JPH03283648A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH03283648A
JPH03283648A JP2084212A JP8421290A JPH03283648A JP H03283648 A JPH03283648 A JP H03283648A JP 2084212 A JP2084212 A JP 2084212A JP 8421290 A JP8421290 A JP 8421290A JP H03283648 A JPH03283648 A JP H03283648A
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JP
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semiconductor element
lead frame
resin
semiconductor device
sealed
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JP2084212A
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Takayuki Uno
宇野　隆行
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、特に樹脂封止型半導体装置の構造
に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の樹脂封止型半導体装置は、第３図（ａ）。
（ｂ）に示すように、回路形成がなされた半導体素子２
を半導体素子載置部２２を有するリードフレーム２１に
Ａｇペースト等のろう材６を用いて固着し、次いで半導
体素子２とリードフレーム２１とをポンディングワイヤ
４で電気的に接続した後、モールド樹脂５により封止し
ていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子の
寸法に対して、特定の寸法範囲の半導体素子載置部を有
するリードフレームを用いなければ（すなわち、半導体
素子と半導体素子載置部の寸法が適合していなければ）
ワイヤポンディング工程で半導体素子載置部とポンディ
ングワイヤとがショート不良を起こすという欠点があっ
た。また、小量多品種の半導体装置を製造するには上述
の制約により、各々の半導体素子に適合するリードフレ
ームを多種類準備にしなければならず、設計や製作に膨
大なる工数や費用が発生しており、大きな問題となって
いた。
〔課題を解決するための手段〕
上述の問題を解決するため、本発明では、リードフレー
ムに固着した半導体素子にワイヤボンディングした後、
樹脂封止を行なうことは従来どおりであるが、但し、リ
ードフレームには特別な半導体素子載置部を設けず、そ
の代わり、内部リードを中心の方に延長し、この中心部
に集ったリードフレーム上に絶縁性接着剤を用いて半導
体素子を固定している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施例１であ
り、（ａ）はリードフレーム、（ｂ）は該リードフレー
ムを用いた半導体装置の封止樹脂を透視した上面図、（
ｃ）はその断面図を示す。図において、リードフレーム
１は、従来の半導体装置のリードフレームが有していた
半導体素子載置部を除去する代りに、多数の内部リード
同士が接触しない程度に中心部迄延長されている。半導
体素子２は、該内部リード上に短絡防止のために絶縁性
接着剤３を用いて固着される。その後、半導体素子２と
リードフレーム１はポンディングワイヤ４により電気的
に接続され、モールド樹脂５により封止される。
以上のような構造とすることで、多様な寸法を有する各
種半導体素子群に対し、本発明のわずか１種類のリード
フレームで組立が共用できる。
第２図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は本発明の実施
例２であり、（ａ）はリードフレーム、（ｂ）は該リー
ドフレームを用いた半導体装置の封止樹脂を透視した上
面図、（ｃ）はその断面図を示す。図において、リード
フレーム１１は内部リードの先端部にリード変形防止の
枠７が絶縁性接着剤を介して貼付けられていること、ま
た、樹脂封止後のリード加工工程等を考慮して、ダミー
の吊りリード１２が設けられていることが実施例１と異
なる。その他については、実施例１と同様であり、多様
な寸法を有する半導体素子群に対し、共通的に使用可能
である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、絶縁性接着剤を用いて、
半導体素子を内部リード上に固着することにより、以下
に述べるような様々な効果が得られる。
■　多種類の寸法の半導体素子群に対するリードフレー
ムの共用化により、設計、製造コストの大幅な低減が可
能である。
■　半導体素子を内部リード上に固着するため、内部リ
ード先端部が固定され、リードやポンデインワイヤ変形
による断線や短絡不良を大幅に低減できる。
■　半導体素子載置部が不要となるため、パッケージ内
部応力が低減でき、温度サイクル試験や半田澄しのよう
な熱ストレスによるパッケージクラック不良の低減に効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）および第２図（ａ）はそれぞれ本発明の第
１実施例および第２実施例に係るリードフレームの平面
図、第１図（ｂ）と第２図（ｂ）はそれぞれ第１実施例
および第２実施例の封止樹脂を透視した平面図、第１図
（ｃ）および第２図（ｃ）は第１実施例および第２実施
例の断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）は従来の樹脂封止半導体装置の平面図と断面図で
ある。 １．１１．２１・・・・・・リードフレーム、２・・・
・・・半導体素子、３・・・・・・絶縁接着剤、４・・
・・・・ポンディングワイヤ、５・・・・・・封止（モ
ールド）樹脂、６・・・・・・ろう材、１２・・・・・
・ダミーリード、２２・・・・・・半導体素子載置部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　リードフレームに固着された半導体素子にワイヤボン
    ディングした後樹脂封止してなる半導体装置において、
    前記半導体素子が前記樹脂封止体内の内部リード上に絶
    縁性接着剤を介して固定されていることを特徴とする樹
    脂封止型半導体装置。
JP2084212A 1990-03-30 1990-03-30 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH03283648A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19708002A1 (de) * 1996-03-22 1997-09-25 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterbauelement und Anschlußrahmen dafür
US5982028A (en) * 1995-02-28 1999-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor device with good thermal behavior

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5982028A (en) * 1995-02-28 1999-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor device with good thermal behavior
DE19708002A1 (de) * 1996-03-22 1997-09-25 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterbauelement und Anschlußrahmen dafür
DE19708002B4 (de) * 1996-03-22 2004-09-16 Mitsubishi Denki K.K. Anschlußrahmen für Halbleiterbauelement

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