DE2611531A1 - In kunststoff eingekapselter integrierter schaltungsbaustein - Google Patents
In kunststoff eingekapselter integrierter schaltungsbausteinInfo
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Description
In Kunststoff eingekapselter integrierter Schaltungsbausteino
Pur die vorliegende Anmeldung wird die Priorität aus der entsprechenden
US-Anmeldung Serial-No. 588 643 vom 17.3.1975 in
Anspruch genommen,,
Die vorliegende Erfindung betrifft einen in Kunststoff gekapselten
integrierten Schaltungsbaustein mit einem Leiterrahmen, einschließlich eines flachen Plättchenträgers, auf dessen einer Oberfläche
ein Halbleiterplättchen mit einer integrierten Schaltung fest angebracht ist, sowie mit zwei Tragstreifen, von denen sich jeweils
einer von jedem Ende des genannten Plättchenträgers aus bis zu den gegenüberliegenden Enden des genannten eingekapselten Schaltungsbausteins erstreckt, wobei ein Kühlblech fest mit der anderen Oberfläche
des genannten Plättchenträgers verbunden ist, und seine Enden den Enden des Schaltungsbausteins zugewandt- sind, zur Wärmeabführung
im Betrieb aus dem genannten Halbleiterplättchen und Plättchenträger, wobei eine Vielzahl von Verbindungsleitern in
einem gewissen Abstand vom genannten Plättchenträger angeordnet und gegenüber der genannten einen Oberfläche des Plättchenträgers
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angehoben sind, wobei Verbindungsdrähte zwischen Anschlußflächen auf dem genannten Halbleiterplättchen und den zugeordneten Enden
von Verbindungsleitern befestigt sind, die sich nach außen, aus dem genannten Schaltungsbaustein heraus, erstrecken, der in einem
Kunststoff-Formteil zur Einkapselung des genannten Halbleiterplättchens, des genannten Plättchenträgers, der genannten Verbindung
sdrähte, der genannten Enden der Verbindungsleiter und des genannten Kühlblechs angeordnet ist.
Gekapselte integrierte Schaltungsbausteine, z.B» mit 14 Anschlüssen
nach der zweireihigen DIP-Bauform (dual in-line package), die für
Leistungsanwendungen eingesetzt werden, schließen ein Kühlblech zur Abführung der von dem Halbleiterplättchen der integrierten
Schaltung erzeugten Wärme ein, wobei dieses Halbleiterplättchen auf einem Plättchenträger innerhalb eines Leiterrahmens montiert
iste
Bei der Herstellung wird das Halbleiterplättchenjmit der integrierten
Schaltung hart auf die Oberseite des Plättchenträgers im Leiterrahmen aufgelötet, und das Kühlblech wird hart auf die Unterseite
des Plättchenträgers aufgelötet, wobei das Kühlblech beträchtlich langer als seine Berührungsfläche mit dem Plättchenträger
ist. Eine Vielzahl von Verbindungsleitern geht in gewissen Abständen voneinander radial von dem Plättchenträger im Leiterrahmen
aus. Drähte sind an den Anschlußflächen auf dem Halbleiterplättchen und an den Verbindungsleitern angeschlossen und dienen
dazu, Schaltungsteile innerhalb der integrierten Schaltung mit den zugeordneten Verbindungsleitern zu verbinden, die aus dem
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gekapselten Schaltungsbaustein herausführen»
Zur Einkapselung in Kunststoff wird der Leiterrahmen mit dem Halbleiterplättchen der integrierten Schaltung und dem Kühlblech
in eine Formgußeinrichtung eingebracht, bei welcher sich die
beiden Hälften der Gußform schließen und einen Hohlraum um die integrierte Schaltungsanordnung herum bilden,, Geschmolzener Kunststoff
wird sodan in bekannter Weise in den Hohlraum eingepreßt und härtet um die Anordnung aus Kühlblech, Halbleiterplättchen,
Plättchenträger und Verbindungsleiter aus, wobei die Anschlußenden der Verbindungsleiter aus den Seiten des Schaltungsbausteins herausragen,
um die beiden Reihen der äußeren Anschlüsse (dual in-line terminals) zu bilden,.
Eine Anzahl von Schaltungsbausteinen wird gleichzeitig geformt, beispielsweise in einer Gußform mit 48 Hohlräumen, beispielsweise
mit acht Streifen von Leiterrahmen mit sechs Einheiten pro Streifen, oder in einer Gußform mit 80 Hohlräumen, mit acht Streifen von
Leiterrahmen und zehn Einheiten pro Streifen,,
Ein Nachteil der gekapselten Scahtlungsbausteine besteht darin, daß das Kühlblech in bezug auf die Wandungsflächen der Gußform
nicht fest verankert ist, und die Kunststoffmasse dazu neigt, die äußere Oberfläche des Kühlbleches zu bedecken. Dies macht einen
zusätzlichen Herstellungsschritt erforderlich, nachdem der fertig
geformte Schaltungsbaustein aus der Gußform freigegeben worden ist, nämlich das Abschleifen der Kunststoffschicht auf dem Kühlblech,
um dieses freizulegen, so daß es thermisch mit einem äußeren Kühl-
_ 3 _.
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element in Verbindung gebracht werden kann, beispielsweise durch
Hartlötung, um die Wärmeableitung aus dem integrierten Schaltungsbaustein im Betrieb sicherzustellen,,
jSin zweiter Nachteil des vorbekannten Kühlbleches liegt darin, daß
es groß irn Verhältnis zu derjenigen kleineren Fläche ist, wo es mit dem Plättchenträger des i'eiterrahmens hart verlötet ist, und
somit dazu neigt, während der Einbringung der geschmolzenen Kunststoffmasse in die Gußform in dieser auf- und abwärts zu schweben.
Dies hat mitunter zur Folge, daß das Kühlblech in Berührung mit einem oder mehreren der getrennten Verbindungsleiter des Leiterrahmens
gerät und dadurch diese Anschlußpunkte miteinander und am Kühlblech selbst kurzschließt, woraus sich ein defekter integrierter
Schaltungsbaustein ergibt.
Ein weiteres Ergebnis des "Schwimmens" des Kühlbleches besteht
darin,idaß die Dicke des Kunststoffüberzuges auf dem Kühlblech von einer einheit zur nächsten nicht konstant bleibt, und der zur
Freilegung der Kühlbleche erforderliche Schleifaufwand variiert
bei den verschiedenen Schaltungsbausteinen, woraus sich Abweichungen im Herstellungsverfahren ergeben.
Eine Form von verbesserten gekapselten integrierten Schaltungsbausteinen wird in der US-Patentanmeldung Serial-Noe 4-54 723,
eingereicht am 25.3.1974-, mit dem Titel "Integrated Circuit
Package Utilizing Novel Heat Sink Structure" (Integrierter Schaltungsbaustein mit neuartigem Kühlblechaufbau), Erfinder
Robert W. Beard, gezeigt und beschrieben. Bei dieser Form des Aufbaus wird eine Abwandlung in der Größe, der Form und der Lage
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bei dem Halterungsstreifen für den Plättchenträger und bei den
■Verbindungsleitern des Standardbausteins eingesetzt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die vorgenannten Nachteile des "Schwimmens" in der Gußform mit den dadurch verursachten
Kurzschlüssen bei Verbindungsleitern und Kühlblech, sowie die Ausbildung einer störenden Kunststoffschicht auf der äußeren
Oberfläche des Kühlblechs mit einfachen Mitteln zu vermeiden.
Der zur Lösung der gestellten Aufgabe vorgeschlagene integrierte Schaltungsbaustein ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet,
daß das Kühlblech einen Sockelteil umfaßt, dessen äußere Oberfläche in einer Höhe mit einer Oberfläche des genannten Kunststoff-Normteils
liegt und durch diese letztere hindurch freigelegt ist, daß der Sockelteil zwei Paare von federnden Fingern aufweist, die von
seiner oberen Oberfläche ausgehen, wobei jeweils eines der Paare an einem der beiden Enden des genannten Kühlbleches liegt und
einen Tragstreifen umgreift, der vom zugeordneten Ende des genannten Plättcheaaträgers zum entsprechenden Ende des Scahltungsbausteins
verläuft, und daß sich die Enden der genannten Pinger durch das Kunststoff-Formteil hinducrh erstrecken und eine äußere
Oberfläche aufweisen, die in gleicher Höhe mit der entgegengesetzten Oberfläche des Kunststoff-Formteils liegt und gegenüber dieser
letzteren freigelegt ist.
Somit schafft die Erfindung einen neuartigen integrierten Schaltungsbaustein, sowie das zugehörige Herstellungsverfahren, wonach ein
inneres Kühlblech fest mit dem Plättchenträger für das Halbleiterplättchen der integrierten Schaltung verbunden wird und sich voll-
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ständig, von oben nach unten, durch die Kunststoff kapselung . hindurch erstreckt. Die Wandungen des Hohlraumes der Gußform
wirken mit dem Kühlblech derart zusammen, daß dieses letztere fest innerhalb der Gußform verankert wird, während die Kunststoffmasse
in den Hohlraum der Gußform eingepreßt wird«, Daher kann das Kühlblech nicht "schwimmen" und versehentlich einen Kurzschluß
an den Verbindungsleitern innerhalb des Leiterrahmens hervorrufen.
Das Kühlblech ist mit zwei Paaren von angeformten flexiblen Fingern
versehen, die sich von den -^nden des Kühlbleches aus nach oben
erstrecken. Die Enden dieser Finger greifen an der oberen inneren Wandungsfläche des Hohlraumes der Gußform an, wenn sich diese
während der Phase der Einkapselung in Kunststoff um die Anordnung mit der integrierten Schaltung herum schließt. Die flexiblen
Finger geben leicht nach und drücken ebenfalls die Unterfläche des Kühlbleches gegen die untere Wandungsfläche des Hohlraumes
der Gußform, um zu verhindern, daß die Kunststoffmasse die Unterfläche dieses Kühlbleches bedeckte
Im folgenden wird die Erfindung beispielsweise und anhand der beigefügten Zeichnungen ausführlich erläutert. Es zeigen:
Fig. 1: eine Draufsicht eines vorbekannten Leiterrahmens mit darauf angebrachtem Halbleiterplättchen mit integrierter
Schaltung,
Figo 2: eine seitliche Schnittansicht der Anordnung nach Figo 1, in einer Gußforrn, vor der Einbringung der geschmolzenen
Kunststoffmasse,
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Fig,, 3: eine Draufsicht auf einen Leiterrahmen mit darauf angebrachtem
Halbleiterplättchen nach der Erfindung,
Fig. ft: eine seitliche Schnittansicht der Anordnung nach Figo 3 in einer Gußform vor der Einbringung der geschmolzenen
Kunststoffmasse, und
Fig/ 5: eine seitliche Schnittansicht des eingekapselten erfindungsgemäßen
integrierten Schaltungsbausteins„
Unter Bezugnahme auf Figo 1 und Figo 2 wird die vorbekannte Verfahrensweise
bei der Einkapselung eines typischen Halbleiterbausteins gezeigt» Die vorbekannte Leiterrahmenanordnung umfaßt die
beiden seitlichen Halterungsstreifen 11 und 12, die an dem langgestreckten Band mit seinen vielen leiterrahmen entlang verlaufen
und miteinander eine Vielzahl von getrennten Leiterrahmen-Halterungsanordnungen für integrierte Schaltungen halten. Jede einzelne
Leiterrahmenanordnung umfaßt einen mittig innerhalb dieses Rahmens angeordneten Plättchenträger 13 zur Bef<£bigung der integrierten
Schaltung, dieser Plättchenträger 13 wird von zwei Halterungsstreifen 14- und 15 getragen, die sich nach außen erstrecken,
wobei ihre äußeren Enden einstückig mit den seitlichen Halterungsstreifen 11 und 12 ausgeführt sind«
Bei 16 und 17 sind die Tragstreifen 14 und 15 des Plättchenträgers
13 leicht nach unten abgebogen, um dadurch diesen Plättchenträger
in eine Höhe zu bringen, die etwas : niedriger als die Höhe der übrigen Leiterrahmenanordnung ist.
- 7 -ß 0 9 8 A Π / 0 B 1 A
Ein Halbleiterplättchen wird auf der Überseite des Plättchenträgers
13j beispielsweise durch Hartlötung, befestigt, dabei
liegt die obere Seite des Halbleiterplättchens 18 nahezu oder sogar genau in der Höhe der übrigen Leiterrahmenanordnung. Bin
langgestrecktes Kühlblech 19 aus Kupfer ist hart auf die Unterseite
des Plättchenträgers 13 zum Zweck der Wärmeabführung im
Betrieb aus der integrierten Schaltung aufgelötet« Die tatsächliche
Berührungsfläche mit dem Plättchenträger 13 ist im Vergleich zur
Gesamtgröße des Kühlblechs verhältnismäßig klein, und die äußeren Teile des Kühlblechs 19 können sich in bezug auf den Plättchenträger
13 bewegen oder "schwimmen"»
Eine Vielzahl von Verbindungsleitern 21 geht in radialer Richtung von dem Plättchenträger 13 aus, wobei sich die inneren Enden dieser
Verbindungsleiter 21 in einem gewissen Abstand vom Plättchenträger 13 befinden. Diese einzelnen Verbindungsleiter 21 verbreitern sich
umso mehr, als sie sich vom Plättchenträger 13 fort erstrecken und laufen in breitere Anschlußenden 22 aus, die innerhalb des
Leiterrahmens und zwischen den seitlichen Halterungsstreifen 11 und 12 durch Querstege 23 zusammengehalten werden. Nach der Einkapselung
werden diese Querstege 23 entfernt, um die Anschlußenden 22 elektrisch gegeneinander zu isolieren.
Geeignete Verbindungen werden durch den Anschluß von Verbindungsdrähten 2Pr hergestellt, die zwischen Anschlußflächen auf dem Halbleiterplättchen
und den zugeordneten Verbindungsleitern verlaufen.
Langgestreckte Bänder oder Streifen mit den einzelnen dieser Leiterrahmen werden in den Hohlraum 25 einer Form in einer
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Kunststoff-Formgußmaschine eingebracht, wo die einzelnen Halbleiterbausteine
in einem geeigneten gegossenen Gehäuse oder in eine Einkapselung eingekapselt werden, um den integrierten Schaltungsbaustein
zu versteifen und um die verschiedenen elektrischen Verbindungen elektrisch gegeneinander zu isolieren. Die geschmolzene
Kunststoffmasse 26 wird in die einzelnen Hohlräume der Gußformen eingepreßt und neigt dazu, das Kühlblech 19 von der Wandung 25'
des Hohlraumes fortzubewegen, v/eil nichts zur Herstellung einer festen Berührung zwischen dem Kühlblech 19 und der Wandung 251 vorgesehen
ist. Somit wird die äußere Oberfläche des Kühlbleches mit Kunststoff überzogen. Außerdem kann das Kühlblech sich nach
oben bewegen und einen Schluß mit einem oder mehreren der einzelnen Verbindungsleiter 21 bilden und dadurch die Verwendbarkeit des
integrierten Schaltungsbausteins unmöglich machen.
Nachdem der eingekapselte Schaltungsbaustein aus dem Hohlraum der
Form 25, 25* entfernt v/orden ist, so ist das Abschleifen der
Kunststoffschicht oder des Kunststoffüberzuges erforderlich, um das Kühlblech 19 für die nachfolgende Auflötung auf das äußere
Kühlblech mit dem Halterungssockel für den Baustein freizulegen.
Der integrierte Schaltungsbaustein nach der Erfindung ist in Fig0 3 bis Figo 5 dargestellt und umfaßt ein Kühlblech aus
Kupfer mit einem Sockelteil. 31 mit einer Fläche zur Befestigung
an dem Plättchenträger 13 und mit zwei Paaren von L-förmigen flexiblen Fingern 32 und 33 j cLie angeformt sind und sich von den
entgegengesetzten Enden des Sockelteils 31 aufwärts erstrecken.
Das Fingerpaar 32 umgreift den Tragstreifen 14-, und das Fingerpaar
33 umgreift den Tragstreifen 15} dabei halten diese Finger einen
9. ~
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Abstand zum zugeordneten Tragstreifen ein.
2R1 Λ R^
Die Höhe des Kühlblechs, von der Unterfläche des Sockelteils 31 bis zu den Spitzen der Fingerpaare 32 und 33, ist etwas größer
als die lichte Höhe des Hohlraums der Gußform, wenn die obere, bzw. untere Wandungshälfte 25, 25', geschlossen sindo Wenn sich
daher die Gußform .85>
25* über der Leiterrahmenanordnung schließt,
so greift die obere Wandungsfläche 25 an den Spitzen der flexiblen
Finger 32, 33 an, diese geben geringfügig nach und pressen die
Unterseite des Kühlblechs 31 fest gegen die untere Wandungsfläche
25* der Gußform. Daraus ergibt sich ein Preßsitz zwischen der Unterseite des Kühlbleches 31 und eier inneren Wandungsfläche 25'
des Hohlraumes der Gußform. Bs kann keinerlei geschmolzene Kunststoffmasse
in diesen Bereich des Kühlblechs eindringen. Somit bleibt die untere Oberfläche des Kühlbleches frei von einer
Kunststoffschicht, und es ist kein Abschleifen erforderlich, um
diese Kühlblechoberfläche aus Kupfer freizulegen, wenn die Einkapselungfmasse-26 ausgehärtet isto
- Patentansprüche -
- 10 -
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Claims (1)
- PAIEHIANSPRt)GHEMo ) In Kunststoff gekapselter integrierter Schaltungsbaustein mit einem Leiterrahmen, einschließlich eines flachen Plättchenträgers, auf dessen einer Oberfläche ein Hälbleiterplättehen mit einer integrierten Schaltung fest angebracht ist, sowie mit zwei Tragstreifen, von denen sich jeweils einer von jedem Ende des genannten Plättchenträgers aus bis zu den gegenüberliegenden Enden des genannten eingekapselten Schaltungsbausteins erstreckt, wobei ein Kühlblech fest mit der anderen Oberfläche des genannten flachen Plättchenträgers verbunden ist, und seine Enden den Enden des Schaltungsbausteins zugewandt sind,-zur Wärmeabführung im Betrieb aus dem genannten Hälbleiterplättehen und Plättchenträger, wobei eine Vielzahl von Verbindungsleitern in einem gewissen Abstand vom genannten Plättchenträger angeordnet und gegenüber der genannten einen Oberfläche des Plättchenträgers angehoben sind, wobei Verbindungsdrähte zwischen Anschlußflächen auf dem genannten Hälbleiterplättehen und den zugeordneten Enden von Verbindungsleitern befestigt sind, die sich nach außen, aus dem genannten Schaltungsbaustein heraus, erstrecken, der in einem Kunststoff-Formteil zur Einkapselung des genannten Halbleiterplättchens, des genannten Plättchenträgers, der genannten Verbindungsdrähte, der genannten Enden der Verbindungsleiter und des genannten Kühlblechs angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Kühlblech (19) einen.Soekelteil (31) umfaßt, dessen äußere Oberfläche· in gleicher Höhe mit einer Oberfläche des genannten Kunststoff-Formteils liegt und durch diese letztere hindurch freigelegt ist, daß der Soekelteil (31) zwei Paare von federnden Fingern (32, 33) aufweist, die von seiner oberen Oberfläche ausgehen, wobei jeweils eines der Paare an .einem -der beiden Enden des genannten Kühlbleches liegt und einen Trag-- 11.
R 0 9 B A Π / Π P 1 hstreifen (14-, 15) umgreift, der vom zugeordneten Ende des genannten Plattchenträgers (13) zum entsprechenden Ende des Schaltungsbausteins verläuft, und daß sich die Enden der genannten Finger (32, 33) durch das Kunststoff-Formteil hindurch erstrecken und eine äußere Oberfläche aufweisen, die in gleicher Höhe mit der entgegengesetzten Oberfläche des Kunststoff-Formteils liegt und gegenüber dieser letzteren freigelegt ist»2o In Kunststoff gekapselter integrierter Schaltungsbaustein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gesamthöhe des Kühlbleches (19)> einschließlich des .Sockelteils (31) und der Finger (32, 33) etwas größer als die lichte Höhe eines Hohlraums einer Gußform ist, in die der genannte Schaltungsbaustein zur Einkapselung einbringbar ist, wobei die obere innere Wandungsfläche (25) des Hohlraumes der Gußform gegen die Enden der genannten Finger (32, 33) drückt und damit die untere äußere Oberfläche des Sockelteils (31) fest gegen die untere innere Wandungsfläche (25*) des Hohlraumes der Gußform während des Einkapselungsvorganges anpreßt»12· -
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---|---|---|---|---|
DE3039440C2 (de) * | 1980-10-18 | 1984-02-16 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Anordnung zur Aufnahme von elektrischen und/oder elektronischen Bauelementen |
US4063267A (en) * | 1976-06-21 | 1977-12-13 | Mcdonnell Douglas Corporation | MNOS Memory device |
JPS53132975A (en) * | 1977-04-26 | 1978-11-20 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5425381A (en) * | 1977-07-27 | 1979-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Home-use electric appliance |
US4137546A (en) * | 1977-10-14 | 1979-01-30 | Plessey Incorporated | Stamped lead frame for semiconductor packages |
US4132856A (en) * | 1977-11-28 | 1979-01-02 | Burroughs Corporation | Process of forming a plastic encapsulated molded film carrier CML package and the package formed thereby |
US4195193A (en) * | 1979-02-23 | 1980-03-25 | Amp Incorporated | Lead frame and chip carrier housing |
FR2456390A1 (fr) * | 1979-05-11 | 1980-12-05 | Thomson Csf | Grille d'encapsulation, microboitier de circuit electronique utilisant cette grille et procede d'encapsulation de circuit electronique en microboitier |
US4258411A (en) * | 1979-05-21 | 1981-03-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electronic device packaging arrangement |
FR2487580A1 (fr) * | 1980-07-22 | 1982-01-29 | Thomson Csf Mat Tel | Dispositif semiconducteur a enrobage isolant comportant un dissipateur de chaleur apparent, et son procede de fabrication |
US4331831A (en) * | 1980-11-28 | 1982-05-25 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Package for semiconductor integrated circuits |
FR2498377A1 (fr) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Thomson Csf Mat Tel | Procede de fabrication de dispositifs semiconducteurs sur bande metallique |
JPS57147260A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of resin-sealed semiconductor device and lead frame used therefor |
IT1218271B (it) * | 1981-04-13 | 1990-04-12 | Ates Componenti Elettron | Procedimento per la fabbricazione di contenitori in plastica con dissipatore termico per circuiti integrati e combinazione di stampo e dissipatori utilizzabile con tale procedimento |
US4451973A (en) * | 1981-04-28 | 1984-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
CA1195782A (en) * | 1981-07-06 | 1985-10-22 | Mikio Nishikawa | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
EP0104231A4 (de) * | 1982-04-05 | 1985-10-30 | Motorola Inc | Selbstausrichtende wärmestreuungsanordnung. |
JPS5979417A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Sony Corp | 磁気ヘツド装置 |
US4521828A (en) * | 1982-12-23 | 1985-06-04 | At&T Technologies, Inc. | Component module for piggyback mounting on a circuit package having dual-in-line leads |
US4617708A (en) * | 1982-12-23 | 1986-10-21 | At&T Technologies, Inc. | Component module for piggyback mounting on a circuit package having dual-in-line leads, and methods of fabricating same |
US4630172A (en) * | 1983-03-09 | 1986-12-16 | Printed Circuits International | Semiconductor chip carrier package with a heat sink |
IT1213140B (it) * | 1984-02-17 | 1989-12-14 | Ates Componenti Elettron | Componente elettronico integrato per assemblaggio di superficie. |
DE3684184D1 (de) * | 1985-06-20 | 1992-04-16 | Toshiba Kawasaki Kk | Verkapselte halbleiteranordnung. |
US4751611A (en) * | 1986-07-24 | 1988-06-14 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor package structure |
US4868349A (en) * | 1988-05-09 | 1989-09-19 | National Semiconductor Corporation | Plastic molded pin-grid-array power package |
JPH0732215B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1995-04-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US4916506A (en) * | 1988-11-18 | 1990-04-10 | Sprague Electric Company | Integrated-circuit lead-frame package with low-resistance ground-lead and heat-sink means |
US5015803A (en) * | 1989-05-31 | 1991-05-14 | Olin Corporation | Thermal performance package for integrated circuit chip |
US5334872A (en) * | 1990-01-29 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad |
US5065281A (en) * | 1990-02-12 | 1991-11-12 | Rogers Corporation | Molded integrated circuit package incorporating heat sink |
US5014117A (en) * | 1990-03-30 | 1991-05-07 | International Business Machines Corporation | High conduction flexible fin cooling module |
ATE186795T1 (de) * | 1990-07-21 | 1999-12-15 | Mitsui Chemicals Inc | Halbleiteranordnung mit einer packung |
IT1247649B (it) * | 1990-10-31 | 1994-12-28 | Sgs Thomson Microelectronics | Procedimento di incapsulamento in resina di un dispositivo a semiconduttore di potenza montato su dissipatore allontanando i reofori dal dissipatore mediante l'azione del controstampo in fase di chiusura dello stampo |
US5139973A (en) * | 1990-12-17 | 1992-08-18 | Allegro Microsystems, Inc. | Method for making a semiconductor package with the distance between a lead frame die pad and heat spreader determined by the thickness of an intermediary insulating sheet |
IT1246743B (it) * | 1990-12-28 | 1994-11-26 | Sgs Thomson Microelectronics | Stampo per la fabbricazione di contenitori in plastica, per circuiti integrati,con dissipatore termico incorporato. |
US5403784A (en) * | 1991-09-03 | 1995-04-04 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Process for manufacturing a stacked multiple leadframe semiconductor package using an alignment template |
US5200809A (en) * | 1991-09-27 | 1993-04-06 | Vlsi Technology, Inc. | Exposed die-attach heatsink package |
JPH05190721A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US5263245A (en) * | 1992-01-27 | 1993-11-23 | International Business Machines Corporation | Method of making an electronic package with enhanced heat sinking |
US5387554A (en) * | 1992-09-10 | 1995-02-07 | Vlsi Technology, Inc. | Apparatus and method for thermally coupling a heat sink to a lead frame |
US5608267A (en) * | 1992-09-17 | 1997-03-04 | Olin Corporation | Molded plastic semiconductor package including heat spreader |
US5289344A (en) * | 1992-10-08 | 1994-02-22 | Allegro Microsystems Inc. | Integrated-circuit lead-frame package with failure-resistant ground-lead and heat-sink means |
KR940016724A (ko) * | 1992-12-03 | 1994-07-23 | 빈센트 비. 인그라시아 | 표면 실장형 집적 회로 파워 패키지용 리드 프레임 어셈블리 |
DE9300865U1 (de) * | 1993-01-22 | 1994-05-26 | Siemens Ag | Einstückiges Kunststoffteil, insbesondere Spritzgießteil |
US5394607A (en) * | 1993-05-20 | 1995-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing low cost heat sink |
US5420752A (en) * | 1993-08-18 | 1995-05-30 | Lsi Logic Corporation | GPT system for encapsulating an integrated circuit package |
US5441684A (en) * | 1993-09-24 | 1995-08-15 | Vlsi Technology, Inc. | Method of forming molded plastic packages with integrated heat sinks |
US5444909A (en) * | 1993-12-29 | 1995-08-29 | Intel Corporation | Method of making a drop-in heat sink |
US5609889A (en) * | 1995-05-26 | 1997-03-11 | Hestia Technologies, Inc. | Apparatus for encapsulating electronic packages |
JP3435271B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2003-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US5825623A (en) * | 1995-12-08 | 1998-10-20 | Vlsi Technology, Inc. | Packaging assemblies for encapsulated integrated circuit devices |
JPH09199645A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体モジュール |
US5672547A (en) * | 1996-01-31 | 1997-09-30 | Industrial Technology Research Institute | Method for bonding a heat sink to a die paddle |
US5872395A (en) * | 1996-09-16 | 1999-02-16 | International Packaging And Assembly Corporation | Bent tip method for preventing vertical motion of heat spreaders during injection molding of IC packages |
US5859387A (en) * | 1996-11-29 | 1999-01-12 | Allegro Microsystems, Inc. | Semiconductor device leadframe die attach pad having a raised bond pad |
US6001672A (en) * | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink |
JP2924854B2 (ja) * | 1997-05-20 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、その製造方法 |
US5869883A (en) * | 1997-09-26 | 1999-02-09 | Stanley Wang, President Pantronix Corp. | Packaging of semiconductor circuit in pre-molded plastic package |
US6198163B1 (en) | 1999-10-18 | 2001-03-06 | Amkor Technology, Inc. | Thin leadframe-type semiconductor package having heat sink with recess and exposed surface |
US6678121B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-01-13 | Seagate Technology Llc | Fiber reinforced laminate actuator arm for disc drives |
US7220615B2 (en) | 2001-06-11 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Alternative method used to package multimedia card by transfer molding |
US6396130B1 (en) | 2001-09-14 | 2002-05-28 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package having multiple dies with independently biased back surfaces |
EP1318544A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-06-11 | STMicroelectronics S.r.l. | Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuseanordnungen |
US20030112710A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-19 | Eidson John C. | Reducing thermal drift in electronic components |
US7190060B1 (en) | 2002-01-09 | 2007-03-13 | Bridge Semiconductor Corporation | Three-dimensional stacked semiconductor package device with bent and flat leads and method of making same |
US6936495B1 (en) | 2002-01-09 | 2005-08-30 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making an optoelectronic semiconductor package device |
US6891276B1 (en) | 2002-01-09 | 2005-05-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor package device |
US6989295B1 (en) | 2002-01-09 | 2006-01-24 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor package device that includes an insulative housing with first and second housing portions |
US7375415B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-05-20 | Sandisk Corporation | Die package with asymmetric leadframe connection |
JP4634498B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
CN104009008A (zh) | 2013-02-27 | 2014-08-27 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有集成散热器的半导体器件 |
CN104576565A (zh) | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有散热体的半导体器件及其组装方法 |
US9385060B1 (en) | 2014-07-25 | 2016-07-05 | Altera Corporation | Integrated circuit package with enhanced thermal conduction |
US9355945B1 (en) | 2015-09-02 | 2016-05-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with heat-dissipating lead frame |
WO2017094370A1 (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | ローム株式会社 | パワーモジュール装置、冷却構造体、および電気自動車またはハイブリッドカー |
JP7169771B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2022-11-11 | Koa株式会社 | 抵抗器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3444309A (en) * | 1967-12-26 | 1969-05-13 | Motorola Inc | Unitized assembly plastic encapsulation providing outwardly facing nonplastic surfaces |
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FR2116353B1 (de) * | 1970-10-19 | 1976-04-16 | Ates Componenti Elettron | |
US3729573A (en) * | 1971-01-25 | 1973-04-24 | Motorola Inc | Plastic encapsulation of semiconductor devices |
US3767839A (en) * | 1971-06-04 | 1973-10-23 | Wells Plastics Of California I | Plastic micro-electronic packages |
US3839660A (en) * | 1973-02-05 | 1974-10-01 | Gen Motors Corp | Power semiconductor device package |
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