JP5876669B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含み、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面は、前記封止樹脂の一面から露出して形成されており、
前記封止樹脂の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置された凹部が設けられ、
前記凹部のうち、前記吊りリードの下部の深さは当該吊りリードの下部以外の深さよりも浅い、または前記吊りリードの下部には前記凹部が設けられていない半導体装置が提供される。
また、本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含み、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面は、前記封止樹脂の一面から露出して形成されており、
前記封止樹脂の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置され、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上の深さの凹部が設けられている半導体装置が提供される。
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
を含む半導体チップ構造体を、前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が金型のキャビティ内の一面と接するように配置する金型配置工程と、
前記金型の前記キャビティ中に、前記ダイパッドの前記一面側から封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記封止樹脂で封止する工程において、前記金型の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置された段差部が設けられており、
前記段差部のうち、前記吊りリードの下部の高さは当該吊りリードの下部以外の高さよりも低い、または前記吊りリードの下部には前記段差部が設けられていない半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
を含む半導体チップ構造体を、前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が金型のキャビティ内の一面と接するように配置する金型配置工程と、
前記金型の前記キャビティ中に、前記ダイパッドの前記一面側から封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記封止樹脂で封止する工程において、前記金型の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置され、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上の高さを有する段差部が設けられている半導体装置の製造方法が提供される。
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含む半導体装置の前記封止樹脂を成型するための金型であって、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が接するように配置される一面が設けられたキャビティと、
前記キャビティの前記一面に設けられ、前記キャビティ内に前記中央部構造体を配置して、前記ダイパッドの前記一面側から前記封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する際に、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置された段差部と、
を含み、
前記段差部のうち、前記吊りリードの下部の高さは当該吊りリードの下部以外の高さよりも低い、または前記吊りリードの下部には前記段差部が設けられていない金型が提供される。
また、本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含む半導体装置の前記封止樹脂を成型するための金型であって、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が接するように配置される一面が設けられたキャビティと、
前記キャビティの前記一面に設けられ、前記キャビティ内に前記中央部構造体を配置して、前記ダイパッドの前記一面側から前記封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する際に、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置され、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上の高さを有する段差部と、
を含む金型が提供される。
さらに、これらのような金型を含む封止装置が提供される。
図1は、第1の実施形態における半導体装置100の構成の一例を示す断面図である。図2は、第1の実施形態における半導体装置100の構成の一例を示す平面図である。図1は、図2のa−a'線断面図である。図3は、図2のb−b'線断面図である。なお、図2では、説明のため、封止樹脂130の外縁のみを示しており、封止樹脂130の内部の構成も図示している。なお、以降の同様の平面図においても、同様に封止樹脂130の内部を図示している。
図11および図12は、第2の実施形態における半導体装置100の構成の一例を示す断面図である。図11は、後述する図13のa−a'線断面図である。図12は、図13のb−b'線断面図である。
図15および図16は、第3の実施形態における半導体装置100の構成の一例を示す断面図である。図15は、後述する図17のa−a'線断面図である。図16は、図17のb−b'線断面図である。
図19は、第4の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。第4の実施形態は、以下の点を除いて、第2の実施形態と同様である。リード端子116のうちダイパッド114側の端部は、第1めっき層176aを有している。また、ダイパッド114の裏面は、第2めっき層174を有している。ここで、第1めっき層176aと第2めっき層174は、同一の材料からなる。以下、詳細を説明する。
図22および図23は、本発明の実施形態における半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。図24は、図22および図23に示した製造手順における、半導体装置100および金型140の構成の一例を示す平面図である。図22は、図22のb−b'線断面図、図23は図24のa−a'線断面図に対応する。
図30および図31は、本発明の実施形態における半導体装置100の製造手順の一例を示す工程断面図である。図30および図31は、第1の実施形態において、図6に示した段差部120と同様の平面形状を有する可動式段差部124を含むことができる。図30および図31は、第1の実施形態において、図6に示した構成のa−a'線断面図に対応する構成とすることができる。なお、ここでは、側方から封止樹脂130が導入される例を示しているが、封止樹脂130は、第1の実施形態で説明したのと同様、金型140の角部から導入される構成とすることもできる。
(付記1)
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している傾斜部を有する吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含み、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面は、前記封止樹脂の一面から露出して形成されており、
前記封止樹脂の前記一面には、前記吊りリードの傾斜部の下部と前記中央構造体の最外縁との間に凹部が設けられている半導体装置。
(付記2)
付記1に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記中央部構造体の最外縁全体に並んで連続的に形成された半導体装置。
(付記3)
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含み、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面は、前記封止樹脂の一面から露出して形成されており、
前記封止樹脂の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置された凹部が設けられ、
前記中央構造体の最外縁と前記凹部と距離は、0.1mm以上4mm以下である半導体装置。
(付記4)
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
を含む半導体チップ構造体を、前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が金型のキャビティ内の一面と接するように配置する金型配置工程と、
前記金型の前記キャビティ中に、前記ダイパッドの前記一面側から封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記封止樹脂で封止する工程において、前記金型の前記一面には、前記吊りリードの傾斜部の下部と前記中央構造体の最外縁との間に段差部が設けられている半導体装置の製造方法。
(付記5)
付記4に記載の半導体チップパケージの製造方法において、
前記段差部は、前記中央部構造体の最外縁全体に並んで連続的に形成された半導体装置の製造方法。
(付記6)
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
を含む半導体チップ構造体を、前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が金型のキャビティ内の一面と接するように配置する金型配置工程と、
前記金型の前記キャビティ中に、前記ダイパッドの前記一面側から封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記封止樹脂で封止する工程において、前記金型の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置された段差部が設けられており、
前記中央構造体の最外縁と前記段差部と距離は、0.1mm以上4mm以下である半導体装置の製造方法。
(付記7)
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含む半導体装置の前記封止樹脂を成型するための金型であって、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が接するように配置される一面が設けられたキャビティと、
前記キャビティの前記一面に設けられ、前記キャビティ内に前記中央部構造体を配置して、前記ダイパッドの前記一面側から前記封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する際に、前記吊りリードの傾斜部の下部と前記中央構造体の最外縁との間に段差部が設けられている段差部と、
を含む金型。
(付記8)
付記7に記載の金型において、
前記段差部は、前記中央部構造体の最外縁全体に並んで連続的に形成された金型。
(付記9)
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含む半導体装置の前記封止樹脂を成型するための金型であって、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が接するように配置される一面が設けられたキャビティと、
前記キャビティの前記一面に設けられ、前記キャビティ内に前記中央部構造体を配置して、前記ダイパッドの前記一面側から前記封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する際に、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置された段差部と、
を含み、
前記中央構造体の最外縁と前記段差部と距離は、0.1mm以上4mm以下である金型。
100 半導体装置
109 中央部構造体
110 半導体チップ
109a 中央部構造体最外縁
109b 位置合わせマーク
112 ボンディングワイヤ
113 リードフレーム
114 ダイパッド
116 リード端子
116a 内部リード
116b 外部リード
118 吊りリード
120 段差部
120a 吊りリードの下部の段差部
122 段差部
124 可動式段差部
126 凹部
126a 凹部
130 封止樹脂
140 金型
140a 上金型
140b 下金型
142 イジェクトピン
150 プランジャ
152 導入部
154 ランナ
160 ゲート
162 エアベント
164 封止樹脂導入路
170 めっき層
174 第2めっき層
176a 第1めっき層
176b 第3めっき層
Claims (7)
- 表面、前記表面とは反対側の裏面、前記表面と前記裏面の間に配置された側面、前記表面上の第1辺、前記第1辺とは反対側の第2辺、前記第1および第2辺と交差する第3辺、および前記第3辺とは反対側で前記第1および第2辺と交差する第4辺を有するダイパッドと、
前記ダイパッドと接続され、前記第1辺と前記第3辺が交差する第1領域に配置された第1吊りリードと、
前記ダイパッドの周辺に配置された複数のリード端子と、
複数の電極パッドが設置された第1主面、前記第1主面とは反対側の第2主面を有し、前記ダイパッドの前記表面と前記第2主面とを向い合せるように、前記表面上に搭載された半導体チップと、
前記複数の電極パッドと前記複数のリード端子を電気的に接続する複数のワイヤと、
前記ダイパッドの前記表面および前記側面、前記第1吊りリードの一部、前記複数のリード端子それぞれの一部、前記半導体チップ、および前記複数のワイヤを樹脂で封止する封止体と、を備え、
前記封止体は、前記ダイパッドの露出した前記裏面および前記裏面を取り囲む樹脂領域を有する第1面、前記第1面に接し前記ダイパッドの前記第1辺に対向する第5辺、前記第5辺とは反対側で前記ダイパッドの前記第2辺に対向する第6辺、前記第5および第6辺と交差し、前記ダイパッドの前記第3辺と対向する第7辺、および前記第7辺とは反対側で、前記ダイパッドの前記第4辺と対向し、前記第5および第6辺と交差する第8辺、
を含み、
前記樹脂領域は、前記第1辺と前記第5辺の間に形成され前記ダイパッドの前記第1辺に沿うように延伸して形成された第1凹部、前記第2辺と前記第6辺の間に形成され前記ダイパッドの前記第2辺に沿うように延伸して形成された第2凹部、前記第3辺と前記第7辺の間に形成され前記ダイパッドの前記第3辺に沿うように延伸して形成された第3凹部、および前記第4辺と前記第8辺の間に形成され前記ダイパッドの前記第4辺に沿うように延伸して形成された第4凹部、を含み、
前記第1凹部の一端と前記第3凹部の一端は接続され、
前記第2凹部の一端と前記第3凹部の他端は接続され、
前記第2凹部の他端と前記第4凹部の一端は接続され、
前記第1凹部の他端と前記第4凹部の他端は接続され、
前記第1凹部の一端と前記第3凹部の一端とを接続する第5凹部は、平面視において前記第1吊りリードと重り、
前記第5凹部の深さは、断面視において前記第1凹部および前記第3凹部の深さより浅く、
前記第1および第3凹部は、平面視において前記ダイパッドとは重ならない半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、更に前記ダイパッドと接続され、前記第2辺と前記第4辺が交差する第2領域に配置された第2吊りリードと、を含み、
前記第2凹部の他端と前記第4凹部の一端とを接続する第6凹部は、平面視において前記第2吊りリードと重り、
前記第6凹部の深さは、断面視において前記第2凹部および前記第4凹部の深さより浅く、
前記第2および第4凹部は、平面視において前記ダイパッドとは重ならない半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記ダイパッドの厚さをt1としたとき、前記ダイパッドの前記第1辺と前記第1凹部との間隔は、5t1よりも短い半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記ダイパッドの前記第1辺と前記第1凹部との第1間隔は、0.1mm以上4mm以下である半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第2吊りリードは、前記封止体内に含まれ、
前記第2辺および前記第4辺のそれぞれに沿って前記複数のリード端子が配置されている半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記リード端子のうち前記ダイパッド側の端部は、第1めっき層を有し、
前記ダイパッドの前記裏面は、第2めっき層を有し、
前記第1めっき層と前記第2めっき層は、同一の材料により形成されている半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
前記第1めっき層および前記第2めっき層は、Pdを含む半導体装置。
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