DE2931449C2 - - Google Patents

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Hidetoshi Fuchu Tokio/Tokyo Jp Mochizuki
Akira Ohme Tokio/Tokyo Jp Suzuki
Yoshio Adachi
Hideki Kodaira Tokio/Tokyo Jp Kosaka
Gen Machida Tokio/Tokyo Jp Murakami
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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Gattung sowie einen Leitungsrahmen aus Metallfolie zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung.
Eine derartige Halbleitervorrichtung und ein derartiger Leitungsrahmen sind aus FR-A-20 20 723 bekannt. Bei dem dort gezeigten Leitungsrahmen ist das rechteckige Trägerelement, das zur Aufnahme von Halbleiterbauelementen dient, mit einem Rahmenteil über vier Halteleitungen verbunden, die jeweils mittig an den vier Seiten des Trägerelements ansetzen und zur Mitte des jeweils betreffenden der vier Stege des rechteckigen Rahmenteils verlaufen.
Bei steigender Anzahl der aus der gleichen Metallfolie geformten Anschlußleitungen müssen sowohl diese selbst wie auch die Halteleitungen schmäler ausgeführt werden, falls nicht eine Vergrößerung der Gesamtabmessungen der fertigen Halbleitervorrichtung in Kauf genommen werden soll. Um eine Verschmälerung der Leitungen (auf beispielsweise 0,3 mm) zu erzielen, muß aus stanztechnischen Gründen die Dicke der Me­ tallfolie (beispielsweise auf 0,15 mm) reduziert werden. In­ folgedessen wird das Trägerelement gegen die Einwirkung äuße­ rer Kräfte empfindlich. Derartige Kräfte treten vor allem beim Anbringen der Halbleiterbauelemente und beim Einbetten in Kunstharz auf. Beide Vorgänge können zu Verformungen des Trä­ gerelements führen, die vor allem beim Vergießen mit dem Kunstharz zu einem Bruch der die inneren Enden der Anschlußleitun­ gen mit den Halbleiterbauelementen verbindenden Drähte führen können. Außerdem können beim Einfließen des Kunstharzes Wirbel und Luftblasen entstehen, die nicht nur den optischen Eindruck der fertigen Halbleitervorrichtung, sondern auch deren Feuch­ tigkeitsbeständigkeit beeinträchtigen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halblei­ tervorrichtung sowie einen Leitungsrahmen dafür anzugeben, bei der bzw. bei dem das Trägerelement während der Montage siche­ rer und weniger beweglich gehalten ist.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im Kenn­ zeichenteil des Anspruchs 1 bzw. dem des Anspruchs 5 angege­ ben. Dadurch, daß die Halteleitungen an den vier Ecken des rechteckigen Trägerelements ansetzen, werden diesem am wei­ testen herausragenden Bereiche unmittelbar gehalten, so daß das Trägerelement auch dann, wenn es zur Erzielung schmälerer Leitungen aus einer dünnen Metallfolie geformt ist, bei Ein­ wirken von Kräften weniger stark zu Form- und Lageänderungen neigt.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend an­ hand der Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines Leitungsrahmens,
Fig. 2 den Leitungsrahmen nach Fig. 1 mit weiteren Tei­ len der fertigen Halbleitervorrichtung,
Fig. 3 und 4 vergrößerte Teilansichten der Halbleitervor­ richtung nach Fig. 2,
Fig. 5 eine Draufsicht auf einen Leitungsrahmen gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
Fig. 6 eine vergrößerte perspektivische Teildarstellung einer Halteleitung in dem Leitungsrahmen nach Fig. 5,
Fig. 7 und 8 schematische Ansichten zur Erläuterung der Trennung von einer in den in Fig. 5 gezeigten Leitungs­ rahmen verwendenden Halbleitervorrichtung und einem Rahmenteil des Leitungsrahmens,
Fig. 9 eine vergrößerte Draufsicht eines Harzspritzteils des in Fig. 5 gezeigten Leitungsrahmens, und
Fig. 10 ein Schnitt längs Ebene A-A in Fig. 9.
Fig. 1 ist eine Draufsicht einer Ausführungsform des Leitungsrahmens gemäß der Erfindung. Der Leitungsrahmen wird durch Stanzen oder Ätzen eines dünnen Blechs aus einer Fe-Ni-Co- Legierung oder einer Fe-Ni-Legierung und einer Stärke von 0,15 mm hergestellt. Die Form des Leitungsrahmens ist derart gestaltet, daß ein rechteckiges Trägerelement 12 zur Aufnahme eines Halblei­ terbauelements in der Mitte eines Rahmenteils 10 enthalten ist, der insgesamt rechteckig ist. Das Trägerelement 12 ist an seinen vier Ecken durch vier feine, radial verlaufende Halteleitungen 13 mit dem Rahmenteil 10 verbunden. Eine Anzahl von Leitungen 14 erstreckt sich zum Rand des Trägerelements 12, d. h. zu seinen vier Seiten. In Fig. 1 sind nur zwei zum Trägerelement 12 verlaufende Leitungen 14 gezeigt, um die Darstellung übersichtlich zu halten. Die Leitungen 14 enden mit ihrem einen Ende in der Umgebung der Umfangskante des Trägerelements 12. Das andere Ende der Leitungen 14 ist mit dem Rahmenteil 10 verbunden. Um ein Überlaufen des während des Formungsvorganges flüssigen Harzes zu vermeiden, sind Damm­ stücke 15 zwischen aneinander angrenzenden Leitungen vorge­ sehen. Ferner ist der Rahmenteil 10 mit Führungslöchern 16 versehen. L-förmige Öffnungen L 1, L 2 und L 3 sind in Teilen des Rahmenteils 10 vorgesehen, die in der Nähe der Halteleitungen 13 liegen. Langlöcher M 1, M 2, M 3 und M 4 sind in der Nähe der anderen Enden der Leitungen 14 vorgesehen. Die Funktion der Öffnungen und Löcher L 1 bis L 3 und M 1 bis M 4 wird später beschrieben. In Fig. 1 ist das Muster eines Leitungsrahmens in einem Be­ reich für die Ausbildung einer einzigen Halbleitervorrichtung darin dargestellt. Tatsächlich jedoch werden solche Muster kontinuierlich in langer und schmaler Form ausgebildet.
Die Halbleitervorrichtung, die den beschriebenen Lei­ tungsrahmen verwendet, wird in der folgenden Reihenfolge zusammengebaut:
Zuerst wird, wie in Fig. 2 dargestellt, das Halbleiterbau­ element 11 direkt auf das Trägerelement 12 des Leitungs­ rahmens gebondet. Dieses Halbleiterbauelement 11 besteht aus Silizium und enthält eine Reihe von Transistoren. In den Randteilen des Halbleiterbauelements 11 sind Anschlußfelder P 1, P 2, . . . aus Aluminium zur Verbindung mit den Leitungen 14 des Leitungsrahmens durch Golddrähte in im wesentlichen der gleichen Zahl wie die Leitungen 14 vorgesehen.
Zum Bonden des Halbleiterbauelements 11 auf das Trägerelement 12 wird folgendes Verfahren verwendet. Die Seite des Halbleiterbauele­ ments, auf der die Anschlußflecken angeordnet sind, wird durch eine das Halbleiterbauelement festhaltende Auf­ spannvorrichtung festgehalten. Während die Aufspannvorrichtung in Schwingungen versetzt ist, wird das Halbleiterbauelement 11 auf die erwähnte Oberfläche des Trägerelements 12, auf der eine Goldfolie 30 angeordnet ist, gebondet. Da das Halbleiterbauelement aus Silizium besteht, bildet es mit der Goldfolie eine eutektische Legierung aus und wird in perfekter Weise auf die Oberfläche des Trägerelements 12 gebondet.
Nachfolgend werden die Aluminium-Anschlußfelder P 1, P 2 . . . des Halbleiterbauelements und die dem Trägerelement 12 näher liegenden Enden der Leitungen 14 jeweils durch Golddrähte w 1, w 2 . . . miteinander verbunden.
Danach wird Harz, beispielsweise Epoxyharz, in Richtung eines Pfeiles C gegossen. Dadurch werden die Leitungen 14, das Trägerelement 12, die Halteleitungen 13, die Golddrähte w 1, w 2, . . . und das Halbleiterbauelement 11, die innerhalb des Dammstückes 15 vorliegen, durch das Harz vollkommen geschützt. Eine strichpunktierte Linie 17 gibt einen durch das Harz gebildeten Formgießteil an. Wie aus Fig. 3 deutlich ersichtlich, wird die Ecke des Formgießteils 17, die sich mit der Halteleitung 13 schneidet, so gegossen, daß sie eine Abschneidfläche 18 aufweist, die die Halteleitung 13 in rechtem Winkel schnei­ det. Dies geschieht, um zu verhindern, daß die Eckteile des Formgießteils mit abgeschnitten werden, wenn später die Halteleitungen an ihren Fußpunkten abgeschnitten werden.
Entsprechend der Schraffierung in Fig. 2 werden die Dammstücke 15 und die entfernt vom Trägerelement 12 liegenden End­ teile 31 der Leitungen 14 abgeschnitten. Da die Haltelei­ tungen 13 nicht vom Rahmenteil 10 getrennt werden, wird die Halbleitervorrichtung, die den Gießteil 17 und die Anzahl von getrennten Leitungen 14 umfaßt, über die Halteleitungen 13 durch den Rahmenteil 10 gehalten.
In diesem Zustand der Halbleitervorrichtung werden ihre elektrischen Eigenschaften geprüft und auf der Oberseite des Gießteils 17 Qualitätskennzeichnungen usw. aufgedruckt.
Danach wird die Halbleitervorrichtung vom Rahmenteil 10 des Leitungsrahmens durch Abschneiden der Halteleitungen 13 an den Ecken 18 des Gießteils getrennt.
Auf diese Weise erhält man eine Halbleitervorrichtung mit flachen Zuleitungen 14 aus dem in Fig. 1 gezeigten Lei­ tungsrahmen. Im Falle der Herstellung von Dual-in-line-Halb­ leitervorrichtungen durch Abbiegen der aus dem Gießteil 17 lang hervorragenden Leitungen 14 nach unten erfolgt das Biegen der Leitungen 14 gleichzeitig mit dem Abschneiden der Halte­ leitungen 13.
Mit dem Leitungsrahmen obiger Ausführungsform sind fol­ gende Wirkungen zu erwarten:
  • (A) Das rechteckige Trägerelement 12 zur Aufnahme des Halbleiterbauele­ ments 11 wird durch die vier Halteleitungen 13 gehal­ ten, die sich längs der Diagonalen des Trägerelements 12 erstrecken. Da­ her ist dieses Trägerelement 12 nur schwierig zu bewegen oder zu neigen und zeigt eine ausgezeichnete Starrheit. Dementsprechend ergeben sich folgende Vorteile.
    • 1. Beim automatischen Anbringen des Halbleiterbauelements 11 auf dem Trägerelement 12 läßt sich die gewünschte räumliche Anord­ nung des Halbleiterbauelements 11 bezüglich des Trägerelements 12 zuver­ lässig durchführen. Deshalb geschieht auch das Bonden der Drähte w 1, w 2, . . . zum Verbinden der Bondfelder P 1, P 2, . . . des Halbleiterbauelements 11 mit den Leitungen 14 zuverlässig. Das heißt, selbst in Fällen von Halbleitervorrichtungen, die viele nahe beieinanderliegende Leitungen aufweisen, ist die Automatisierung des Anbringens des Halbleiterbauelements 11 sowie das Drahtbonden mit der Leitungsrahmenstruktur sehr einfach.
    • 2. Beim Anbringen des Halbleiterbauelements 11 am Trägerelement 12 durch Reiben mit dem das Halbleiterbauelement festhaltenden Spannstück schwingt das Trägerelement nicht. Infolgedessen erfolgt eine vollkommene Verbindung von Halbleiterbauelement 11 und Trägerelement 12. Dies löst das Problem des Auftretens von Rissen im Halbleiterbauelement.
    • 3. Da das Harz aus dem Bereich eines der Halteleitungen 13, wie durch den Pfeil C in Fig. 2 angedeutet, gegossen wird, neigt sich das Trägerelement 12 nicht. Deshalb kommt es nicht vor, daß starke Kräfte auf die Drähte wirken, die zu einem Drahtbruch führen oder die Drähte miteinander in Berührung bringen könnten.
    • 4. Während des Harzgießens neigt sich das Trägerelement nicht un­ ter der Wirkung des einströmenden Harzes, und ebensowenig entstehen Wirbel als Folge eines Strömungsschattens. Deshalb treten weder im Inneren des Gießteils 17 noch an seiner Ober­ fläche Luftblasen auf. Infolgedessen entsteht selbst bei dünn gehaltenem Harz eine ausgezeichnete Halbleitervorrich­ tung, bei welcher weder die Feuchtigkeitsbeständigkeit noch der optische Eindruck verschlechtert ist.
  • (B) Im Bereich der vom Trägerelement 12 entfernten Enden der Halte­ leitungen 13 und Leitungen 14 sind die Öffnungen und Löcher L 1, L 2, L 3, M 1, M 2, M 3 und M 4 vorgesehen. Dementsprechend ergeben sich die folgenden Vorteile.
  • Während des Aushärtens des Harzes kann verhindert werden, daß der Rahmenteil 10 des Leitungsrahmens zum Trägerelement 12, der im Mittelteil des Leitungsrahmens vorliegt, gezogen wird. Deshalb entstehen keine Verkrümmungen oder Verziehungen des Leitungsrahmens, und das Anordnen oder Umsetzen mit den Füh­ rungslöchern 16 des Leitungsrahmens wird nicht erschwert.
  • (C) Nach dem Abschneiden der Dammstücke 15 und der anderen Endteile 31 der Leitungen 14 wird die Halbleitervorrichtung über die Halteleitungen 13 durch den Rahmenteil 10 gehal­ ten. Dementsprechend ergeben sich die folgenden Vorteile.
    • 1. Bei der Prüfung der elektrischen Eigenschaften und bei der Markierung der einzelnen Halbleitervorrichtungen ist das Umsetzen mit den Führungslöchern 16 des Leitungsrahmens mög­ lich. Das heißt, das Prüfen und Markieren der Halbleitervor­ richtungen kann kontinuierlich geschehen, was die Akkord­ leistung erheblich erhöht.
    • 2. Die Handhabung der einzelnen Halbleitervorrichtungen geschieht in einem Zustand regelmäßiger Anordnung auf einer einzigen Bahn von Leitungsrahmen. Daher können sich die Halbleitervorrichtungen nicht ineinander verhängen. Ein Brechen von Leitungen usw. tritt ebenfalls nicht auf.
    • 3. Die einzelnen Halbleitervorrichtungen können durch Tra­ gen am Rahmenteil 10 des Leitungsrahmens transportiert werden. Daher werden die Leitungen nicht direkt berührt. Infolgedessen tritt ein Brechen der Leitungen usw. nicht auf. Insbesondere wenn das eingegossene Halbleiterbauelement aus mehreren MOS-Transistoren aufgebaut ist, bei denen die Ge­ fahr eines elektrostatischen Durchbruchs besteht, ist ein solcher vermeidbar.
Im folgenden werden Abwandlungen von Ausführungsbeispielen der Erfindung beschrie­ ben.
  • (a) Wie in Fig. 3 gezeigt, ist eine V-förmige Nut 20 in der Halteleitung 13 vorgesehen.
  • Durch Vorsehen dieser Nut 20 läßt sich die Haltelei­ tung in dieser Nut im Durchtrennungsschritt leicht ab­ schneiden.
