトユニット
JP2011146611A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Stanley Electric Co Ltd 発光素子パッケージ、及びこれを用いた線状発光装置、面状発光装置
US20110254045A1 (en) * 2003-05-28 2011-10-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
JP2011238928A (ja) * 2010-05-07 2011-11-24 Samsung Led Co Ltd チップ・パッケージ用リードフレーム、チップ・パッケージ、パッケージ・モジュール及びパッケージ・モジュールを採用した照明装置
KR101142940B1 (ko) 2005-06-22 2012-05-10 서울반도체 주식회사 방열핀이 형성된 발광소자
JP2012190917A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US8425071B2 (en) 2006-09-30 2013-04-23 Cree, Inc. LED lighting fixture
KR101258230B1 (ko) * 2005-10-04 2013-04-25 서울반도체 주식회사 방열핀과 이를 이용한 발광소자
US9028087B2 (en) 2006-09-30 2015-05-12 Cree, Inc. LED light fixture
US9243794B2 (en) 2006-09-30 2016-01-26 Cree, Inc. LED light fixture with fluid flow to and from the heat sink
WO2016018071A1 (ko) * 2014-07-30 2016-02-04 엘지이노텍주식회사 광원 모듈
US9541246B2 (en) 2006-09-30 2017-01-10 Cree, Inc. Aerodynamic LED light fixture
EP3136458A1 (en) * 2015-08-27 2017-03-01 Mentor Technologies Co., Ltd. Heat dissipating frame structure and fabricating method thereof
JP2018207063A (ja) * 2017-06-09 2018-12-27 ローム株式会社 光学装置

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184911A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Nippon Inter Electronics Corp 樹脂封止型電子部品
US8823036B2 (en) * 2003-05-28 2014-09-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
US20110254045A1 (en) * 2003-05-28 2011-10-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
DE112004000864B4 (de) * 2003-05-28 2014-12-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Licht abstrahlende Dioden - Baugruppe und Licht abstrahlendes Diodensystem mit mindestens zwei Wärmesenken
JP2006253528A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Opto Device Kenkyusho:Kk 反射型発光ダイオードユニットおよび発光ダイオード
JP4542453B2 (ja) * 2005-03-24 2010-09-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2006269785A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子及び発光装置
KR101142940B1 (ko) 2005-06-22 2012-05-10 서울반도체 주식회사 방열핀이 형성된 발광소자
KR100679272B1 (ko) 2005-06-30 2007-02-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
KR101258230B1 (ko) * 2005-10-04 2013-04-25 서울반도체 주식회사 방열핀과 이를 이용한 발광소자
US7705365B2 (en) 2006-01-24 2010-04-27 Denso Corporation Lighting device and light emitting module for the same
WO2007126074A1 (ja) * 2006-04-28 2007-11-08 Shimane Prefectural Government 半導体発光モジュール、装置、およびその製造方法
JP2007311786A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光素子パッケージ及び発光素子パッケージアレイ
US9534775B2 (en) 2006-09-30 2017-01-03 Cree, Inc. LED light fixture
US9039223B2 (en) 2006-09-30 2015-05-26 Cree, Inc. LED lighting fixture
US9028087B2 (en) 2006-09-30 2015-05-12 Cree, Inc. LED light fixture
US7952262B2 (en) * 2006-09-30 2011-05-31 Ruud Lighting, Inc. Modular LED unit incorporating interconnected heat sinks configured to mount and hold adjacent LED modules
US9541246B2 (en) 2006-09-30 2017-01-10 Cree, Inc. Aerodynamic LED light fixture
US9261270B2 (en) 2006-09-30 2016-02-16 Cree, Inc. LED lighting fixture
US9243794B2 (en) 2006-09-30 2016-01-26 Cree, Inc. LED light fixture with fluid flow to and from the heat sink
US8425071B2 (en) 2006-09-30 2013-04-23 Cree, Inc. LED lighting fixture
US8278677B2 (en) * 2007-03-30 2012-10-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode lamp with low thermal resistance
JP2008258620A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Seoul Semiconductor Co Ltd 低い熱抵抗を有する発光ダイオードランプ
JP2011216919A (ja) * 2007-03-30 2011-10-27 Seoul Semiconductor Co Ltd 低い熱抵抗を有する発光ダイオードランプ
US20080237625A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode lamp with low thermal resistance
JP2010538451A (ja) * 2007-08-28 2010-12-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
US8759846B2 (en) 2007-08-28 2014-06-24 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US8487323B2 (en) 2007-08-30 2013-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED housing system
JP2010537437A (ja) * 2007-08-30 2010-12-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Ledケーシング
JP2011082420A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2011146715A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ及びこれを備えたライトユニット
JP2011146611A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Stanley Electric Co Ltd 発光素子パッケージ、及びこれを用いた線状発光装置、面状発光装置
TWI596727B (zh) * 2010-05-07 2017-08-21 三星電子股份有限公司 用於晶片封裝件之引線架、晶片封裝件、封裝模組,及包括晶片封裝模組之照明設備
JP2011238928A (ja) * 2010-05-07 2011-11-24 Samsung Led Co Ltd チップ・パッケージ用リードフレーム、チップ・パッケージ、パッケージ・モジュール及びパッケージ・モジュールを採用した照明装置
JP2012190917A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
CN106575690A (zh) * 2014-07-30 2017-04-19 Lg 伊诺特有限公司 光源模块
WO2016018071A1 (ko) * 2014-07-30 2016-02-04 엘지이노텍주식회사 광원 모듈
US9899582B2 (en) 2014-07-30 2018-02-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light source module
EP3136458A1 (en) * 2015-08-27 2017-03-01 Mentor Technologies Co., Ltd. Heat dissipating frame structure and fabricating method thereof
JP2017045986A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 ▲みん▼辰科技有限公司 放熱フレーム構造及びそれの製造方法
CN106486591A (zh) * 2015-08-27 2017-03-08 洺辰科技有限公司 散热支架结构及其制造方法
US10690333B2 (en) 2015-08-27 2020-06-23 Mentor Technologies Co., Ltd. Heat dissipating frame structure and fabricating method thereof
JP2018207063A (ja) * 2017-06-09 2018-12-27 ローム株式会社 光学装置
JP7004397B2 (ja) 2017-06-09 2022-01-21 ローム株式会社 光学装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3743186B2 (ja) 2006-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3743186B2 (ja) 発光ダイオード
JP5101578B2 (ja) 発光ダイオード照明装置
JP3965929B2 (ja) Led照明装置
JP4360858B2 (ja) 表面実装型led及びそれを用いた発光装置
KR101713059B1 (ko) 발광소자 조명 장치
US8690392B2 (en) Light source unit and lighting system
US8558272B2 (en) Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
US20090141508A1 (en) Lamp with heat conducting structure and lamp cover thereof
US20060001361A1 (en) Light-emitting diode
JP5029822B2 (ja) 光源および照明装置
US7703949B2 (en) LED illuminating device with LED chip
JP6052573B2 (ja) 光半導体光源及び車両用照明装置
JP4337310B2 (ja) Led点灯装置
JP2003100110A (ja) 照明装置および電球形ledランプ
JP2015220034A (ja) Ledモジュール及びこれを備えた車両用灯具
KR101940987B1 (ko) 히트싱크가 적용된 led 조명장치용 인쇄회로기판
JP6085459B2 (ja) 照明装置
KR100646638B1 (ko) 발광 다이오드 조명장치 및 제조방법
JP3088472U (ja) 発光ダイオード
JP2001044517A (ja) 発光装置
JP6098457B2 (ja) 点灯装置及び点灯装置を備えた灯具
KR102148846B1 (ko) 인쇄회로기판 조립체 및 이를 포함하는 발광장치
JP2009021383A (ja) 電子部品
JP2009252767A (ja) 発光装置
JP2023044765A (ja) 車両用照明装置、および車両用灯具

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041102

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050412

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050712

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050912

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051025

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051107

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081125

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091125

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091125

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101125

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees