JP2924854B2 - 半導体装置、その製造方法 - Google Patents

半導体装置、その製造方法

Info

Publication number
JP2924854B2
JP2924854B2 JP9129671A JP12967197A JP2924854B2 JP 2924854 B2 JP2924854 B2 JP 2924854B2 JP 9129671 A JP9129671 A JP 9129671A JP 12967197 A JP12967197 A JP 12967197A JP 2924854 B2 JP2924854 B2 JP 2924854B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
resin member
lead
lead terminal
pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9129671A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10321788A (ja
Inventor
清治 市川
毅 梅本
俊明 西部
一成 佐藤
邦彦 坪田
雅人 清
善一 西村
慶太 岡平
龍也 宮
亨 北古賀
和弘 田原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP9129671A priority Critical patent/JP2924854B2/ja
Priority to TW087105687A priority patent/TW494558B/zh
Priority to US09/059,316 priority patent/US6104086A/en
Priority to CNB981018467A priority patent/CN1146044C/zh
Priority to EP98109023A priority patent/EP0880177B1/en
Priority to KR1019980017825A priority patent/KR100287236B1/ko
Priority to DE69838310T priority patent/DE69838310T2/de
Publication of JPH10321788A publication Critical patent/JPH10321788A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2924854B2 publication Critical patent/JP2924854B2/ja
Priority to US09/417,745 priority patent/US6319753B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334Auxiliary members in encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂部材から外側
に突出したリード端子がJ型に曲折されている半導体装
置、その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSI(Large Scale Integr
ated Circuit)やトランジスタ等の半導体装置が各種
の電子機器に利用されている。このような半導体装置
は、半導体回路のペレットが樹脂部材に封止されてお
り、この樹脂部材の両側に細長い導電板からなる多数の
リード端子が突設されている。これらのリード端子は樹
脂部材の内部でペレットの接続パッドに結線されている
ので、回路基板に半導体装置を搭載してリード端子を信
号配線に接続すれば、各種信号をペレットに入出力する
ことができる。
【0003】このような半導体装置は各種用途に利用さ
れているが、例えば、携帯電話に使用される半導体装置
などは、実装面積を小型化することが要求されている。
そこで、樹脂部材の側面から外側に突出したリード端子
の外側部分をJ型に曲折し、リード端子の先端を樹脂部
材の下面に位置させて実装面積を小型化した半導体装置
が実用化されており、例えば、特開平7−221242
号公報、特開平7−263607号公報、特開平8−8
8296号公報、等に開示されている。
【0004】上述のようにリード端子をJ型に曲折して
先端を樹脂部材の下面に位置させた半導体装置では、全
体の占有面積も縮小されており、リード端子は樹脂部材
の下面の位置で回路基板に接続されるので、実装面積を
小型化することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにリード端
子をJ型に曲折して先端を樹脂部材の下面に位置させた
半導体装置では、実装面積を小型化することができる。
【0006】しかし、上述のような半導体装置では、リ
ード端子の先端が樹脂部材の下面に位置するため、樹脂
部材の下面に導電性のアイランドからなる放熱板を露出
させると、この放熱板とリード端子とが短絡することに
なる。このため、上述のようにリード端子をJ型に曲折
させた半導体装置では、樹脂部材の下面に放熱板が露出
しない構造とされており、ペレットの放熱性が良好でな
い。しかし、携帯電話で電波の送信に利用される半導体
装置などは、多量の電力を使用するためにペレットの発
熱が顕著であり、これを良好に放熱することが必要であ
る。
【0007】その点、特開平7−221242号公報に
開示された半導体装置では、樹脂部材の下面に放熱板を
露出させ、この放熱板の下面に絶縁膜を被覆してリード
端子との短絡を防止している。しかし、これでは放熱板
を回路基板の接地配線などに接続することができないの
で、良好な放熱性は期待できない。
【0008】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、リード端子をJ型に曲折させて先端を樹
脂部材の下面に位置させた半導体装置において、樹脂部
