JP2003197664A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な工程であって、放熱部材の露出部を大
きくすることができる半導体装置及びその製造方法、回
路基板並びに電子機器を提供することにある。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ
１０と、周囲よりも窪む凹部３２を有する放熱部材３０
と、を型４０にセットし、型４０、４２で挟まれたキャ
ビティ４６に突出するピン５０を、放熱部材３０が浮き
上がらないように凹部３２に配置した状態で封止材料を
注入し、放熱部材３０の一部を露出させるとともに半導
体チップ１０を封止し、ピン５０で放熱部材３０を突き
上げることによって、封止部６０を型４０、４２から離
型することを含む。
きくすることができる半導体装置及びその製造方法、回
路基板並びに電子機器を提供することにある。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ
１０と、周囲よりも窪む凹部３２を有する放熱部材３０
と、を型４０にセットし、型４０、４２で挟まれたキャ
ビティ４６に突出するピン５０を、放熱部材３０が浮き
上がらないように凹部３２に配置した状態で封止材料を
注入し、放熱部材３０の一部を露出させるとともに半導
体チップ１０を封止し、ピン５０で放熱部材３０を突き
上げることによって、封止部６０を型４０、４２から離
型することを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
の製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】放熱部材を露出させて半導体チップを封
止したパッケージの形態が知られている。封止工程で
は、放熱部材及び半導体チップを、型にセットし、型に
挟まれてなるキャビティに封止材料を注入する。こうし
て形成された封止部は、キャビティに突出するピンを、
封止材料の領域で突き上げることによって型から離型さ
れる。
止したパッケージの形態が知られている。封止工程で
は、放熱部材及び半導体チップを、型にセットし、型に
挟まれてなるキャビティに封止材料を注入する。こうし
て形成された封止部は、キャビティに突出するピンを、
封止材料の領域で突き上げることによって型から離型さ
れる。
【０００３】しかしながら、従来、半導体装置の信頼性
を損なうことなく、放熱部材を型の決められた位置に簡
単にセットすることができなかった。また、製造工程上
の制限によって、放熱部材の露出部を大きくするには限
界があった。
を損なうことなく、放熱部材を型の決められた位置に簡
単にセットすることができなかった。また、製造工程上
の制限によって、放熱部材の露出部を大きくするには限
界があった。
【０００４】本発明は、上述した課題を解決するための
ものであり、その目的は、簡単な工程であって、放熱部
材の露出部を大きくすることができる半導体装置及びそ
の製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することに
ある。
ものであり、その目的は、簡単な工程であって、放熱部
材の露出部を大きくすることができる半導体装置及びそ
の製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造方法は、（ａ）半導体チップと、周囲より
も窪む凹部を有する放熱部材と、を型にセットし、
（ｂ）前記型で挟まれたキャビティに突出するピンを、
前記放熱部材が浮き上がらないように前記凹部に配置し
た状態で封止材料を注入し、前記放熱部材の一部を露出
させるとともに前記半導体チップを封止し、（ｃ）前記
ピンで前記放熱部材を突き上げることによって、封止部
を前記型から離型することを含む。
体装置の製造方法は、（ａ）半導体チップと、周囲より
も窪む凹部を有する放熱部材と、を型にセットし、
（ｂ）前記型で挟まれたキャビティに突出するピンを、
前記放熱部材が浮き上がらないように前記凹部に配置し
た状態で封止材料を注入し、前記放熱部材の一部を露出
させるとともに前記半導体チップを封止し、（ｃ）前記
ピンで前記放熱部材を突き上げることによって、封止部
を前記型から離型することを含む。
【０００６】本発明によれば、キャビティに突出するピ
ンを、放熱部材の凹部に配置する。そのため、放熱部材
の浮き上がりを防止できるので、放熱部材の露出部をピ
ンの位置まで広げることができる。したがって、放熱部
材の露出部を可能な限り大きくすることができる。
ンを、放熱部材の凹部に配置する。そのため、放熱部材
の浮き上がりを防止できるので、放熱部材の露出部をピ
ンの位置まで広げることができる。したがって、放熱部
材の露出部を可能な限り大きくすることができる。
【０００７】（２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記ピン及び前記凹部は、それぞれ複数設けられ、
前記（ｂ）工程で、それぞれの前記ピンを、いずれかの
前記凹部に嵌めた状態で前記封止材料を注入してもよ
い。
て、前記ピン及び前記凹部は、それぞれ複数設けられ、
前記（ｂ）工程で、それぞれの前記ピンを、いずれかの
前記凹部に嵌めた状態で前記封止材料を注入してもよ
い。
【０００８】これによれば、ピンが凹部に嵌まるので、
安定した状態で放熱部材を突き上げることができる。
安定した状態で放熱部材を突き上げることができる。
【０００９】（３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記放熱部材は、ほぼ矩形をなし、それぞれの前記
凹部は、前記放熱部材のいずれかの角部に形成されても
よい。
て、前記放熱部材は、ほぼ矩形をなし、それぞれの前記
凹部は、前記放熱部材のいずれかの角部に形成されても
よい。
【００１０】（４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記ピンは、複数設けられ、前記凹部は、前記複数
のピンが配置される大きさに形成されてもよい。
て、前記ピンは、複数設けられ、前記凹部は、前記複数
のピンが配置される大きさに形成されてもよい。
【００１１】（５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記凹部は、ほぼ矩形をなし、前記（ｂ）工程で、
前記ピンを前記凹部のいずれかのコーナーの内壁に当接
させてもよい。
て、前記凹部は、ほぼ矩形をなし、前記（ｂ）工程で、
前記ピンを前記凹部のいずれかのコーナーの内壁に当接
させてもよい。
【００１２】これによれば、ピンが凹部のコーナーの内
壁に当接するので、安定した状態で放熱部材を突き上げ
ることができる。
壁に当接するので、安定した状態で放熱部材を突き上げ
ることができる。
【００１３】（６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ａ）工程前に、前記放熱部材を、ダイパッド
を有しないリードフレームに取り付け、前記半導体チッ
プを、前記放熱部材に搭載することさらに含んでもよ
い。
て、前記（ａ）工程前に、前記放熱部材を、ダイパッド
を有しないリードフレームに取り付け、前記半導体チッ
プを、前記放熱部材に搭載することさらに含んでもよ
い。
【００１４】（７）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ａ）工程前に、前記半導体チップを、リード
フレームのダイパッドに搭載することをさらに含み、前
記（ａ）工程で、前記放熱部材を前記型にセットし、前
記ダイパッドを前記放熱部材上に配置してもよい。
て、前記（ａ）工程前に、前記半導体チップを、リード
フレームのダイパッドに搭載することをさらに含み、前
記（ａ）工程で、前記放熱部材を前記型にセットし、前
記ダイパッドを前記放熱部材上に配置してもよい。
【００１５】（８）この半導体装置の製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、前記ピンを前記凹部の内壁に当
接させることによって、前記放熱部材を前記型の決めら
れた位置にセットしてもよい。
て、前記（ａ）工程で、前記ピンを前記凹部の内壁に当
接させることによって、前記放熱部材を前記型の決めら
れた位置にセットしてもよい。
【００１６】これによれば、放熱部材を簡単にセットす
ることができる。また、封止部を型から離型するときの
ピンを使用するので、全体の製造工程が簡単である。
ることができる。また、封止部を型から離型するときの
ピンを使用するので、全体の製造工程が簡単である。
【００１７】（９）本発明に係る半導体装置の製造方法
は、半導体チップと、周囲よりも窪む凹部を有する放熱
部材と、を型にセットして行う封止工程を含み、前記型
で挟まれたキャビティに突出するピンを、前記凹部の内
壁に当接させることによって、前記放熱部材を前記型の
決められた位置にセットする。
は、半導体チップと、周囲よりも窪む凹部を有する放熱
部材と、を型にセットして行う封止工程を含み、前記型
で挟まれたキャビティに突出するピンを、前記凹部の内
壁に当接させることによって、前記放熱部材を前記型の
決められた位置にセットする。
【００１８】本発明によれば、放熱部材を簡単にセット
することができる。また、放熱部材の外周への突起部を
型の側壁に接触させてセットするのに比べて、本発明
は、凹部の内壁にピンを当接させるだけである。したが
って、封止部からクラックが発生することがないので、
信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
することができる。また、放熱部材の外周への突起部を
型の側壁に接触させてセットするのに比べて、本発明
は、凹部の内壁にピンを当接させるだけである。したが
って、封止部からクラックが発生することがないので、
信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１９】（１０）この半導体装置の製造方法におい
て、前記ピン及び前記凹部は、それぞれ複数設けられ、
それぞれの前記ピンを、いずれかの前記凹部に嵌めるこ
とによって、前記放熱部材をセットしてもよい。
て、前記ピン及び前記凹部は、それぞれ複数設けられ、
それぞれの前記ピンを、いずれかの前記凹部に嵌めるこ
とによって、前記放熱部材をセットしてもよい。
【００２０】これによれば、ピンを凹部に嵌めることに
よって、ピンを凹部の内壁に当接させる。
よって、ピンを凹部の内壁に当接させる。
【００２１】（１１）この半導体装置の製造方法におい
て、前記放熱部材は、ほぼ矩形をなし、それぞれの前記
凹部は、前記放熱部材のいずれかの角部に形成されても
よい。
て、前記放熱部材は、ほぼ矩形をなし、それぞれの前記
凹部は、前記放熱部材のいずれかの角部に形成されても
よい。
【００２２】（１２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記ピンは、複数設けられ、前記凹部は、前記複数
のピンが配置される大きさでほぼ矩形をなし、前記ピン
を前記凹部のコーナーの内壁に当接させることによっ
て、前記放熱部材をセットしてもよい。
て、前記ピンは、複数設けられ、前記凹部は、前記複数
のピンが配置される大きさでほぼ矩形をなし、前記ピン
を前記凹部のコーナーの内壁に当接させることによっ
て、前記放熱部材をセットしてもよい。
【００２３】これによれば、ピンに対する凹部の大きさ
に限定されずに、放熱部材をセットすることができる。
に限定されずに、放熱部材をセットすることができる。
【００２４】（１３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップは、リードフレームのダイパッド
に搭載され、前記放熱部材をセットした後に、前記ダイ
パッドを前記放熱部材上に配置してもよい。
て、前記半導体チップは、リードフレームのダイパッド
に搭載され、前記放熱部材をセットした後に、前記ダイ
パッドを前記放熱部材上に配置してもよい。
【００２５】これによれば、放熱部材を投げ込むだけ
で、型の決められた位置にセットすることができる。
で、型の決められた位置にセットすることができる。
【００２６】（１４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記放熱部材の端部には、中央部よりも薄い薄肉部
が形成され、前記放熱部材の一方の面は、前記中央部及
び前記端部で面一に形成され、前記凹部は、前記放熱部
材の他方の面に前記薄肉部を避けて形成されてもよい。
て、前記放熱部材の端部には、中央部よりも薄い薄肉部
が形成され、前記放熱部材の一方の面は、前記中央部及
び前記端部で面一に形成され、前記凹部は、前記放熱部
材の他方の面に前記薄肉部を避けて形成されてもよい。
【００２７】これによれば、封止材料と放熱部材との密
着性を向上させることができる。
着性を向上させることができる。
【００２８】（１５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記放熱部材を製造することをさらに含み、１ター
ンのプレス加工によって、前記放熱部材の輪郭及び前記
凹部を同時に形成してもよい。
て、前記放熱部材を製造することをさらに含み、１ター
ンのプレス加工によって、前記放熱部材の輪郭及び前記
凹部を同時に形成してもよい。
【００２９】これによれば、放熱部材の製造コストを抑
えることができる。
えることができる。
【００３０】（１６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記放熱部材を製造することをさらに含み、１ター
ンのエッチングによって、前記放熱部材の輪郭及び前記
凹部を同時に形成してもよい。
て、前記放熱部材を製造することをさらに含み、１ター
ンのエッチングによって、前記放熱部材の輪郭及び前記
凹部を同時に形成してもよい。
【００３１】これによれば、放熱部材の製造コストを抑
えることができる。
えることができる。
【００３２】（１７）本発明に係る半導体装置は、上記
方法から製造されてなる。
方法から製造されてなる。
【００３３】（１８）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が実装されている。
導体装置が実装されている。
【００３４】（１９）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
導体装置を有する。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の
実施の形態に限定されるものではない。
て図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の
実施の形態に限定されるものではない。
【００３６】（第１の実施の形態）図１〜図８（Ｂ）
は、本発明を適用した第１の実施の形態を示す図であ
る。図１〜図４は半導体装置の製造方法を説明する図で
あり、図２は放熱部材の平面図である。本実施の形態で
は、まず、半導体チップ１０と、放熱部材３０と、を用
意する。
は、本発明を適用した第１の実施の形態を示す図であ
る。図１〜図４は半導体装置の製造方法を説明する図で
あり、図２は放熱部材の平面図である。本実施の形態で
は、まず、半導体チップ１０と、放熱部材３０と、を用
意する。
【００３７】図１に示す例では、リードフレーム２０に
搭載された半導体チップ１０を用意する。あるいは、本
実施の形態では、半導体チップ１０をリードフレーム２
０に搭載する工程を含んでもよい。
搭載された半導体チップ１０を用意する。あるいは、本
実施の形態では、半導体チップ１０をリードフレーム２
０に搭載する工程を含んでもよい。
【００３８】リードフレーム２０は、銅系又は鉄系の板
材を加工して形成される。リードフレーム２０は、外枠
を有し、外枠が長方形をなしてリードフレーム２０の外
形となっている。リードフレーム２０は、複数のダイパ
ッド２２と、各ダイパッド２２に延びる複数のリード２
４と、を有する。ダイパッド２２は、半導体チップ１０
などの電子部品を搭載する部分であり、矩形をなしてい
ることが多い。その場合、ダイパッド２２は、４つの角
部において吊りリード２６によって外枠に連結される。
ダイパッド２２は、半導体チップ１０が搭載される側と
は反対側にダウンセットされている。リード２４は、イ
ンナーリード部及びアウターリード部を有する。半導体
チップ１０は、ワイヤ１２によって、リード２４のイン
ナーリード部に電気的に接続される。すなわち、半導体
チップ１０は、ダイパッド２２にフェースアップ実装さ
れる。半導体チップ１０は、接着剤１４によってダイパ
ッド２２に接着される。接着剤１４が、導電ペースト
（例えば銀ペースト）などの熱伝導性の高い材料であれ
ば、半導体チップ１０の熱をダイパッド２２（又は放熱
部材３０）に発散させることができる。
材を加工して形成される。リードフレーム２０は、外枠
を有し、外枠が長方形をなしてリードフレーム２０の外
形となっている。リードフレーム２０は、複数のダイパ
ッド２２と、各ダイパッド２２に延びる複数のリード２
４と、を有する。ダイパッド２２は、半導体チップ１０
などの電子部品を搭載する部分であり、矩形をなしてい
ることが多い。その場合、ダイパッド２２は、４つの角
部において吊りリード２６によって外枠に連結される。
ダイパッド２２は、半導体チップ１０が搭載される側と
は反対側にダウンセットされている。リード２４は、イ
ンナーリード部及びアウターリード部を有する。半導体
チップ１０は、ワイヤ１２によって、リード２４のイン
ナーリード部に電気的に接続される。すなわち、半導体
チップ１０は、ダイパッド２２にフェースアップ実装さ
れる。半導体チップ１０は、接着剤１４によってダイパ
ッド２２に接着される。接着剤１４が、導電ペースト
（例えば銀ペースト）などの熱伝導性の高い材料であれ
ば、半導体チップ１０の熱をダイパッド２２（又は放熱
部材３０）に発散させることができる。
【００３９】放熱部材３０は、銅系又は鉄系の板材を加
工して形成されてもよい。放熱部材３０は、ヒートシン
クであってもよい。放熱部材３０の平面形状は、後述す
るキャビティ（図３参照）のほぼ相似形状であってもよ
い。こうすることで、キャビティの平面面積を有効に利
用できるので、放熱部材３０の平面形状を大きくするこ
とができる。また、放熱部材３０の平面形状は、キャビ
ティ４６よりも小さいことが好ましい。こうすること
で、放熱部材３０の外周が封止部（図４参照）の側部に
露出するのを防いで、クラックの発生を防止できる。な
お、放熱部材３０の平面形状は、ダイパッド２２よりも
大きくてもよい。
工して形成されてもよい。放熱部材３０は、ヒートシン
クであってもよい。放熱部材３０の平面形状は、後述す
るキャビティ（図３参照）のほぼ相似形状であってもよ
い。こうすることで、キャビティの平面面積を有効に利
用できるので、放熱部材３０の平面形状を大きくするこ
とができる。また、放熱部材３０の平面形状は、キャビ
ティ４６よりも小さいことが好ましい。こうすること
で、放熱部材３０の外周が封止部（図４参照）の側部に
露出するのを防いで、クラックの発生を防止できる。な
お、放熱部材３０の平面形状は、ダイパッド２２よりも
大きくてもよい。
【００４０】放熱部材３０は、１つ又は複数（図２では
２つ）の凹部３２を有する。凹部３２は、放熱部材３０
の一方の面に形成される。凹部３２は、周囲よりも窪ん
でいる。すなわち、凹部３２の穴の内面は、放熱部材３
０の側部に露出しないようになっている。凹部３２は、
放熱部材３０の端部に形成されてもよく、中央部に形成
されてもよい。図２に示す例では、放熱部材３０は、ほ
ぼ矩形（角部が丸い形状を含む）をなし、凹部３２は、
いずれかの角部に形成されている。その場合、放熱部材
３０の対向する２つの角部（同一対角線上の角部）に、
それぞれの凹部３２が形成されてもよい。あるいは、全
ての角部のそれぞれに凹部３２を形成してもよい。
２つ）の凹部３２を有する。凹部３２は、放熱部材３０
の一方の面に形成される。凹部３２は、周囲よりも窪ん
でいる。すなわち、凹部３２の穴の内面は、放熱部材３
０の側部に露出しないようになっている。凹部３２は、
放熱部材３０の端部に形成されてもよく、中央部に形成
されてもよい。図２に示す例では、放熱部材３０は、ほ
ぼ矩形（角部が丸い形状を含む）をなし、凹部３２は、
いずれかの角部に形成されている。その場合、放熱部材
３０の対向する２つの角部（同一対角線上の角部）に、
それぞれの凹部３２が形成されてもよい。あるいは、全
ての角部のそれぞれに凹部３２を形成してもよい。
【００４１】図１及び図２に示す例では、放熱部材３０
の端部には、薄肉部３６が形成されている。薄肉部３６
は、中央部３４よりも薄い。薄肉部３６を形成すること
で、放熱部材３０の端部に、１つ又は複数（図１及び図
２では１つ）の段が形成されている。薄肉部３６が形成
される場合、放熱部材３０の一方の面は、中央部及び端
部で面一となっていてもよい。その場合、凹部３２は、
面一となる一方の面とは反対の面であって、薄肉部３６
を避けた部分に形成される。なお、凹部３２は、上述の
通り、薄肉部３６を避けた部分のうち、端部に形成され
てもよく、中央部に形成されてもよい。
の端部には、薄肉部３６が形成されている。薄肉部３６
は、中央部３４よりも薄い。薄肉部３６を形成すること
で、放熱部材３０の端部に、１つ又は複数（図１及び図
２では１つ）の段が形成されている。薄肉部３６が形成
される場合、放熱部材３０の一方の面は、中央部及び端
部で面一となっていてもよい。その場合、凹部３２は、
面一となる一方の面とは反対の面であって、薄肉部３６
を避けた部分に形成される。なお、凹部３２は、上述の
通り、薄肉部３６を避けた部分のうち、端部に形成され
てもよく、中央部に形成されてもよい。
【００４２】図１に示すように、半導体チップ１０が搭
載されたリードフレーム２０と、放熱部材３０と、を第
１の型（例えば金型）４０にセットする。詳しくは、第
１の型４０の穴４１にセットする。図１に示すように、
先に放熱部材３０をセットし、次にリードフレーム２０
をセットしてもよい。あるいは、放熱部材３０をリード
フレーム２０のダイパッド２２に取り付け（例えば接着
し）、両者を同時に第１の型４０にセットしてもよい。
載されたリードフレーム２０と、放熱部材３０と、を第
１の型（例えば金型）４０にセットする。詳しくは、第
１の型４０の穴４１にセットする。図１に示すように、
先に放熱部材３０をセットし、次にリードフレーム２０
をセットしてもよい。あるいは、放熱部材３０をリード
フレーム２０のダイパッド２２に取り付け（例えば接着
し）、両者を同時に第１の型４０にセットしてもよい。
【００４３】第１の型４０には、１つ又は複数（図１で
は２つ）のピン５０が設けられている。詳しくは、ピン
５０は、第１の型４０の貫通穴４４に挿通され、一部に
おいて穴４１に突出している。複数のピン５０が穴４１
に突出する場合は、各ピン５０の突出する長さは同じで
あることが好ましい。凹部３２の深さは、ピン５０の突
出する長さと同じであるか、又はそれよりも深く形成さ
れる。ピン５０の径（幅）は、図１に示すように凹部３
２の径（幅）と同じであってもよい。こうすれば、ピン
５０を凹部３２に嵌めて固定することができる。
は２つ）のピン５０が設けられている。詳しくは、ピン
５０は、第１の型４０の貫通穴４４に挿通され、一部に
おいて穴４１に突出している。複数のピン５０が穴４１
に突出する場合は、各ピン５０の突出する長さは同じで
あることが好ましい。凹部３２の深さは、ピン５０の突
出する長さと同じであるか、又はそれよりも深く形成さ
れる。ピン５０の径（幅）は、図１に示すように凹部３
２の径（幅）と同じであってもよい。こうすれば、ピン
５０を凹部３２に嵌めて固定することができる。
【００４４】ピン５０は、セットされる放熱部材３０に
おける凹部３２の内側に設けられるように、第１の型４
０に配置される。言い換えると、放熱部材３０を凹部３
２の内側にピン５０が配置されるようにセットする。放
熱部材３０は、第１の型４０の穴４１の中央に配置する
ことが好ましい。
おける凹部３２の内側に設けられるように、第１の型４
０に配置される。言い換えると、放熱部材３０を凹部３
２の内側にピン５０が配置されるようにセットする。放
熱部材３０は、第１の型４０の穴４１の中央に配置する
ことが好ましい。
【００４５】ピン５０を使用して、放熱部材３０を第１
の型４０の決められた位置にセットしてもよい。その場
合、ピン５０を凹部３２の内壁に当接させる。例えば、
図１及び図２に示すように、放熱部材３０に複数の凹部
３２が形成される場合、各ピン５０をいずれかの凹部３
２に嵌めてもよい。こうすれば、放熱部材３０を複数の
ピン５０によって位置決めすることができる。また、放
熱部材３０のみを先にセットする場合、放熱部材３０を
第１の型４０の穴４１に投げ込むだけで、簡単に穴４１
の決められた位置にセットすることができる。その後、
リードフレーム２０のダイパッド２２を放熱部材３０上
に配置する。なお、リードフレーム２０に装着済みの放
熱部材３０を、ピン５０を使用して決められた位置にセ
ットしてもよい。
の型４０の決められた位置にセットしてもよい。その場
合、ピン５０を凹部３２の内壁に当接させる。例えば、
図１及び図２に示すように、放熱部材３０に複数の凹部
３２が形成される場合、各ピン５０をいずれかの凹部３
２に嵌めてもよい。こうすれば、放熱部材３０を複数の
ピン５０によって位置決めすることができる。また、放
熱部材３０のみを先にセットする場合、放熱部材３０を
第１の型４０の穴４１に投げ込むだけで、簡単に穴４１
の決められた位置にセットすることができる。その後、
リードフレーム２０のダイパッド２２を放熱部材３０上
に配置する。なお、リードフレーム２０に装着済みの放
熱部材３０を、ピン５０を使用して決められた位置にセ
ットしてもよい。
【００４６】本実施の形態によれば、放熱部材３０を簡
単にセットすることができる。また、放熱部材３０の外
周への突起部を第１の型４０の側壁に接触させてセット
するのに比べて、本実施の形態では凹部３２の内壁にピ
ン５０を当接させるだけである。したがって、封止部６
０からクラックが発生することがないので、信頼性の高
い半導体装置を製造することができる。
単にセットすることができる。また、放熱部材３０の外
周への突起部を第１の型４０の側壁に接触させてセット
するのに比べて、本実施の形態では凹部３２の内壁にピ
ン５０を当接させるだけである。したがって、封止部６
０からクラックが発生することがないので、信頼性の高
い半導体装置を製造することができる。
【００４７】リードフレーム２０に装着済みの放熱部材
３０は、リードフレーム２０によって第１の型４０の決
められた位置にセットすることができる。したがって、
その場合、ピン５０を凹部３２の内壁に当接させなくて
もよい。すなわち、ピン５０を凹部３２の内側に配置す
る。
３０は、リードフレーム２０によって第１の型４０の決
められた位置にセットすることができる。したがって、
その場合、ピン５０を凹部３２の内壁に当接させなくて
もよい。すなわち、ピン５０を凹部３２の内側に配置す
る。
【００４８】次に、図３に示すように、封止工程（モー
ルド工程）を行う。詳しくは、第１の型４０及び第２の
型（例えば金型）４２によってリードフレーム２０を挟
み込み、第１及び第２の型４０、４２の各穴によって形
成されたキャビティ４６に封止材料（多くの場合樹脂）
を注入する。ピン５０は放熱部材３０の凹部３２の内側
に配置されているので、放熱部材３０は第１の型４０の
穴４１の底面から浮き上がらないようになっている。そ
のため、ピン５０がキャビティ４６に突出していても、
放熱部材３０と第１の型４０との間に封止材料が廻り込
