JP2002184911A - 樹脂封止型電子部品 - Google Patents
樹脂封止型電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】放熱効果を高めて熱抵抗特性を改善すること。
【解決手段】樹脂封止型電子部品１における樹脂モール
ド部２内の半導体チップ載置部３の端部及び第２リード
７の端部に半導体チップ５の高さ方向に立ち上がる板状
の放熱部８，９を形成し、これらの放熱部８，９でも放
熱作用を果たさせる。
ド部２内の半導体チップ載置部３の端部及び第２リード
７の端部に半導体チップ５の高さ方向に立ち上がる板状
の放熱部８，９を形成し、これらの放熱部８，９でも放
熱作用を果たさせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱抵抗特性を改善
した表面実装用の樹脂封止型電子部品に関するものであ
る。
した表面実装用の樹脂封止型電子部品に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の表面実装用電子部品の高密度実装
化は益々盛んとなり、結果として同じ定格の電子部品で
あれば、より小型化したいという市場のニーズがある。
このことは完成した装置の単位体積あたりのより大きな
発熱を必然的に伴うことになり、究極的には小型化の上
に更なる熱抵抗特性の改善が求められることになる。
化は益々盛んとなり、結果として同じ定格の電子部品で
あれば、より小型化したいという市場のニーズがある。
このことは完成した装置の単位体積あたりのより大きな
発熱を必然的に伴うことになり、究極的には小型化の上
に更なる熱抵抗特性の改善が求められることになる。
【０００３】限られた寸法の電子部品の樹脂パッケージ
の中に、如何にしてより良い熱抵抗特性を実現し、しか
も他の条件、すなわち、組立工程の良好な作業性、樹脂
パッケージ内部の局所的熱分布のばらつきの是正、ある
いは製品コスト低減等の要求を満たして設計し、製品を
完成させるかが問われている。しかしながら、従来技術
によれば、半導体チップの載置領域、ワイヤボンディン
グ法の採用、両電極間隔（絶縁距離）、沿面距離、耐信
頼性強度等を考慮しなければならないため、現実的な設
計は、図２に示したように樹脂封止型電子部品１の樹脂
モールド部２の寸法を長さ（Ｌ）×幅（Ｗ）×高さ
（Ｈ）ｍｍで示せば、２．６×１．６×１．１（ｍｍ）
程度とせざるを得なかった。なお、図２は樹脂モールド
部２の中央部から縦方向に半切した断面図である。
の中に、如何にしてより良い熱抵抗特性を実現し、しか
も他の条件、すなわち、組立工程の良好な作業性、樹脂
パッケージ内部の局所的熱分布のばらつきの是正、ある
いは製品コスト低減等の要求を満たして設計し、製品を
完成させるかが問われている。しかしながら、従来技術
によれば、半導体チップの載置領域、ワイヤボンディン
グ法の採用、両電極間隔（絶縁距離）、沿面距離、耐信
頼性強度等を考慮しなければならないため、現実的な設
計は、図２に示したように樹脂封止型電子部品１の樹脂
モールド部２の寸法を長さ（Ｌ）×幅（Ｗ）×高さ
（Ｈ）ｍｍで示せば、２．６×１．６×１．１（ｍｍ）
程度とせざるを得なかった。なお、図２は樹脂モールド
部２の中央部から縦方向に半切した断面図である。
【０００４】また、この樹脂封止型電子部品１は、半導
体チップが載置・固着される半導体チップ載置部３と、
該半導体チップ載置部３から延在する第１リード４と、
該半導体チップ載置部３に対向して設けられ、かつ、該
半導体チップ載置部３に載置・固着された半導体チップ
５の表面電極（図示せず）と内部リード６を介して接続
された第２リード７とを有し、前記第１リード４及び第
２リード７のそれぞれの端部４ａ，７ａが外部に露出す
るように樹脂モールド部２により封止された構造を備え
ている。なお、上記半導体チップ載置部３、第１リード
４及び第２リード７は一般に一枚の銅製リードフレーム
より切断・形成される。
体チップが載置・固着される半導体チップ載置部３と、
該半導体チップ載置部３から延在する第１リード４と、
該半導体チップ載置部３に対向して設けられ、かつ、該
半導体チップ載置部３に載置・固着された半導体チップ
５の表面電極（図示せず）と内部リード６を介して接続
された第２リード７とを有し、前記第１リード４及び第
２リード７のそれぞれの端部４ａ，７ａが外部に露出す
るように樹脂モールド部２により封止された構造を備え
ている。なお、上記半導体チップ載置部３、第１リード
４及び第２リード７は一般に一枚の銅製リードフレーム
より切断・形成される。
【０００５】上記の構造を備えた樹脂封止型電子部品１
について、熱応力シミュレーション手法を用いて検討し
た結果を示す。なお、上記のシミュレーション手法と
は、対称となる物体を有限個の小領域に分割し、個々の
領域について、対称となる物理量（熱、流量、温度等）
に関する熱伝導微分方程式を適用し、離散化処理後、連
立方程式に変換し、各要素多次元ストリックとして記述
したものをコンピュータによる繰り返し収束計算して解
を求める手法である。
について、熱応力シミュレーション手法を用いて検討し
た結果を示す。なお、上記のシミュレーション手法と
は、対称となる物体を有限個の小領域に分割し、個々の
領域について、対称となる物理量（熱、流量、温度等）
に関する熱伝導微分方程式を適用し、離散化処理後、連
立方程式に変換し、各要素多次元ストリックとして記述
したものをコンピュータによる繰り返し収束計算して解
を求める手法である。
【０００６】具体的には、上記構造を有する樹脂封止型
電子部品１に１Ｗ（１Ａ×１Ｖ）/チップの電力を連続
的に与えた場合、各部の温度が何度に上昇するかを求め
るものであり、いわゆる定常状態における熱分布シミュ
レーションである。因みに本計算での分割要素数は、約
２，４００個となっている。
電子部品１に１Ｗ（１Ａ×１Ｖ）/チップの電力を連続
的に与えた場合、各部の温度が何度に上昇するかを求め
るものであり、いわゆる定常状態における熱分布シミュ
レーションである。因みに本計算での分割要素数は、約
２，４００個となっている。
【０００７】上記従来技術による熱分布シミュレーショ
ンの結果から、上記電力印加の下では半導体チップ５の
最大温度（Ｔｍａｘ）が、Ｔｍａｘ≒７５℃となること
が分かった。又、この結果に基づき、その熱抵抗値（Ｒ
ｔｈ）を求めると、ジャンクションーリード間の熱抵抗
（ＲｔｈＪＬ）は、ＲｔｈＪＬ≒５０℃/Ｗとなった。
ところで、本発明者等の目標とするところは、Ｔｍａｘ
≒７０℃、ＲｔｈＪＬ≒４５℃/Ｗであり、上記従来の
構造では到底上記目標値を達成することができない。
ンの結果から、上記電力印加の下では半導体チップ５の
最大温度（Ｔｍａｘ）が、Ｔｍａｘ≒７５℃となること
が分かった。又、この結果に基づき、その熱抵抗値（Ｒ
ｔｈ）を求めると、ジャンクションーリード間の熱抵抗
（ＲｔｈＪＬ）は、ＲｔｈＪＬ≒５０℃/Ｗとなった。
ところで、本発明者等の目標とするところは、Ｔｍａｘ
≒７０℃、ＲｔｈＪＬ≒４５℃/Ｗであり、上記従来の
構造では到底上記目標値を達成することができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記熱分布シミュレー
ションの結果、概略次のようなことが分かった。（１）
同一物質（封止用樹脂）内では、略直線的な温度上昇、
下降を示す。又、熱伝導係数が小さい物質ほど、その直
線の傾きが大きくなる。（２）半導体チップ５が搭載さ
れる側の第１リード４の方が、内部リード６が接続され
る第２リード７に比べ、温度が約１０℃程高い。（３）
従来では内部リード６として、アルミニウム（Ａｌ）ワ
イヤ又は金（Ａｕ）ワイヤを使用しており、このワイヤ
は例えば５０μｍ□と線径が細いため、周囲の封止用樹
脂（エポキシ樹脂）と殆ど温度差を持たず、放熱体とし
ての作用が期待できない。以上（１）〜（３）の結果か
らＴｍａｘ≒７０℃、ＲｔｈＪＬ≒４５℃/Ｗの目標値
を達成するには、樹脂モールド部２内の構造を改善して
さらに熱抵抗特性を良好にする必要があるという解決す
べき課題があった。
ションの結果、概略次のようなことが分かった。（１）
同一物質（封止用樹脂）内では、略直線的な温度上昇、
下降を示す。又、熱伝導係数が小さい物質ほど、その直
線の傾きが大きくなる。（２）半導体チップ５が搭載さ
れる側の第１リード４の方が、内部リード６が接続され
る第２リード７に比べ、温度が約１０℃程高い。（３）
従来では内部リード６として、アルミニウム（Ａｌ）ワ
イヤ又は金（Ａｕ）ワイヤを使用しており、このワイヤ
は例えば５０μｍ□と線径が細いため、周囲の封止用樹
脂（エポキシ樹脂）と殆ど温度差を持たず、放熱体とし
ての作用が期待できない。以上（１）〜（３）の結果か
らＴｍａｘ≒７０℃、ＲｔｈＪＬ≒４５℃/Ｗの目標値
を達成するには、樹脂モールド部２内の構造を改善して
さらに熱抵抗特性を良好にする必要があるという解決す
べき課題があった。
【０００９】
【発明の目的】本発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、小型ではあるが比較的大きな電力
を扱う表面実装用の樹脂封止型電子部品において、熱抵
抗特性を著しく改善した内部構造を有する樹脂封止型電
子部品を提供することを目的とするものである。
めになされたもので、小型ではあるが比較的大きな電力
を扱う表面実装用の樹脂封止型電子部品において、熱抵
抗特性を著しく改善した内部構造を有する樹脂封止型電
子部品を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型電子
部品は、半導体チップが載置・固着される半導体チップ
載置部と、該半導体チップ載置部から延在する第１リー
ドと、該半導体チップ載置部に対向して設けられ、か
つ、該半導体チップ載置部に載置・固着された半導体チ
ップの表面電極と内部リードを介して接続された第２リ
ードと、前記第１リード及び第２リードの端部が外部に
露出するように封止された樹脂モールド部とを有する樹
脂封止型電子部品において、前記樹脂モールド部内の前
記半導体チップ載置部の端部及び第２リードの端部に半
導体チップの高さ方向に立ち上がる板状の放熱部を形成
したことを特徴とする。
部品は、半導体チップが載置・固着される半導体チップ
載置部と、該半導体チップ載置部から延在する第１リー
ドと、該半導体チップ載置部に対向して設けられ、か
つ、該半導体チップ載置部に載置・固着された半導体チ
ップの表面電極と内部リードを介して接続された第２リ
ードと、前記第１リード及び第２リードの端部が外部に
露出するように封止された樹脂モールド部とを有する樹
脂封止型電子部品において、前記樹脂モールド部内の前
記半導体チップ載置部の端部及び第２リードの端部に半
導体チップの高さ方向に立ち上がる板状の放熱部を形成
したことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の樹脂封止型電子部品は、半導体チップ
載置部の端部及び第２リードの端部に放熱部を形成した
ので、特に従来では第２リードが殆ど放熱に寄与してい
なかったが、上記放熱部により放熱作用を果たすことが
できる。また、半導体チップ載置部の端部に放熱部を設
けることにより電子部品内の温度分布が改善された結
果、信頼性上の不都合な局所応力等の発生を招くことが
回避される。
載置部の端部及び第２リードの端部に放熱部を形成した
ので、特に従来では第２リードが殆ど放熱に寄与してい
なかったが、上記放熱部により放熱作用を果たすことが
できる。また、半導体チップ載置部の端部に放熱部を設
けることにより電子部品内の温度分布が改善された結
果、信頼性上の不都合な局所応力等の発生を招くことが
回避される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を、
図を参照して説明する。図１は樹脂モールド部の中央部
から縦方向に半切した図２と同様の断面図である。な
お、従来構造を示す図２と同一部分には同一符号が付し
てある。本発明では例えばエポキシ樹脂製の樹脂モール
ド部２内の半導体チップ載置部３の端部及び第２リード
の端部に半導体チップ５の高さ方向に立ち上がる板状の
