JPH0357255A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0357255A JPH0357255A JP19302589A JP19302589A JPH0357255A JP H0357255 A JPH0357255 A JP H0357255A JP 19302589 A JP19302589 A JP 19302589A JP 19302589 A JP19302589 A JP 19302589A JP H0357255 A JPH0357255 A JP H0357255A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 17
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
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- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する〔従来の技術〕
半導体装置の中でメモリー製品はメモリー素子容量が増
加するのに従って半導体チップの寸法が大型化し、樹脂
封止型半導体装置の樹脂体の平面に占める半導体チップ
の平面の割合が大きくなって７０％近くまで占めるもの
も出てきた。
加するのに従って半導体チップの寸法が大型化し、樹脂
封止型半導体装置の樹脂体の平面に占める半導体チップ
の平面の割合が大きくなって７０％近くまで占めるもの
も出てきた。
第３図（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置の
第１の例を示す切欠平面図及びＤ−Ｄ’線断面図である
． 第３図（ａ），（ｂ）に示すように、吊りピン７により
支持されたアイランド８の上に半導体チップ１が搭載さ
れ、アイランド８の周囲に配置された内部リード４と半
導体チップ１の間を金属細線５により電気的に接続し、
アイランド８及び金属細線５を接続した内部リード４を
含んで樹脂体６により封止し、内部リード４に接続され
た外部リード９を樹脂体６の外部に導出している。
第１の例を示す切欠平面図及びＤ−Ｄ’線断面図である
． 第３図（ａ），（ｂ）に示すように、吊りピン７により
支持されたアイランド８の上に半導体チップ１が搭載さ
れ、アイランド８の周囲に配置された内部リード４と半
導体チップ１の間を金属細線５により電気的に接続し、
アイランド８及び金属細線５を接続した内部リード４を
含んで樹脂体６により封止し、内部リード４に接続され
た外部リード９を樹脂体６の外部に導出している。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、アイランドの
面積が大きくなって周縁部の樹脂体の厚さが薄くなり金
属のアイランドと樹脂体との熱膨張係数の差による樹脂
体のクラックが生じやすいという問題点がある。
面積が大きくなって周縁部の樹脂体の厚さが薄くなり金
属のアイランドと樹脂体との熱膨張係数の差による樹脂
体のクラックが生じやすいという問題点がある。
また、アイランドの面積が大きいため吊りピンが短くな
って第４図に示すように、吊りピン７を折り曲げてアイ
ランドの位置を下げ内部リードと半導体チップ１の表面
の高さを近ずけて金属細線の長さを短くするための加工
ができなくなるという問題点がある。
って第４図に示すように、吊りピン７を折り曲げてアイ
ランドの位置を下げ内部リードと半導体チップ１の表面
の高さを近ずけて金属細線の長さを短くするための加工
ができなくなるという問題点がある。
また半導体チップの集積度の増加に伴い電極パッド数も
増加して電極パッドを半導体チップの周縁部のみでは配
置しきれず、半導体チップの内側へも配置されるため金
属細線の長さも長くなり半導体チップの端部との接触に
よる短絡を生じやすくなるという問題点がある６ 〔課題を解決するための手段〕 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップと、前
記半導体チップの一部の表面に接着して設けた絶縁性支
持体と、前記支持体を接着して前記半導体チップを支持
する支持ピンと、前記半導体チップの表面と同一平面に
配置した内部リードと、前記半導体チップ及び前記内部
リードを電気的に接続する金属配線と、前記半導体チッ
プ及び前記内部リード並びに前記支持体を含んで封止し
た樹脂体とを有する。
増加して電極パッドを半導体チップの周縁部のみでは配
置しきれず、半導体チップの内側へも配置されるため金
属細線の長さも長くなり半導体チップの端部との接触に
よる短絡を生じやすくなるという問題点がある６ 〔課題を解決するための手段〕 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップと、前
記半導体チップの一部の表面に接着して設けた絶縁性支
