JPS6281738A - リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明はリードフレーム、特に半導体装置の製造工程に
おけるワイヤボンディングの作業性向上に適用して存効
な技術に関する。
おけるワイヤボンディングの作業性向上に適用して存効
な技術に関する。
[背景技術]
ペレットとインナーリードとの電気的導通を図る技術の
ひとつとして、いわゆるワイヤボンディング法がある。
ひとつとして、いわゆるワイヤボンディング法がある。
このワイヤボンディング法では、たとえばまず金(Au
)のような金属からなるワイヤの先端部分を加熱して溶
融ボールを形成して、該ボール部分をペレットのボンデ
ィングパッド電極に押圧して第一ボンディングを行う0
次に前記ワイヤがループを描くようにしてボンディング
用キャピラリをインナーリード上の所定部位に位置させ
て、ワイヤをインナーリードに押圧することによって第
二ボンディングを行う、最後にその余線部分を切断して
ボンディングを完了するものである。
)のような金属からなるワイヤの先端部分を加熱して溶
融ボールを形成して、該ボール部分をペレットのボンデ
ィングパッド電極に押圧して第一ボンディングを行う0
次に前記ワイヤがループを描くようにしてボンディング
用キャピラリをインナーリード上の所定部位に位置させ
て、ワイヤをインナーリードに押圧することによって第
二ボンディングを行う、最後にその余線部分を切断して
ボンディングを完了するものである。
ところで、フラットパッケージ型の半導体装置に用いら
れるリードフレームのようにインナーリードが多ピン化
したものではタブの隅部近傍すなわちタブ吊りリードに
隣設されているインナーリードとパッド電極との距離が
大きく離れることとなるため、これにともないワイヤの
張設距離も長くなる。そのためにワイヤにたるみを生じ
易く、ワイヤと他のインナーリードあるいはタブ吊りリ
ード等との電気的短絡を生じやすいことが本発明者によ
って見い出された。
れるリードフレームのようにインナーリードが多ピン化
したものではタブの隅部近傍すなわちタブ吊りリードに
隣設されているインナーリードとパッド電極との距離が
大きく離れることとなるため、これにともないワイヤの
張設距離も長くなる。そのためにワイヤにたるみを生じ
易く、ワイヤと他のインナーリードあるいはタブ吊りリ
ード等との電気的短絡を生じやすいことが本発明者によ
って見い出された。
また、タブ吊りリードに隣設されたインナーリ 、−
ドが、他のインナーリードと同じリード幅および同じリ
ード長しか有していない場合、ワイヤボンディングの際
には前記インナーリード上方からワイヤが外れるときが
生ずる。このために第二ボンディングによるワイヤの支
えが不十分となり、これがワイヤのたるみの一因となる
ことも合わせて本発明者によって明らかにされた。
ドが、他のインナーリードと同じリード幅および同じリ
ード長しか有していない場合、ワイヤボンディングの際
には前記インナーリード上方からワイヤが外れるときが
生ずる。このために第二ボンディングによるワイヤの支
えが不十分となり、これがワイヤのたるみの一因となる
ことも合わせて本発明者によって明らかにされた。
なお、ワイヤボンディングの技術として詳しく述べであ
る例としては、株式会社工業調査会、1980年1月1
5日発行rlc化実装技術」 (日本マイクロエレクト
ロニクス協会[)、P99〜P103がある。
る例としては、株式会社工業調査会、1980年1月1
5日発行rlc化実装技術」 (日本マイクロエレクト
ロニクス協会[)、P99〜P103がある。
[発明の目的]
本発明の目的は、ワイヤボンディングに際してワイヤの
ショートを防止して信頼性を高めることができるリード
フレームを提供することにある。
ショートを防止して信頼性を高めることができるリード
フレームを提供することにある。
本発明の他の目的は、電気的に信頼性の高い半導体装置
を提供することができる。
を提供することができる。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
[発明の概要]
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、タブ吊りリードに隣設されたインナーリード
の幅が他のインナーリードよりも大となるように形成さ
れたリードフレーム構造とすることにより、第二ボンデ
ィングに際してワイヤの支えが充分となるため、ボンデ
ィングを確実に行うことができ、ワイヤのショートの発
生を防止することができる。
の幅が他のインナーリードよりも大となるように形成さ
れたリードフレーム構造とすることにより、第二ボンデ
ィングに際してワイヤの支えが充分となるため、ボンデ
ィングを確実に行うことができ、ワイヤのショートの発
生を防止することができる。
また、上記技術により電気的に信頼性の高い半導体装置
を提供することができる。
を提供することができる。
[実施例1]
第1図は本発明の一実施例であるリードフレームを示す
拡大部分平面図、第2図はリードフレームの全体を示す
平面図、第3図はこのリードフレームを用いた半導体装
置を示す全体断面図、第4図はボンディング時のリード
フレームおよびその周辺部分の断面図である。
拡大部分平面図、第2図はリードフレームの全体を示す
平面図、第3図はこのリードフレームを用いた半導体装
置を示す全体断面図、第4図はボンディング時のリード
フレームおよびその周辺部分の断面図である。
本実施例1のリードフレーム1は、特に制限されないが
、第3図に示すような樹脂封止型のフラットパッケージ
、いわゆるFPP型の半導体装置21に用いられるリー
ドフレームであり、第2図に示す形状のものを一単位と
して、左右両方向に複数単位を連結した形状からなるも
のである。
、第3図に示すような樹脂封止型のフラットパッケージ
、いわゆるFPP型の半導体装置21に用いられるリー
ドフレームであり、第2図に示す形状のものを一単位と
して、左右両方向に複数単位を連結した形状からなるも
のである。
リードフレームlは四角形状の枠部2と、該枠部2の各
辺から中央方向にそれぞれ延設された複数本のり一ド3
と、その各リードの途中部分を互いに連結するタイバー
4を有している。またリードフレーム1の中央部分には
、四角形状のタブ5が形成されており、このタブ5はそ
の四隅と前記枠部2の四隅とを各々連結するタブ吊りリ
ード6によって支持されている。前記タイバー4に囲ま
れたリード3の部分はインナーリード7を形成しており
、このインナーリード7の少なくともその先端部分の表
面にはボンディングを良好に行うために金(Au)等の
図示しないめっき層が形成されている。本実施例1に従
うと、前記タブ吊りリード6に隣設されるインナーリー
ド7aは第1図のように他のインナーリード7よりも幅
広に形成されている。
辺から中央方向にそれぞれ延設された複数本のり一ド3
と、その各リードの途中部分を互いに連結するタイバー
4を有している。またリードフレーム1の中央部分には
、四角形状のタブ5が形成されており、このタブ5はそ
の四隅と前記枠部2の四隅とを各々連結するタブ吊りリ
ード6によって支持されている。前記タイバー4に囲ま
れたリード3の部分はインナーリード7を形成しており
、このインナーリード7の少なくともその先端部分の表
面にはボンディングを良好に行うために金(Au)等の
図示しないめっき層が形成されている。本実施例1に従
うと、前記タブ吊りリード6に隣設されるインナーリー
ド7aは第1図のように他のインナーリード7よりも幅
広に形成されている。
このようなリードフレーム1は例えば、銅(Cu)、4
270イ、もしくはコバール等からなる薄板状の金属板
にエツチング処理あるいはプレス処理等を施して所定形
状に加工することによって得られるものである。
270イ、もしくはコバール等からなる薄板状の金属板
にエツチング処理あるいはプレス処理等を施して所定形
状に加工することによって得られるものである。
このようにして得られたリードフレーム1には、まずそ
のタブ5上にシリコン半導体からなるペレット8が接着
材9によって取付けられる。
のタブ5上にシリコン半導体からなるペレット8が接着
材9によって取付けられる。
このようにしてペレフト付けされたリードフレームが、
次に図示しないワイヤボンディング装置のボンディング
ステージ上に載置され、金(Au)等からなる細線状の
ワイヤ10によりペレット8のボンディングパッド電極
11とインナーリード7との結線すなわらワイヤボンデ
ィングが行われる。このワイヤボンディング工程では、
まず前記ワイヤ10の一端を加熱溶融することによって
ボールが形成される。次に、ワイヤを支持するボンディ
ング用キャピラリ60が半導体ペレットのボンディング
パッド11上に移動され、第4図の矢印aのように降下
される。これによって、ボールloa部分がバッド10
aに圧着され、第一ボンディングが行われる。
次に図示しないワイヤボンディング装置のボンディング
ステージ上に載置され、金(Au)等からなる細線状の
ワイヤ10によりペレット8のボンディングパッド電極
11とインナーリード7との結線すなわらワイヤボンデ
ィングが行われる。このワイヤボンディング工程では、
まず前記ワイヤ10の一端を加熱溶融することによって
ボールが形成される。次に、ワイヤを支持するボンディ
ング用キャピラリ60が半導体ペレットのボンディング
パッド11上に移動され、第4図の矢印aのように降下
される。これによって、ボールloa部分がバッド10
aに圧着され、第一ボンディングが行われる。
次に、ワイヤ10がループを描くようにしてキャピラリ
60が移動され、第二ボンディングが行われる。すなわ
ち、第一ボンディングの後にキャピラリ60が、第4図
の矢印すに示されたように上昇され、矢印Cに示すよう
にインナーリード7aのボンディングエリアに向けて水
平移動され、次いで矢印dに示すように下降される。キ
ャピラリ60によって、ワイヤ10をインナーリード7
aに熱圧着させる押圧力がワイヤ10に加えられ、その
結果、ワイヤボンディングが行われる。その後、キャピ
ラリ60が第4図の矢印eのように上昇される。このと
き、キャピラリ60側のワイヤ10°は、ワイヤボンデ
ィング装置における図示しないワイヤクランプ機構が動
作され、そのワイヤクランプ機構によって引っ張り応力
が作用されることによって、第4図のように剪断される
。
60が移動され、第二ボンディングが行われる。すなわ
ち、第一ボンディングの後にキャピラリ60が、第4図
の矢印すに示されたように上昇され、矢印Cに示すよう
にインナーリード7aのボンディングエリアに向けて水
平移動され、次いで矢印dに示すように下降される。キ
ャピラリ60によって、ワイヤ10をインナーリード7
aに熱圧着させる押圧力がワイヤ10に加えられ、その
結果、ワイヤボンディングが行われる。その後、キャピ
ラリ60が第4図の矢印eのように上昇される。このと
き、キャピラリ60側のワイヤ10°は、ワイヤボンデ
ィング装置における図示しないワイヤクランプ機構が動
作され、そのワイヤクランプ機構によって引っ張り応力
が作用されることによって、第4図のように剪断される
。
これによって、■サイクルのボンディング工程が完了さ
れる。以上の工程を所定回数分繰り返して必要とされる
全てのバッド11とインナーリード7が結線されること
になる。
れる。以上の工程を所定回数分繰り返して必要とされる
全てのバッド11とインナーリード7が結線されること
になる。
本実施例1によればタブ吊りリード6と隣設されたイン
ナーリード7aが前述のように他のり一ド3よりも幅広
に形成されている。したがって、第二ボンディングの際
に、該インナーリード7aに対してループを描いて着地
されるワイヤ10に対して十分な接触幅を確保すること
ができる。したがって、タブ吊りリード6に隣設された
インナーリード7aに結合されるワイヤに生し易いワイ
ヤ10の垂れ下がりを効果的に防止することができ、ワ
イヤ10のショートの発生を防止できる。
ナーリード7aが前述のように他のり一ド3よりも幅広
に形成されている。したがって、第二ボンディングの際
に、該インナーリード7aに対してループを描いて着地
されるワイヤ10に対して十分な接触幅を確保すること
ができる。したがって、タブ吊りリード6に隣設された
インナーリード7aに結合されるワイヤに生し易いワイ
ヤ10の垂れ下がりを効果的に防止することができ、ワ
イヤ10のショートの発生を防止できる。
ワイヤ10のショート防止について、第4図の断面図お
よび第5図の平面直に基づいて更に詳しく説明すると、
以下のようになる。
よび第5図の平面直に基づいて更に詳しく説明すると、
以下のようになる。
すなわち、インナーリード7aの先端7tpからインナ
ーリード7aのボンディング位置BDPまでの平面部分
lは、ワイヤ10のループ形状の不所望な変形を防止す
る上で有効な部分となる。
ーリード7aのボンディング位置BDPまでの平面部分
lは、ワイヤ10のループ形状の不所望な変形を防止す
る上で有効な部分となる。
本実施例のようにタブ吊りリード6に隣接するインナー
リード7aの幅が広くされている場合、ワイヤ10は、
半導体ペレット8のボンディングされるべきバッド11
の位置が多少変更されても、第5図に実線で示すように
、インナーリードの先端上を通過することになる。この
場合は、ワイヤ10のボンディング時のリード側へのル
ープが、部分Pによって良好に制限される。その結果、
ワイヤ10は第4図に実線によって示すように、実質的
にリードの平面より上の部分のみに位置することとなり
、不所望なショートを生じない。
リード7aの幅が広くされている場合、ワイヤ10は、
半導体ペレット8のボンディングされるべきバッド11
の位置が多少変更されても、第5図に実線で示すように
、インナーリードの先端上を通過することになる。この
場合は、ワイヤ10のボンディング時のリード側へのル
ープが、部分Pによって良好に制限される。その結果、
ワイヤ10は第4図に実線によって示すように、実質的
にリードの平面より上の部分のみに位置することとなり
、不所望なショートを生じない。
これに対して、インナーリード7aが第5図に2点鎖線
と実線との組み合わせによって示したように、狭い幅を
持つようにされた場合、そのときに設けられるワイヤ1
0’ は、第5図に破線によって示されたように、パッ
ドIIの位置の若干の変更によっても、インナーリード
の先端部上を外れて延長されることになる。この場合は
、インナーリードの部分lは、ワイヤ10°のループの
望ましくない変形を充分防止することができなくなって
くる。これに応じて、ワイヤ10゛ は、第4図に2点
鎖線によって示されたように、リードの主面よりも下方
に延長するループを形成する恐れが生ずる。
と実線との組み合わせによって示したように、狭い幅を
持つようにされた場合、そのときに設けられるワイヤ1
0’ は、第5図に破線によって示されたように、パッ
ドIIの位置の若干の変更によっても、インナーリード
の先端部上を外れて延長されることになる。この場合は
、インナーリードの部分lは、ワイヤ10°のループの
望ましくない変形を充分防止することができなくなって
くる。これに応じて、ワイヤ10゛ は、第4図に2点
鎖線によって示されたように、リードの主面よりも下方
に延長するループを形成する恐れが生ずる。
なお、ワイヤボンディング時に、インナーリードの先端
とタブ5の周縁との空間に突起物を配置することは、ワ
イヤのループの不所望な変形を防止する上で、意味があ
る。第4図において、破線50は、ワイヤボンディング
’AHにおけるワークステーションもしくは、リードフ
レーム用テーブルとしてのヒートブロックを示している
。この場合のヒートブロックは、上述の目的の突起51
を持つ。タブ吊りリード6から離れたインナーリードと
パッドとを結合するワイヤは、インナーリードの幅がた
とえ狭くても、そのループ形状が突起51によって良好
にされる。この場合、タブ吊りリード6に隣接するイン
ナーリードとバッドとを結合するワイヤに対する突起5
1の効果は、次の理由によって実質的に期待できない。
とタブ5の周縁との空間に突起物を配置することは、ワ
イヤのループの不所望な変形を防止する上で、意味があ
る。第4図において、破線50は、ワイヤボンディング
’AHにおけるワークステーションもしくは、リードフ
レーム用テーブルとしてのヒートブロックを示している
。この場合のヒートブロックは、上述の目的の突起51
を持つ。タブ吊りリード6から離れたインナーリードと
パッドとを結合するワイヤは、インナーリードの幅がた
とえ狭くても、そのループ形状が突起51によって良好
にされる。この場合、タブ吊りリード6に隣接するイン
ナーリードとバッドとを結合するワイヤに対する突起5
1の効果は、次の理由によって実質的に期待できない。
ずなちわ、突起51に対するタブ吊りリード6の位置は
、たとえばワークステーションに対するリードフレーム
の位置合わせ精度によって影響されることになる。タブ
吊りリード6の位置の多少の変動にかかわらずにタブ吊
りリード6が突起51にひっかからないようにするため
に、突起51は、それとタブ吊りリード6との間に比較
的大きい空間が生ずるような大きさとされる。その結果
として、タブ吊りリード6に隣接するインナーリード7
aとタブ5との間に突起51を延長させることが困難と
なるので、そのリード7aに結合されるワイヤの形状を
突起51によって制限することは困難となる。
、たとえばワークステーションに対するリードフレーム
の位置合わせ精度によって影響されることになる。タブ
吊りリード6の位置の多少の変動にかかわらずにタブ吊
りリード6が突起51にひっかからないようにするため
に、突起51は、それとタブ吊りリード6との間に比較
的大きい空間が生ずるような大きさとされる。その結果
として、タブ吊りリード6に隣接するインナーリード7
aとタブ5との間に突起51を延長させることが困難と
なるので、そのリード7aに結合されるワイヤの形状を
突起51によって制限することは困難となる。
このようにしてワイヤボンディングの終了したリードフ
レーム1は、トランスファモールド法によりエポキシ樹
脂12でパッケージ成形が行われた後、各リード3が独
立状態に切断・成形されて第3図に示すFPP型の半導
体装W21を得ることができる。
レーム1は、トランスファモールド法によりエポキシ樹
脂12でパッケージ成形が行われた後、各リード3が独
立状態に切断・成形されて第3図に示すFPP型の半導
体装W21を得ることができる。
[実施例2]
第4図は本発明の他の実施例であるリードフレームを示
す拡大部分平面図である。
す拡大部分平面図である。
本実施例2のリードフレーム41は実施例1で説明した
リードフレームlとほぼ同様のものであるが、タブ吊り
リード6に隣設されたインナーリード47aの形状が異
なるものである。
リードフレームlとほぼ同様のものであるが、タブ吊り
リード6に隣設されたインナーリード47aの形状が異
なるものである。
すなわち、このリードフレーム41ではタブ吊りリード
6に隣設されたインナーリード47aは他のインナーリ
ード47よりも軸方向に対して長めに形成され、そのリ
ード先端はタブ5の直近にまで延設されている。このた
め、ワイヤボンディングの際には、ワイヤ10の張設距
離を短くすること力′できる。したがって、タブ吊りリ
ード6に隣設されたインナーリード47aに生しやすい
ワイヤlOの垂れ下がりを防止でき、ワイヤのショート
を防止して電気的に信頼性の高い半導体装置を提供する
ことができる。
6に隣設されたインナーリード47aは他のインナーリ
ード47よりも軸方向に対して長めに形成され、そのリ
ード先端はタブ5の直近にまで延設されている。このた
め、ワイヤボンディングの際には、ワイヤ10の張設距
離を短くすること力′できる。したがって、タブ吊りリ
ード6に隣設されたインナーリード47aに生しやすい
ワイヤlOの垂れ下がりを防止でき、ワイヤのショート
を防止して電気的に信頼性の高い半導体装置を提供する
ことができる。
[効果]
(1)、タブ吊りリードに隣設されたインナーリードが
他のインナーリードよりもワイヤとのボンディング面積
が大となるように形成されたリードフレーム構造とする
ことにより、第二ボンディングに際してワイヤの着地時
に十分な滑走距離を確保することができるため、ボンデ
ィングを確実に行うことができ、ワイヤのショートを防
止することができる。
他のインナーリードよりもワイヤとのボンディング面積
が大となるように形成されたリードフレーム構造とする
ことにより、第二ボンディングに際してワイヤの着地時
に十分な滑走距離を確保することができるため、ボンデ
ィングを確実に行うことができ、ワイヤのショートを防
止することができる。
(2)、上記(11により、電気的に信頼性の高い半導
体装置を提供することができる。
体装置を提供することができる。
(3)5 上記(J、)により、インナーリードが微細
化した場合であっても、タブ吊りリードに隣設されたイ
ンナーリードでのワイヤの垂れ下がりを防止できるため
、ワイヤボンディングの信頼性を向上させて半導体装置
の高集積化を促進することができる。
化した場合であっても、タブ吊りリードに隣設されたイ
ンナーリードでのワイヤの垂れ下がりを防止できるため
、ワイヤボンディングの信頼性を向上させて半導体装置
の高集積化を促進することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、タブ吊りリードに隣設されたインナーリード
の形状としては、幅あるいは軸方向長さを大きくした場
合についてのみ説明したが、これらの形状に限られず、
如何なる形状で面積を大きくしたものであってもよい。
の形状としては、幅あるいは軸方向長さを大きくした場
合についてのみ説明したが、これらの形状に限られず、
如何なる形状で面積を大きくしたものであってもよい。
また、実施例ではFPP型の半導体装置に用いられるリ
ードフレームについてのみ説明したが、これに限らず外
部リードを3字状に成形するいわゆるPLCC型の半導
体装置に用いられるリードフレームであってもよい。
ードフレームについてのみ説明したが、これに限らず外
部リードを3字状に成形するいわゆるPLCC型の半導
体装置に用いられるリードフレームであってもよい。
さらに、ボンディング方法についても超音波振動のみで
ワイヤの接合を行う、いわゆるつJ、・ノジボンディン
グであってもよい。
ワイヤの接合を行う、いわゆるつJ、・ノジボンディン
グであってもよい。
実施例のように、タブ吊りリード6に隣接するインナー
リード7aの幅を増大させる場合には、それに応じてイ
ンナーリード7aに対するボンディング可能範囲を広く
設定できるようになる。これによって、半導体ペレット
のボンディングされるべきパッド電極の位置が変更され
た場合でも、それに応じてインナーリード7aのボンデ
ィング位置を変更することができるようになり、ワイヤ
がインナーリード7aの先端部上を通過するようにする
ことができる。
リード7aの幅を増大させる場合には、それに応じてイ
ンナーリード7aに対するボンディング可能範囲を広く
設定できるようになる。これによって、半導体ペレット
のボンディングされるべきパッド電極の位置が変更され
た場合でも、それに応じてインナーリード7aのボンデ
ィング位置を変更することができるようになり、ワイヤ
がインナーリード7aの先端部上を通過するようにする
ことができる。
しかしながら、かかるインナーリード7aは、たとえば
扇形、1字形の平面パターンのように、実質的にその先
端部のみが幅広にされても良い。
扇形、1字形の平面パターンのように、実質的にその先
端部のみが幅広にされても良い。
この場合でも、ワイヤループの不所望な形状を無くする
ことができる。
ことができる。
[利用分野]
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆる樹脂封止型の半導体装
置に適用した場合について説明したが、これに限定され
るものではなく、たとえば低融点ガラス等を封止材とし
て用いた気密封止型の半導体装置に適用しても有効な技
術である。
をその利用分野である、いわゆる樹脂封止型の半導体装
置に適用した場合について説明したが、これに限定され
るものではなく、たとえば低融点ガラス等を封止材とし
て用いた気密封止型の半導体装置に適用しても有効な技
術である。
第1図は本発明の実施例1であるリードフレームを示す
拡大部分平面図、 第2図は実施例1のリードフレームの全体を示す平面図
、 第3図は実施例1のリードフレームを用いた半導体装置
を示す全体断面図、 第4図はボンディング時のリードフレームおよびその周
辺の断面図、 第5図はボンディング時のリードフレームの平面図、 第6図は本発明の実施例2であるリードフレームを示す
拡大部分平面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・枠部、3・・・リー
ド、4・・・タイバー、5・・・タブ、6・・・タブ吊
りリード、7,7a・・・インナーリード、8・・・ペ
レット、9・・・結合材、10・・・ワイヤ、10a・
・・溶融ボール部、10b・・・ワイヤ他端部分、11
・・・パッド、12・・・エポキシ樹脂、21・・・半
導体装置、41・・・リードフレーム、47.473・
・・インナーリード。 第 3 図 第 4 図 四 6 図
拡大部分平面図、 第2図は実施例1のリードフレームの全体を示す平面図
、 第3図は実施例1のリードフレームを用いた半導体装置
を示す全体断面図、 第4図はボンディング時のリードフレームおよびその周
辺の断面図、 第5図はボンディング時のリードフレームの平面図、 第6図は本発明の実施例2であるリードフレームを示す
拡大部分平面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・枠部、3・・・リー
ド、4・・・タイバー、5・・・タブ、6・・・タブ吊
りリード、7,7a・・・インナーリード、8・・・ペ
レット、9・・・結合材、10・・・ワイヤ、10a・
・・溶融ボール部、10b・・・ワイヤ他端部分、11
・・・パッド、12・・・エポキシ樹脂、21・・・半
導体装置、41・・・リードフレーム、47.473・
・・インナーリード。 第 3 図 第 4 図 四 6 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、枠部から連設されたタブ吊りリードによって支持さ
れたペレット装着用のタブと、前記枠部からタブの近傍
に延設された複数のインナーリードとを有するリードフ
レームであって、前記タブ吊りリードに隣設されたイン
ナーリードが他のインナーリードよりも少なくともその
先端の幅が大となるように形成されていることを特徴と
するリードフレーム。 2、前記タブ吊りリードに隣設されたインナーリードが
他のインナーリードよりも幅が大であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のリードフレーム。 3、前記タブ吊りリードに隣設されたインナーリードが
他のインナーリードよりもさらにタブに近接する位置ま
で延設されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のリードフレーム。 4、タブ吊りリードを備えたタブに装着された半導体ペ
レットにおけるボンディング電極と前記タブの近傍まで
延設されたインナーリードとがワイヤの張設により電気