まないようになっている。したがって、放熱部材３０の
一部（凹部３２を有する面）を、確実に封止材料から露
出させることができる。
ルド工程）を行う。詳しくは、第１の型４０及び第２の
型（例えば金型）４２によってリードフレーム２０を挟
み込み、第１及び第２の型４０、４２の各穴によって形
成されたキャビティ４６に封止材料（多くの場合樹脂）
を注入する。ピン５０は放熱部材３０の凹部３２の内側
に配置されているので、放熱部材３０は第１の型４０の
穴４１の底面から浮き上がらないようになっている。そ
のため、ピン５０がキャビティ４６に突出していても、
放熱部材３０と第１の型４０との間に封止材料が廻り込
まないようになっている。したがって、放熱部材３０の
一部（凹部３２を有する面）を、確実に封止材料から露
出させることができる。
【００４９】また、放熱部材３０に薄肉部３６が形成さ
れていれば、放熱部材３０と封止材料との接着面積が大
きくなるので、両者の密着性を高めることができる。
れていれば、放熱部材３０と封止材料との接着面積が大
きくなるので、両者の密着性を高めることができる。
【００５０】こうして、放熱部材３０の一部を露出させ
るとともに、半導体チップ１０を封止する。詳しくは、
半導体チップ１０を封止する封止部６０を形成する。本
実施の形態によれば、放熱部材３０の露出部を、ピン５
０が配置される位置まで広げることができる。すなわ
ち、放熱部材３０の露出部を、ピン５０の位置を避けて
形成する必要がない。したがって、放熱部材３０の露出
部を可能な限り大きくして、放熱性の高い半導体装置を
製造することができる。なお、ピン５０には封止材料が
付着しないので、ピン５０の取り替え又はクリーニング
の回数が少なくて済む。
るとともに、半導体チップ１０を封止する。詳しくは、
半導体チップ１０を封止する封止部６０を形成する。本
実施の形態によれば、放熱部材３０の露出部を、ピン５
０が配置される位置まで広げることができる。すなわ
ち、放熱部材３０の露出部を、ピン５０の位置を避けて
形成する必要がない。したがって、放熱部材３０の露出
部を可能な限り大きくして、放熱性の高い半導体装置を
製造することができる。なお、ピン５０には封止材料が
付着しないので、ピン５０の取り替え又はクリーニング
の回数が少なくて済む。
【００５１】図４に示すように、封止部６０を第１及び
第２の型４０、４２から離型する。詳しくは、第２の型
４２を上昇させ、ピン５０を突き上げて封止部６０を第
１の型４０から離型する。ピン５０は、放熱部材３０の
凹部３２を突き上げる。図４に示すように、ピン５０が
凹部３２に嵌まった状態で、放熱部材３０の対向する角
部をそれぞれ突き上げれば、安定した状態で放熱部材３
０を離型することができる。
第２の型４０、４２から離型する。詳しくは、第２の型
４２を上昇させ、ピン５０を突き上げて封止部６０を第
１の型４０から離型する。ピン５０は、放熱部材３０の
凹部３２を突き上げる。図４に示すように、ピン５０が
凹部３２に嵌まった状態で、放熱部材３０の対向する角
部をそれぞれ突き上げれば、安定した状態で放熱部材３
０を離型することができる。
【００５２】その後、所定の工程（トリミング、フォー
ミング、マーキング工程など）が行われ、図５に示す半
導体装置が製造される。図５は、本実施の形態に係る方
法で製造された半導体装置の平面図（背面から見た図）
である。
ミング、マーキング工程など）が行われ、図５に示す半
導体装置が製造される。図５は、本実施の形態に係る方
法で製造された半導体装置の平面図（背面から見た図）
である。
【００５３】図５に示す半導体装置は、リード２２のア
ウターリード部が所定の形状（例えばガルウィング形
状）に屈曲されている。半導体装置１は、半導体チップ
１０と、複数のリード２２と、封止部６０と、を有し、
上述の製造方法から導かれる構成を有する。封止部６０
の一方の面には、放熱部材３０が露出している。放熱部
材３０の露出部は、メッキ（例えばニッケルメッキ）さ
れていることが好ましい。放熱部材３０には、凹部３２
が形成されている。
ウターリード部が所定の形状（例えばガルウィング形
状）に屈曲されている。半導体装置１は、半導体チップ
１０と、複数のリード２２と、封止部６０と、を有し、
上述の製造方法から導かれる構成を有する。封止部６０
の一方の面には、放熱部材３０が露出している。放熱部
材３０の露出部は、メッキ（例えばニッケルメッキ）さ
れていることが好ましい。放熱部材３０には、凹部３２
が形成されている。
【００５４】この半導体装置によれば、可能な限り放熱
部材３０の露出部を大きくすることができるので、放熱
性に優れている。
部材３０の露出部を大きくすることができるので、放熱
性に優れている。
【００５５】図６は、この半導体装置が実装された回路
基板を示す図である。回路基板７０には、例えばガラス
エポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的であ
る。回路基板７０には、例えば銅等からなる配線パター
ン７２が所望の回路となるように形成されていて、配線
パターン７２と半導体装置のリード（アウターリード
部）２２とが接合されている。また、回路基板７０に
は、第２の放熱部材（ヒートスプレッダ）７４が設けら
れてもよく、第２の放熱部材７４は、半導体装置１の放
熱部材３０の露出面と接合されてもよい。こうすること
で、半導体チップ１０に生じた熱を、放熱部材３０を通
して第２の放熱部材７４から発散させることができる。
基板を示す図である。回路基板７０には、例えばガラス
エポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的であ
る。回路基板７０には、例えば銅等からなる配線パター
ン７２が所望の回路となるように形成されていて、配線
パターン７２と半導体装置のリード（アウターリード
部）２２とが接合されている。また、回路基板７０に
は、第２の放熱部材（ヒートスプレッダ）７４が設けら
れてもよく、第２の放熱部材７４は、半導体装置１の放
熱部材３０の露出面と接合されてもよい。こうすること
で、半導体チップ１０に生じた熱を、放熱部材３０を通
して第２の放熱部材７４から発散させることができる。
【００５６】本実施の形態で使用した放熱部材の製造方
法の例を示す。なお、放熱部材３０の製造方法は、次の
形態に限定されるものではない。
法の例を示す。なお、放熱部材３０の製造方法は、次の
形態に限定されるものではない。
【００５７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、
機械的なプレス加工によって放熱部材３０を製造しても
よい。まず、図７（Ａ）に示すように、部材１００と、
治具（例えば金型）１０２と、を用意する。部材１００
は、金属などで形成され、複数の放熱部材３０を形成で
きる大きさのフレーム状をなしてもよい。治具１０２に
は、放熱部材３０の輪郭を形成する刃部１０４と、凹部
３２を形成する第１の凸部１０６と、必要に応じて薄肉