放熱部８，９を形成したことを特徴とするものである。
また、内部リード６の一方の接続箇所は、半導体チップ
５の表面電極（図示せず）上であり、他方の接続箇所
は、上記放熱部９の上面としてある。
図を参照して説明する。図１は樹脂モールド部の中央部
から縦方向に半切した図２と同様の断面図である。な
お、従来構造を示す図２と同一部分には同一符号が付し
てある。本発明では例えばエポキシ樹脂製の樹脂モール
ド部２内の半導体チップ載置部３の端部及び第２リード
の端部に半導体チップ５の高さ方向に立ち上がる板状の
放熱部８，９を形成したことを特徴とするものである。
また、内部リード６の一方の接続箇所は、半導体チップ
５の表面電極（図示せず）上であり、他方の接続箇所
は、上記放熱部９の上面としてある。
【００１３】次に、上記放熱部８，９の具体的寸法例を
示せば以下の通りである。すなわち、放熱部８，９の寸
法を板厚（ｔ）×奥行き（ｗ）×高さ（ｈ）ｍｍで示す
と、０．１１（ｔ）×１．１（ｗ）×０．７２（ｈ）ｍ
ｍである。また、放熱部８，９の間隔は０．２３ｍｍで
あり、かつ、該放熱部８，９の高さ（ｈ）は、半導体チ
ップ５の表面の高さと略等しくしてある。
示せば以下の通りである。すなわち、放熱部８，９の寸
法を板厚（ｔ）×奥行き（ｗ）×高さ（ｈ）ｍｍで示す
と、０．１１（ｔ）×１．１（ｗ）×０．７２（ｈ）ｍ
ｍである。また、放熱部８，９の間隔は０．２３ｍｍで
あり、かつ、該放熱部８，９の高さ（ｈ）は、半導体チ
ップ５の表面の高さと略等しくしてある。
【００１４】次に、図３に上記本発明構造と従来構造に
おける温度分布の比較図を示す。なお、図において、横
軸は樹脂モールド部２の左端からの距離Ｘ（ｍｍ）を示
し、縦軸は温度Ｙ（℃）を示す。また、ｑ０〜ｑ７は本
発明構造における温度計測点、ｐ０〜ｐ４は従来構造に
おける温度計測点を示す。以下に、上記温度分布の比較
図に基づき、従来構造と本発明構造における温度分布の
相違を説明する。
おける温度分布の比較図を示す。なお、図において、横
軸は樹脂モールド部２の左端からの距離Ｘ（ｍｍ）を示
し、縦軸は温度Ｙ（℃）を示す。また、ｑ０〜ｑ７は本
発明構造における温度計測点、ｐ０〜ｐ４は従来構造に
おける温度計測点を示す。以下に、上記温度分布の比較
図に基づき、従来構造と本発明構造における温度分布の
相違を説明する。
【００１５】（１）従来構造 銅製の第１リード４と第２リード７とが、半導体チッ
プ載置部３と同一面にしかないため、樹脂モールド部２
の左端（ｐ０点）から半導体チップ５の左端（ｐ１点）
まで、温度が徐々に上昇し、さらに、熱伝導率が若干大
きいため、傾斜は小さくなるが、半導体チップ５内でも
該半導体チップ５の右端（ｐ２点）に向かって温度は上
昇し続ける。しかしながら、第１リード４の冷却点（ｐ
０点）から最も離れており、放熱効果が最も悪く、か
つ、発熱源である半導体チップ５の表面の右端（ｐ２
点）に達すると、温度は最大値（本条件ではＴｍａｘ≒
７５℃）を示した後、下降を開始する。 当該温度は、Ｔｍａｘ（ｐ２点）から樹脂モールド部
２中を一気に下降するが、アルミワイヤ等からなる内部
リード６の熱伝導が充分でないため、第２リード７の冷
却点の影響が及び始めるｐ３点を経た後、熱伝導が良く
なり、下降傾斜の比較的小さい第２リード７上方の樹脂
モールド部７中をｐ３点からｐ４点へと進行する。 ここで、特に注意すべきことは、内部リード６の放熱
効果が期待できず、該内部リード６が介在しているにも
拘らず、温度曲線が屈曲点のない直線となっていること
である。
プ載置部３と同一面にしかないため、樹脂モールド部２
の左端（ｐ０点）から半導体チップ５の左端（ｐ１点）
まで、温度が徐々に上昇し、さらに、熱伝導率が若干大
きいため、傾斜は小さくなるが、半導体チップ５内でも
該半導体チップ５の右端（ｐ２点）に向かって温度は上
昇し続ける。しかしながら、第１リード４の冷却点（ｐ
０点）から最も離れており、放熱効果が最も悪く、か
つ、発熱源である半導体チップ５の表面の右端（ｐ２
点）に達すると、温度は最大値（本条件ではＴｍａｘ≒
７５℃）を示した後、下降を開始する。 当該温度は、Ｔｍａｘ（ｐ２点）から樹脂モールド部
２中を一気に下降するが、アルミワイヤ等からなる内部
リード６の熱伝導が充分でないため、第２リード７の冷
却点の影響が及び始めるｐ３点を経た後、熱伝導が良く
なり、下降傾斜の比較的小さい第２リード７上方の樹脂
モールド部７中をｐ３点からｐ４点へと進行する。 ここで、特に注意すべきことは、内部リード６の放熱
効果が期待できず、該内部リード６が介在しているにも
拘らず、温度曲線が屈曲点のない直線となっていること
である。
【００１６】（２）本発明構造 本発明においても温度計測点を共通にするｑ０点→ｑ
１点→ｑ２点までの温度上昇傾向は従来構造と同じであ
る。しかしながら、第１リード４と連続する半導体チッ
プ載置部３の右端部で放熱部８が立ち上がっているため
に、Ｔｍａｘの値が（本条件ではＴｍａｘ≒７０℃）従
来と比較して約５℃小さい。 その後、ｑ２点→ｑ３点は樹脂モールド部２中の温度
降下を、ｑ３点→ｑ４点は放熱部８内部での温度降下
を、さらにｑ４点→ｑ５点にかけては再び樹脂モールド
２中での温度降下を経た後、ｑ５点→ｑ６点にかけて放
熱部９自体の温度がかなり冷却されているため、一気に
その内部を下降し、最後にｑ６点→ｑ７点にかけて、放
熱部９の上方の樹脂モールド部２中を下降する。しかし
ながら、第２リード７全体に亘って、Ｔ≒３５℃に冷却
されているために、本来は小さな熱伝導係数の故、急降
下を示す筈の樹脂モールド部２中においても温度曲線は
かなり緩やかとなっている。 ここで、本発明構造で特に注意すべきことは、放熱部
８，９における放熱効果が絶大であるために、ｑ２点〜
ｑ５点にかけての屈曲点が明らかに存在していることで
あり、また、Ｔｍａｘ自体が下がり、かつ、特に３次元
熱分布図として示さなかったが、高温領域が第２リード
７の方向に向かって広く分布していることである。
１点→ｑ２点までの温度上昇傾向は従来構造と同じであ
る。しかしながら、第１リード４と連続する半導体チッ
プ載置部３の右端部で放熱部８が立ち上がっているため
に、Ｔｍａｘの値が（本条件ではＴｍａｘ≒７０℃）従
来と比較して約５℃小さい。 その後、ｑ２点→ｑ３点は樹脂モールド部２中の温度
降下を、ｑ３点→ｑ４点は放熱部８内部での温度降下
を、さらにｑ４点→ｑ５点にかけては再び樹脂モールド
２中での温度降下を経た後、ｑ５点→ｑ６点にかけて放
熱部９自体の温度がかなり冷却されているため、一気に
その内部を下降し、最後にｑ６点→ｑ７点にかけて、放
熱部９の上方の樹脂モールド部２中を下降する。しかし
ながら、第２リード７全体に亘って、Ｔ≒３５℃に冷却
されているために、本来は小さな熱伝導係数の故、急降
下を示す筈の樹脂モールド部２中においても温度曲線は
かなり緩やかとなっている。 ここで、本発明構造で特に注意すべきことは、放熱部
８，９における放熱効果が絶大であるために、ｑ２点〜
ｑ５点にかけての屈曲点が明らかに存在していることで
あり、また、Ｔｍａｘ自体が下がり、かつ、特に３次元
熱分布図として示さなかったが、高温領域が第２リード
７の方向に向かって広く分布していることである。
【００１７】なお、上記の実施例では、放熱部８，９が
共に形成された例について説明したが、いずれか一方の
みに形成されている場合でも、熱抵抗特性の改善の程度
は若干劣るものの本発明の効果は期待できる。
共に形成された例について説明したが、いずれか一方の
みに形成されている場合でも、熱抵抗特性の改善の程度
は若干劣るものの本発明の効果は期待できる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、樹脂モー
ルド部内の半導体チップ載置部の端部及び第２リードの
端部に半導体チップ５高さ方向に立ち上がる板状の放熱
部を形成したので、該放熱部により効率良く放熱効果を
果たすことができ、熱抵抗特性を著しく改善することが
できる。また、電子部品内の温度分布、特に半導体チッ
プの右端部分の温度分布が改善される結果、局所的応力
等の発生を招来させることがなく信頼性が向上するなど
の優れた効果がある。
ルド部内の半導体チップ載置部の端部及び第２リードの