的に接続された状態で封止されてなる半導体装置であっ
て、前記タブ吊りリードに隣設されたインナーリードが
他のインナーリードよりも少なくともその先端の幅が大
となるように形成されていることを特徴とする半導体装
置。 5、前記タブ吊りリードに隣設されたインナーリードが
他のインナーリードよりも幅が大であることを特徴とす
る特許請求の範囲第4項記載の半導体装置。 6、前記タブ吊りリードに隣設されたインナーリードが
他のインナーリードよりもさらにタブに近接する位置ま
で延設されていることを特徴とする特許請求の範囲第4
項記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60221832A JPS6281738A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 |
KR1019860007396A KR950000205B1 (ko) | 1985-10-07 | 1986-09-04 | 리이드 프레임 및 이를 사용한 반도체 장치 |
US07/283,842 US4951120A (en) | 1985-10-07 | 1988-12-13 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60221832A JPS6281738A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6281738A true JPS6281738A (ja) | 1987-04-15 |
JPH0455341B2 JPH0455341B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=16772889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60221832A Granted JPS6281738A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4951120A (ja) |
JP (1) | JPS6281738A (ja) |
KR (1) | KR950000205B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4951120A (en) * | 1985-10-07 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device using the same |
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JPH05218233A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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JPS61269345A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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-
1985
- 1985-10-07 JP JP60221832A patent/JPS6281738A/ja active Granted
-
1986
- 1986-09-04 KR KR1019860007396A patent/KR950000205B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-12-13 US US07/283,842 patent/US4951120A/en not_active Expired - Lifetime
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US4951120A (en) * | 1985-10-07 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0455341B2 (ja) | 1992-09-03 |
US4951120A (en) | 1990-08-21 |
KR870004509A (ko) | 1987-05-11 |
KR950000205B1 (ko) | 1995-01-11 |
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