部３６を形成する第２の凸部１０８と、が形成されてい
る。このような治具１０２で部材１００をプレスする。
詳しくは、治具１０２の１ターンのプレスによって、放
熱部材３０の輪郭及び凹部３２を同時に形成する。した
がって、簡単な工程で放熱部材３０を製造することがで
き、放熱部材３０の製造コストを抑えることができる。
機械的なプレス加工によって放熱部材３０を製造しても
よい。まず、図７（Ａ）に示すように、部材１００と、
治具（例えば金型）１０２と、を用意する。部材１００
は、金属などで形成され、複数の放熱部材３０を形成で
きる大きさのフレーム状をなしてもよい。治具１０２に
は、放熱部材３０の輪郭を形成する刃部１０４と、凹部
３２を形成する第１の凸部１０６と、必要に応じて薄肉
部３６を形成する第２の凸部１０８と、が形成されてい
る。このような治具１０２で部材１００をプレスする。
詳しくは、治具１０２の１ターンのプレスによって、放
熱部材３０の輪郭及び凹部３２を同時に形成する。した
がって、簡単な工程で放熱部材３０を製造することがで
き、放熱部材３０の製造コストを抑えることができる。
【００５８】部材１００は外枠を有し、製造後の各放熱
部材３０を外枠に吊ってもよい。その場合、治具１０２
の刃部１０４は、外枠と放熱部材３０との連結部（図示
しない）を避ける位置で部材１００を切断する。放熱部
材３０が矩形であれば、外枠と放熱部材３０との連結部
は、放熱部材３０のそれぞれの角部に設けてもよい。な
お、部材１００に吊られた複数の放熱部材３０は、その
後、連結部で切断されて個片化される。
部材３０を外枠に吊ってもよい。その場合、治具１０２
の刃部１０４は、外枠と放熱部材３０との連結部（図示
しない）を避ける位置で部材１００を切断する。放熱部
材３０が矩形であれば、外枠と放熱部材３０との連結部
は、放熱部材３０のそれぞれの角部に設けてもよい。な
お、部材１００に吊られた複数の放熱部材３０は、その
後、連結部で切断されて個片化される。
【００５９】あるいは、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示
すように、化学的なエッチング加工によって放熱部材３
０を製造してもよい。まず、図８（Ａ）に示すように、
部材１００にレジスト１１０、１１２を設ける。図８
（Ａ）に示す例では、部材１００の両面に、それぞれ所
定のパターニングを施したレジスト１１０、１１２を設
ける。詳しくは、部材１００の一方の面には、放熱部材
３０の輪郭の領域と、凹部３２の領域と、必要に応じて
薄肉部３６の領域と、を避けてパターニングされたレジ
スト１１０を設ける。部材１００の他方の面には、放熱
部材３０の輪郭の領域を避けてパターニングされたレジ
スト１１２を設ける。そして、部材１００のレジスト１
１０、１１２から露出する領域をエッチャント（例えば
エッチング液）にさらして、エッチングする。こうし
て、１ターンのエッチングによって、放熱部材３０の輪
郭及び凹部３２を同時に形成することができる。したが
って、簡単な工程で放熱部材３０を製造することがで
き、放熱部材３０の製造コストを抑えることができる。
なお、上述のプレス加工で説明したように、製造後の各
放熱部材３０は部材１００の外枠で吊ってもよい。
すように、化学的なエッチング加工によって放熱部材３
０を製造してもよい。まず、図８（Ａ）に示すように、
部材１００にレジスト１１０、１１２を設ける。図８
（Ａ）に示す例では、部材１００の両面に、それぞれ所
定のパターニングを施したレジスト１１０、１１２を設
ける。詳しくは、部材１００の一方の面には、放熱部材
３０の輪郭の領域と、凹部３２の領域と、必要に応じて
薄肉部３６の領域と、を避けてパターニングされたレジ
スト１１０を設ける。部材１００の他方の面には、放熱
部材３０の輪郭の領域を避けてパターニングされたレジ
スト１１２を設ける。そして、部材１００のレジスト１
１０、１１２から露出する領域をエッチャント（例えば
エッチング液）にさらして、エッチングする。こうし
て、１ターンのエッチングによって、放熱部材３０の輪
郭及び凹部３２を同時に形成することができる。したが
って、簡単な工程で放熱部材３０を製造することがで
き、放熱部材３０の製造コストを抑えることができる。
なお、上述のプレス加工で説明したように、製造後の各
放熱部材３０は部材１００の外枠で吊ってもよい。
【００６０】（第２の実施の形態）図９及び図１０は、
本発明を適用した第２の実施の形態を示す図であり、詳
しくは、図９は本実施の形態の放熱部材の平面図であ
り、図１０は図９の放熱部材のＸ−Ｘ線断面図である。
本実施の形態では、放熱部材１３０の形態が上述と異な
る。
本発明を適用した第２の実施の形態を示す図であり、詳
しくは、図９は本実施の形態の放熱部材の平面図であ
り、図１０は図９の放熱部材のＸ−Ｘ線断面図である。
本実施の形態では、放熱部材１３０の形態が上述と異な
る。
【００６１】図示する例では、放熱部材１３０は、１つ
の凹部１３２を有する。凹部１３２は、複数のピン１５
０が配置される大きさに形成される。凹部１３２は、放
熱部材１３０のほぼ中央に形成されてもよい。例えば、
放熱部材１３０がほぼ矩形（角部が丸い形状を含む）の
場合、凹部１３２は、ほぼ矩形（コーナーが丸い形状を
含む）であってもよい。図示する例では、放熱部材１３
０の端部には、薄肉部１３６が形成されている。薄肉部
１３６は、中央部１３４よりも薄い。詳しくは、凹部１
３２を区画する外側の凸部よりも薄くなっている。な
お、放熱部材１３０のその他の構成は、可能な限り第１
の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
の凹部１３２を有する。凹部１３２は、複数のピン１５
０が配置される大きさに形成される。凹部１３２は、放
熱部材１３０のほぼ中央に形成されてもよい。例えば、
放熱部材１３０がほぼ矩形（角部が丸い形状を含む）の
場合、凹部１３２は、ほぼ矩形（コーナーが丸い形状を
含む）であってもよい。図示する例では、放熱部材１３
０の端部には、薄肉部１３６が形成されている。薄肉部
１３６は、中央部１３４よりも薄い。詳しくは、凹部１
３２を区画する外側の凸部よりも薄くなっている。な
お、放熱部材１３０のその他の構成は、可能な限り第１
の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００６２】放熱部材１３０を第１の型にセットすると
きに、凹部１３２のいずれかのコーナーの内壁に当接さ
せてもよい。こうすることで、放熱部材１３０を第１の
型４０の決められた位置にセットすることができる。あ
るいは、ピン１５０での位置決めが必要ない場合には、
ピン１５０は、凹部１３２のコーナーよりも内側に配置
されてもよい。
きに、凹部１３２のいずれかのコーナーの内壁に当接さ
せてもよい。こうすることで、放熱部材１３０を第１の
型４０の決められた位置にセットすることができる。あ
るいは、ピン１５０での位置決めが必要ない場合には、
ピン１５０は、凹部１３２のコーナーよりも内側に配置
されてもよい。
【００６３】また、封止工程後に封止部を離型するとき
に、ピン１５０を凹部１３２のいずれかのコーナーの内
壁に当接させてもよい。こうすることで、ピン１５０に
よって、安定した状態で放熱部材１３０を突き上げるこ
とができる。
に、ピン１５０を凹部１３２のいずれかのコーナーの内
壁に当接させてもよい。こうすることで、ピン１５０に
よって、安定した状態で放熱部材１３０を突き上げるこ
とができる。
【００６４】本実施の形態においても、上述の効果を達
成することができる。
成することができる。
【００６５】なお、その他の半導体装置の製造方法は、
可能な限り第１の実施の形態で説明した内容を適用する
ことができる。
可能な限り第１の実施の形態で説明した内容を適用する
ことができる。
【００６６】（第３の実施の形態）図１１は、本発明を
適用した第３の実施の形態を示す図であり、詳しくは、
封止工程を示す図である。本実施の形態では、ダイパッ
ドが形成されていないリードフレーム１２０を使用す
る。
適用した第３の実施の形態を示す図であり、詳しくは、
封止工程を示す図である。本実施の形態では、ダイパッ
ドが形成されていないリードフレーム１２０を使用す
る。
【００６７】図１１に示す例では、放熱部材２３０は、
リードフレーム１２０に接着テープ１２８で接着されて
いる。接着テープ１２８は、リード１２４のインナーリ
ード部を避ける領域で、放熱部材２３０の外周に設けら
れてもよい。放熱部材２３０は、複数のリード１２４の
先端で囲まれる領域を含む領域に配置される。そして、
半導体チップ１０は、放熱部材２３０に搭載される。
リードフレーム１２０に接着テープ１２８で接着されて
いる。接着テープ１２８は、リード１２４のインナーリ
ード部を避ける領域で、放熱部材２３０の外周に設けら
れてもよい。放熱部材２３０は、複数のリード１２４の
先端で囲まれる領域を含む領域に配置される。そして、
半導体チップ１０は、放熱部材２３０に搭載される。
【００６８】放熱部材２３０をリードフレーム１２０に
接着した状態で、第１の型４０にセットする。なお、他
の工程は、ダイパッドに装着済みの放熱部材を使用する
場合と同様であってもよい。
接着した状態で、第１の型４０にセットする。なお、他
の工程は、ダイパッドに装着済みの放熱部材を使用する
場合と同様であってもよい。
【００６９】本実施の形態においても、上述の効果を達
成することができる。
成することができる。
【００７０】また、本実施の形態においても、第１の実
施の形態で説明した放熱部材の製造方法を適用してもよ
く、第２の実施の形態で説明した形態の放熱部材を使用
してもよい。
施の形態で説明した放熱部材の製造方法を適用してもよ
く、第２の実施の形態で説明した形態の放熱部材を使用
してもよい。
【００７１】本発明の実施の形態に係る電気光学装置を
有する電子機器として、図１２にはノート型パーソナル
コンピュータ１０００が示され、図１２には携帯電話１
１００が示されている。
有する電子機器として、図１２にはノート型パーソナル
コンピュータ１０００が示され、図１２には携帯電話１
１００が示されている。
【００７２】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法をを示す図である。
係る半導体装置の製造方法をを示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態で
使用する放熱部材の平面図である。
使用する放熱部材の平面図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法をを示す図である。
係る半導体装置の製造方法をを示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法をを示す図である。
係る半導体装置の製造方法をを示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る方法からなる半導体装置を示す図である。
係る方法からなる半導体装置を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る方法からなる半導体装置が実装された回路基板を示
す図である。
係る方法からなる半導体装置が実装された回路基板を示
す図である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、本発明を適用し
た第１の実施の形態で使用する放熱部材の製造方法を示
す図である。
た第１の実施の形態で使用する放熱部材の製造方法を示
す図である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明を適用し
た第１の実施の形態で使用する放熱部材の製造方法を示
す図である。
た第１の実施の形態で使用する放熱部材の製造方法を示
す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した第２の実施の形態で
使用する放熱部材の平面図である。
使用する放熱部材の平面図である。
【図１０】図１０は、図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第３の実施の形
態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態に係
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した実施の形態に係
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
１０ 半導体チップ
２０ リードフレーム
２２ ダイパッド
３０ 放熱部材
３２ 凹部
３４ 中央部
３６ 薄肉部
４０ 第１の型
４２ 第２の型
４６ キャビティ
５０ ピン
６０ 封止部
７０ 回路基板
１２０ リードフレーム
１３０ 放熱部材
１３２ 凹部
１３４ 中央部
１３６ 薄肉部
１５０ ピン
２３０ 放熱部材
２３２ 凹部
２３６ 薄肉部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/40 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｕ
23/50 Ｙ
23/36 Ｚ
Claims (19)
- 【請求項１】 （ａ）半導体チップと、周囲よりも窪む
凹部を有する放熱部材と、を型にセットし、 （ｂ）前記型で挟まれたキャビティに突出するピンを、
前記放熱部材が浮き上がらないように前記凹部に配置し
た状態で封止材料を注入し、前記放熱部材の一部を露出
させるとともに前記半導体チップを封止し、 （ｃ）前記ピンで前記放熱部材を突き上げることによっ