材の下面に放熱板を露出させて良好な放熱性を実現し、
それでいて放熱板とリード端子とが短絡しない半導体装
置、その製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の一の半導体装置
は、多数の接続パッドを具備する半導体回路のペレット
が放熱板の上面に搭載され、前記ペレットの外側に細長
い導電板からなる多数のリード端子が配置され、これら
のリード端子と前記ペレットの接続パッドとがボンディ
ングワイヤで個々に結線され、前記ペレットと前記放熱
板と前記ボンディングワイヤと前記リード端子の内側部
分とが樹脂部材の内部に封止され、該樹脂部材の側面か
ら外部に突出した前記リード端子の外側部分がJ型に曲
折され、この曲折された前記リード端子の外側部分の先
端が前記樹脂部材の下面に位置している半導体装置にお
いて、前記放熱板の外周部分に凹部が形成され、前記放
熱板が前記樹脂部材の下面に露出され、前記放熱板の凹
部の内側に前記リード端子の外側部分の先端が位置し、
前記リード端子の外側部分の先端と前記放熱板の凹部と
の間隙に絶縁材が位置している。
【0010】従って、樹脂部材の側面から外側に突出し
たリード端子の外側部分がJ型に曲折されており、その
先端が樹脂部材の下面に位置しているので、実装面積が
小型化されている。しかも、樹脂部材の下面には放熱板
が露出しているので、ペレットの放熱性が良好である。
それでいて、放熱板の外周部分に形成された凹部の内側
にリード端子の外側部分の先端が位置しており、リード
端子の先端と放熱板の凹部との間隙には絶縁材が位置し
ているので、リード端子が放熱板に短絡することもな
い。
【0011】なお、本発明では放熱板に対してペレット
が搭載される方向を上方と呼称し、これと直交する方向
を側方と呼称しているが、このような方向は説明を簡略
化するために便宜的に使用するものであり、実際の装置
の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
【0012】また、本発明で云う放熱板とは、ペレット
が搭載されて放熱に寄与する部材を意味しており、金属
製のアイランドを許容する。放熱板の凹部とは、リード
端子の先端が位置する部分が排除されている形状を意味
しており、必ずしも外形が凹状である必要はない。絶縁
材とは、絶縁性を有してリード端子と放熱板との間隙に
配置できる部材であれば良く、例えば、接着剤や樹脂部
材の凸部などを許容する。
【0013】本発明の他の半導体装置は、多数の接続パ
ッドを具備する半導体回路のペレットが放熱板の上面に
搭載され、前記ペレットの外側に細長い導電板からなる
多数のリード端子が配置され、これらのリード端子と前
記ペレットの接続パッドとがボンディングワイヤで個々
に結線され、前記ペレットと前記放熱板と前記ボンディ
ングワイヤと前記リード端子の内側部分とが樹脂部材の
内部に封止され、該樹脂部材の側面から外部に突出した
前記リード端子の外側部分がJ型に曲折され、この曲折
された前記リード端子の外側部分の先端が前記樹脂部材
の下面に位置している半導体装置において、前記放熱板
の外周部分に凹部が形成され、前記放熱板が前記樹脂部
材の下面に露出され、該樹脂部材の下面の外周部分に突
設された凸部が前記放熱板の凹部の内側に位置し、前記
樹脂部材の凸部の下面に凹溝が形成され、前記樹脂部材
の凹溝の内側に前記リード端子の外側部分の先端が位置
している。
【0014】従って、樹脂部材の側面から外側に突出し
たリード端子の外側部分がJ型に曲折されており、その
先端が樹脂部材の下面に位置しているので、実装面積が
小型化されている。しかも、樹脂部材の下面には放熱板
が露出しているので、ペレットの放熱性が良好である。
それでいて、放熱板の外周部分に形成された凹部の内側
にリード端子の外側部分の先端が位置しており、リード
端子の先端と放熱板の凹部との間隙には樹脂部材の凸部
が位置しているので、リード端子が放熱板に短絡するこ
ともない。
【0015】上述のような半導体装置における他の発明
としては、放熱板の一つの凹部の内側に一個のリード端
子の外側部分の先端が位置している。従って、放熱板の
多数の凹部の間隙に位置する多数の凸部が、多数のリー
ド端子の間隙に位置することになり、放熱板が大面積に
形成される。
【0016】上述のような半導体装置における他の発明
としては、放熱板の一つの凹部の内側に複数のリード端
子の外側部分の先端が位置している。従って、リード端
子が多数でも放熱板の凹部は少数となるので、放熱板が
単純な外形に形成される。
【0017】本発明の半導体装置の製造方法は、多数の
リード端子と一個の放熱板とがタイバー等により一体に
連結された一個のリードフレームを形成し、表面に多数
の接続パッドが連設された半導体回路のペレットを前記
リードフレームの放熱板の部分の上面に搭載し、前記ペ
レットの多数の接続パッドと前記リードフレームの多数
のリード端子とをボンディングワイヤで個々に結線し、
前記ペレットと前記ボンディングワイヤとが一体に装着
された前記リードフレームを接離自在な少なくとも一対
の金型のキャビティの内部に前記リード端子の外側部分
で保持して配置し、前記金型のキャビティに溶融した樹
脂を充填し、充填した前記樹脂を凝固させることで前記
ペレットと前記放熱板と前記ボンディングワイヤと前記
リード端子の内側部分とが内部に封止されて該リード端
子の外側部分が外部に露出した樹脂部材を形成し、前記
リードフレームの前記タイバー等を切除して前記放熱板
と多数の前記リード端子とを個々に分離させ、前記樹脂
部材の側面から外部に突出した前記リード端子の外側部
分をJ型に曲折し、この曲折された前記リード端子の外
側部分の先端を前記樹脂部材の下面に位置させるように
した半導体装置の製造方法において、前記リードフレー
ムを形成するとき、前記放熱板の外周部分に凹部を形成
し、前記リードフレームを前記金型の内部に配置すると
き、前記放熱板の下面を前記金型の内面に当接させ、前
記樹脂部材を形成するとき、凹溝が下面に形成された凸
部を前記放熱板の凹部の内側に形成し、リード端子の外
側部分を曲折させるとき、その先端を前記樹脂部材の凹
溝の内側に位置させるようにした。
【0018】従って、上述した方法で製造した半導体装
置は、樹脂部材の側面から外側に突出したリード端子の
外側部分がJ型に曲折されており、その先端が樹脂部材
の下面に位置しているので、実装面積が小型化されてい
る。しかも、樹脂部材の下面には放熱板が露出している
ので、ペレットの放熱性が良好である。それでいて、放
熱板の外周部分に形成された凹部の内側にリード端子の
外側部分の先端が位置しており、リード端子の先端と放
熱板の凹部との間隙には樹脂部材の凸部が位置している
ので、リード端子が放熱板に短絡することもない。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図面を参
照して以下に説明する。なお、図1は本実施の形態の半
導体装置の外観を示しており、(a)は正面図、(b)は底
面図、(c)は平面図、(d)は側面図である。図2は図1
の半導体装置をAA線の位置で切断して矢視した状態を
示す縦断正面図、図3は図1の半導体装置をBB線の位
置で切断して矢視した状態を示す縦断側面図、図4は要
部を拡大した底面図である。
【0020】図5は半導体装置の製造方法の一部を順番
に示しており、(a)はリード端子と放熱板とをリードフ
レームから切断した状態を示す正面図、(b)はリード端
子の外側部分を先端の位置で曲折する工程を示す正面
図、(c)はリード端子の外側部分を先端の位置で曲折し
た状態を示す正面図、(d)はリード端子の外側部分を末
端の位置で曲折する工程を示す正面図、(e)はリード端
子の外側部分を末端の位置で曲折した状態を示す正面図
である。
【0021】図6は半導体装置の実装方法を順番に示し
ており、(a)は回路基板を示す正面図、(b)は回路基板
の上面にクリーム状の半田を印刷した状態を示す正面
図、(c)は回路基板の上面に半導体装置を搭載した状態
を示す正面図、(d)は半田リフローによる半導体装置の
実装が完了した状態を示す正面図である。
【0022】まず、本実施の形態の半導体装置である集
積回路装置1は、図2に示すように、半導体回路からな
る集積回路のペレット2を具備しており、このペレット
2が金属製のアイランドである放熱板3の上面に実装さ
れている。前記ペレット2の上面には多数の接続パッド
4が形成されており、前記放熱板3の両側には多数のリ
ード端子5が配列されている。
【0023】前記ペレット2の多数の接続パッド4と多
数の前記リード端子5の内側部分6とは、多数のボンデ
ィングワイヤ7で個々に結線されており、前記ペレット
2と前記放熱板3と前記ボンディングワイヤ7と前記リ
ード端子5の内側部分6とは、樹脂部材である樹脂パッ
ケージ8の内部に封止されている。この樹脂パッケージ
8の側面から外部に突出した前記リード端子5の外側部
分9はJ型に曲折されており、この曲折された前記リー
ド端子5の外側部分9は先端が前記樹脂パッケージ8の
下面に位置している。
【0024】ただし、本実施の形態の集積回路装置1で
は、図1に示すように、前記樹脂パッケージ8の下面に
前記放熱板3が露出しており、この放熱板3の外周部分
に多数の凹部10が形成されている。前記樹脂パッケー
ジ8の下面の外周部分には多数の凸部11が突設されて
おり、これらの凸部11が前記放熱板3の凹部10の内
側に個々に位置している。
【0025】そして、前記樹脂パッケージ8の多数の凸
部11の下面には、下側と外側とが開口した凹溝12が
各々形成されており、図3および図4に示すように、こ
れらの凹溝12の内側に前記リード端子5の多数の外側
部分9の先端が個々に位置している。つまり、前記放熱
板3の凹部10の内側に前記リード端子5の外側部分9
の先端が位置しており、このリード端子5の外側部分9
の先端と前記放熱板3の凹部10との間隙に前記樹脂パ
ッケージ8の凸部11が絶縁材として位置している。
【0026】なお、本実施の形態の集積回路装置1で
は、前記放熱板3の一つの凹部10の内側に前記樹脂パ
ッケージ8の一つの凸部11が位置しており、一つの凸
部11の上面に一つの凹溝12が形成されており、一つ
の凹溝12の内側に一個のリード端子5の外側部分9の
先端が位置している。
【0027】上述のような構成において、本実施の形態
の集積回路装置1は、図6(d)に示すように、回路基板
13の上面に実装される。その場合、樹脂パッケージ8
の下面に位置する多数のリード端子5の先端が、回路基
板13の多数の信号配線14に半田15等で個々に接続
され、樹脂パッケージ8の下面に露出した放熱板3が、
回路基板13の接地配線16などの導体パターンに半田
15等で接続される。
【0028】このように回路基板13に実装された集積
回路装置1は、樹脂パッケージ8の側面から外側に突出
したリード端子5の外側部分がJ形に曲折されて樹脂パ
ッケージ8の下面に位置しているので、実装面積が小型
化されている。また、ペレット2が搭載された放熱板3
が樹脂パッケージ8の下面に露出しており、接地配線1
6に直接に接続されているので、ペレット2の発熱を良
好に放熱することができる。
【0029】それでいて、本実施の形態の集積回路装置
1は、放熱板3の外周部分に形成された凹部10の内側
にリード端子5の先端が位置しており、このリード端子
5の先端と放熱板3との間隙には樹脂パッケージ8の凸
部11が絶縁材として位置しているので、リード端子5
と放熱板3とが短絡することがない。しかも、多数のリ
ード端子5と放熱板3の凹部10とが一対一に対応して
いるので、放熱板3が大面積に形成されて良好な放熱性
が実現されている。
【0030】ここで、本実施の形態の集積回路装置1の
製造方法を以下に簡単に説明する。まず、極薄の金属板
のエッチングにより、多数のリード端子5と一個の放熱
板3とがタイバー等により一体に連結されたリードフレ
ームを形成するが、当然ながら放熱板3は外周部分に多
数の凹部10が位置する形状に形成される。
【0031】つぎに、このリードフレームをダウンセッ
トにより変形させてリード端子5の内側部分6を放熱板
3より上方に位置させ、放熱板3の上面にペレット2を
