DE19708002B4 - Anschlußrahmen für Halbleiterbauelement - Google Patents

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Abstract

Anschlußrahmen, mit
– einem Rahmen (LF); und
– einer Vielzahl von Anschlüssen (4), die von dem Rahmen (LF) gehaltert sind und erste innere Anschlüsse (4a), zweite innere Anschlüsse (4b) und dritte innere Anschlüsse (4c) aufweisen, die sich radial im wesentlichen zu einem zentralen Punkt (CP) des Rahmens erstrecken,
wobei jeder erste innere Anschluß (4a) ein erstes inneres Ende (15a), jeder zweite innere Anschluß (4b) ein zweites inneres Ende (15b) und jeder dritte innere Anschluß (4c) ein drittes inneres Ende (15c) hat und die ersten, zweiten und dritten inneren Anschlüsse (4a, 4b, 4c) zyklisch angeordnet sind, und das erste innere Ende (15a) in der Nähe des zentralen Punkts (CP) liegt, das zweite innere Ende (15b) von dem zentralen Punkt (CP) weiter als das erste innere Ende (15a) entfernt ist, und das dritte innere Ende (15c) von dem zentralen Punkt (CP) weiter als das zweite innere Ende (15b) entfernt...

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Anschlußrahmen für ein harzgekapseltes Halbleiterbauelement, der die Montage von Halbleiterchips verschiedener Größen auf einem universellen Anschlußrahmen ermöglicht, ohne daß das Montageverfahren erheblich geändert werden muß, und der die Wärmeableitung verbessert.
  • 15a ist eine schematische Draufsicht auf ein herkömmliches Halbleiterbauelement, 15b ist ein Schnitt entlang der Linie A-A' von 15a, 16 ist eine Draufsicht auf einen Anschlußrahmen mit 100 Anschlußbeinen zur Verwendung in einem herkömmlichen Halbleiterbauelement, und 17 ist eine Teildarstellung von 16. In den 15 bis 17 bedeutet 1 einen Halbleiterchip, 2 ist eine Chipkontaktstelle, 3 ist ein Bondmittel, 4 sind innere Anschlüsse, 5 sind Metalldrähte, und 6 ist Gießharz. Wie diese Figuren zeigen, hat bei dem herkömmlichen Halbleiterbauelement und dem dafür verwendeten Anschlußrahmen die Chipkontaktstelle 2 Dimensionen, die der Größe des Halbleiterchips 1 entsprechen, so daß der Anschlußrahmen für den jeweils verwendeten Halbleiterchip 1 präpariert ist. Mit anderen Worten heißt das, daß bei dem herkömmlichen harzgekapselten Halbleiterbauelement viele Anschlußrahmen für Halbleiterchips unterschiedlicher Größe auf einer Entsprechungsgrundlage von eins zu eins präpariert werden müssen.
  • Bei der herkömmlichen Technik muß daher die Zahl der Anschlußrahmen-Bauarten, die zum Herstellen der Halbleiterbauelemente zu fertigen sind, gleich der Zahl von Arten von Halbleiterchips sein. Der Anschlußrahmen muß also nach dem teuren Ätzverfahren hergestellt werden, und das kostengünstige Stanzverfahren kann nicht angewandt werden, was zu einer Erhöhung der Fertigungskosten führt.
  • Es ist zwar denkbar, den Anschlußrahmen in einer langen Schleifenkonfiguration anzuordnen, so daß eine Art von Anschlußrahmen universell mit einer Vielzahl von Arten von Halbleiterchips verschiedener Größe verwendet werden kann, das ist jedoch im Hinblick auf das Drahtbondverfahren und das Gießverfahren derzeit schwer auf zufriedenstellende Weise zu erreichen. Außerdem ist es bei dem herkömmlichen Bauelement zur Verbesserung der Wärmeableitung häufig notwendig, ein Wärmeausbreitungselement oder dergleichen einzubauen, was ebenfalls zu einer Kostenerhöhung führt, weil die in dem Halbleiterchip erzeugte Wärme durch eine relativ dicke Schicht oder einen dicken Querschnitt des Kapselungsharzes geleitet werden muß, das schlechte Wärmeleitf ähigkeit hat.
  • Bei der herkömmlichen Technik kann daher eine Art von Anschlußrahmen nur zur Montage von einer Art von Halbleiterchip derselben Größe verwendet werden. Deshalb und weil die Größe von Halbleiterchips je nach ihrer Funktion von einem Chip zum nächsten verschieden ist, wird der Anschlußrahmen für jeden speziellen Halbleiterchip und im wesentlichen nur für diesen entworfen. Daher wird der Anschlußrahmen bisher nur nach dem teuren Ätzverfahren hergestellt, und es ist bisher nicht möglich, den Preis des Halbleiterbauelements zu senken.
  • Die JP 2-28966 A zeigt ein Beispiel einer herkömmlichen Technik zum Herstellen eines gemeinsamen Anschlussrahmens für verschiedene Arten von Halbleiterchips mit dem Ziel, eine Art von Anschlußrahmen universell an verschiedene Halbleiterchiparten anzupassen, wobei eine herkömmliche Chipkontaktstelle entfällt und der Halbleiterchip mit einem Bondmittel mit den inneren Anschlüssen des Anschlußrahmens kontaktiert wird, wobei zwischen dem Chip und den Anschlüssen ein geringer Abstand vorhanden ist, um eine Abstützung für den Halbleiterchip während der Fertigung zu bilden. Da jedoch die Einschränkung der Anschlussrahmenherstellung durch Stanzen bei dieser vorgeschlagenen Technik nicht berücksichtigt wird, ist der Bereich, in dem der Anschlußrahmen allgemein verwendbar ist, eng und beschränkt, und der praktische Anwendungsbereich ist begrenzt. Anders ausgedrückt ist die in der JP 2-28966 A angegebene Technik insofern nachteilig, als dann, wenn die Zahl der Anschlußbeine, die durch Drahtbonden mit dem Halbleiterchip zu kontaktieren ist, groß ist und die Chipkontaktstellen nur 150 μm bis 100 μm groß sind und der Halbleiterchip klein ist, die inneren Enden der Anschlüsse zu eng beieinander liegen, um richtig um den Halbleiterchip herum angeordnet zu sein, und es ist eventuell nicht möglich, die vordersten Enden der Anschlüsse innerhalb der Kontur des Halbleiterchips anzuordnen und die inneren Anschlüsse direkt mit dem Halbleiterchip in Kontakt zu bringen.
  • Aus der EP 0 320 997 A2 ist eine Halbleitervorrichtung eines Plastikformtyps bekannt, bei der ein bettfreier Leitungsrahmen verwendet wird. Bei der Halbleitervorrichtung wird bewusst auf das Vorsehen einer Chipkontaktstelle verzichtet. Dies wirft jedoch verschiedene Probleme auf, insbesondere das Problem, dass die Abstützung eines montierten Chips nur über innere Leitungen erfolgt und somit eine stabile Halterung eines kleinen Chips nicht möglich ist.
  • Aus der DE 39 13 221 A1 ist eine Halbleiteranordnung bekannt, bei der ein Anschlußrahmen verwendet wird. Bei diesem Anschlußrahmen ist ein verbrei teter innerer Anschluß als Chipkontaktstelle vorgesehen. Jener Anschlußrahmen ist jedoch nicht für einen Einsatz mit unterschiedlichen Chipgrößen ohne besondere Anpassung des Rahmens ausgelegt.
  • Aus der JP 63-306 648 A ist eine in Harz gegossene Halbleitervorrichtung bekannt. Ein Halbleiterchip ist hierbei mittels eines Zwischenstücks aus einem isolierenden Bondmittel an einem Anschlußrahmen befestigt. Der Anschlußrahmen ist aus inneren Anschlüssen gebildet, die radial angeordnet und nicht miteinander verbunden sind. Die inneren Anschlüsse haben kein Befestigungsteil für den Halbleiterchip. Der Anschlußrahmen und Bonddrähte werden miteinander verbunden und danach mit geschmolzenem Harz abgedichtet. Dieser Anschlußrahmen kann für Halbleiterchips unterschiedlicher Größe verwendet werden.
  • Bei diesem Anschlußrahmen liegen jedoch die inneren Anschlüsse z.T. eng beieinander, wobei deren Abstände umso kleiner sind, je näher sie am Mittelpunkt des Anschlußrahmens liegen. Das Anschließen eines Halbleiterchips wird dadurch erschwert.
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  • Der vorliegenden Erfindung liegt von daher die Aufgabe zugrunde, einen Anschlußrahmen für ein Halbleiterbauelement bereitzustellen, der für Halbleiterchips, insbesondere auch für kleine Chips, unterschiedlicher Dimensionen universell einsetzbar ist.
  • Ein Vorteil der Erfindung ist dabei die Bereitstellung eines Anschlußrahmens, auf dem Halbleiterchips unterschiedlicher Form und Größe montierbar sind, ohne daß eine wesentliche Änderung der Montagetechnik vorzunehmen ist, und bei dem die Wärmeableitung verbessert ist.
  • Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist die Bereitstellung eines Anschlußrahmens, der universell zur Montage von vielen unterschiedlichen Größen von Halbleiterchips verwendbar ist und der besonders nützlich bei der Herstellung des Halbleiterbauelements ist und nach dem Stanzverfahren herstellbar ist, das billiger als das Ätzverfahren ist.
  • In einem Aspekt, der nicht zur Erfindung gehört, wird ferner ein Halbleiterbauelement angegeben, das folgendes aufweist: einen Halbleiterchip, eine Vielzahl von Anschlüssen, die erste innere Anschlüsse und zweite innere Anschlüsse umfassen, die sich von einem zentralen Punkt des Halbleiterchips im wesentlichen radial erstrecken, elektrische Zuleitungen, die den Halbleiterchip elektrisch mit den inneren Anschlüssen verbinden, und ein Umkapselungsharz zum Umkapseln des Halbleiterchips, der elektrischen Zuleitungen und der inneren Anschlüsse. Jeder der ersten inneren Anschlüsse hat ein erstes inneres Ende, das in der Nähe des zentralen Punkts positioniert ist, und jeder der zweiten inneren Anschlüsse hat ein zweites inneres Ende, das von dem zentralen Punkt weiter entfernt als das erste innere Ende positioniert ist; und die ersten und zweiten inneren Anschlüsse sind im wesentlichen alternierend angeordnet. Daher ist die Anordnung so ausgelegt, daß wenigstens einige der inneren Anschlüsse unter dem Halbleiterchip verlaufen und Wärmeleitungspfade bilden.
  • Der Halbleiterchip, der nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, kann nur mit den ersten inneren Anschlüssen in einer Überlappungsbeziehung sein, oder der Halbleiterchip kann nur mit den ersten und zweiten inneren Anschlüssen in einer Überlappungsbeziehung sein.
  • Die inneren Anschlüsse können dritte innere Anschlüsse aufweisen, die jeweils ein drittes inneres Ende haben, das von dem zentralen Punkt noch weiter als das zweite innere Ende entfernt positioniert ist, und der Halbleiterchip ist in einer Überlappungsbeziehung mit den ersten, zweiten und dritten inneren Anschlüssen.
  • Das Halbleiterbauelement, das nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, kann ferner einen elektrisch isolierertden guten Wärmeleiter aufweisen, der zwischen dem Halbleiterchip und den inneren Anschlüssen angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement kann außerdem ein Wärmeausbreitungselement aufweisen, das in dem Umkapselungsharz angeordnet ist.
  • Der Anschlußrahmen der Erfindung weist einen Rahmen sowie eine Vielzahl von Anschlüssen auf, die von dem Rahmen gehaltert sind und die erste innere Anschlüsse und zweite innere Anschlüsse umfassen, die sich im wesentlichen radial zu einem zentralen Punkt des Rahmens erstrecken. Jeder erste innere Anschluß hat ein erstes inneres Ende, das in der Nähe des zentralen Punkts positioniert ist, jeder zweite innere Anschluß hat ein zweites inneres Ende, das von dem zentralen Punkt weiter entfernt positioniert ist als das erste innere Ende, und die ersten und zweiten inneren Anschlüsse sind im wesentlichen alternierend angeordnet, so daß der Anschlußrahmen universell anwendbar ist, um darauf Halbleiterchips mit unterschiedlichen äußeren Dimensionen zu montieren, und ein erforderlicher Spielraum zwischen den Anschlüssen beibehalten wird.
  • Die Anschlüsse weisen ferner dritte innere Anschlüsse auf die jeweils ein drittes inneres Ende haben, das von dem zentralen Punkt weiter entfernt als das zweite innere Ende positioniert ist.