端部に半導体チップ５高さ方向に立ち上がる板状の放熱
部を形成したので、該放熱部により効率良く放熱効果を
果たすことができ、熱抵抗特性を著しく改善することが
できる。また、電子部品内の温度分布、特に半導体チッ
プの右端部分の温度分布が改善される結果、局所的応力
等の発生を招来させることがなく信頼性が向上するなど
の優れた効果がある。
【図１】本発明の樹脂封止型電子部品の半切断面図であ
る。
る。
【図２】従来の樹脂封止型電子部品の半切断面図であ
る。
る。
【図３】本発明構造と従来構造との温度分布の比較図で
ある。
ある。
１ 樹脂封止型電子部品 ２ 樹脂モールド部 ３ 半導体チップ載置部 ４ 第１リード ４ａ 端部 ５ 半導体チップ ６ 内部リード ７ 第２リード ７ａ 端部 ８ 放熱部 ９ 放熱部
Claims (4)
- 【請求項１】半導体チップが載置・固着される半導体チ
ップ載置部と、該半導体チップ載置部から延在する第１
リードと、該半導体チップ載置部に対向して設けられ、
かつ、該半導体チップ載置部に載置・固着された半導体
チップの表面電極と内部リードを介して接続された第２
リードと、前記第１リード及び第２リードの端部が外部
に露出するように封止された樹脂モールド部とを有する
樹脂封止型電子部品において、前記樹脂モールド部内の
前記半導体チップ載置部の端部及び第２リードの端部に
半導体チップの高さ方向に立ち上がる板状の放熱部を形
成したことを特徴とする樹脂封止型電子部品。 - 【請求項２】前記半導体チップ載置部の端部及び第２リ
ードの端部のいずれか一方に半導体チップの高さ方向に
立ち上がる板状の放熱部を形成したことを特徴とする請
求項１に記載の樹脂封止型電子部品。 - 【請求項３】前記放熱部の高さは、前記半導体チップ載
置部に半導体チップを載置・固着させた際の該半導体チ
ップの表面までの高さと略等しい高さとしたことを特徴
する請求項１又は請求項２に記載の樹脂封止型電子部
品。 - 【請求項４】半導体チップの表面電極と第２リードとを
内部リードを介して接続する場合、該内部リードの一方
の接続箇所が前記第２リードの端部に形成した前記放熱
部の上面であることを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載の樹脂封止型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000382995A JP2002184911A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 樹脂封止型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000382995A JP2002184911A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 樹脂封止型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184911A true JP2002184911A (ja) | 2002-06-28 |
Family
ID=18850722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000382995A Pending JP2002184911A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 樹脂封止型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002184911A (ja) |
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-
2000
- 2000-12-15 JP JP2000382995A patent/JP2002184911A/ja active Pending
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