持体と、前記支持体を接着して前記半導体チップを支持
する支持ピンと、前記半導体チップの表面と同一平面に
配置した内部リードと、前記半導体チップ及び前記内部
リードを電気的に接続する金属配線と、前記半導体チッ
プ及び前記内部リード並びに前記支持体を含んで封止し
た樹脂体とを有する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ＞．（ｂ）．（ｃ）は本発明の第１の実施例
の切欠平面図及びＡ−Ａ’線断面図並びにＢ−Ｂ’線断
面図である。
の切欠平面図及びＡ−Ａ’線断面図並びにＢ−Ｂ’線断
面図である。
第１図（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体チップ１は
半導体素子を形或した表面の一部に接着したポリイミド
系樹脂からなる支持体２を支持ピン３に接着してリード
フレームに保持し、半導体チップ１の周囲に配置した内
部リード４と半導体チップ１の電極パッドを金属細線５
により電気的に接続し、内部リード５と半導体チップ１
の電極パッドが同一平面上に保たれる。ここで、支持体
２の熱膨張係数は６．８Ｘ１ ０−５１／”Ｃである。
半導体素子を形或した表面の一部に接着したポリイミド
系樹脂からなる支持体２を支持ピン３に接着してリード
フレームに保持し、半導体チップ１の周囲に配置した内
部リード４と半導体チップ１の電極パッドを金属細線５
により電気的に接続し、内部リード５と半導体チップ１
の電極パッドが同一平面上に保たれる。ここで、支持体
２の熱膨張係数は６．８Ｘ１ ０−５１／”Ｃである。
次に、半導体チップ１及び内部リード４を含めて熱膨張
係数７．ＩＸＩＯ〜５１／℃のエボキシ系の樹脂体６に
より封止し、内部リード４に接続された外部リードを外
部に導出し、支持ピン３を切断して樹脂封止型半導体装
置を構成する．第２図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の
実施例の切欠平面図及びｃ−ｃ”線断面図である．第２
図（ａ），（ｂ）に示すように、支持体２が枠状又はＬ
字状を有している以外は第１の実施例と同じ構成を有し
ている． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、半導体チップの表面の一
部に樹脂製の支持体を接着して支持ピンに接続し、半導
体チップの表面と内部リードの表面とを同一平面にする
ことにより、金属細線の長さを最短にし、且つ半導体チ
ップの端部との短絡を防止できるという効果を有する。
係数７．ＩＸＩＯ〜５１／℃のエボキシ系の樹脂体６に
より封止し、内部リード４に接続された外部リードを外
部に導出し、支持ピン３を切断して樹脂封止型半導体装
置を構成する．第２図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の
実施例の切欠平面図及びｃ−ｃ”線断面図である．第２
図（ａ），（ｂ）に示すように、支持体２が枠状又はＬ
字状を有している以外は第１の実施例と同じ構成を有し
ている． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、半導体チップの表面の一
部に樹脂製の支持体を接着して支持ピンに接続し、半導
体チップの表面と内部リードの表面とを同一平面にする
ことにより、金属細線の長さを最短にし、且つ半導体チ
ップの端部との短絡を防止できるという効果を有する。
第５図（ａ），（ｂ）は従来例と本発明の実施例の半導
体チップと金属細線の位置関係を示す模式的断面図、第
６図（ａ＞，（ｂ）は従来例と本発明の金属細線の結線
可能範囲を示す図である．第５図（ａ＞，（ｂ）及び第
６図（ａ），（ｂ）に示すように、結線可能な金属細線
の長さＬｗと半導体チップ状の金属細線の長さＬｐとの
関係は、金属細線長１．２ｍｍのとき結線可能な半導体
チップ状の金属細線の長さＬｐは、従来例では、約０．
３９ｍｍであったのに対し、本発明では、約０．６２ｍ
ｍと大幅に向上している．また、従来例のように樹脂ク
ラックの主原因となっていたアイランドがないため樹脂
体のクラックが防止できる． さらに、半導体装置の外部に支持ピンの端部が露出して
いるが、半導体チップとの間に、封止樹脂体と密着性の
高い樹脂がらなる支持体を介在させることにより外部か
らの汚染物質の侵入を防止し、耐湿性を向上させる．
体チップと金属細線の位置関係を示す模式的断面図、第
６図（ａ＞，（ｂ）は従来例と本発明の金属細線の結線
可能範囲を示す図である．第５図（ａ＞，（ｂ）及び第
６図（ａ），（ｂ）に示すように、結線可能な金属細線
の長さＬｗと半導体チップ状の金属細線の長さＬｐとの
関係は、金属細線長１．２ｍｍのとき結線可能な半導体
チップ状の金属細線の長さＬｐは、従来例では、約０．
３９ｍｍであったのに対し、本発明では、約０．６２ｍ
ｍと大幅に向上している．また、従来例のように樹脂ク
ラックの主原因となっていたアイランドがないため樹脂