て、封止部を前記型から離型することを含む半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記ピン及び前記凹部は、それぞれ複数設けられ、 前記（ｂ）工程で、それぞれの前記ピンを、いずれかの
前記凹部に嵌めた状態で前記封止材料を注入する半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記放熱部材は、ほぼ矩形をなし、 それぞれの前記凹部は、前記放熱部材のいずれかの角部
に形成されてなる半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記ピンは、複数設けられ、 前記凹部は、前記複数のピンが配置される大きさに形成
されてなる半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記凹部は、ほぼ矩形をなし、 前記（ｂ）工程で、前記ピンを前記凹部のいずれかのコ
ーナーの内壁に当接させる半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記（ａ）工程前に、 前記放熱部材を、ダイパッドを有しないリードフレーム
に取り付け、 前記半導体チップを、前記放熱部材に搭載することさら
に含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記（ａ）工程前に、前記半導体チップを、リードフレ
ームのダイパッドに搭載することをさらに含み、 前記（ａ）工程で、前記放熱部材を前記型にセットし、
前記ダイパッドを前記放熱部材上に配置する半導体装置
の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１から請求項７のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記（ａ）工程で、 前記ピンを前記凹部の内壁に当接させることによって、
前記放熱部材を前記型の決められた位置にセットする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 半導体チップと、周囲よりも窪む凹部を
有する放熱部材と、を型にセットして行う封止工程を含
み、 前記型で挟まれたキャビティに突出するピンを、前記凹
部の内壁に当接させることによって、前記放熱部材を前
記型の決められた位置にセットする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
において、 前記ピン及び前記凹部は、それぞれ複数設けられ、 それぞれの前記ピンを、いずれかの前記凹部に嵌めるこ
とによって、前記放熱部材をセットする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の半導体装置の製造方
法において、 前記放熱部材は、ほぼ矩形をなし、 それぞれの前記凹部は、前記放熱部材のいずれかの角部
に形成されてなる半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
において、 前記ピンは、複数設けられ、 前記凹部は、前記複数のピンが配置される大きさでほぼ
矩形をなし、 前記ピンを前記凹部のコーナーの内壁に当接させること
によって、前記放熱部材をセットする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項１３】 請求項９から請求項１２のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップは、リードフレームのダイパッドに搭
載され、 前記放熱部材をセットした後に、前記ダイパッドを前記
放熱部材上に配置する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１から請求項１３のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法において、 前記放熱部材の端部には、中央部よりも薄い薄肉部が形
成され、 前記放熱部材の一方の面は、前記中央部及び前記端部で
面一に形成され、 前記凹部は、前記放熱部材の他方の面に前記薄肉部を避
けて形成されてなる半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１から請求項１４のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法において、 前記放熱部材を製造することをさらに含み、 １ターンのプレス加工によって、前記放熱部材の輪郭及
び前記凹部を同時に形成する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１から請求項１４のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法において、 前記放熱部材を製造することをさらに含み、 １ターンのエッチングによって、前記放熱部材の輪郭及
び前記凹部を同時に形成する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１から請求項１６のいずれかに
記載の方法から製造されてなる半導体装置。 - 【請求項１８】 請求項１７記載の半導体装置が実装さ
れた回路基板。 - 【請求項１９】 請求項１７記載の半導体装置を有する
電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400233A JP2003197664A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400233A JP2003197664A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197664A true JP2003197664A (ja) | 2003-07-11 |
Family
ID=27604922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001400233A Withdrawn JP2003197664A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003197664A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001400233A patent/JP2003197664A/ja not_active Withdrawn
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| KR102321556B1 (ko) | 2017-08-23 | 2021-11-03 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
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