ソルダーで搭載し、このペレット2の多数の接続パッド
4と多数のリード端子5とをボンディングワイヤ7で個
々に結線する。
【0032】このようにペレット2とボンディングワイ
ヤ76とが一体に装着されたリードフレームを、接離自
在な一対の金型のキャビティの内部に配置する。このと
き、一対の金型でリード端子5の外側部分9を保持する
とともに、放熱板3の下面を金型の内面に当接させるこ
とにより、これらの部分が樹脂パッケージ8から露出す
るようにする。また、ここで樹脂パッケージ8の成型に
使用する金型は、下面に凹溝12が形成された凸部11
を放熱板3の凹溝10の内側に成型する形状に形成され
ている。
【0033】上述のような状態で金型のキャビティに溶
融した樹脂を充填して凝固させることにより、ペレット
2と放熱板3とボンディングワイヤ7とリード端子5の
内側部分6とが内部に封止された樹脂パッケージ8を形
成する。つぎに、樹脂のバリ等を除去するとともに、リ
ードフレームのタイバー等を切除すると、図5(a)に示
すように、樹脂パッケージ8の側面からリード端子5の
外側部分9が外側に突出し、樹脂パッケージ8の下面に
放熱板3が露出したものが形成される。
【0034】そこで、同図(b)〜(e)に示すように、プ
レス金型17,18でリード端子5の外側部分9を先端
の位置で曲折させてから、プレス金型19,20でリー
ド端子5の外側部分9を末端の位置で曲折させる。これ
でリード端子5はJ型に曲折されて先端が樹脂パッケー
ジ8の下面まで移動し、放熱板3の凹部10の内側に樹
脂パッケージ8の凸部11を介して位置することにな
る。
【0035】上述のように集積回路装置1を製造するこ
とにより、外周部分に多数の凹部10が形成された放熱
板3が樹脂パッケージ8の下面に露出し、この樹脂パッ
ケージ8の側面から突出したリード端子5がJ型に曲折
され、このリード端子5の先端が放熱板3のの凹部10
の内側に樹脂パッケージ8の凸部11を介して位置した
構造を簡単に実現することができる。
【0036】さらに、上述のように製造した集積回路装
置1を回路基板13に実装する方法を、図6を参照して
以下に簡単に説明する。まず、図6(a)に示すように、
回路基板13の上面には、集積回路装置1の放熱板3と
リード端子5とに対応した位置に信号配線14と接地配
線16とを形成する。
【0037】つぎに、同図(b)(c)に示すように、これ
らの配線14,16の表面にクリーム状の半田15’を
塗布してから集積回路装置1を実装し、同図(d)に示す
ように、半田15’を加熱して溶融させてから冷却して
凝固させる。これで凝固した半田15により集積回路装
置1のリード端子5が回路基板13の信号配線14に接
続されるとともに、放熱板3が接地配線16に接続され
るので、ペレット2が各種信号を入出力できることにな
り、ペレット2を良好に放熱できることになる。
【0038】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態ではリード端子5と放熱板3
の凹部10とが一対一に対応していることを例示した
が、図7に示す半導体装置21のように、放熱板22の
凹部23の内側に複数のリード端子5を位置させるよう
なことも可能である。この場合、放熱板22の面積が縮
小されて放熱性が多少は低下することになるが、放熱板
22の形状が単純となるので生産性が向上することにな
る。
【0039】さらに、図8に示す半導体装置31のよう
に、放熱板32を単純な長方形として両側にリード端子
5を位置させることにより、放熱板32の両側の部分を
凹部33とすることも可能である。この場合、さらに放
熱板32の面積は縮小されるが、放熱板32の形状が極
めて単純となる。
【0040】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【0041】請求項1記載の発明の半導体装置は、多数
の接続パッドを具備する半導体回路のペレットが放熱板
の上面に搭載され、前記ペレットの外側に細長い導電板
からなる多数のリード端子が配置され、これらのリード
端子と前記ペレットの接続パッドとがボンディングワイ
ヤで個々に結線され、前記ペレットと前記放熱板と前記
ボンディングワイヤと前記リード端子の内側部分とが樹
脂部材の内部に封止され、該樹脂部材の側面から外部に
突出した前記リード端子の外側部分がJ型に曲折され、
この曲折された前記リード端子の外側部分の先端が前記
樹脂部材の下面に位置している半導体装置において、前
記放熱板の外周部分に凹部が形成され、前記放熱板が前
記樹脂部材の下面に露出され、前記放熱板の凹部の内側
に前記リード端子の外側部分の先端が位置し、前記リー
ド端子の外側部分の先端と前記放熱板の凹部との間隙に
絶縁材が位置していることにより、リード端子の外側部
分をJ型に曲折して実装面積を小型化しながら、樹脂部
材の下面に放熱板を露出させて良好な放熱性を実現する
ことができ、それでいて放熱板とリード端子とが短絡す
ることもなく、実装面積の小型化と放熱性の向上とを両
立させることができる。
【0042】請求項2記載の発明の半導体装置は、多数
の接続パッドを具備する半導体回路のペレットが放熱板
の上面に搭載され、前記ペレットの外側に細長い導電板
からなる多数のリード端子が配置され、これらのリード
端子と前記ペレットの接続パッドとがボンディングワイ
ヤで個々に結線され、前記ペレットと前記放熱板と前記
ボンディングワイヤと前記リード端子の内側部分とが樹
脂部材の内部に封止され、該樹脂部材の側面から外部に
突出した前記リード端子の外側部分がJ型に曲折され、
この曲折された前記リード端子の外側部分の先端が前記
樹脂部材の下面に位置している半導体装置において、前
記放熱板の外周部分に凹部が形成され、前記放熱板が前
記樹脂部材の下面に露出され、該樹脂部材の下面の外周
部分に突設された凸部が前記放熱板の凹部の内側に位置
し、前記樹脂部材の凸部の下面に凹溝が形成され、前記
樹脂部材の凹溝の内側に前記リード端子の外側部分の先
端が位置していることにより、リード端子の外側部分を
J型に曲折して実装面積を小型化しながら、樹脂部材の
下面に放熱板を露出させて良好な放熱性を実現すること
ができ、それでいて放熱板とリード端子とが短絡するこ
ともなく、実装面積の小型化と放熱性の向上とを両立さ
せることができる。
【0043】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載の半導体装置であって、放熱板の一つの凹部の内側
に一個のリード端子の外側部分の先端が位置しているこ
とにより、放熱板を大面積に形成することができるの
で、放熱性を良好に向上させることができる。
【0044】請求項4記載の発明は、請求項1または2
記載の半導体装置であって、放熱板の一つの凹部の内側
に複数のリード端子の外側部分の先端が位置しているこ
とにより、放熱板を単純な外形に形成することができる
ので、生産性を向上させることができる。
【0045】請求項5記載の発明の半導体装置の製造方
法は、多数のリード端子と一個の放熱板とがタイバー等
により一体に連結された一個のリードフレームを形成
し、表面に多数の接続パッドが連設された半導体回路の
ペレットを前記リードフレームの放熱板の部分の上面に
搭載し、前記ペレットの多数の接続パッドと前記リード
フレームの多数のリード端子とをボンディングワイヤで
個々に結線し、前記ペレットと前記ボンディングワイヤ
とが一体に装着された前記リードフレームを接離自在な
少なくとも一対の金型のキャビティの内部に前記リード
端子の外側部分で保持して配置し、前記金型のキャビテ
ィに溶融した樹脂を充填し、充填した前記樹脂を凝固さ
せることで前記ペレットと前記放熱板と前記ボンディン
グワイヤと前記リード端子の内側部分とが内部に封止さ
れて該リード端子の外側部分が外部に露出した樹脂部材
を形成し、前記リードフレームの前記タイバー等を切除
して前記放熱板と多数の前記リード端子とを個々に分離
させ、前記樹脂部材の側面から外部に突出した前記リー
ド端子の外側部分をJ型に曲折し、この曲折された前記
リード端子の外側部分の先端を前記樹脂部材の下面に位
置させるようにした半導体装置の製造方法において、前
記リードフレームを形成するとき、前記放熱板の外周部
分に凹部を形成し、前記リードフレームを前記金型の内
部に配置するとき、前記放熱板の下面を前記金型の内面
に当接させ、前記樹脂部材を形成するとき、凹溝が下面
に形成された凸部を前記放熱板の凹部の内側に形成し、
リード端子の外側部分を曲折させるとき、その先端を前
記樹脂部材の凹溝の内側に位置させるようにしたことに
より、実装面積が小型で放熱性も良好で放熱板とリード
端子とが短絡することもない半導体装置を簡単に製造す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態の半導体装置の外観を示
しており、(a)は正面図、(b)は底面図、(c)は平面
図、(d)は側面図である。
【図2】図1の半導体装置をAA線の位置で切断して矢
視した状態を示す縦断正面図である。
【図3】図1の半導体装置をBB線の位置で切断して矢
視した状態を示す縦断側面図である。
【図4】半導体装置の拡大した要部を示す底面図であ
る。
【図5】半導体装置の製造方法の要部を順番に示してお
り、(a)はリード端子と放熱板とをリードフレームから
切断した状態を示す正面図、(b)はリード端子の外側部
分を先端の位置で曲折する工程を示す正面図、(c)はリ
ード端子の外側部分を先端の位置で曲折した状態を示す
正面図、(d)はリード端子の外側部分を末端の位置で曲
折する工程を示す正面図、(e)はリード端子の外側部分
を末端の位置で曲折した状態を示す正面図である。
【図6】半導体装置の実装方法を順番に示しており、
(a)は回路基板を示す正面図、(b)は回路基板の上面に
クリーム状の半田を印刷した状態を示す正面図、(c)は
回路基板の上面に半導体装置を搭載した状態を示す正面
図、(d)は半田を凝固させて半導体装置の実装が完了し
た状態を示す正面図である。
【図7】第一の変形例の半導体装置の外観を示してお
り、(a)は正面図、(b)は底面図、(c)は平面
図、(d)は側面図である。
【図8】第二の変形例の半導体装置の外観を示してお
り、(a)は正面図、(b)は底面図、(c)は平面
図、(d)は側面図である。
【符号の説明】
1 半導体装置である集積回路装置 2 ペレット 3 放熱板 4 接続パッド 5 リード端子 6 内側部分 7 ボンディングワイヤ 8 樹脂部材である樹脂パッケージ 9 外側部分 10 凹部 11 凸部 12 凹溝 13 回路基板 14 信号配線 15 凝固した半田 15’ クリーム状の半田 16 接地配線 17,18 プレス金型 19,20 プレス金型 21 半導体装置 22 放熱板 23 凹部 31 半導体装置 32 放熱板 33 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 一成 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 坪田 邦彦 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 清 雅人 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 西村 善一 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 岡平 慶太 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 宮 龍也 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 北古賀 亨 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 田原 和弘 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−221242(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/50

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数の接続パッドを具備する半導体回路
    のペレットが放熱板の上面に搭載され、前記ペレットの
    外側に細長い導電板からなる多数のリード端子が配置さ
    れ、これらのリード端子と前記ペレットの接続パッドと
    がボンディングワイヤで個々に結線され、前記ペレット
    と前記放熱板と前記ボンディングワイヤと前記リード端
    子の内側部分とが樹脂部材の内部に封止され、該樹脂部
    材の側面から外部に突出した前記リード端子の外側部分
    がJ型に曲折され、この曲折された前記リード端子の外
    側部分の先端が前記樹脂部材の下面に位置している半導
    体装置において、 前記放熱板の外周部分に凹部が形成され、 前記放熱板が前記樹脂部材の下面に露出され、 前記放熱板の凹部の内側に前記リード端子の外側部分の
    先端が位置し、 前記リード端子の外側部分の先端と前記放熱板の凹部と
    の間隙に絶縁材が位置していることを特徴とする半導体
    装置。
  2. 【請求項2】 多数の接続パッドを具備する半導体回路
    のペレットが放熱板の上面に搭載され、前記ペレットの
    外側に細長い導電板からなる多数のリード端子が配置さ
    れ、これらのリード端子と前記ペレットの接続パッドと
    がボンディングワイヤで個々に結線され、前記ペレット
    と前記放熱板と前記ボンディングワイヤと前記リード端
    子の内側部分とが樹脂部材の内部に封止され、該樹脂部
    材の側面から外部に突出した前記リード端子の外側部分
    がJ型に曲折され、この曲折された前記リード端子の外
    側部分の先端が前記樹脂部材の下面に位置している半導
    体装置において、 前記放熱板の外周部分に凹部が形成され、 前記放熱板が前記樹脂部材の下面に露出され、 該樹脂部材の下面の外周部分に突設された凸部が前記放
    熱板の凹部の内側に位置し、 前記樹脂部材の凸部の下面に凹溝が形成され、 前記樹脂部材の凹溝の内側に前記リード端子の外側部分
    の先端が位置していることを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項3】 放熱板の一つの凹部の内側に一個のリー
    ド端子の外側部分の先端が位置していることを特徴とす
    る請求項1または2記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 放熱板の一つの凹部の内側に複数のリー
    ド端子の外側部分の先端が位置していることを特徴とす
    る請求項1または2記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 多数のリード端子と一個の放熱板とがタ
    イバー等により一体に連結された一個のリードフレーム
    を形成し、 表面に多数の接続パッドが連設された半導体回路のペレ
    ットを前記リードフレームの放熱板の部分の上面に搭載
    し、 前記ペレットの多数の接続パッドと前記リードフレーム
    の多数のリード端子とをボンディングワイヤで個々に結
    線し、 前記ペレットと前記ボンディングワイヤとが一体に装着
    された前記リードフレームを接離自在な少なくとも一対
    の金型のキャビティの内部に前記リード端子の外側部分
    で保持して配置し、 前記金型のキャビティに溶融した樹脂を充填し、 充填した前記樹脂を凝固させることで前記ペレットと前
    記放熱板と前記ボンディングワイヤと前記リード端子の
    内側部分とが内部に封止されて該リード端子の外側部分
    が外部に露出した樹脂部材を形成し、 前記リードフレームの前記タイバー等を切除して前記放
    熱板と多数の前記リード端子とを個々に分離させ、 前記樹脂部材の側面から外部に突出した前記リード端子
    の外側部分をJ型に曲折し、 この曲折された前記リード端子の外側部分の先端を前記
    樹脂部材の下面に位置させるようにした半導体装置の製
    造方法において、 前記リードフレームを形成するとき、前記放熱板の外周
    部分に凹部を形成し、 前記リードフレームを前記金型の内部に配置するとき、
    前記放熱板の下面を前記金型の内面に当接させ、 前記樹脂部材を形成するとき、凹溝が下面に形成された
    凸部を前記放熱板の凹部の内側に形成し、 リード端子の外側部分を曲折させるとき、その先端を前
    記樹脂部材の凹溝の内側に位置させるようにしたことを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
JP9129671A 1997-05-20 1997-05-20 半導体装置、その製造方法 Expired - Fee Related JP2924854B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9129671A JP2924854B2 (ja) 1997-05-20 1997-05-20 半導体装置、その製造方法
TW087105687A TW494558B (en) 1997-05-20 1998-04-13 Semiconductor device having lead terminals bent in J-shape
US09/059,316 US6104086A (en) 1997-05-20 1998-04-13 Semiconductor device having lead terminals bent in J-shape
CNB981018467A CN1146044C (zh) 1997-05-20 1998-05-12 具有弯成j-型引线端子的半导体器件
EP98109023A EP0880177B1 (en) 1997-05-20 1998-05-18 Semiconductor device having lead terminals bent in J-shape
KR1019980017825A KR100287236B1 (ko) 1997-05-20 1998-05-18 J-형으로구부러진리드단자를구비하는반도체장치
DE69838310T DE69838310T2 (de) 1997-05-20 1998-05-18 Halbleitervorrichtung mit J-förmig gebogenen Aussenleitern
US09/417,745 US6319753B1 (en) 1997-05-20 1999-10-14 Semiconductor device having lead terminals bent in J-shape

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9129671A JP2924854B2 (ja) 1997-05-20 1997-05-20 半導体装置、その製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10321788A JPH10321788A (ja) 1998-12-04
JP2924854B2 true JP2924854B2 (ja) 1999-07-26

Family

ID=15015285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9129671A Expired - Fee Related JP2924854B2 (ja) 1997-05-20 1997-05-20 半導体装置、その製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6104086A (ja)
EP (1) EP0880177B1 (ja)
JP (1) JP2924854B2 (ja)
KR (1) KR100287236B1 (ja)
CN (1) CN1146044C (ja)
DE (1) DE69838310T2 (ja)
TW (1) TW494558B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110918822A (zh) * 2018-09-19 2020-03-27 Tdk株式会社 端子折弯装置、端子折弯方法和线圈部件的制造方法

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3842444B2 (ja) * 1998-07-24 2006-11-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3839178B2 (ja) * 1999-01-29 2006-11-01 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3062192B1 (ja) * 1999-09-01 2000-07-10 松下電子工業株式会社 リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4395986B2 (ja) * 2000-04-24 2010-01-13 住友金属鉱山株式会社 Bcc用リードフレームとその製造方法並びにそれを用いて得た半導体装置
US7015072B2 (en) 2001-07-11 2006-03-21 Asat Limited Method of manufacturing an enhanced thermal dissipation integrated circuit package
US6734552B2 (en) * 2001-07-11 2004-05-11 Asat Limited Enhanced thermal dissipation integrated circuit package
US6790710B2 (en) * 2002-01-31 2004-09-14 Asat Limited Method of manufacturing an integrated circuit package
US20030178719A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Combs Edward G. Enhanced thermal dissipation integrated circuit package and method of manufacturing enhanced thermal dissipation integrated circuit package
US6940154B2 (en) * 2002-06-24 2005-09-06 Asat Limited Integrated circuit package and method of manufacturing the integrated circuit package
US6897486B2 (en) * 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
SG143932A1 (en) * 2003-05-30 2008-07-29 Micron Technology Inc Packaged microelectronic devices and methods of packaging microelectronic devices
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
JP4372508B2 (ja) * 2003-10-06 2009-11-25 ローム株式会社 リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置ならびにそれを備えた携帯機器および電子装置
US7583862B2 (en) * 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7253397B2 (en) * 2004-02-23 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7253957B2 (en) * 2004-05-13 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers
US8092734B2 (en) * 2004-05-13 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers
US20050275750A1 (en) 2004-06-09 2005-12-15 Salman Akram Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging
US7498647B2 (en) 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7199439B2 (en) * 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7262405B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Prefabricated housings for microelectronic imagers
US7294897B2 (en) * 2004-06-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7232754B2 (en) 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7416913B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs
US7189954B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060023107A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Bolken Todd O Microelectronic imagers with optics supports having threadless interfaces and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7364934B2 (en) * 2004-08-10 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7223626B2 (en) * 2004-08-19 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers
US7397066B2 (en) * 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7429494B2 (en) 2004-08-24 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7115961B2 (en) * 2004-08-24 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices
US7425499B2 (en) 2004-08-24 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects
US7276393B2 (en) * 2004-08-26 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20070148807A1 (en) * 2005-08-22 2007-06-28 Salman Akram Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7511262B2 (en) * 2004-08-30 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly
US7646075B2 (en) * 2004-08-31 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers having front side contacts
US7300857B2 (en) * 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
KR100577430B1 (ko) 2004-09-03 2006-05-08 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060177999A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods for forming interconnects in microelectronic workpieces
US7303931B2 (en) * 2005-02-10 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces
US8093694B2 (en) * 2005-02-14 2012-01-10 Stats Chippac Ltd. Method of manufacturing non-leaded integrated circuit package system having etched differential height lead structures
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7795134B2 (en) * 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
US20060290001A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Micron Technology, Inc. Interconnect vias and associated methods of formation
US7262134B2 (en) * 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
SG135979A1 (en) * 2006-03-08 2007-10-29 Micron Technology Inc Microelectronic device assemblies including assemblies with recurved leadframes, and associated methods