  • Die dritten inneren Anschlüsse können jeweils zwischen den ersten und zweiten inneren Anschlüssen angeordnet sein.
  • Der Anschlußrahmen weist ferner eine Chipkontaktstelle, die innerhalb des Rahmens und an der Innenseite der ersten inneren Enden angeordnet ist, und ein Stützbein auf, das zwischen dem Rahmen und der Chipkontaktstelle zur Abstützung der Chipkontaktstelle verbunden ist. Die Chipkontaktstelle kann oberhalb einer die inneren Anschlüsse aufweisenden Ebene angeordnet sein.
  • Wenigstens einer der inneren Anschlüsse kann entfernt sein, um ein gleichmäßiges Fließen von geschmolzenem Umkapselungsharz zu ermöglichen.
  • Die inneren Anschlüsse können mit einer Kröpfung abgebogen sein, um innere Abschnitte der inneren Anschlüsse zu bilden, die in einer Ebene liegen, die zu der den Rahmen aufweisenden Ebene parallel, aber davon verschieden ist.
  • Die Erfindung wird nachstehend auch hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:
  • 1a eine schematische Draufsicht auf ein Halbleiterbauelement, das nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 1b einen Schnitt entlang der Linie A-A' von 1a;
  • 2a bis 2c schematische Draufsichten auf verschiedene Modifikationen eines Halbleiterbauelements gemäß dem Halbleiterbauelement der 1;
  • 2d bis 2f Schnitte entlang den Linien A-A' der 2a bis 2c;
  • 3a eine schematische Draufsicht auf ein weiteres Halbleiterbauelement, das nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 3b einen seitlichen Schnitt entlang der Linie A-A' von 3a;
  • 4a eine schematische Draufsicht auf ein weiteres Halbleiterbauelement, das nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 4b einen seitlichen Schnitt entlang der Linie A-A' von 3a;
  • 5 eine vergrößerte Teilansicht des Anschlußrahmens der Erfindung;
  • 6 eine vergrößerte Teilansicht eines anderen Anschlußrahmens der Erfindung;
  • 7 eine vergrößerte Teilansicht eines weiteren Anschlußrahmens der nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 8 eine vergrößerte Teilansicht noch eines anderen Anschlußrahmens nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 9a eine vergrößerte Teilansicht eines anderen Anschlußrahmens der Erfindung,
  • 9b eine vergrößerte Teilansicht noch eines anderen Anschlußrahmens nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 10a einen seitlichen Schnitt zur Verdeutlichung des Fließwegs des Gießharzes während des Gießens mit einem Stützbein für die Chipkontaktstelle;
  • 10b einen seitlichen Schnitt zur. Verdeutlichung des Fließwegs des Gießharzes während des Gießens ohne Stützbein für die Chipkontaktstelle;
  • 11 eine vergrößerte schematische Teilansicht des Anschlußrahmens der Ausführungsform der Erfindung, wobei die Seitenabschnitte der Anschlüsse gezeigt sind;
  • 12 eine schematische Seitenansicht eines Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 13 eine schematische Seitenansicht eines weiteren Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 14 eine schematische Seitenansicht eines noch weiteren Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 15a eine schematische Draufsicht auf ein herkömmlich ausgebildetes Halbleiterbauelement;
  • 15b einen seitlichen Schnitt entlang der Linie A-A' von 15a;
  • 16 eine Draufsicht auf einen herkömmlichen Anschlußrahmen; und
  • 17 eine Teildarstellung des in 16 gezeigten herkömmlichen Anschlußrahmens.
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  • Wie die 1a und 1b sowie die 2a bis 2f zeigen, weist ein Halbleiterbauelement, das nicht Gegenstand der Erfindung ist, einen Halbleiterchip 1 auf, der auf einem Anschlußrahmen LF montiert ist, der eine Vielzahl Anschlüsse L hat. Die Anschlüsse L umfassen innere Anschlüsse 4 und äußere Anschlüsse 9, und die inneren Anschlüsse 4 umfassen erste innere Anschlüsse 4a, zweite innere Anschlüsse 4b und dritte innere Anschlüsse 4c, die jeweils von einem zentralen Punkt CP des Rahmens F im wesentlichen radial verlaufen (siehe 5). Der Anschlußrahmen LF weist außerdem eine zentral angeordnete quadratische Chipkontaktstelle 2 auf, die Stützbeine 2a hat. Das Halbleiterbauelement umfaßt ferner elektrische Zuleitungen 5 wie etwa Bonddrähte, die den Halbleiterchip 1 mit den inneren Anschlüssen 4 elektrisch verbinden, sowie ein Umkapselungsharz 6 zum Umkapseln des Halbleiterchips 1, der elektrischen Zuleitungen 5 und der inneren Anschlüsse 4.
  • Jeder erste innere Anschluß 4a hat ein erstes inneres Ende 15a, das nahe dem zentralen Punkt CP des Anschlußrahmens LF oder des Halbleiterchips 1 positioniert ist. Jeder zweite innere Anschluß 4b hat ein zweites inneres Ende 15b, das von dem zentralen Punkt CP weiter entfernt positioniert ist als das erste innere Ende 15a, und jeder dritte innere Anschluß 4c hat ein drittes inneres Ende 15c, das von dem zentralen Punkt CP am weitesten entfernt ist. Es ist ersichtlich, daß die ersten, zweiten und dritten inneren Anschlüsse im wesentlichen abwechselnd aufeinanderfolgend bzw. alternierend angeordnet sind, so daß zwischen den jeweiligen inneren Anschlüssen 4 ein erforderlicher Spielraum beibehalten wird.
  • Der in den 1a und 1b gezeigte Halbleiterchip 1, der nicht Gegenstand der Erfindung ist, kann eine erste Größe haben, und die Chipkontaktstelle 2 ist im Vergleich zu dem Halbleiterchip 1 möglichst klein ausgebildet und kann eine Seitenlänge von 2 mm bis 3 mm haben, so daß die inneren Enden der inneren Anschlüsse 4 unter dem Halbleiterchip 1 positioniert sein können. Wie 1b am besten zeigt, ist die Chipkontaktstelle 2 in einer Ebene positioniert, die in der Größenordnung von 100 μm über der Ebene der inneren Anschlüsse 4 liegt, so daß sie nicht in derselben Ebene liegen.
