JPH0318046A

JPH0318046A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH0318046A
Application number: JP15294489A
Authority: JP
Inventors: Yasutada Nakagawa; 泰忠中川; Yoshihide Suwa; 好英諏訪
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-06-15
Filing date: 1989-06-15
Publication date: 1991-01-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、例えば、リードフレームダイパッドに固定さ
れた半導体チップを樹脂封止してなるＬＳＩ（大規模集
積回路）等の半導体装置に関する。

（従来の技術）例えば、第４図に示すような半導体装置１が知られてい
る。すなわち、この半導体装置１は、矩形板状のリード
フレームダイパッド（以下、ダイバッドと称する）２に
半導体チツブ３を載置し、固定している。そして、半導
体装置１は、半導体チップ３の電極４・・・と、電極４
・・・に対応するり−ド５・・・とをワイヤボンデイン
グしている。

さらに、半導体装置１は、ダイバツド２と半導体チップ
３、およびリード５・・・とを樹脂封止している。そし
て、半導体装置１は、封止用樹脂６１；より形成された
樹脂パッケージ６ａの端面からリード５・・・を突出さ
せている。

（発明が解決しようとする課題）ところで、上述のような半導体装置１では、ダイパッド
２と封止用樹脂６との線膨張係数が大きく異なる。つま
り、半導体装置１に用いられる封止用樹脂の線膨張係数
は、ダイバツド２の線膨張係数に比べて、１０倍程度大
きい。そして、半導体装置１が加熱される封止中や実装
中、および使用中等には、温度変化により、封止用樹脂
６が第５図中に一点鎖線７ａで示すように膨張しようと
するため、樹脂パッケージ６ａに熱応力が生じる。

さらに、上述のような従来の半導体装置１では、封止用
樹脂６に熱サイクルによる伸縮が生じ、ダイバッド２と
封止用樹脂６との密着性が悪かった。

このため、封止用樹脂６の、ダイパッド２の角部２ａ・
・・との界面付近に、例えば第６図中に２点鎖ｖａ７ｂ
で示すように応力が集中し、上記角部２ａ・・・との界
面付近を起点として、封止用樹脂６にクラック（パッケ
ージクラック）が発生することがあった。

ここで、第６図中の２点鎖線７ｂは、ダイバッド２の角
部２ａの付近での応力の大きさを概略的に示している。

本発明の目的とするところは、リードフレームダイパッ
ドと封止用樹脂との密着性を向上し、封止用樹脂にクラ
ックが生じることのない半導体装置を提供することにあ
る。

［発明の構成］（課題を解決するための手段および作用）上記目的を達
成するために本発明は、多角形板状のリードフレームダ
イパッドの中央部に固定された半導体チップを、上記リ
ードフレームダイパッドとともに樹脂封止してなるもの
において、リードフレームダイパッドの隅部に、その内
側に封止用の樹脂を導入したスリットを設けた。

また、リードフレームダイパッドの端面を、外側へ突出
する曲面状に形成した。

こうすることによって本発明は、リードフレームダイパ
ッドと封止用樹脂との密着性を高め、封止用樹脂にクラ
ックが発生することを防止できるようにしたことにある
。

（実施例）以下、本発明の各実施例を第１図および第２図に基づい
て説明する。なお、従来の技術の項で説明したものと重
複するものについては同一番号を付し、その説明は省略
する。

第１図および第２図は、本発明の第１の実施例の要部を
示すものである。そして、各図中の１はＬＳＩ．（大規
模集積回路）等の半導体装置を示しており、２はリード
フレームダイパッド（以下、ダイパッドと称する）を示
している。上紀ダイバッド２は、略直角に成形された４
つの隅部８・・・を有する長方形板状のものである。そ
して、ダイパッド２は、その一方の側面の中央部に、図
示しない半導体チップを載置し固定している。

さらに、ダイパッド２には、各隅部８・・・にそれぞれ
１つずつ配置されたスリット９・・・が設けられている
。すなわち、各スリット９は、ダイパッド２の両板面に
開口しており、その開口部の形状を略長方形に設定され
ている。そして、スリット９はその形状を、ダイパッド
２を厚さ方向に亘って略等しく設定されている。そして
、スリット９は、ダイ・パッド２の直角に交わる２辺に
対して、その長手方向を斜めにした状態に形成されてい
る。

また、スリット９の内側には、第２図に１箇所のみ示す
ように、封止用樹脂６が通過している。

この封止用樹脂６は、半導体装置１の樹脂バッケ一ジ６
ａを構成するものである。そして、封止用樹脂６は、例
えば直方体状に戊形されており、ダイバッド２と上記半
導体チップ、および、上記半導体チップに例えばワイヤ
ボンディングされたリードの基端側とを封止している。

そして、第２図中に示すように、封止用樹脂６はスリッ
ト９の内側に入り込んでおり、ダイバッド２、およびス
リット９の内面１０・・・の略全体に隙間なく接してい
る。ここで、各スリット９・・・の構造はそれぞれ同様
に設定されている。なお、スリット９・・・の各部の寸
法は、互いに一致していなくてもよい。

このような構成のものでは、スリット９・・・の存在に
より、ダイパッド２の隅部８での、ダイパッド２と封止
用樹脂６との密着性が高まる。つまり、発生する応力を
、集中させることなく、封止用樹脂６とグイバッド２お
よびスリット９とに分散させるので、ダイパッド２と封
止用樹脂６との密着性が高い。

そして、封止中や実装中、および使用中等のように温度
上昇しても、熱膨張により封止用樹脂に生じる内部応力
は小となる。したがって、ダイバッド２と封止用樹脂６
とのはがれを防止することができ、さらに、封止用樹脂
６の、例えばダイバッド２の角部付近を起点とするクラ
ック（パッケージクラック）の発生を防止することがで
きる。

第３図は、本発明の第２の実施例を示すものであり、図
中に１で示すのは半導体装置である。さらに、図中の２
はダイバッドであり、３はダイパッド２に載置され固定
された半導体チップである。

そして、６は半導体装置１の樹脂パッケージ６ａを構成
する封止用樹脂を示している。

そして、上記ダイパッド２は、その４つの辺を構成する
端面１１の略全体を断面略半円形に成形されている。そ
して、ダイパッド２は端面１１に丸みを有している。そ
して、ダイパッド２は、この端而１１を外側へ突出させ
ている。

すなわち、このような構成のものでは、ダイパッド２の
端而１１が曲面状に成形されているので、封止用樹脂６
が熱膨張しても、端而１１と封止用樹脂６の界面付近に
応力集中が生じるということがない。したがって、封止
用樹脂６にクラツクが発生することを防止できる。

なお、上記端而１１の形状は真円形でなくてもよい。

［発明の効果］以上説明したように本発明は、多角形板状のリードフレ
ームダイパッドの中央部に固定された半導体チップを、
リードフレームダイパッドとともに樹脂封止してなるも
のにおいて、リードフレームダイパッドの隅部に、その
内側に封止用の樹脂を導入したスリットを設けた。

したがって本発明は、リードフレームダイバツドと封止
用樹脂との密着性を高めることができ、封止用樹脂にク
ラックが発生することを防止できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の第１の実施例を示すもの
で、第１図は要部を示す平面図、第２図は第１図中のＡ
−Ａ線に沿った部分を拡大して示す側断面図、第３図は
本発明の第２の実施例を示す側断面図、第４図〜第６図
は従来例を示すもので、第４図は側断面図、第５図は要
部を示す平面図，第６図は発生する応力の大きさをリー
ドフレームダイパッドを用いて概略的に示す平面図であ
る。１・・・半導体装置、２・・・リードフレームダイパッ
ド、３・・・半導体チップ、６・・・封止用樹脂、９・
・・スリット、１１・・・リードフレームダイパッドの
端而。吊　１　　二

Claims

【特許請求の範囲】

（１）多角形板状のリードフレームダイパッドの中央部
に固定された半導体チップを、上記リードフレームダイ
パッドとともに樹脂封止してなる半導体装置において、
上記リードフレームダイパッドの隅部に、その内側に封
止用の樹脂を導入したスリットを設けたことを特徴とす
る半導体装置。
（２）リードフレームダイパッドの端面を、外側へ突出
する曲面状に形成したことを特徴とする請求項（１）記
載の半導体装置。