SG139573A1 (en) * 2006-07-17 2008-02-29 Micron Technology Inc Microelectronic packages with leadframes, including leadframes configured for stacked die packages, and associated systems and methods
JP5028968B2 (ja) * 2006-11-17 2012-09-19 日立電線株式会社 半導体装置、積層型半導体装置およびインターポーザ基板
US8035207B2 (en) * 2006-12-30 2011-10-11 Stats Chippac Ltd. Stackable integrated circuit package system with recess
SG149726A1 (en) 2007-07-24 2009-02-27 Micron Technology Inc Microelectronic die packages with metal leads, including metal leads for stacked die packages, and associated systems and methods
SG150396A1 (en) * 2007-08-16 2009-03-30 Micron Technology Inc Microelectronic die packages with leadframes, including leadframe-based interposer for stacked die packages, and associated systems and methods
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
JP2011103286A (ja) * 2009-10-15 2011-05-26 Panasonic Corp プッシュオンスイッチ
CN102223753B (zh) * 2010-04-16 2013-08-28 富葵精密组件(深圳)有限公司 电路板及其制作方法
JP5876669B2 (ja) * 2010-08-09 2016-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4996729B2 (ja) * 2010-09-15 2012-08-08 株式会社東芝 電子機器および基板アセンブリ
CN102842786A (zh) * 2011-06-22 2012-12-26 苏州快可光伏电子股份有限公司 接线盒端子组
CN105206596B (zh) 2014-06-06 2018-12-07 恩智浦美国有限公司 具有弯折引线的封装集成电路器件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3930114A (en) * 1975-03-17 1975-12-30 Nat Semiconductor Corp Integrated circuit package utilizing novel heat sink structure
US4496965A (en) * 1981-05-18 1985-01-29 Texas Instruments Incorporated Stacked interdigitated lead frame assembly
JPS58169948A (ja) * 1982-03-30 1983-10-06 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置
IT1213140B (it) * 1984-02-17 1989-12-14 Ates Componenti Elettron Componente elettronico integrato per assemblaggio di superficie.
US5287000A (en) 1987-10-20 1994-02-15 Hitachi, Ltd. Resin-encapsulated semiconductor memory device useful for single in-line packages
US5266834A (en) * 1989-03-13 1993-11-30 Hitachi Ltd. Semiconductor device and an electronic device with the semiconductor devices mounted thereon
JP2799408B2 (ja) * 1989-12-22 1998-09-17 株式会社日立製作所 半導体装置及びそれを実装した電子装置
US5148265A (en) 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
US5375320A (en) 1991-08-13 1994-12-27 Micron Technology, Inc. Method of forming "J" leads on a semiconductor device
JP2682936B2 (ja) 1992-02-07 1997-11-26 ローム株式会社 半導体装置
JPH0661408A (ja) * 1992-08-10 1994-03-04 Rohm Co Ltd 表面実装型半導体装置
US5406117A (en) * 1993-12-09 1995-04-11 Dlugokecki; Joseph J. Radiation shielding for integrated circuit devices using reconstructed plastic packages
JP2713141B2 (ja) * 1994-02-02 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置
JPH07263607A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk Jリード付半導体パッケージとリードフレームの曲げ方法
JPH0883870A (ja) * 1994-09-12 1996-03-26 Ricoh Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH0888296A (ja) * 1994-09-20 1996-04-02 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置ユニット
JPH09260568A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110918822A (zh) * 2018-09-19 2020-03-27 Tdk株式会社 端子折弯装置、端子折弯方法和线圈部件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6319753B1 (en) 2001-11-20
CN1202009A (zh) 1998-12-16
EP0880177B1 (en) 2007-08-29
KR100287236B1 (ko) 2001-11-22
CN1146044C (zh) 2004-04-14
US6104086A (en) 2000-08-15
EP0880177A2 (en) 1998-11-25
DE69838310T2 (de) 2008-05-15
TW494558B (en) 2002-07-11
EP0880177A3 (en) 1999-02-03
DE69838310D1 (de) 2007-10-11
KR19980087150A (ko) 1998-12-05
JPH10321788A (ja) 1998-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2924854B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
JP2934357B2 (ja) 半導体装置
JP2907186B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
KR950012921B1 (ko) 수지봉지형 반도체장치
JP3027954B2 (ja) 集積回路装置、その製造方法
JP2959521B2 (ja) 半導体装置の製造方法、リードフレーム
US5844779A (en) Semiconductor package, and semiconductor device using the same
JP3003638B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
JP3061120B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
JPH11330314A (ja) 半導体装置の製造方法及びその構造、該方法に用いるリードフレーム
JPH0661372A (ja) ハイブリッドic
JP2976941B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
KR100206880B1 (ko) 히트싱크가 부착된 컬럼형 패키지
JP2794262B2 (ja) 電子回路パッケージ
JP2003347491A (ja) 半導体装置
JPH03266456A (ja) 半導体チップ用放熱部材及び半導体パッケージ
JP2000349222A (ja) リードフレーム及び半導体パッケージ
KR20000035215A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2001135767A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH1154682A (ja) 半導体装置、その製造方法
JP3450465B2 (ja) 高周波パワーモジュール
JP3419922B2 (ja) 半導体装置
JP3170253B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06140535A (ja) テープキャリアパッケージ型半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090507

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090507

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100507

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100507

Year of fee payment: 11

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100507

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100507

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110507

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120507

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120507

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130507

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140507

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees