JPS5861654A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5861654A JPS5861654A JP16132981A JP16132981A JPS5861654A JP S5861654 A JPS5861654 A JP S5861654A JP 16132981 A JP16132981 A JP 16132981A JP 16132981 A JP16132981 A JP 16132981A JP S5861654 A JPS5861654 A JP S5861654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- pitch
- lead
- 50mil
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はいわゆるQIP(クアドラインライン パッ
ケージ)型の半導体装置に関するO従来、外部端子の数
が42を越えるようなICチップをパッケージ内に封止
、収納して半導体装置を構成する場合には、次の4通り
の方法がある0 ■ セラミック族のDIP(デュアル イン2イン パ
ッケージ)内に収納する。
ケージ)型の半導体装置に関するO従来、外部端子の数
が42を越えるようなICチップをパッケージ内に封止
、収納して半導体装置を構成する場合には、次の4通り
の方法がある0 ■ セラミック族のDIP(デュアル イン2イン パ
ッケージ)内に収納する。
■ セラミック族のQIP内に収納する。
■ チップキャリア屋のQIP内に収納する。
0 プラスデック製のQIP(通常フラットI(ツクと
称される)内に収納する。
称される)内に収納する。
しかしながら、上記4通りの方法は以下に述べる種々の
問題点がある。まず、■の方法ではセラミック族のパッ
ケージを用いているために信頼性には問題はないが、価
格が高価であり、1*パツケージの二側面から外部リー
ドを導出する構造となっているためにパッケージの容積
が非常に大きなものとなり、プリント配線板に実装する
場合に大きな問題となる。
問題点がある。まず、■の方法ではセラミック族のパッ
ケージを用いているために信頼性には問題はないが、価
格が高価であり、1*パツケージの二側面から外部リー
ドを導出する構造となっているためにパッケージの容積
が非常に大きなものとなり、プリント配線板に実装する
場合に大きな問題となる。
■の方法では、■のDIPと異なり外部リードが四側面
から導出されており、かつリードのピッチもDIPの半
分の50 miA (1,27111)となっており、
パッケージの容積はかなり小さく、またセ゛ラミック製
パッケージなので信頼性には問題はないが、セラミック
族であるために価格が高価となる。
から導出されており、かつリードのピッチもDIPの半
分の50 miA (1,27111)となっており、
パッケージの容積はかなり小さく、またセ゛ラミック製
パッケージなので信頼性には問題はないが、セラミック
族であるために価格が高価となる。
■の方法では、■、■の方法にくらぺてパッケージ本体
の容積の大きさは小さくなり、価格も■、■のものにく
らべて安価となるが、チップの封止が不充分で信頼性上
かなりの問題があ池。
の容積の大きさは小さくなり、価格も■、■のものにく
らべて安価となるが、チップの封止が不充分で信頼性上
かなりの問題があ池。
■の方法は時計用ICや小型計算器用ICによく用いら
れている西側面のそれぞれから外部リードが導出されて
いるものであり、このリードのピッチも■、■の方法に
くらべて、0.8〜1.0−と狭いためにかなり小型で
あり、しかもパッケージがプラスチック族であるために
価格は非常に安価である。しかし、リードピッチが0.
8〜1.0皿というのは日本国内だけの規格であり、国
際的にみると極めて汎用性が低い0゛また時計や小型計
算器用として開発されたものであるために、パンケージ
の厚みも非常に薄く、チップの保護の面から好ましくな
い。さらにリードのピッチ全0.8〜1,0勧と狭くし
ているため、使用されるリードフレームも加工精度の画
工り、DIPプラスチックパッケージに使用されている
ものエリも板厚をかなり薄くしており、このために機椋
的強度が弱く、また小型故に外部リードとパッケージと
の境界部分からチップのパッドまでの距離が短かく、水
分等の汚染物質がチップに侵入し易く、信頼性にかなり
の問題がある。
れている西側面のそれぞれから外部リードが導出されて
いるものであり、このリードのピッチも■、■の方法に
くらべて、0.8〜1.0−と狭いためにかなり小型で
あり、しかもパッケージがプラスチック族であるために
価格は非常に安価である。しかし、リードピッチが0.
8〜1.0皿というのは日本国内だけの規格であり、国
際的にみると極めて汎用性が低い0゛また時計や小型計
算器用として開発されたものであるために、パンケージ
の厚みも非常に薄く、チップの保護の面から好ましくな
い。さらにリードのピッチ全0.8〜1,0勧と狭くし
ているため、使用されるリードフレームも加工精度の画
工り、DIPプラスチックパッケージに使用されている
ものエリも板厚をかなり薄くしており、このために機椋
的強度が弱く、また小型故に外部リードとパッケージと
の境界部分からチップのパッドまでの距離が短かく、水
分等の汚染物質がチップに侵入し易く、信頼性にかなり
の問題がある。
このように従来の半導体装置には、低価格と高信頼性を
ともに兼ね備えたものはなく、どちらか一方を満足すれ
ば他方は犠牲になるという欠点がある。
ともに兼ね備えたものはなく、どちらか一方を満足すれ
ば他方は犠牲になるという欠点がある。
この発明は上記O工うな事情を考慮してなされたもので
あり、その0市とするところは、安価に製造できかつ信
頼性も高り、シかも寸法が国際規格に適合し7’(QI
P型の半導体装置を提供することにある。
あり、その0市とするところは、安価に製造できかつ信
頼性も高り、シかも寸法が国際規格に適合し7’(QI
P型の半導体装置を提供することにある。
以下図面全参照してこの発明の一実施例を説明する。第
1図はこの発明に係る半導体装置の外観形状を示す斜視
図であるoeVにおいて1はプラスチック族のパッケー
ジであり、このパッケージ1の四つの側面からはそれぞ
れ50 m1t(1,27tl)のピッチで複数の外部
リード2,2゜・・・が導出されている。また外部リー
ド2,2゜・・・のピッチf 50 mitとしている
ために、使用されるリードフレームの板厚は通常のDI
PWの半導体装置と同様に0.2〜0.25w程度にで
き、従来のプラスチック族のQIPのものの0.15r
JL工りも厚くできる。さらにパッケージ1自体の厚み
も従来のプラスチック族のQIPエリも厚くしている。
1図はこの発明に係る半導体装置の外観形状を示す斜視
図であるoeVにおいて1はプラスチック族のパッケー
ジであり、このパッケージ1の四つの側面からはそれぞ
れ50 m1t(1,27tl)のピッチで複数の外部
リード2,2゜・・・が導出されている。また外部リー
ド2,2゜・・・のピッチf 50 mitとしている
ために、使用されるリードフレームの板厚は通常のDI
PWの半導体装置と同様に0.2〜0.25w程度にで
き、従来のプラスチック族のQIPのものの0.15r
JL工りも厚くできる。さらにパッケージ1自体の厚み
も従来のプラスチック族のQIPエリも厚くしている。
このような構成とすることに↓す、下記の様な効果が得
られる。
られる。
■ 外部リード2のピッチを50 mi/L(1,27
馴)とすることにエリ、パッケージ1の大きさは従来の
セラミック製のQIP型半導体装置と同寸法にでき、リ
ードピッチとともに国際規格に適合する。
馴)とすることにエリ、パッケージ1の大きさは従来の
セラミック製のQIP型半導体装置と同寸法にでき、リ
ードピッチとともに国際規格に適合する。
■ パッケージ1がプラスチック族であるために極めて
安価に製造できる。
安価に製造できる。
■ 外部リードピッチが50 rnitであり、従来の
プラスチック族のQIP型のものエリも広くなり、これ
に工ってパッケージ1か大型化し、外部リード2とパッ
ケージ1との境界部分からチップのパッドまでの距岨が
長くなり、水分等の汚染物質がデツプに侵入しにくくな
る。この結果、信頼性は従来のプラスチックfiOQI
PJのものよりも高くすることができる。
プラスチック族のQIP型のものエリも広くなり、これ
に工ってパッケージ1か大型化し、外部リード2とパッ
ケージ1との境界部分からチップのパッドまでの距岨が
長くなり、水分等の汚染物質がデツプに侵入しにくくな
る。この結果、信頼性は従来のプラスチックfiOQI
PJのものよりも高くすることができる。
第2図は上記実施例の半導体装置に使用されるリードフ
レームの一例を示す平面図であり、半導体装置3個分の
リードフレーム11a。
レームの一例を示す平面図であり、半導体装置3個分の
リードフレーム11a。
11b、IICが一つのリードフレーム12に一列に配
列形成されており、各リードフレーム11の詳細は第3
図および第4図に示す通りである。また第3図、第4図
中、13はチップが載置されるベッド、14はこのベッ
ド13を保持する吊りリード、15は内部リード、16
は外部リードであり、この外部リード16のピッチが5
Q tnit“に設定される0以上説明しfc↓うに
この発明に工れば、安価に製造でき力・つ信頼性も高く
、シかも寸法が国際規格に適合したQIP型の半導体装
置ヲ徒供することができる0
列形成されており、各リードフレーム11の詳細は第3
図および第4図に示す通りである。また第3図、第4図
中、13はチップが載置されるベッド、14はこのベッ
ド13を保持する吊りリード、15は内部リード、16
は外部リードであり、この外部リード16のピッチが5
Q tnit“に設定される0以上説明しfc↓うに
この発明に工れば、安価に製造でき力・つ信頼性も高く
、シかも寸法が国際規格に適合したQIP型の半導体装
置ヲ徒供することができる0
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る半導体装置の−実施例の外観形
状を示す斜視図、第2図は同実施例装置に使用されるリ
ードフレームの一例全示す平面図、第3図お二び第4図
はそれぞれその詳細図である0 1・・・パッケージ、2.16・・・外部リード、11
.12・・・リードフレーム、13・・・ベッド、14
・・・吊りリード、15・・・内部リード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図
状を示す斜視図、第2図は同実施例装置に使用されるリ
ードフレームの一例全示す平面図、第3図お二び第4図
はそれぞれその詳細図である0 1・・・パッケージ、2.16・・・外部リード、11
.12・・・リードフレーム、13・・・ベッド、14
・・・吊りリード、15・・・内部リード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図
Claims (1)
- 合成樹脂によって形成された外囲器と、この外囲器の四
つの側面それぞれから50 m1t(1,27m)の間
隔で導出される複数の外部リードとを具備したことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16132981A JPS5861654A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16132981A JPS5861654A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5861654A true JPS5861654A (ja) | 1983-04-12 |
JPH0159741B2 JPH0159741B2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15733009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16132981A Granted JPS5861654A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5861654A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281738A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 |
US5521427A (en) * | 1992-12-18 | 1996-05-28 | Lsi Logic Corporation | Printed wiring board mounted semiconductor device having leadframe with alignment feature |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
JPS55162252A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS55165654A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-24 | Nec Corp | Semiconductor device sealed up with thin resin |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP16132981A patent/JPS5861654A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
JPS55162252A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS55165654A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-24 | Nec Corp | Semiconductor device sealed up with thin resin |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281738A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 |
JPH0455341B2 (ja) * | 1985-10-07 | 1992-09-03 | Hitachi Maikuro Konpyuuta Enjiniaringu Kk | |
US5521427A (en) * | 1992-12-18 | 1996-05-28 | Lsi Logic Corporation | Printed wiring board mounted semiconductor device having leadframe with alignment feature |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0159741B2 (ja) | 1989-12-19 |
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