  • Ferner kann durch diese Nut 20 verhindert werden, daß die Halteleitung beim Kappen herauskommt. Das heißt, die Halteleitung 13 kann an der Nut 20 leicht durchtrennt werden, ohne daß an der Leitung beim Abschneiden stark gezogen wird.
  • Fehlt eine solche Nut 20, besteht die Gefahr, daß die Halteleitung beim Abschneiden abfällt, so daß sich eine Halbleitervorrichtung hoher Zuverlässigkeit wegen einer ver­ schlechterten Feuchtigkeitsbeständigkeit nicht erzielen läßt. Wie aus Fig. 1 ersichtlich, erstreckt sich die Haltelei­ tung 13 nämlich gerade vom Trägerelement 12 weg, wobei ihre Breite im Verbindungspunkt zwischen Trägerelement 12 und Halteleitung 13 sehr klein ist. Wenn daher beim Abschneiden an der Halte­ leitung 13 gezogen wird, besteht die Möglichkeit, daß der Verbindungspunkt hochschnellt, was das Abfallen der Haltelei­ tung bewirkt und die Feuchtigkeitsbeständigkeit verschlech­ tert. Selbst wenn der Verbindungspunkt nicht hochschnellt, wird an der Halteleitung 13 in erheblichem Maße gezogen, so daß die Möglichkeit der Bildung eines freien Raumes zwischen der Halteleitung und dem Harz besteht, was die Feuchtigkeits­ beständigkeit verschlechtert.
  • (b) Wenigstens eine der Halteleitungen kann als Erdleitung verwendet werden. Wie in Fig. 4 dargestellt, setzt sich eine Halteleitung 13 parallel zu den Leitungen 14 fort. Diese Halteleitung 13 wird als Erdleitung verwen­ det.
  • (c) Bei vorstehender Ausführungsform hat die Ecke des Gieß­ teils 17, wie in Fig. 3 gezeigt, eine abgeschnittene Fläche 18. Zur Erzielung einer solchen abgefasten Struktur muß eine entsprechende Form für das Harz verwendet werden. Die Form ist teuer, weil das Ausbilden der Form außerordentlich schwie­ rig ist.
Es ist wünschenswert, die Gießform durch Verwendung einer Form zu ermöglichen, die billig ist.
Ein Leitungsrahmen, wie er in Fig. 5 gezeigt ist, ist als ein Aufbau geeignet, bei welchem die Ecken des Gießteils nicht abgefast sind. Diese Abwandlung ist derart, daß jede der Halteleitungen 13 mit zwei sich im Bereich des Rahmenteils 10 Y-förmig verzweigenden Zweigleitungen 19 versehen ist. Fig. 6 zeigt eine vergrößerte perspektivische Ansicht der Halteleitung 13, die die zwei Zweigleitungen 19 aufweist. Gemäß den Fig. 5 und 6 in den Zweigleitungen 19 vorgesehene V-förmige Nuten 20 dienen zur Erleichterung der Trennung der Halteleitung 13 vom Rahmenteil 10 in ähnlicher Weise wie die weiter obenerwähnten Nuten.
Bei diesem Leitungsrahmen wird das Gießteil entsprechend der strichpunktierten Linie 17 in Fig. 5 ausgebildet. Die Zweigleitungen 19 werden entsprechend den strichpunktierten Linien 32 in Fig. 7 abgeschnitten. Das heißt, die Zweig­ leitungen 19 werden vom Rahmenteil 10 in ihren V-förmigen Nuten 20 abgetrennt. In Fig. 5 sind das Halbleiterbauelement und die Drähte nicht gezeigt, sie sind aber wie in Fig. 2 auf dem Leitungsrahmen angeordnet.
Demzufolge werden bei dem Leitungsrahmen mit solchen Halteleitungen die Eckteile des Gießteils beim Abschneiden der Halteleitungen nicht ab­ geschnitten.
Gemäß dieser abgewandelten Ausführungsform der Erfindung mit den Zweigleitungen 19 ist in noch stärkerem Maße zu er­ warten, daß ein Abfallen der Halteleitungen verhindert ist. Wie im einzelnen in Fig. 8 gezeigt, liegt zwischen den bei­ den Zweigleitungen 19 ein Stück 17′ des Gießteils 17 vor. Dieses Stück 17′ verhindert, daß die Halteleitungen 13 beim Abschneiden der Zweigleitungen 19 zum Rahmenteil 10 hin (in Richtung des Pfeiles D) gezogen werden. Infolgedessen ist ein Abfallen der Halteleitungen in vollkommener Weise verhindert. Somit läßt sich eine Halbleitervorrichtung hoher Feuchtigkeits­ beständigkeit herstellen.
Insbesondere ist bei diesem Leitungsrahmen der Abschnitt der Harzgießöffnung verbessert.
Gemäß Fig. 5 strömt das Harz durch einen Harzgießabschnitt 21 auf das Trägerelement 12 zu. Der Raum in dem Harzgießabschnitt 21, der von den Zweigleitungen 19 und dem Rahmenteil 10 um­ schlossen ist, ist größer ausgebildet als die anderen Räume 40, 41 und 42. Dementsprechend strömt das Harz in ausreichendem Maße zum Trägerelement 12. Dies löst das Problem einer Freilegung des Halbleiterbauelements oder der Drähte usw. infolge eines ungenügenden Einströmens des Harzes. Dieser Punkt wird nun unter Bezugnahme auf Fig. 9, die eine vergrößerte Drauf­ sicht des Harzgießabschnitts 21 ist, und auf Fig. 10, die ein Schnitt längs A-A in Fig. 9 ist, erläutert.
Wie in den Fig. 9 und 10 gezeigt, weisen bei 50 und 50′ angegebene Harzgießformen einen Teil 51, der in engem Kontakt mit dem Leitungsrahmen liegt, und einen Raum 52 auf, der nicht in engem Kontakt mit dem Leitungsrahmen liegt. Das Harz strömt durch den Harzgießabschnitt 21 in den Raum 52 ein und bildet das Gießteil der Halbleitervorrichtung. Der Grund, warum das Harz in ausreichendem Maße in den Raum 52 ein­ strömt, liegt darin, daß, wie in Fig. 10 zu sehen, der Rah­ menteil 10 des Leitungsrahmens in einer Harzgießöffnung 54 der Formen 50 und 50′ nicht vorhanden ist. Das heißt, der Leitungsrahmen wird zwischen den Formen 50 und 50′ so gehal­ ten, daß die Harzgießöffnung 54 am Harzgießabschnitt 21 des Leitungsrahmens liegt.
Wenn der Rahmenteil des Leitungsrahmens an der Harzgieß­ öffnung 54 liegt, wie durch gestrichelte Linien 10′ angedeutet, wird die Breite w 1 der Harzgießöffnung 54 um die Dicke des Leitungsrahmens kleiner. Infolgedessen fließt das Harz (17) nicht in ausreichendem Maße in den Raum 52. Um ein ausreichen­ des Strömen des Harzes (17) in den Raum 52 zu bewirken, können die Breite w 1 der Harzgießöffnung 54 im Hinblick auf die Dicke des Leitungsrahmens größer gemacht werden. Dann ist es jedoch schwierig, eine Halbleitervorrichtung mit dünnem Gießteil herzustellen.
Ferner ist in einem Angußkanal 22, wie in Fig. 10 dar­ gestellt, eine Stufe 60 ausgebildet. Beim Trennen des Gießteils vom Angußkanal wirkt daher ein Zug konzen­ triert an der Stufe 60. Daher werden das Gießteil und der Angußkanal 22 an der Stufe 60 getrennt. Als Folge davon werden die Formen der Angußnasen bei Guß­ artikeln gleichförmig, so daß der Nachteil unregelmäßiger Trennteile vermeidbar ist.
Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung erstrecken sich die vier Halteleitungen strahlenförmig vom Trägerelement zum Rahmenteil des Leitungsrahmens. Dies ist so, weil das Träger­ element rechteckig geformt ist.

Claims (14)

1. Halbleitervorrichtung mit
einem aus einer Metallfolie geformten rechteckigen Trä­ gerelement (12), auf dem ein Halbleiterbauelement (11) ange­ ordnet ist,
vier mit jeweils einem Ende an das Trägerelement (12) an­ geformten Halteleitungen (13),
einer Vielzahl von ebenfalls aus der Metallfolie geform­ ten Anschlußleitungen (14), die sich jeweils mit einem Ende in Richtung des Randes des Trägerelements (12) erstrecken und über Drähte (W 1, W 2 . . .) mit dem Halbleiterbauelement (11) verbunden sind, und
einem das Trägerelement (12), das Halbleiterbauelement (11), die Drähte (W 1, W 2 . . .) und die dem Trägerelement (12) zugewandten Enden der Halte- und der Anschlußleitungen (13, 14) umschließenden Kunstharz-Gießteil (17),
dadurch gekennzeichnet, daß die Halteleitungen (13) an den vier Ecken des Trägerelements (12) ansetzen und sich strahlenförmig weg erstrecken.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Gießteil (17) senkrecht zu den Halteleitun­ gen (13) verlaufende Außenflächen (18) aufweist.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Gießteil (17) rechteckig ist, und daß die vier Halteleitungen (13) in Richtung der vier Ecken des Gieß­ teils (17) verlaufen und sich innerhalb desselben jeweils in zwei senkrecht zu den Außenflächen des Gießteils (17) verlau­ fende Arme (19) verzweigen.
4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Anschlußleitungen (14) auf alle vier Seiten des Trägerelements (12) zu verlaufen.
5. Leitungsrahmen aus Metallfolie zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, mit
einem rechteckigen Trägerelement (12) für ein Halbleiter­ bauelement (11),
vier Halteleitungen (13), die an ihren einen Enden das Trägerelement (12) halten,
einer Vielzahl von Anschlußleitungen (14), die sich je­ weils mit einem Ende in Richtung des Randes des Trägerelements (12) erstrecken, und
einem Rahmenteil (10), das die anderen Enden der Halte- und der Anschlußleitungen (13, 14) hält,
dadurch gekennzeichnet, daß die Halteleitungen (13) die vier Ecken des Trägerelements (12) mit dem Rahmenteil (10) verbinden und strahlenförmig verlaufen.
6. Leitungsrahmen nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die vier Halteleitungen (13) in Verlängerung der Diagonalen des Träger­ elements (12) verlaufen.
7. Leitungsrahmen nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß Anschlußleitungen (14) auf alle vier Seiten des Trägerelements (12) zu verlaufen.
8. Leitungsrahmen nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die auf jede Seite des Trägerelements (12) zu verlaufenden Anschlußleitungen (14) an ihren dem Trägerelement (12) zuge­ wandten Enden durch ein erstes Band (15) gehalten sind.
9. Leitungsrahmen nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die auf jede Seite des Trägerelements (12) zu verlaufenden Anschlußleitungen (14) an ihren dem Rahmenteil (10) zugewandten Enden durch ein zweites Band (31) gehalten sind.
10. Leitungsrahmen nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß jede Halteleitung (13) an ihrem vom Trä­ gerelement (12) abgewandten Ende eine Nut (20) aufweist.
11. Leitungsrahmen nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß sich jede Halteleitung (13) an ihrem dem Rahmenteil (10) zugewandten Ende verzweigt und mit diesem über zwei Arme (19) verbunden ist.
12. Leitungsrahmen nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Arm (19) eine Nut (20) aufweist.
13. Leitungsrahmen nach Anspruch 10 oder 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Nut (20) V-förmig ist.
14. Leitungsrahmen nach einem der Ansprüche 5 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Rahmenteil (10) im Bereich der ihm zu­ gewandten Enden der Halteleitungen (13) jeweils eine L-förmige Öffnung (L 1, L 2, L 3) aufweist.
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