  • Bei dieser Ausführungsform, die nicht Gegenstand der Erfindung ist, hat die kleine Chipkontaktstelle 2 quadratische Form, und die inneren Anschlüsse 4 umfassen innere Anschlüsse 4a der ersten Art, deren innere Enden 15a nahe an der Chipkontaktstelle 2 liegen und sie umgeben. Es ist ersichtlich, daß die inneren Enden 15a auf einer Schleife oder einem Kreis angeordnet sind, dessen Mittelpunkt mit dem Mittelpunkt der Chipkontaktstelle 2 koinzident ist. Die inneren Anschlüsse 4 weisen außerdem innere Anschlüsse 4b der zweiten Art auf, die zwischen den ersten inneren Anschlüssen 4a positioniert sind und deren innere Enden 15a entlang einer größeren Schleife angeordnet sind, der mit der ersten Schleife konzentrisch ist. Die inneren Anschlüsse 4 umfassen ferner dritte innere Anschlüsse 4c, die zwischen den ersten inneren Anschlüssen 15a und den zweiten inneren Anschlüssen 15b positioniert sind und deren innere Enden 15c weit entfernt von der Chipkontaktstelle 2 so positioniert sind, daß sie die zweite Schleife konzentrisch umgeben.
  • Bei der in den 2c und 2f gezeigten Ausführungsform, die nicht Gegenstand der Erfindung ist, ist der Halbleiterchip 1a von Standardgröße auf dem Anschlußrahmen LF montiert. Bei der Herstellung wird der Halbleiterchip 1a mittels einer Schicht eines elektrisch isolierenden Bondmittels 3 angebracht und von der erhabenen Chipkontaktstelle 2 abgestützt. In dem fertigen Halbleiterbauelement sind die relativ kleinen Zwischenräume zwischen der unteren Oberfläche des Halbleiterchips 1a und den inneren Anschlüssen 4a, 4b und 4c mit der Schicht des ausgehärteten Umkapselungsharzes ausgefüllt. Erforderlichenfalls kann der Halbleiterchip 1a durch die Bonddrähte 5 mit sämtlichen ersten inneren Anschlüssen 4a, zweiten inneren Anschlüssen 4b und dritten inneren Anschlüssen 4c elektrisch verbunden sein. Somit befindet sich der Halbleiterchip 1a in einer Überlappungsbeziehung relativ zu sämtlichen ersten, zweiten und dritten inneren Anschlüssen 4a, 4b und 4c.
  • Wenn jedoch, wie die 1a, 1b, 2a und 2e zeigen, ein Halbleiterchip 1b mittlerer Größe zu montieren ist, kann der Halbleiterchip 1b durch die Bonddrähte 5 nur mit den ersten und den zweiten inneren Anschlüssen 4a und 4b unter Ausschluß der dritten inneren Anschlüsse 4c elektrisch verbunden werden, so daß eine elektrische Verbindung nach außen über die Anschlüsse 4 hergestellt wird. Bei diesem Beispiel ist der Halbleiterchip 1b nur in Bezug auf die ersten und die zweiten inneren Anschlüsse 4a und 4b in einer Überlappungsbeziehung.
  • Wenn, wie die 2a und 2b zeigen, ein Halbleiterchip 1c der kleinsten Größe zu montieren ist, können nur die ersten inneren Anschlüsse 4a mit dem Halbleiterchip 1 durch die Bonddrähte 5 zur äußeren elektrischen Verbindung elektrisch verbunden werden. Bei diesem Beispiel befindet sich der Halbleiterchip 1c nur mit den ersten inneren Anschlüssen 4a in einer Überlappungsbeziehung.
  • Im vorliegenden Fall kann also auch bei unterschiedlich großen Halbleiterchips 1, beispielsweise den Halbleiterchips 1a, 1b und 1c, derselbe universelle Anschlußrahmen LF verwendet werden, um darauf diese Halbleiterchips 1a, 1b und 1c zu montieren, und es ist nicht notwendig, den Fertigungsablauf signifikant zu modifizieren, und ein notwendiger Spielraum für elektrische Isolation wird zwischen den inneren Anschlüssen 4 beibehalten.
  • Da außerdem bei dieser Ausführungsform die Vielzahl der inneren Anschlüsse 4 unter dem Halbleiterchip 1 liegt, kann die in dem Halbleiterchip 1 erzeugte Wärme leicht durch eine dünne Schicht des Umkapselungsharzes zu den inneren Anschlüssen 4 und dann direkt zu äußeren Anschlüssen 9 übertragen werden, von wo die Wärme dann nach außen abgeleitet wird, was in einer verbesserten Wärmeableitung resultiert.
  • Ferner ist die Anzahl der Anschlüsse der kleineren Halbleiterchips 1 nur mit den ersten inneren Anschlüssen 4a verbunden, und die Anzahl der inneren Anschlüsse 4, die zum elektrischen Verbinden des Halbleiterchips 1 beitragen können, nimmt mit zunehmender Größe des Halbleiterchips 1 zu, und gleichzeitig nimmt die Anzahl Anschlüsse, die zum Leiten der im Halbleiterchip 1 erzeugten Wärme beitragen, mit zunehmender Größe des Halbleiterchips zu, was in einer sehr rationellen und effizienten Anordnung resultiert.
  • Wie ferner die 1b und 2d bis 2f zeigen, kann ein Halbleiterchip 1a, 1b und 1c unterschiedlicher Größe auf dem Anschlußrahmen montiert werden, ohne daß die Bonddrähte 5 in der langen Schleife angeordnet sein müssen.
  • Die 3a und 3b zeigen eine andere Ausführungsform des Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der Erfindung ist. 3b ist ein Schnitt entlang der Linie A-A' von 3a. Dabei ist eine elektrisch isolierende Schicht 7 in Form eines Bilderrahmens an den inneren Anschlüssen 4 in der Nähe des Umfangsrandbereichs der unteren Oberfläche des Halbleiterchips 1 angebracht, so daß die elektrische Isolation zwischen der unteren Oberfläche des Halbleiterchips 2 und den inneren Anschlüssen 4 zuverlässig ist. Die elektrisch isolierende Schicht 7 kann aus jedem bekannten geeigneten elektrischen Isoliermaterial herge-stellt sein. Bevorzugt hat das Isoliermaterial gute Wärme-leitfähigkeit. Die Chipkontaktstelle 2 stützt den Halb-leiterchip 1 über das nicht gezeigte Bondmittel ab.
