JPH04162753A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04162753A JPH04162753A JP2289039A JP28903990A JPH04162753A JP H04162753 A JPH04162753 A JP H04162753A JP 2289039 A JP2289039 A JP 2289039A JP 28903990 A JP28903990 A JP 28903990A JP H04162753 A JPH04162753 A JP H04162753A
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- JP
- Japan
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- sealing resin
- semiconductor chip
- resin
- lead frame
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/491—Disposition
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-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にリードフレーム上に半
導体チップを搭載し樹脂封止された半導体装置に関する
。
導体チップを搭載し樹脂封止された半導体装置に関する
。
従来の樹脂封止される半導体チップ搭載側の半導体装置
の封止樹脂の形状は、第２図に示すように、平坦であり
、封止樹脂１に穴などをあける場きは、半導体チップ４
搭載側裏面に裏面孔６が形成されていた。
の封止樹脂の形状は、第２図に示すように、平坦であり
、封止樹脂１に穴などをあける場きは、半導体チップ４
搭載側裏面に裏面孔６が形成されていた。
この従来の封止樹脂の形状では、半導体チップ搭載側裏
面の封止樹脂の熱収縮等によるクラックを防ぐ事には有
効であるが、半導体チップ搭載側の封止樹脂の熱収縮等
によるクラックに対しては効果が少ないので、このクラ
ックによるボンディングワイヤの切断など半導体装置の
信頼性が低いという問題点かあった。
面の封止樹脂の熱収縮等によるクラックを防ぐ事には有
効であるが、半導体チップ搭載側の封止樹脂の熱収縮等
によるクラックに対しては効果が少ないので、このクラ
ックによるボンディングワイヤの切断など半導体装置の
信頼性が低いという問題点かあった。
本発明の目的は、封止樹脂のクラックの発生によるボン
ディングワイヤの切断を防止し、信頼性の高い半導体装
置を提供することにある。
ディングワイヤの切断を防止し、信頼性の高い半導体装
置を提供することにある。
本発明は、リードフレーム上に半導体チップを搭載し樹
脂封止された半導体装置において、前記半導体チップ搭
載側の封止樹脂に表面から前記リードフレームまで達す
る表面孔が設けられている。
脂封止された半導体装置において、前記半導体チップ搭
載側の封止樹脂に表面から前記リードフレームまで達す
る表面孔が設けられている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１ （Ａ）、（Ｂ）、は本発明の一実施例の平面図及
び断面図である。
び断面図である。
第１図（Ａ＞、（Ｂ）に示すように、半導体チップ４搭
載側の封止樹脂１には、表面からリードフレーム３に達
する表面孔２が設けられている。
載側の封止樹脂１には、表面からリードフレーム３に達
する表面孔２が設けられている。
この表面孔２は、封止樹脂１の樹脂封止工程での金型に
凸部を設けて成形され、表面孔２の断面積より明らかに
広い面積を有するリードフレーム３の一部まで達するよ
うに、ボンディングワイヤ５や半導体チップ４を避けて
設けられている。
凸部を設けて成形され、表面孔２の断面積より明らかに
広い面積を有するリードフレーム３の一部まで達するよ
うに、ボンディングワイヤ５や半導体チップ４を避けて
設けられている。
以上説明したように本発明は、樹脂封止される半導体チ
ップ搭載側の封止樹脂表面からリードフレームに達する
表面孔を備えることにより、半導体チップ搭載側の熱収
縮等をこの表面孔で吸収し、封止樹脂のクラックを防ぐ
ことにより、ボンディングワイヤの断線等をなくし、高
い信頼性が得られる効果がある。
ップ搭載側の封止樹脂表面からリードフレームに達する
表面孔を備えることにより、半導体チップ搭載側の熱収
縮等をこの表面孔で吸収し、封止樹脂のクラックを防ぐ
ことにより、ボンディングワイヤの断線等をなくし、高
い信頼性が得られる効果がある。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
断面図、第２図は従来の半導体装置の一例の断面図であ
る。 １・・・封止樹脂、２・・・表面孔、３・・・リードフ
レーム、４・・・半導体チップ、５・・・ボンデインク
ワイヤ、６・・・裏面孔。
断面図、第２図は従来の半導体装置の一例の断面図であ
る。 １・・・封止樹脂、２・・・表面孔、３・・・リードフ
レーム、４・・・半導体チップ、５・・・ボンデインク
ワイヤ、６・・・裏面孔。
Claims (1)
- リードフレーム上に半導体チップを搭載し樹脂封止さ
れた半導体装置において、前記半導体チップ搭載側の封
止樹脂に表面から前記リードフレームまで達する表面孔
を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289039A JPH04162753A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289039A JPH04162753A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162753A true JPH04162753A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17738038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2289039A Pending JPH04162753A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162753A (ja) |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP2289039A patent/JPH04162753A/ja active Pending
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