体のクラックが防止できる． さらに、半導体装置の外部に支持ピンの端部が露出して
いるが、半導体チップとの間に、封止樹脂体と密着性の
高い樹脂がらなる支持体を介在させることにより外部か
らの汚染物質の侵入を防止し、耐湿性を向上させる．
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第１の実施例
の切欠平面図及びＡ−Ａ’線断面図並びにＢ−Ｂ’線断
面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例の
切欠平面図及びｃ−ｃ′線断面図、第３図（ａ），（ｂ
）は従来の樹脂封止型半導体装置の第ｌの例を示す切欠
平面図及びＤＤ′線断面図、第４図は従来の樹脂封止型
半導体の第２の例を示す断面図、第５図（ａ＞（ｂ）は
従来例と本発明の実施例の半導体チップの金属細線の位
置関係を示す模式的断面図、第６図（ａ），（ｂ）は従
来例と本発明の実施例の金属細線の結線可能範囲を示す
特性図である。 １・・・半導体チップ、２・・・支持体、３・・・支持
ピン、４・・・内部リード、５・・・金属細線、６・・
・樹脂体、７・・・吊りピン、８・・・アイランド、９
・・・外部リード、Ｌｐ・・・半導体チップ上の金属細
線長、Ｌｗ・・金属細線長．
の切欠平面図及びＡ−Ａ’線断面図並びにＢ−Ｂ’線断
面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例の
切欠平面図及びｃ−ｃ′線断面図、第３図（ａ），（ｂ
）は従来の樹脂封止型半導体装置の第ｌの例を示す切欠
平面図及びＤＤ′線断面図、第４図は従来の樹脂封止型
半導体の第２の例を示す断面図、第５図（ａ＞（ｂ）は
従来例と本発明の実施例の半導体チップの金属細線の位
置関係を示す模式的断面図、第６図（ａ），（ｂ）は従
来例と本発明の実施例の金属細線の結線可能範囲を示す
特性図である。 １・・・半導体チップ、２・・・支持体、３・・・支持
ピン、４・・・内部リード、５・・・金属細線、６・・
・樹脂体、７・・・吊りピン、８・・・アイランド、９
・・・外部リード、Ｌｐ・・・半導体チップ上の金属細
線長、Ｌｗ・・金属細線長．
Claims (1)
- 半導体チップと、前記半導体チップの一部の表面に接着
して設けた絶縁性支持体と、前記支持体を接着して前記
半導体チップを支持する支持ピンと、前記半導体チップ
の表面と同一平面に配置した内部リードと、前記半導体
チップ及び前記内部リードを電気的に接続する金属配線
と、前記半導体チップ及び前記内部リード並びに前記支
持体を含んで封止した樹脂体とを有することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19302589A JPH0357255A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19302589A JPH0357255A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357255A true JPH0357255A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16300923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19302589A Pending JPH0357255A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0357255A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807972A3 (en) * | 1996-05-09 | 2000-05-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP19302589A patent/JPH0357255A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807972A3 (en) * | 1996-05-09 | 2000-05-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| US6258621B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device having insulating tape interposed between chip and chip support |
| EP1381084A1 (en) * | 1996-05-09 | 2004-01-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
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