  • Die 4a und 4b zeigen eine weitere Ausführungsform des Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der Erfindung ist. 4b ist ein Schnitt entlang der Linie A-A' von 4a. Bei dieser Ausführungsform ist eine quadratische, elektrisch isolierende Platte 8 aus einem elektrisch isolierenden und stoßdämmenden Material hoher Wärmeleitfähigkeit, beispielsweise Keramik, über das Bond-mittel 3 zwischen der unteren Oberfläche des Halbleiterchips 1 und der Chipkontaktstelle 2 angebracht. Es ist ersichtlich, daß sich die elektrisch isolierende Platte 8 über die inneren Anschlüsse 4 über den Umfangsrand des Halbleiterchips 1 hinaus erstreckt. Somit ist die Platte zum Teil zwischen dem Halbleiterchip 1 und den inneren Anschlüssen 4 angeordnet. Bei dieser Anordnung sind die elektrische Isolation, die stoßdämmende Charakteristik und die Wärmeleitfähigkeit zwischen dem Halbleiterchip 1 und der Chipkontaktstelle 2 sowie den inneren Anschlüssen 4 wesentlich verbessert.
  • 5 zeigt ein Viertel des erfindungsgemäßen, rechteckigen Anschlußrahmens LF einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der Erfindung ist. Bei dieser Ausführungsform umfaßt der Anschlußrahmen LF einen Rahmen F (von dem nur ein kleiner Bereich zu sehen ist), eine Chipkontaktstelle 2, ein Stützbein 11 für die Chipkontaktstelle sowie eine erste, zweite und dritte Art von inneren Anschlüssen 12, 13 bzw. 14. Das Stützbein 11 sowie die inneren Anschlüsse 12, 13 und 14 sind von dem Rahmen F abgestützt. Die inneren Anschlüsse haben jeweils verschiedene Länge mit jeweils einer oder mehreren Teilungen. Außerdem verläuft wenigstens eine Art der inneren Anschlüsse 12, 13 oder 14 im wesentlichen radial zu einem Umfangsbereich der Chipkontaktstelle 2 in Richtung zu dem zentralen Punkt CP.
  • Bei dieser Ausführungsform hat die Chipkontaktstelle 2 Kreisgestalt, und die inneren Enden 12a der ersten Art von inneren Anschlüssen 12 liegen nahe an der Chipkontaktstelle 2 und umgeben sie. Die inneren Anschlüsse 13 der zweiten Art sind zwischen den inneren Anschlüssen 12 der ersten Art positioniert, und ihre inneren Enden 13a sind etwas entfernt von dem Umfangsrand der kreisförmigen Chipkontaktstelle 2 so positioniert, daß sie die Chipkontaktstelle 2 konzentrisch umgeben. Die inneren Anschlüsse 14 der dritten Art sind zwischen den inneren Anschlüssen 12 der ersten Art und den inneren Anschlüssen 13 der zweiten Art positioniert, und ihre inneren Enden 14a sind von der Chipkontkatstelle 2 weit entfernt und umgeben diese konzentrisch. Somit sind die inneren Anschlüsse 12 der ersten Art und die inneren Anschlüsse 13 der zweiten Art in der Umfangsrichtung der kreisrunden Chipkontaktstelle 2 an der Position angeordnet, die jedem fünften Anschluß entspricht, bzw. sind an jeder fünften Anschlußteilung positioniert. Dagegen sind die inneren Anschlüsse 14 der dritten Art an jeder zweiten Anschlußteilung positioniert.
  • Bei dieser Ausführungsform wird während der Fertigung der Halbleiterchip 1c der kleinsten Größe, wie er in 2a gezeigt ist, mit der Chipkontaktstelle 2 haftend verbunden und davon gehaltert und durch die Bonddrähte 5 nur mit den ersten inneren Anschlüssen 12 elektrisch verbunden. Der Halbleiterchip 1b mittlerer Größe, wie er in 2b gezeigt ist, kann zusätzlich zu den vorgenannten Elementen auch von den zweiten inneren Anschlüssen 13 abgestützt sein. Der größte Halbleiterchip 1a, wie er in 2c gezeigt ist, kann zusätzlich zu den ersten und zweiten inneren Anschlüssen 12 und 13 auch von den dritten inneren Anschlüssen 14 abgestützt sein. So wird der kleinere Halbleiterchip 1c nur von den ersten inneren Anschlüssen 12 abgestützt, und die Anzahl der inneren Anschlüsse, die zu der Abstützung des Halbleiterchips während der Fertigung beiträgt, steigt mit zunehmender Größe des Halbleiterchips, was eine sehr vorteilhafte Anordnung ist.
  • 6 zeigt eine andere Ausführungsform, bei der die Grundkonstruktion des erfindungsgemäßen Anschlußrahmens LF ähnlich derjenigen von 5 ist. Dabei umfaßt der Anschlußrahmen für das Halbleiterbauelement eine Chipkontaktstelle 2, ein Stützbein 21 für die Chipkontaktstelle 21 und innere Anschlüsse 22, 23 bzw. 24 der ersten, zweiten bzw. dritten Art, die jeweils verschiedene Länge mit jeweils einer oder mehreren Teilungen haben. Außerdem erstreckt sich wenigstens eine Art der inneren Anschlüsse 22, 23 oder 24 zu dem zentralen Punkt CP des Anschlußrahmens LF und zu einem Umfangsbereich des Halbleiterchips.
  • Aus einem Vergleich von 6 mit 5 ist ersichtlich, daß die ersten und die zweiten inneren Anschlüsse 22 und 23 mit ein oder zwei dreieckigen, zusätzlichen erweiterten Flächen 22b und 23b versehen sind, die die Zwischenräume zwischen den radial verlaufenden benachbarten inneren Anschlüssen ausfüllen. Die erweiterten Flächen 22b und 23b befinden sich größtenteils an dem inneren Endbereich der inneren Anschlüsse. Daher werden diese erweiterten Flächen 22b und 23b in Kontakt mit dem Halbleiterchip 1 gebracht, und dadurch wird die Wärmeleitung von dem Halbleiterchip 1 zu den inneren Anschlüssen 22 und 23 verbessert, was in einer verbesserten Wärmeableitung von dem Halbleiterbauelement resultiert.
