JPS61276245A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS61276245A JPS61276245A JP60119045A JP11904585A JPS61276245A JP S61276245 A JPS61276245 A JP S61276245A JP 60119045 A JP60119045 A JP 60119045A JP 11904585 A JP11904585 A JP 11904585A JP S61276245 A JPS61276245 A JP S61276245A
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路装置に係わシ、特に半導体集
積回路の保護構造に関するものである。
積回路の保護構造に関するものである。
従来、この種の装置として第2図に示すような半導体集
積回路装置があった。同図において、1は樹脂、2は7
レーム、3は半導体集積回路(以下チップと称する)、
4はフレーム2とチップ3とを接続する金線、5はチッ
プ3を搭載するフレーム2のダイパッド部である。
積回路装置があった。同図において、1は樹脂、2は7
レーム、3は半導体集積回路(以下チップと称する)、
4はフレーム2とチップ3とを接続する金線、5はチッ
プ3を搭載するフレーム2のダイパッド部である。
前述したような従来の半導体集積回路装置では、チップ
3が樹脂1によシ樹脂封止されて構成されているので、
この樹脂封止の際の圧力あるいはその後の熱ストレスに
よる応力がチップ3に加わシ、チップ3の保護膜にクラ
ックが発生したシ、配線用ht膜が移動し故障に散る問
題点があった。
3が樹脂1によシ樹脂封止されて構成されているので、
この樹脂封止の際の圧力あるいはその後の熱ストレスに
よる応力がチップ3に加わシ、チップ3の保護膜にクラ
ックが発生したシ、配線用ht膜が移動し故障に散る問
題点があった。
この発明は前述した従来の問題点を解決するためになさ
れたもので、樹脂封止の際にチップに加わる応力を軽減
させることによシ、チップを保護できる半導体集積回路
装置を提供することを目的としている。
れたもので、樹脂封止の際にチップに加わる応力を軽減
させることによシ、チップを保護できる半導体集積回路
装置を提供することを目的としている。
この発明に係わる半導体集積回路装置は、フレームのダ
イパッド部に凹状部を設け、この凹状部内にチップを収
納配置するものである。
イパッド部に凹状部を設け、この凹状部内にチップを収
納配置するものである。
この発明においては、チップがフレームの凹状゛ダイパ
ッド部内に収納されるので、樹脂封止の際にチップに加
わる応力が軽減される。
ッド部内に収納されるので、樹脂封止の際にチップに加
わる応力が軽減される。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図であシ、1〜
4は前記従来装置と全く同一のものである。同図におい
て、6はフレーム2の中央部に下方向に凹没するように
形成された断面凹状のダイパッド部、6aはそのダイパ
ッド側壁であって、このダイパッド部6はチップ3が収
納可能な縦。
4は前記従来装置と全く同一のものである。同図におい
て、6はフレーム2の中央部に下方向に凹没するように
形成された断面凹状のダイパッド部、6aはそのダイパ
ッド側壁であって、このダイパッド部6はチップ3が収
納可能な縦。
横、深さの寸法を有しフレーム2と同一部材で一体的に
形成されておシ、この凹状内部にチップ3が接着によシ
固定配置され収納される。
形成されておシ、この凹状内部にチップ3が接着によシ
固定配置され収納される。
このような構成によれば、樹脂封止の際、樹脂1の熱ス
トレスによシ発生するチップ3への横方向の応力がダイ
パッド側壁6aによシ吸収され、チップ3に加わる応力
を低減させることができる。
トレスによシ発生するチップ3への横方向の応力がダイ
パッド側壁6aによシ吸収され、チップ3に加わる応力
を低減させることができる。
したがって、チップ3が応力から保護されるので。
チップ保護膜のクランク発生、配線用At膜の移動によ
る故障を防止することができる。
る故障を防止することができる。
以上説明したように本発明は、ダイパッド部に凹状部を
設け、この凹状部内にチップを収納配置したことによシ
、チップ−\の応力が軽減されるので、半導体集積回路
装置の信頼性を向上できる効果が得られる。
設け、この凹状部内にチップを収納配置したことによシ
、チップ−\の応力が軽減されるので、半導体集積回路
装置の信頼性を向上できる効果が得られる。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は従
来の半導体集積回路装置を示す断面図である。 1・・・・樹脂、2・・・・フレーム、3・・・・半導
体集積回路(チップ)、4・・・・金線、6・・・・ダ
イパッド、6a・・・・ダイパッド側壁。
来の半導体集積回路装置を示す断面図である。 1・・・・樹脂、2・・・・フレーム、3・・・・半導
体集積回路(チップ)、4・・・・金線、6・・・・ダ
イパッド、6a・・・・ダイパッド側壁。
Claims (1)
- フレームのダイパッド部に半導体集積回路を搭載し、そ
の周辺部を樹脂封止してなる半導体集積回路装置におい
て、前記ダイパッド部を凹状部に形成し、該凹状部内に
前記半導体集積回路を収納配置したことを特徴とする半
導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60119045A JPS61276245A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60119045A JPS61276245A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61276245A true JPS61276245A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14751559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60119045A Pending JPS61276245A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61276245A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5358905A (en) * | 1993-04-02 | 1994-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having die pad locking to substantially reduce package cracking |
JP2002184911A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型電子部品 |
EP0895287A3 (en) * | 1997-07-31 | 2006-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and lead frame for the same |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60119045A patent/JPS61276245A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5358905A (en) * | 1993-04-02 | 1994-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having die pad locking to substantially reduce package cracking |
EP0895287A3 (en) * | 1997-07-31 | 2006-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and lead frame for the same |
JP2002184911A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型電子部品 |
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