  • 7 zeigt eine Ausführungsform, die nicht Gegenstand der Erfindung ist, bei der die Grundkonstruktion des erfindungsgemäßen Anschlußrahmens LF für das Halbleiterbauelement ähnlich derjenigen von 5 ist. Es ist jedoch ersichtlich, daß die Chipkontaktstelle und das sie halternde Stützbein von dem Anschlußrahmen LF dieser Ausführungsform entfernt sind und der Anschlußrahmen LF innere Anschlüsse 32, 33 und 34 einer ersten, zweiten und dritten Art ähnlich denen von 5 aufweist. Diese inneren Anschlüsse 32, 33 und 34 haben verschiedene Längen mit ein oder mehreren Teilungen. Außerdem verlaufen die ersten inneren Anschlüsse 32 bis zu einer Position, die derjenigen entspricht, die die entfernte kreisrunde Chipkontaktstelle eng umschließt. Bei dieser Ausführungsform ist das die Chipkontaktstelle halternde Stützbein 11, das in 5 gezeigt ist, an der Position abgeschnitten, die den inneren Enden der dritten inneren Anschlüsse 34 entspricht, um ein zusätzlicher dritter innerer Anschluß 34 zu werden.
  • Bei dieser Ausführungsform kann der Halbleiterchip 1 während der Herstellung ohne die Notwendigkeit für eine Chipkontaktstelle abgestützt und elektrisch verbunden werden. Da keine Chipkontaktstelle vorgesehen ist, wird das Fließen der Harzschmelze in den Gießhohlraum beim Gießen nicht durch die Chipkontaktstelle und das Stützbein behindert und ist daher gleichmäßig. Auch wird das Problem einer Verlagerung der Chipkontaktstelle infolge von ungleichmäßig verteiltem Umkapselungsharz beseitigt.
  • 8 zeigt eine Ausführungsform 1, die nicht Gegenstand der Erfindung ist, wobei die Grundkonstruktion des erfindungsgemäßen Anschlußrahmens LF für das Halbleiterbauelement derjenigen von 5 gleicht.
  • Es ist aber ersichtlich, daß die Chipkontaktstelle und das sie halternde Stützbein, die bei der Ausführungsform von 5 vorgesehen sind, vollständig aus dem Anschlußrahmen LF dieser Ausführungsform entfernt sind und daß der Anschlußrahmen LF innere Zuleitungen 42, 43 und 44 der ersten, zweiten und dritten Art ähnlich denen von 5 aufweist. Diese inneren Anschlüsse 42, 43 und 44 haben bei jeder Teilung oder einer Vielzahl von Teilungen verschiedene Längen. Auch verlaufen die ersten inneren Anschlüsse 42 bis zu einer Position entsprechend derjenigen, die die entfernte kreisrunde Chipkontaktstelle eng umschließt. Bei dieser Ausführungsform ist das Stützbein 11 für die Chipkontaktstelle gemäß 5 aus der Position, die den inneren Enden der dritten inneren Anschlüsse 33 entspricht, vollständig entfernt, um eine Fließbahn 40 für die Harzschmelze während des Gießvorgangs zu definieren.
  • Bei dieser Ausführungsform ist der Halbleiterchip 1 ohne die Notwendigkeit für die Chipkontaktstelle gehaltert und elektrisch verbunden. Da keine Chipkontaktstelle vorgesehen ist, ist das Fließen der Harzschmelze in den Gießhohlraum durch die Fließbahn 40 gewährleistet und wird während des Gießvorgangs nicht durch die Chipkontaktstelle und das Stützbein behindert und ist daher gleichmäßig. Außerdem wird das Problem einer Verlagerung der Chipkontaktstelle infolge von ungleichmäßig sich ausbreitendem Umkapselungsharz beseitigt.
  • 9a zeigt ein Halbleiterbauelement, das nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, bei dem ein Anschlußrahmen LF mit Stützbeinen 150 für die Chipkontaktstelle verwendet wird, um daran einen Halbleiterchip 1 zu montieren. Der Anschlußrahmen LF kann einer von denen sein, die in den 5 bis 7 gezeigt sind.
  • 9b zeigt ein Halbleiterbauelement, das nicht Gegenstand der Erfindung ist, bei dem ein Halbleiterchip 1 an einem Anschlußrahmen LF montiert ist, der keine Stützbeine für eine Chipkontaktstelle hat und bei dem ein dem Stützbein 150 entsprechender Zwischenraum 50 vor-gesehen ist. Dieser Anschlußrahmen LF kann der in 8 gezeigte sein.
  • 10a zeigt mit Hilfe von Pfeilen das Fließen der Harzschmelze in einem Gießhohlraum MC, wenn der erfindungsgemäße Anschlußrahmen LF mit den Stützbeinen für die Chipkontaktstelle und mit dem Halbleiterchip 1 entsprechend 9a in der Gießform MD angebracht ist. 10b zeigt mit Hilfe von Pfeilen das Fließen der Harzschmelze in einem Gießhohlraum MC, wenn der erfindungsgemäße Anschlußrahmen LF ohne die Stützbeine für die Chipkontaktstelle und der Halbleiterchip 1 entsprechend 9b in der Gießform angebracht sind.
  • Wenn, wie 10a zeigt, der Anschlußrahmen LF mit dem Stützbein 150 (9a) verwendet wird, fließt die Harzschmelze, die von dem Angußkanal 50a des Gießwerkzeugs MD durch einen unter dem Anschlußrahmen LF definierten Kanal P eingespritzt wird, zum Teil in den unteren Raum unter dem Anschlußrahmen LF und zum Teil auch um die Seiten des Stützbeins 150 herum, wobei sie enge Zwischenräume zwischen den Anschlüssen 44 und dem Stützbein 150 durchsetzt (siehe 9a), um den oberen Raum über dem Anschlußrahmen LF auszufüllen. Daher wird das Aufwärtsfließen des Harzes durch die Anschlüsse 4 und das Stützbein 150 etwas behindert, so daß die Harzmenge, die in den oberne Raum eingeleitet wird, geringer als diejenige ist, die in den unteren Raum eingeleitet wird. Das führt zu einer Druckdifferenz in der Harzschmelze, wodurch die Chipkontaktstelle 2 gemeinsam mit dem Halbleiterchip 1 innerhalb des Gießhohlraums MC gehoben werden kann. Da ein modernes Halbleiterbauelement vom Vielfachanschluß-Bausteintyp eine sehr kleine Dickendimension hat, die eine geringe Hohlraumhöhe verlangt, kann eine Aufwärtsverlagerung der Chipkontaktstelle 2 und des Halbleiterchips 1 in der Gießform MD dazu führen, daß die Bonddrähte 5 an der äußeren Oberfläche des Kapselungsharzes 6 freiliegen, was natürlich ein inakzeptabler Defekt des Halbleiterbauelements ist.
  • Wenn in dem Anschlußrahmen LF keine Chipkontaktstelle und kein sie tragendes Stützbein vorgesehen ist, wie das in den 9b und 10b gezeigt ist, kann das Fließen (mit den Pfeilen in 10b bezeichnet) der Harzschmelze, die durch den Angußkanal 50 in den Formhohlraum MC eingeleitet wird, im wesentlichen ungehindert erfolgen und sich gleichmäßig in dem oberen und unteren Raum verteilen, und das Gießharz füllt den Hohlraum MC unter gleichförmigem Druck, so daß keine Verlagerung der Chipkontaktstelle 2 und des Halbleiterchips 1 in dem Hohlraum MC stattfindet, wie oben erläutert wurde, wodurch die Ausbeuten der Halbleiterbauelemente gesteigert werden.
  • 11 zeigt eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Anschlußrahmens LF des Halbleiterbauelements. Der Anschlußrahmen LF dieser Ausführungsform ist grundsätzlich gleichartig wie der Anschlußrahmen LF von 5. Die Struktur dieser Ausführungsform unterscheidet sich von derjenigen in 5 dadurch, daß ihre inneren Anschlüsse 104, 105, 106 sämtlich leicht gekröpfte Bereiche 104b, 105b und 106b haben oder zweimal rechtwinklig in entgegengesetzten Richtungen an einer Position abgebogen sind, die von der Chipkontaktstelle 1 oder von dem zentralen Punkt CP um eine gleiche Distanz entfernt ist, so daß die Endbereiche 104a, 105a und 106a an unterschiedlichen radialen Positionen gemeinsam mit der Chipkontaktstelle 2 unter der Ebene des Anschlußrahmens LF liegen. Anders ausgedrückt sind die Chipkontaktstelle 2 und die sie umgebenden Bereiche der inneren Anschlüsse 104 bis 106 abgesenkt. Die flache Kröpfung der inneren Anschlüsse 104 bis 106 ist am besten aus den Seitenansichten der inneren Anschlüsse 104 bis 106 zu sehen, die unter der Draufsicht auf den Anschlußrahmen LF in 11 vorgesehen sind. Diese Absenkung dient dem Zweck, die äußeren Anschlüsse 9 nahe an die zentrale Ebene des Halbleiterchips 1 zu bringen. Die Tiefe der Absenkung kann bevorzugt gleich der halben Dicke des Halbleiterchips 1 sein, so daß der Halbleiterchip 1 innerhalb des Kapselungsharzes 6 in der Dickenrichtung zentral positioniert sein kann, auch wenn ein symmetrisches Gießwerkzeug MD verwendet wird.
  • 12 zeigt eine Ausführungsform eines Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der Erfindung ist, wobei das gezeigte Halbleiterbauelement vom QFP-Typ (vom quadratischen Flachgehäusetyp) einen Halbleiterchip 61, einen Anschlußrahmen 62 beispielsweise aus 42-Legierung (Warenname) mit einer Vielzahl von geraden inneren Anschlüssen unterschiedlicher Länge, ein Wärmeausbreitungselement 63 beispielsweise aus Kupfer und ein Gießharz 64 aufweist, das den auf dem Anschlußrahmen 62 montierten Halbleiterchip 61 umkapselt. Bei dieser Ausführungsform ist der Halbleiterchip 61 von den inneren Endbereichen der inneren Anschlüsse des Anschlußrahmens 62 gehaltert, der ähnlich wie in den 7 und 8 ausgebildet ist und keine Chipkontaktstelle aufweist. Es ist ersichtlich, daß das Wärmeausbreitungselement 63 in Gestalt einer Platte in dem Umkapselungsharz 64 unterhalb des Anschlußrahmens 62 eingebettet ist, um die Wärmeableitung des Halbleiterbauelements weiter zu verbessern, die bereits durch die angegebene Konstruktion signifikant verbessert ist, bei der der Halbleiterchip 61 mit einer Reihe von Wärmeableitungsbahnen durch die Vielzahl von inneren Anschlüssen versehen ist. Das Wärmeausbreitungselement 63 kann von jedem bekannten Typ sein und kann an seinen vier Ecken von Stützbeinen 65 abgestützt sein, die das Wärmeausbreitungselement 63 aus derselben Ebene wie der Anschlußrahmen 62 hängend tragen.
  • 13 zeigt eine andere Ausführungsform des Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der Erfindung ist, wobei das gezeigte Halbleiterbauelement vom QFP-Typ folgendes aufweist: einen Halbleiterchip 71, einen Anschlußrahmen 72 etwa aus 42-Legierung (Warenname) mit einer Vielzahl von gekröpften inneren Anschlüssen verschiedener Länge, ein Wärmeausbreitungselement 73 aus Kupfer und ein Gießharz 74, das den Halbleiterchip 71 und den Anschlußrahmen 73 einkapselt. Bei dieser Ausführungsform ist der Halbleiterchip 71 von den inneren Endbereichen der inneren Anschlüsse des Anschlußrahmens 72 abgestützt, der einen gleichartigen Aufbau wie in 11 hat, wobei keine Chipkontaktstelle vorgesehen ist und die inneren Enden der inneren Anschlüsse bei 72a gekröpft sind, so daß sie um den Halbleiterchip 71 herum eine Absenkung definieren. Es ist ersichtlich, daß das Wärmeausbreitungselement 73 mit Stützbeinen 75 in dem Kapselungsharz 74 eingebettet ist, um dadurch die Wärmeableitung des Halbleiterbauelements weiter zu verbessern, die bereits durch die Struktur der Erfindung bedeutend verbessert ist, bei der der Halbleiterchip 71 mit einer Reihe von Wärmeleitungsbahnen durch die Vielzahl von inneren Anschlüssen versehen ist.
  • 14 zeigt eine noch weitere Ausführungsform eines Halbleiterbauelements, das nicht Gegenstand der Erfindung ist, wobei das gezeigte Halbleiterbauelement vom QFP-Typ folgendes aufweist: einen Halbleiterchip 81, einen Anschlußrahmen 82 beispielsweise aus 42-Legierung (Warenname) mit einer Vielzahl von gekröpften inneren Anschlüssen unterschiedlicher Länge, ein Wärmeausbreitungselement 83 aus Kupfer und ein Gießharz 84, das den Halbleiterchip 81 und den Anschlußrahmen 82 umkapselt. Bei dieser Ausführungsform ist der Halbleiterchip 81 von den inneren Endbereichen der inneren Anschlüsse des Anschlußrahmens 82 abgestützt, der ähnliche Struktur wie in 11 hat, wobei keine Chipkontaktstelle vorgesehen ist und die inneren Enden der inneren Anschlüsse bei 82a gekröpft sind, um eine Absenkung um den Halbleiterchip 81 herum zu definieren. Ein Wärmeausbreitungselement 83, das von Stützstiften 85 abgestützt ist, ist in dem Umkapselungsharz 84 unter dem Anschlußrahmen 82 eingebettet, um die Wärmeableitung des Halbleiterbauelements weiter zu verbessern, die durch die Struktur der Erfindung bereits signifikant verbessert ist, bei der der Halbleiterchip 81 mit einer gorßen Anzahl von Wärmeleitbahnen durch die inneren Anschlüsse versehen ist, die sich tief unter den Halbleiterchip 81 erstrecken. Bei dieser Ausführungsform hat das Wärmeausbreitungselement 83 einen Wärmeblock 83a, dessen eine Oberfläche an der Unterseite des Kapselungsharzes 84 nach außen freiliegt, so daß die Wärmeableitung des Halbleiterbauelements noch weiter verbessert ist.
  • Wie beschrieben wurde, umfaßt das Halbleiterbauelement, das nicht Gegenstand der Erfindung ist, einen Halbleiterchip, eine Vielzahl von Anschlüssen mit ersten inneren Anschlüssen und zweiten inneren Anschlüssen, die von einem zentralen Punkt des Halbleiterchips im wesentlichen radial ausgehen, elektrische Zuleitungen, die den Halbleiterchip elektrisch mit den inneren Anschlüssen verbinden, und ein Umkapselungsharz zum Umkapseln des Halbleiterchips, der elektrischen Zuleitungen und der inneren Anschlüsse. Jeder erste innere Anschluß hat ein erstes inneres Ende, das in der Nähe des zentralen Punkts liegt, und jeder zweite innere Anschluß hat ein zweites inneres Ende, das von dem zentralen Punkt weiter entfernt als das erste innere Ende ist; und die ersten und die zweiten inneren Anschlüsse sind im wesentlichen alternierend angeordnet. Die Anordnung ist also derart, daß sich wenigstens einige der inneren Anschlüsse unter den Halbleiterchip erstrecken und Wärmeleitungsbahnen bilden. Somit kann ein Halbleiterbauelement erhalten werden, in dem irgendein Halbleiterchip unterschiedlicher Gestalt und Größe an demselben universellen Anschlußrahmen montiert ist, ohne eine wesentliche Änderung der Montagetechnik zu erfordern, und auch die Wärmeableitung wird dabei verbessert.. Außerdem eignet sich der Anschlußrahmen der Erfindung besonders zur Fertigung des Halbleiterbauelements und kann mit einem Stanzverfahren hergestellt werden, das billiger als ein Ätzverfahren ist.

Claims (8)

  1. Anschlußrahmen, mit – einem Rahmen (LF); und – einer Vielzahl von Anschlüssen (4), die von dem Rahmen (LF) gehaltert sind und erste innere Anschlüsse (4a), zweite innere Anschlüsse (4b) und dritte innere Anschlüsse (4c) aufweisen, die sich radial im wesentlichen zu einem zentralen Punkt (CP) des Rahmens erstrecken, wobei jeder erste innere Anschluß (4a) ein erstes inneres Ende (15a), jeder zweite innere Anschluß (4b) ein zweites inneres Ende (15b) und jeder dritte innere Anschluß (4c) ein drittes inneres Ende (15c) hat und die ersten, zweiten und dritten inneren Anschlüsse (4a, 4b, 4c) zyklisch angeordnet sind, und das erste innere Ende (15a) in der Nähe des zentralen Punkts (CP) liegt, das zweite innere Ende (15b) von dem zentralen Punkt (CP) weiter als das erste innere Ende (15a) entfernt ist, und das dritte innere Ende (15c) von dem zentralen Punkt (CP) weiter als das zweite innere Ende (15b) entfernt ist, so daß zwischen den inneren Anschlüssen (4) jeweils ein erforderlicher Zwischenraum beibehalten wird, und wobei der Anschlussrahmen ferner eine Chipkontaktstelle (2) zum Abstützen eines Halbleiterchips (1) aufweist, die innerhalb des Rahmens (LF) und der Innenseite der ersten inneren Enden (15a) angeordnet ist und über zwischen dem Rahmen (LF) und der Chipkontaktstelle (2) angeordnete Stützbeine (11) abgestützt wird.
  2. Anschlußrahmen nach Anspruch 1, wobei die Chipkontaktstelle (2) in einer Ebene liegt, die sich von der Ebene unterscheidet, in der die inneren Anschlüsse (4a, 4b, 4c) liegen.
  3. Anschlußrahmen nach Anspruch 1 oder 2, wobei die inneren Anschlüsse (4a, 4b, 4c) derart ausgeführt sind, dass sie zumindest teilweise in einer Überlappungsbeziehung mit einem auf der Chipkontaktstelle (2) abgestützten Halbleiterchip (1) stehen können.
  4. Anschlußrahmen nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei wenigstens einer der inneren Anschlüsse (4a, 4b, 4e) entfernt ist, um ein gleichmäßiges Fließen von geschmolzenem Umkapselungsharz (6) zuzulassen.
  5. Anschlußrahmen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die inneren Anschlüsse (4a, 4b, 4c) gekröpft sind, um innere Abschnitte der inneren Anschlüsse zu bilden, die in einer Ebene liegen, die parallel zu der den Rahmen enthaltenden Ebene, aber davon verschieden ist.
  6. Anschlußrahmen nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei auf der Chipkontaktstelle (2) eine Schicht eines elektrisch isolierenden Bondmittels (3) angebracht ist, über welche ein Halbleiterchip (1a) zuhalten ist.
  7. Anschlußrahmen nach Anspruch 6, wobei das Bondmittel (3) ein guter Wärmeleiter ist.
  8. Anschlußrahmen nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei ein elektrisch isolierender guter Wärmeleiter (7, 8) auf den inneren Anschlüssen (4) und/oder auf der Chipkontaktstelle (2) angeordnet ist.
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