DE112014006660B4 - Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents
Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben Download PDFInfo
- Publication number
- DE112014006660B4 DE112014006660B4 DE112014006660.5T DE112014006660T DE112014006660B4 DE 112014006660 B4 DE112014006660 B4 DE 112014006660B4 DE 112014006660 T DE112014006660 T DE 112014006660T DE 112014006660 B4 DE112014006660 B4 DE 112014006660B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power semiconductor
- metal plate
- stepped portion
- semiconductor element
- encapsulating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 19
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 12
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000010125 resin casting Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
- H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48105—Connecting bonding areas at different heights
- H01L2224/48108—Connecting bonding areas at different heights the connector not being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. fanned-out connectors, radial layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4905—Shape
- H01L2224/49051—Connectors having different shapes
- H01L2224/49052—Different loop heights
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/495—Material
- H01L2224/49505—Connectors having different materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiteranordnung, aufweisend:
- Bereitstellen einer Leiterplatine, die eine innere Leitung (1a), eine mit der inneren Leitung (1a) verbundene äußere Leitung (2), ein Kontaktplättchen (3), das an einer Position angeordnet ist, die niedriger als diejenige der inneren Leitung (1a) ist, und einen gebogenen Abschnitt (4), der die innere Leitung (1a) und das Kontaktplättchen (3) verbindet;
- Befestigen eines Leistungshalbleiterelements (5) an dem Kontaktplättchen (3);
- Verbinden einer Metallplatte (8) mit einer Unterseite des Kontaktplättchens (3) über eine Isolationsschicht (9); und
- Verkapseln der inneren Leitung (1a), des Kontaktplättchens (3), des Leistungshalbleiterelements (5), der Isolationsschicht (9) und der Metallplatte (8) mit einem Kapselungskunstharz (10) in einer Kavität (13) zwischen einer unteren Gießform (12a) und einer oberen Gießform (12b), wobei
- die untere Gießform (12a) einen abgestuften Abschnitt (14) hat, der an einer Bodenfläche der Kavität (13) unterhalb der inneren Leitung (1a) vorhanden ist,
- eine Höhe (h1) einer Oberseite des abgestuften Abschnitts (14) größer ist als eine Höhe (h2) einer Oberseite des in der Kavität (13) angeordneten Leistungshalbleiterelements (5), und,
- wenn das Kapselungskunstharz (10) in die Kavität (13) eingepresst wird, eine Unterseite der Metallplatte (8) in Kontakt mit der Bodenfläche der Kavität (13) steht und das Kapselungskunstharz (10) veranlasst wird, von oberhalb des abgestuften Abschnitts (14) nach unten in Richtung der Oberseite des Leistungshalbleiterelements (5) zu fließen.
- Bereitstellen einer Leiterplatine, die eine innere Leitung (1a), eine mit der inneren Leitung (1a) verbundene äußere Leitung (2), ein Kontaktplättchen (3), das an einer Position angeordnet ist, die niedriger als diejenige der inneren Leitung (1a) ist, und einen gebogenen Abschnitt (4), der die innere Leitung (1a) und das Kontaktplättchen (3) verbindet;
- Befestigen eines Leistungshalbleiterelements (5) an dem Kontaktplättchen (3);
- Verbinden einer Metallplatte (8) mit einer Unterseite des Kontaktplättchens (3) über eine Isolationsschicht (9); und
- Verkapseln der inneren Leitung (1a), des Kontaktplättchens (3), des Leistungshalbleiterelements (5), der Isolationsschicht (9) und der Metallplatte (8) mit einem Kapselungskunstharz (10) in einer Kavität (13) zwischen einer unteren Gießform (12a) und einer oberen Gießform (12b), wobei
- die untere Gießform (12a) einen abgestuften Abschnitt (14) hat, der an einer Bodenfläche der Kavität (13) unterhalb der inneren Leitung (1a) vorhanden ist,
- eine Höhe (h1) einer Oberseite des abgestuften Abschnitts (14) größer ist als eine Höhe (h2) einer Oberseite des in der Kavität (13) angeordneten Leistungshalbleiterelements (5), und,
- wenn das Kapselungskunstharz (10) in die Kavität (13) eingepresst wird, eine Unterseite der Metallplatte (8) in Kontakt mit der Bodenfläche der Kavität (13) steht und das Kapselungskunstharz (10) veranlasst wird, von oberhalb des abgestuften Abschnitts (14) nach unten in Richtung der Oberseite des Leistungshalbleiterelements (5) zu fließen.
Description
- Gebiet
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leistungshalbleiteranordnung, die ein Leistungshalbleiterelement aufweist, das mit einem Kapselungskunstharz umgossen ist, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
- Hintergrund
- Leistungshalbleiteranordnungen werden unter Halbleiteranordnungen zum Steuern und/oder Regeln oder Gleichrichten von vergleichsweise hoher elektrischer Leistung in Fahrzeugen, wie beispielsweise Reisezugwagen, Hybridfahrzeugen und Elektrofahrzeugen, Haushaltsgeräten, Industriemaschinen, etc. verwendet. Da das Leistungshalbleiterelement während einer Verwendung Wärme entwickelt, besteht für die Leistungshalbleiteranordnung das Erfordernis, die Fähigkeit zum Abführen von Wärme von dem Element zu haben. Zudem ist eine Isolation von der Außenseite der Anordnung erforderlich, da eine hohe Spannung von mehreren hundert Volt oder höher angelegt wird.
- Ein intelligentes Leistungsmodul (intelligent power module; IPM) ist ein Modul, bei dem ein Leistungshalbleiterelement und ein Steuer- und/oder Regelhalbleiterelement integral miteinander kombiniert sind. Wenn eine Leiterplatine als Verdrahtungsmaterial verwendet wird, sind das Leistungshalbleiterelement und das Steuer- und/oder Regelhalbleiterelement gewöhnlich an einem physikalisch isolierten Kontaktplättchen angeordnet und werden danach durch dünne Metalldrähte oder dergleichen elektrisch miteinander verbunden. Da ein hoher Strom zum Fließen durch das Leistungshalbleiterelement veranlasst wird, wird eine große Menge an Wärme erzeugt und es existiert ein Bedarf, dem Modul eine Wärmeabgabefähigkeit zu verleihen.
- Als eine Wärmeabgabestruktur ist eine Struktur bekannt, bei der eine Metallplatte mit Rückseiten eines Kontaktplättchens mit einer dazwischen angeordneten, hoch wärmeableitenden Isolationsschicht wärmedruckverbunden ist, und diese Bauteile werden durch Spritzpressen geformt (vgl. beispielsweise PTL 1).
- Zitierungsliste
- Patentliteratur
- [PTL 1]
JP 2004-172239 A - Die
JP 2013-074035 A US 2012/0206196 A1 - Zusammenfassung
- Technisches Problem
- Ein beim Spritzpressen verwendetes Kapselungs- bzw. Vergusskapselungskunstharz hat eine wärmehärtende Eigenschaft, wird zeitweilig durch Wärme geschmolzen und erstarrt danach durch eine chemische Reaktion. Daher muss das Einspritzen in einer begrenzten Zeitspanne abgeschlossen sein und es existiert ein Erfordernis, eine hohe Einspritzgeschwindigkeit insbesondere für einen großflächigen Korpus festzulegen. Bei dem Fall des Einspritzens bei einer erhöhten Geschwindigkeit wird der Fließwiderstand, der auf einen gebogenen Abschnitt wirkt, der das Kontaktplättchen und eine innere Leitung verbindet, erhöht und das Kontaktplättchen nimmt eine Kraft auf, durch die das Kontaktplättchen von der Isolationsschicht abgerissen werden kann. Dies verursacht eine Instabilität der Verbindung zwischen dem Kontaktplättchen und der Isolationsschicht und eine Reduzierung der dielektrischen Spannungsfestigkeit. Zudem wird die Flächenpressung an dem Leistungshalbleiterelement reduziert und es wird die Stärke der Verbindung zwischen dem Leistungshalbleiterelement und dem Kontaktplättchen reduziert, was in einer Gewinnreduzierung resultiert.
- Die gesamte Oberfläche der Isolationsschicht ist nicht mit den Kontaktplättchen verbunden. Aus eine Verdrahtung betreffenden Gründen werden manche Abschnitte der Isolationsschicht, aufweisend einen Randabschnitt oder andere Abschnitte der Isolationsschicht, nicht verbunden. Ein Verzug wird an dem nicht verbundenen Randabschnitt aufgrund des Unterschieds in dem Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen der Isolationsschicht und dem Metallrahmen verursacht. Die Isolationsschicht ist gewöhnlich eine Kunstharzschicht, die einen Wärmeausdehnungskoeffizienten hat, der größer als solche von Metallen ist. Daher hat der Verzug eine konvexe Form nach unten. Wenn die verzogene Metallplatte beim Spritzpressen in einer unteren Gießform platziert wird, ist irgendein Abschnitt der Metallplatte von der Gießform getrennt. Wenn das Kunstharz in diesem Zustand eingespritzt wird, tritt das horizontal fließende Kapselungskunstharz in den Spalt zwischen der Unterseite der Metallplatte und der unteren Gießform ein, um eine Kunstharzgießnaht zu erzeugen. Wenn die Höhe der Kunstharzgießnaht groß ist, wird der Wärmeabgabeeffekt reduziert.
- Die vorliegende Erfindung wurde verwirklicht, um das oben beschriebene Problem zu lösen, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Leistungshalbleiteranordnung, die zum Verbessern des Gewinns und der Wärmeabgabe geeignet ist, und ein Verfahren zum Herstellen derselben bereitzustellen.
- Lösung des Problems
- Die der vorliegenden Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiteranordnung erfindungsgemäß mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 und bei einer Leistungshalbleiteranordnung als solcher erfindungsgemäß und alternativ jeweils mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche 6 und 8 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
- Ein Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst: Bereitstellen einer Leiterplatine, die eine innere Leitung, eine mit der inneren Leitung verbundene äußere Leitung, ein an einer niedrigeren Position als die innere Leitung angeordnetes Kontaktplättchen und einen die innere Leitung und das Kontaktplättchen verbindenden, gebogenen Abschnitt aufweist; Befestigen eines Leistungshalbleiterelements an dem Kontaktplättchen; Verbinden einer Metallplatte mit einer Unterseite des Kontaktplättchens über eine Isolationsschicht; und Kapseln der inneren Leitung, des Kontaktplättchens, des Leistungshalbleiterelements, der Isolationsschicht und der Metallplatte mit einem Kapselungskunstharz in einer Kavität zwischen einer unteren Gießform und einer oberen Gießform, wobei die untere Gießform einen abgestuften Abschnitt aufweist, der an einer Bodenfläche der Kavität unterhalb der inneren Leitung vorhanden ist, wobei eine Höhe einer Oberseite des abgestuften Abschnitts größer ist als eine Höhe einer Oberseite des in der Kavität angeordneten Leistungshalbleiterelements, und wobei, wenn das Kapselungskunstharz in die Kavität eingepresst wird, eine Unterseite der Metallplatte in Kontakt mit der Bodenfläche der Kavität steht und das Kapselungskunstharz veranlasst wird, von oberhalb des abgestuften Abschnitts nach unten in Richtung der Oberseite des Leistungshalbleiterelements zu fließen.
- Vorteilhafte Effekte der Erfindung
- Bei der vorliegenden Erfindung wird das Kapselungskunstharz veranlasst, von oberhalb des abgestuften Abschnitts nach unten in Richtung der Oberseite des Leistungshalbleiterelements zu fließen, wodurch das Kontaktplättchen nach unten gedrückt wird. Zudem wird der Fließwiderstand zu dem gebogenen Abschnitt als ein Ergebnis des Vorhandenseins des abgestuften Abschnitts reduziert. Die Verbindung zwischen der Isolationsschicht und dem Kontaktplättchen wird dadurch stabilisiert, wodurch die dielektrische Spannungsfestigkeit verbessert wird. Des Weiteren wird ebenso das Leistungshalbleiterelement gepresst und der Flächendruck darauf wird erhöht, wodurch die Stärke der Verbindung zwischen dem Leistungshalbleiterelement und dem Kontaktplättchen verbessert wird, wodurch eine Verbesserung bezüglich des Gewinns erreicht wird. Zudem wird der Fluss des Kapselungskunstharzes in der horizontalen Richtung, bevor das Kapselungskunstharz die Metallplatte während der Kunstharzeinpressung erreicht, als ein Ergebnis des Vorhandenseins des abgestuften Abschnitts reduziert, so dass das Kapselungskunstharz nicht einfach den Spalt zwischen der Metallplatte und der unteren Gießform eintreten kann. Die Isolationsschicht und die Metallplatte werden ebenfalls nach unten gedrückt, um das Verziehen der Metallplatte zu verhindern, wodurch es für das Kapselungskunstharz noch schwieriger gemacht wird, in den Spalt zwischen der Metallplatte und der unteren Gießform einzutreten. Als ein Ergebnis wird die Erzeugung einer Kunstharzgießnaht entlang der Unterseite der Metallplatte gehemmt. Die Wärmeabgabe wird verbessert, da keine Kunstharzgießnaht dazwischenkommt, wenn eine externe Kühleinrichtung, wie beispielsweise eine gerippte, angebracht wird.
- Figurenliste
-
-
1 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung. -
2 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in1 . -
3 ist eine Draufsicht, die innere Abschnitte der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung zeigt. -
4 ist eine Seitenansicht der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung. -
5 ist eine Schnittdarstellung, die das Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung zeigt. -
6 ist eine Draufsicht, die das Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung zeigt. -
7 ist eine vergrößerte Schnittdarstellung, die das Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung zeigt. -
8 ist eine vergrößerte Schnittdarstellung, die das Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß einem vergleichenden Beispiel zeigt. -
9 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung. -
10 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in9 . -
11 ist eine Schnittdarstellung, die ein Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung zeigt. -
12 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung. -
13 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in12 . -
14 ist eine Schnittdarstellung, die ein Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung zeigt. -
15 ist eine Untersicht eines abgewandelten Beispiels der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung. -
16 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in15 . -
17 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 4 der vorliegenden Erfindung. -
18 ist eine Schnittdarstellung, die ein Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 4 der vorliegenden Erfindung zeigt. -
19 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 5 der vorliegenden Erfindung. -
20 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in19 . - Beschreibung von Ausführungsbeispielen
- Eine Leistungshalbleiteranordnung und ein Verfahren zum Herstellen derselben gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Dieselben Komponenten werden mit denselben Symbolen gekennzeichnet und eine wiederholte Beschreibung davon kann weggelassen werden.
- Ausführungsbeispiel 1
-
1 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung.2 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in1 .3 ist eine Draufsicht, die innere Abschnitte der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung zeigt.4 ist eine Seitenansicht der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung. Diese Leistungshalbleiteranordnung ist ein Korpus vom DIP-Typ. - Eine Leiterplatine hat innere Leitungen
1a ,1b und1c , äußere Leitungen2a ,2b und2c , die jeweils mit den inneren Leitungen1a ,1 b und1c verbunden sind, ein Kontaktplättchen3 , das an einer niedrigeren Position als die der inneren Leitung1a angeordnet ist, und einen gebogenen Abschnitt4 , der die innere Leitung1a und das Kontaktplättchen3 verbindet. Die inneren Leitungen1a und1b sind Anschlussleitungen, während die innere Leitung eine innere Steuer- und/oder Regelleitung ist. Die äußeren Leitungen2a und2b sind Anschlussleitungen, während die äußere Leitung2c eine äußere Steuer- und/oder Regelleitung ist. - Ein Leistungshalbleiterelement
5 ist an dem Kontaktplättchen3 unter Verwendung eines Pb-freien Lots befestigt. Das Leistungshalbleiterelement5 ist ein rückwärtsleitender Bipolartransistor mit isoliertem Gate (RC-IGBT). Ein Steuer- und/oder Regelhalbleiterelement6 ist an der inneren Leitung1c unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Haftmittels befestigt. Zum Fügen zwischen dem Leistungshalbleiterelement5 und dem Kontaktplättchen3 kann ein elektrisch leitfähiges Fügematerial, wie beispielsweise das elektrisch leitfähige Haftmittel, nicht eingeschränkt auf Lot, verwendet werden. - Eine Emitter-Elektrode und eine Gate-Elektrode sind an einer Oberseite des Leistungshalbleiterelements
5 vorhanden. Ein AI-Draht7a verbindet die Emitter-Elektrode und die innere Leitung1b ; ein Au-Draht7b verbindet die Gate-Elektrode und das Steuer- und/oder Regelhalbleiterelement6 ; und ein Au-Draht7c verbindet das Steuer- und/oder Regelhalbleiterelement6 und die innere Leitung1c . Ein Cu-Draht kann statt des AI-Drahts oder des Au-Drahts verwendet werden. - Eine Metallplatte
8 ist an einer Unterseite des Kontaktplättchens3 befestigt, mit einer dazwischen angeordneten Isolationsschicht9 mit hoher Wärmeableitung. Die Metallplatte8 ist aus einem Werkstoff, wie beispielsweise Cu oder AI, hergestellt, der eine hohe Wärmeleitungseigenschaft aufweist. Der Werkstoff der Isolationsschicht9 ist eine Mischung aus einem Kunstharz und einem thermisch leitfähigen Füllstoff. Irgendeiner von thermoplastischen und wärmehärtenden Kunstharzen ist als das Kunstharz der Isolationsschicht9 geeignet, wenn er zum Verbinden geeignet ist. Ein Werkstoff, wie beispielsweise SiO2, Al2O3 oder BN, der sowohl eine elektrische Isolationseigenschaft als auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit hat, kann als der Füllstoff dienen. - Die inneren Leitungen
1a ,1 b und1c , das Kontaktplättchen3 , das Leistungshalbleiterelement5 , die Isolationsschicht9 , der AI-Draht7a , die Au-Drähte7b und7c und die Metallplatte8 sind verkapselt mit einem Kapselungs- bzw. Vergusskapselungskunstharz10 . Eine Unterseite der Metallplatte8 ist an einer Unterseite des Kapselungskunstharzes10 freigelegt. Die äußeren Leitungen2a ,2b und2c stehen jeweils von entgegengesetzten Enden der Anordnung hervor. Ein abgestufter Abschnitt11 ist an einer Unterseite des Kapselungskunstharzes10 unterhalb der inneren Leitungen1a und1b vorhanden. Die Höheh1 der Unterseite des Kapselungskunstharzes10 in dem abgestuften Abschnitt11 ist größer als die Höhe h2 der Oberseite des Leistungshalbleiterelements5 . - Ein Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird nachfolgend beschrieben.
5 ist eine Schnittdarstellung, die das Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel1 der vorliegenden Erfindung zeigt.6 ist eine Draufsicht, die das Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel1 der vorliegenden Erfindung zeigt. - Zuerst wird die Leiterplatine bereitgestellt. Das Leistungshalbleiterelement
5 wird an dem Kontaktplättchen3 der Leiterplatine unter Verwendung eines Pb-freien Lots befestigt, und das Steuer- und/oder Regelhalbleiterelement6 wird an der inneren Leitung1c unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Haftmittels befestigt. Die Emitter-Elektrode des Leistungshalbleiterelements5 und die innere Leitung1a sind durch den AI-Draht7a miteinander verbunden; die Gate-Elektrode des Leistungshalbleiterelements5 und das Steuer- und/oder Regelhalbleiterelement6 sind durch den Au-Draht7b miteinander verbunden; und das Steuer- und/oder Regelhalbleiterelement6 und die innere Leitung1c sind durch den Au-Draht7c miteinander verbunden. - Die Isolationsschicht
9 in einem halb ausgehärteten Zustand mit der vorab daran angebrachten Metallplatte8 wird zeitweilig durch Wärme-Druck-Verbinden mit der Unterseite des Kontaktplättchens3 verbunden. „Halb ausgehärteter Zustand“ bezieht sich auf einen Zustand, bei dem der Werkstoff, der bei normaler Temperatur fest ist, sich im Zuge der Aushärtung in Richtung eines vollständig ausgehärteten Zustands befindet, nachdem er zeitweilig bei einer hohen Temperatur aufgeschmolzen worden ist, aber nicht vollständig ausgehärtet ist. - Als Nächstes werden, wie den
5 und6 gezeigt, die Bauteile aufweisend die inneren Leitungen1a ,1b und1c , das Kontaktplättchen3 , das Leistungshalbleiterelement5 , der AI-Draht7a , die Au-Drähte7b ,7c , die Metallplatte8 und die Isolationsschicht9 in einer Kavität13 zwischen einer unteren Gießform12a und einer oberen Gießform12b angeordnet. Zu diesem Zeitpunkt sind die Metallplatte8 und die Isolationsschicht9 an einer Bodenfläche der Kavität13 durch von der unteren Gießform12a vorstehende bewegliche Stifte12c zum Positionieren positioniert. Nach einem Formschließen wird das Kapselungskunstharz10 von einem Einspritztor zwischen den äußeren Leitungen2a und2b in die Kavität13 gepresst, wodurch mit dem Kapselungskunstharz10 verkapselt wird (Spritzpressen). Durch den Einpressdruck des Kapselungskunstharzes10 wird die Isolationsschicht9 vollständig wärmedruckverbunden, während der Kapselungskörper geformt wird. - Beim Kunstharzeinpressen wird das Kapselungskunstharz
10 veranlasst, von der Seite der inneren Leitung1a /1b in Richtung der Seite der inneren Steuer- und/oder Regelleitung1c zu fließen, mit dem Ziel einer Reduzierung des Fließwiderstands des Kapselungskunstharzes10 gegen den Au-Draht7c an der inneren Steuer- und/oder Regelleitung1c . Während des Einpressens werden die beweglichen Stifte12c zum Positionieren zurückgezogen und ein hydrostatischer Druck wird in der Form angelegt. Nachdem das Kapselungskunstharz10 ausgehärtet ist, wird die Pressform durch Entfernen der Gießformen befreit. - Die untere Gießform
12a hat einen abgestuften Abschnitt14 , der an einer Bodenfläche der Kavität13 unterhalb der inneren Leitung1a vorhanden ist. Die Höhe h1 einer Oberseite des abgestuften Abschnitts14 ist größer als die Höhe h2 der Oberseite des in der Kavität13 angeordneten Leistungshalbleiterelements5 . Wenn das Kapselungskunstharz10 in die Kavität13 eingepresst wird, ist die Unterseite der Metallplatte8 in Kontakt mit der Bodenfläche der Kavität13 , und das Kapselungskunstharz10 wird veranlasst, von oberhalb des abgestuften Abschnitts14 nach unten in Richtung der Oberfläche des Leistungshalbleiterelements5 zu fließen. - Das Kapselungskunstharz
10 , das nach dem Spritzpressen an dem Einpresstor zwischen den äußeren Leitungen2a und2b verbleibt, wird von dem Kapselungskörper abgeschnitten. Eine Torkunstharzentfernungsspur15 , die, wie beispielsweise in4 gezeigt, eine Oberflächenrauheit (Rz ) gleich oder höher als 20 µm hat, verbleibt an einer Seitenfläche des Kapselungskörpers. Danach wird eine Nachbearbeitung, wie beispielsweise eine Konservierungsbehandlung, an den äußeren Leitungen2a ,2b und2c durchgeführt, und der Kapselungskörper wird in die vorgegebene äußere Form gebracht. - Die Effekte des vorliegenden Ausführungsbeispiels werden im Vergleich mit einem vergleichenden Beispiel beschrieben.
7 ist eine vergrößerte Schnittdarstellung, die das Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel1 der vorliegenden Erfindung zeigt.8 ist eine vergrößerte Schnittdarstellung, die das Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß einem vergleichenden Beispiel zeigt. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der abgestufte Abschnitt14 an der Bodenfläche der Kavität13 unterhalb der inneren Leitung1a vorhanden. Bei dem vergleichenden Beispiel ist der abgestufte Abschnitt14 nicht vorhanden. - Bei dem vergleichenden Beispiel fließt das eingepresste Kapselungskunstharz
10 mit Bezug auf die Isolationsschicht9 und das Kontaktplättchen3 in der horizontalen Richtung (Hobelrichtung), da der abgestufte Abschnitt14 nicht vorhanden ist. Dementsprechend erhält der gebogene Abschnitt14 einen Fließwiderstand nach oben von dem Kapselungskunstharz10 , so dass eine Kraft, durch die das Kontaktplättchen3 von der Isolationsschicht8 abgerissen werden kann, ununterbrochen während des Kunstharzeinpressens angelegt wird, was eine Instabilität der Verbindung zwischen der Isolationsschicht9 und dem Kontaktplättchen3 verursacht. Zudem wird die Flächenpressung an dem Leistungshalbleiterelement5 reduziert und die Stärke der Verbindung zwischen dem Leistungshalbleiterelement und dem Kontaktplättchen3 reduziert. Das horizontal fließende Kapselungskunstharz10 tritt in den Spalt zwischen der Unterseite der Metallplatte8 und der unteren Gießform ein, um eine Kunstharzgießnaht zu erzeugen. - Auf der anderen Seite wird das Kapselungskunstharz
10 bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel veranlasst, von oberhalb des abgestuften Abschnitts14 nach unten in Richtung der Oberseite des Leistungshalbleiterelements5 zu fließen und dadurch das Kontaktplättchen3 nach unten zu drücken. Zudem wird der Fließwiderstand zu dem gebogenen Abschnitt4 als ein Ergebnis des Vorhandenseins des abgestuften Abschnitts14 reduziert. Die Verbindung zwischen der Isolationsschicht9 und dem Kontaktplättchen3 wird dadurch stabilisiert, wodurch die dielektrische Spannungsfestigkeit verbessert wird. Des Weiteren wird auch das Leistungshalbleiterelement5 gepresst und die Flächenpressung darauf wird vergrößert, wodurch die Stärke der Verbindung zwischen dem Leistungshalbleiterelement5 und dem Kontaktplättchen3 verbessert wird, wodurch eine Verbesserung bezüglich des Gewinns erzielt wird. - Auch der Fluss des Kapselungskunstharzes
10 in der horizontalen Richtung, bevor das Kapselungskunstharz10 die Metallplatte8 während des Kunstharzeinpressens erreicht, wird als ein Ergebnis des Vorhandenseins des abgestuften Abschnitts14 reduziert, so dass das Kapselungskunstharz10 nicht einfach in den Spalt zwischen der Metallplatte8 und der unteren Gießform12a eintreten kann. Die Isolationsschicht9 und die Metallplatte8 werden ebenso nach unten gedrückt, um das Verziehen der Metallplatte8 zu verhindern, was es noch schwieriger für das Kapselungskunstharz10 macht, in den Spalt zwischen der Metallplatte8 und der unteren Gießform12a einzutreten. Als ein Ergebnis wird die Erzeugung einer Kunstharzgießnaht entlang der Unterseite der Metallplatte8 gehemmt. Die Wärmeabgabe wird verbessert, da keine Kunstharzgießnaht dazwischenkommt, wenn eine externe Kühleinrichtung, wie beispielsweise eine gerippte, angebracht wird. - Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der abgestufte Abschnitt
11 auch an der Unterseite des Kapselungskunstharzes10 unterhalb der inneren Leitung1a vorhanden. Die Kriechstrecke zwischen den äußeren Leitungen2a und2b und der Metallplatte8 wird durch den abgestuften Abschnitt11 vergrößert, wodurch die Leistungshalbleiteranordnung vergrößert werden kann. - Bei Ausführungsbeispiel
1 besteht ein Erfordernis, den abgestuften Abschnitt14 und die Metallplatte8 um einen bestimmten Abstand (0,5 bis 3 mm) voneinander zu beabstanden, um den Bereich sicherzustellen, in dem die beweglichen Stifte12c an der unteren Gießform12a vorhanden sind. Es ist daher notwendig, dass die hergestellte Anordnung eine Bodenseite mit einer bestimmten Breite hat, die aus dem Kapselungskunstharz10 zwischen dem abgestuften Abschnitt11 und der Metallplatte8 ausgebildet ist. - Ausführungsbeispiel 2
-
9 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel2 der vorliegenden Erfindung.10 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in9 .11 ist eine Schnittdarstellung, die ein Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel2 der vorliegenden Erfindung zeigt. - Zwei Vorsprünge
6 , deren Höhe niedriger als der abgestufte Abschnitt14 ist, sind an der Bodenfläche der Kavität13 zwischen dem abgestuften Abschnitt14 und der Metallplatte8 vorhanden. Durch Übertragung der Vorsprünge16 der unteren Gießform12a sind zwei Vertiefungen17 , die in ihrer Tiefe flacher als der abgestufte Abschnitt11 sind, an der Unterseite des Kapselungskunstharzes10 zwischen dem abgestuften Abschnitt11 und der Metallplatte8 vorhanden. Es ist erstrebenswert, dass die Höhe der Vertiefungen7 kleiner als ist die Gesamtdicke der Metallplatte8 und der Isolationsschicht9 . - Die Metallplatte
8 kann durch ihre Positionierung entlang der Vorsprünge16 der unteren Gießform12a platziert werden. Die bei Ausführungsbeispiel1 verwendeten bewegbaren Stifte12c können daher weggelassen werden. Da der Bereich an der unteren Gießform12a , in dem die bewegbaren Stifte12c vorhanden sind, weggelassen werden kann, kann die Breite der Bodenfläche des Kapselungskunstharzes10 reduziert werden und die Leistungshalbleiteranordnung kann kleiner hergestellt werden. - Da die Vorsprünge
16 eine weitere Reduzierung des Abstands zwischen einer Seitenfläche der Metallplatte8 und der unteren Gießform12a ermöglichen, wird der Fließwiderstand zu dem gebogenen Abschnitt4 weiter reduziert und die Verbindung zwischen der Isolationsschicht9 und dem Kontaktplättchen3 weiter stabilisiert. Zudem wird es schwieriger für das Kapselungskunstharz10 , in den Spalt zwischen der Unterseite der Metallplatte8 und der Bodenfläche der unteren Gießform12a einzutreten. - Wenn der Abstand zwischen der Seitenfläche der Metallplatte
8 und dem abgestuften Abschnitt14 der unteren Gießform12a von Ort zu Ort variiert, ist der Fluss in der horizontalen Richtung zu der Metallplatte8 nicht einheitlich; der Weg, entlang dem eine Kunstharzgießnaht erzeugt wird, variiert. Es ist daher bevorzugt, zwei oder mehrere Vorsprünge16 vorzusehen. Wenn die Metallplatte8 und die Isolationsschicht9 an der unteren Gießform12a platziert werden, ermöglichen die Vorsprünge16 , dass die Metallplatte8 und die Isolationsschicht9 stabil positioniert und fixiert sind, ohne gedreht zu sein. Als ein Ergebnis ist der Abstand zwischen der Seitenfläche der Metallplatte8 und dem abgestuften Abschnitt14 der unteren Gießform12a einheitlich hergestellt und Herstellungsvariationen sind daher reduziert. In einem Fall, bei dem zwei oder mehrere Vorsprünge16 vorhanden sind, sind zwei oder mehrere Vertiefungen17 in der Unterseite des Kapselungskunstharzes10 an der hergestellten Anordnung vorhanden. - Bei Ausführungsbeispiel
2 kann der Bereich an der unteren Gießform12a , in dem die bewegbaren Stifte12c anzuordnen sind, weggelassen werden. Die Breite der Bodenfläche des Kapselungskunstharzes10 an der hergestellten Anordnung kann daher reduziert werden, wodurch ermöglicht wird, dass das Produkt kleiner hergestellt werden kann. - Ausführungsbeispiel 3
-
12 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel3 der vorliegenden Erfindung.13 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in12 .14 ist eine Schnittdarstellung, die ein Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel3 der vorliegenden Erfindung zeigt. - Ein kleiner abgestufter Abschnitt
18 , der in seiner Höhe niedriger als der abgestufte Abschnitt14 ist, ist an der Bodenfläche der Kavität13 zwischen dem abgestuften Abschnitt11 und der Metallplatte8 statt der Vorsprünge16 von Ausführungsbeispiel2 vorhanden. Durch Übertragen des kleinen abgestuften Abschnitts18 der unteren Gießform12a ist ein kleiner abgestufter Abschnitt19 , der in seiner Tiefe flacher als der abgestufte Abschnitt11 ist, an der Unterseite des Kapselungskunstharzes10 zwischen dem abgestuften Abschnitt11 und der Metallplatte8 vorhanden. Der kleine abgestufte Abschnitt18 ist in seiner Struktur einfacher als die Vertiefungen17 und hat eine geradlinige Form, so dass die Gießform einfacher zu reinigen ist und in ihrer Wartungsfreundlichkeit verbessert ist. Es ist erstrebenswert, dass die Höhe des kleinen abgestuften Abschnitts18 kleiner ist als die Gesamtdicke der Metallplatte8 und der Isolationsschicht9 . -
15 ist eine Untersicht eines abgewandelten Beispiels der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel3 der vorliegenden Erfindung.16 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in15 . Die geneigten Flächen des abgestuften Abschnitts11 und des kleinen abgestuften Abschnitts18 sind miteinander verbunden, um als Ganzes eine einzelne Neigung zu bilden, und diese Neigung ist verlängert zu einer Position in der Nähe der Metallplatte8 . Der Vorteil von Ausführungsbeispiel3 kann auch in diesem Fall erhalten werden. - Ausführungsbeispiel 4
-
17 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel4 der vorliegenden Erfindung.18 ist eine Schnittdarstellung, die ein Verfahren zum Herstellen der Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel4 der vorliegenden Erfindung zeigt.18 entspricht einem Schnitt der Anordnung, genommen entlang LinieI-II in17 . - Ein abgestufter Abschnitt
11 ist entlang der längeren Seite der Metallplatte8 vorhanden, wie der in Ausführungsbeispiel1 . Zusätzlich ist ein Vorsprung20 an der Bodenfläche der Kavität13 an der unteren Gießform12a entlang der kürzeren Seite der Metallplatte8 vorhanden. Durch Übertragen des Vorsprungs20 der unteren Gießform12a ist eine Vertiefung21 an der Unterseite des Kapselungskunstharzes10 entlang der kürzeren Seite der Metallplatte8 in der Nähe eines Schraublochs vorhanden. - Der Fluss des Kapselungskunstharzes
10 in der horizontalen Richtung wird auch an der kürzeren Seite durch den Vorsprung20 reduziert, so dass die Erzeugung einer Kunstharzgießnaht ebenso bezüglich eines Verzugs in einer Richtung entlang der kürzeren Seite der Metallplatte8 gehemmt wird. Es ist erstrebenswert, dass die Höhe des Vorsprungs20 (die Tiefe der Vertiefung21 ) größer ist als die Dicke der Metallplatte8 . - Ausführungsbeispiel 5
-
19 ist eine Untersicht einer Leistungshalbleiteranordnung gemäß Ausführungsbeispiel5 der vorliegenden Erfindung.20 ist eine Schnittdarstellung, genommen entlang LinieI-II in19 . Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist ein abgestufter Abschnitt14 beispielsweise entsprechend dem von Ausführungsbeispiel1 vorhanden, um den Rand der Metallplatte8 zu umgeben. Durch Übertragen des abgestuften Abschnitts14 der unteren Gießform12a ist der abgestufte Abschnitt11 an der Unterseite des Kapselungs- bzw. Vergusskapselungskunstharzes10 vorhanden, um den Rand der Metallplatte8 zu umgeben. Ein Kunstharzeinpresstor bzw. -öffnung ist an einer kürzeren Seite der Metallplatte8 vorhanden. Auch in einem Fall, bei dem ein Kunstharzeinpresstor in einer Richtung vorhanden ist, die sich von der Richtung der Seite der Anschlussleitungen, wie oben beschrieben, unterscheidet, kann eine Stabilisierung der Verbindung zwischen der Isolationsschicht9 und dem Kontaktplättchen3 und eine Hemmung der Erzeugung einer Kunstharzgießnaht an der Rückseite der Metallplatte erreicht werden durch Bereitstellen des abgestuften Abschnitts14 derart, dass der abgestufte Abschnitt14 den Rand der Metallplatte8 umgibt. - Das Leistungshalbleiterelement
5 ist nicht auf ein aus Silicium hergestelltes eingeschränkt. Das Leistungshalbleiterelement5 kann aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke hergestellt sein, der eine Bandlücke hat, die größer als die von Silicium ist. Der Halbleiter mit breiter Bandlücke ist beispielsweise Siliciumcarbid, ein Galliumnitrid-basierter Werkstoff oder Diamant. Das aus einem solchen Halbleiter mit breiter Bandlücke hergestellte Leistungshalbleiterelement5 hat eine höhere Spannungsfestigkeitseigenschaft und eine höhere zulässige Stromdichte und kann daher kleiner hergestellt werden. Durch Verwendung des kleiner hergestellten Elements kann ebenso die das Element enthaltende Leistungshalbleiteranordnung kleiner hergestellt werden. Da die Wärmebeständigkeit des Elements hoch ist, können Wärmeabstrahlungsrippen einer Wärmesenke in ihrer Größe reduziert werden und ein Wasserkühlungsteil kann ersetzt werden durch ein Luftkühlungsteil, was es möglich macht, das Halbleitermodul weiter in seiner Größe zu reduzieren. Da das Element einen reduzierten Energieverlust und eine hohe Effizienz hat, kann zudem die Effizienz der Leistungshalbleiteranordnung verbessert werden. - Bezugszeichenliste
- 1a innere Leitung, 2a äußere Leitung, 3 Kontaktplättchen, 4 abgewinkelter Abschnitt, 5 Leistungshalbleiterelement, 8 Metallplatte, 9 Isolationsschicht, 10 Kapselungskunstharz, 12a untere Gießform, 12b obere Gießform, 13 Kavität, 14 abgestufter Abschnitt, 16 Vorsprung, 17, Vertiefung, 18 kleiner abgestufter Abschnitt, 19 kleiner abgestufter Abschnitt, 20 Vorsprung, 21 Vertiefung
Claims (8)
- Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiteranordnung, aufweisend: - Bereitstellen einer Leiterplatine, die eine innere Leitung (1a), eine mit der inneren Leitung (1a) verbundene äußere Leitung (2), ein Kontaktplättchen (3), das an einer Position angeordnet ist, die niedriger als diejenige der inneren Leitung (1a) ist, und einen gebogenen Abschnitt (4), der die innere Leitung (1a) und das Kontaktplättchen (3) verbindet; - Befestigen eines Leistungshalbleiterelements (5) an dem Kontaktplättchen (3); - Verbinden einer Metallplatte (8) mit einer Unterseite des Kontaktplättchens (3) über eine Isolationsschicht (9); und - Verkapseln der inneren Leitung (1a), des Kontaktplättchens (3), des Leistungshalbleiterelements (5), der Isolationsschicht (9) und der Metallplatte (8) mit einem Kapselungskunstharz (10) in einer Kavität (13) zwischen einer unteren Gießform (12a) und einer oberen Gießform (12b), wobei - die untere Gießform (12a) einen abgestuften Abschnitt (14) hat, der an einer Bodenfläche der Kavität (13) unterhalb der inneren Leitung (1a) vorhanden ist, - eine Höhe (h1) einer Oberseite des abgestuften Abschnitts (14) größer ist als eine Höhe (h2) einer Oberseite des in der Kavität (13) angeordneten Leistungshalbleiterelements (5), und, - wenn das Kapselungskunstharz (10) in die Kavität (13) eingepresst wird, eine Unterseite der Metallplatte (8) in Kontakt mit der Bodenfläche der Kavität (13) steht und das Kapselungskunstharz (10) veranlasst wird, von oberhalb des abgestuften Abschnitts (14) nach unten in Richtung der Oberseite des Leistungshalbleiterelements (5) zu fließen.
- Verfahren nach
Anspruch 1 , wobei die untere Gießform (12a) einen Vorsprung (16, 20) aufweist, der in seiner Höhe niedriger ist als der abgestufte Abschnitt (14) und an der Bodenfläche der Kavität (13) zwischen dem abgestuften Abschnitt (14) und der Metallplatte (8) vorhanden ist. - Verfahren nach
Anspruch 1 , wobei die untere Gießform (12a) einen kleinen abgestuften Abschnitt (18) aufweist, der in seiner Höhe niedriger ist als der abgestufte Abschnitt (14) und an der Bodenfläche der Kavität (13) zwischen dem abgestuften Abschnitt (14) und der Metallplatte (8) vorhanden ist. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , wobei - der abgestufte Abschnitt (14) entlang einer längeren Seite der Metallplatte (8) vorhanden ist und - die untere Gießform (12a) einen Vorsprung (20) aufweist, der an einer Bodenfläche der Kavität (13) entlang der kürzeren Seite der Metallplatte (8) vorhanden ist. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , wobei der abgestufte Abschnitt (14) vorhanden ist, um einen Rand der Metallplatte (8) zu umgeben. - Leistungshalbleiteranordnung, aufweisend: - eine Leiterplatine, die eine innere Leitung (1a), eine mit der inneren Leitung (1a) verbundene äußere Leitung (2a), ein Kontaktplättchen (3), die an einer Position angeordnet ist, die niedriger als diejenige der inneren Leitung (1a) ist, und einen gebogenen Abschnitt (4), der die innere Leitung (1a) und das Kontaktplättchen (3) verbindet; - ein Leistungshalbleiterelement (5), das an dem Kontaktplättchen (3) befestigt ist; - eine Metallplatte (8), die mit einer Unterseite des Kontaktplättchens (3) über eine Isolationsschicht (9) verbunden ist; und - ein Kapselungskunstharz (10), das die innere Leitung (1a), das Kontaktplättchen (3), das Leistungshalbleiterelement (5), die Isolationsschicht (9) und die Metallplatte (8) kapselt, wobei: - eine Unterseite der Metallplatte (8) an einer Unterseite des Kapselungskunstharzes (10) freigelegt ist - ein abgestufter Abschnitt (11) an der Unterseite des Kapselungskunstharzes (10) unterhalb der inneren Leitung (1a) vorhanden ist, - eine Höhe (h1) der Unterseite des Kapselungskunstharzes (10) an dem abgestuften Abschnitt (11) größer ist als eine Höhe (h2) einer Oberseite des Leistungshalbleiterelements (5), und - eine Vertiefung (17), die in ihrer Tiefe flacher ist als der abgestufte Abschnitt (11), an einer Unterseite des Kapselungskunstharzes (10) zwischen dem abgestuften Abschnitt (11) und der Metallplatte (8) vorhanden ist.
- Leistungshalbleiteranordnung nach
Anspruch 6 , wobei die Vertiefung (17) aus mehreren einzelnen Vertiefungen besteht. - Leistungshalbleiteranordnung, aufweisend: - eine Leiterplatine, die eine innere Leitung (1a), eine mit der inneren Leitung (1a) verbundene äußere Leitung (2a), ein Kontaktplättchen (3), die an einer Position angeordnet ist, die niedriger als diejenige der inneren Leitung (1a) ist, und einen gebogenen Abschnitt (4), der die innere Leitung (1a) und das Kontaktplättchen (3) verbindet; - ein Leistungshalbleiterelement (5), das an dem Kontaktplättchen (3) befestigt ist; - eine Metallplatte (8), die mit einer Unterseite des Kontaktplättchens (3) über eine Isolationsschicht (9) verbunden ist; und - ein Kapselungskunstharz (10), das die innere Leitung (1a), das Kontaktplättchen (3), das Leistungshalbleiterelement (5), die Isolationsschicht (9) und die Metallplatte (8) kapselt, wobei: - eine Unterseite der Metallplatte (8) an einer Unterseite des Kapselungskunstharzes (10) freigelegt ist - ein abgestufter Abschnitt (11) an der Unterseite des Kapselungskunstharzes (10) unterhalb der inneren Leitung (1a) vorhanden ist, - eine Höhe (h1) der Unterseite des Kapselungskunstharzes (10) an dem abgestuften Abschnitt (11) größer ist als eine Höhe (h2) einer Oberseite des Leistungshalbleiterelements (5), und - ein kleiner abgestufter Abschnitt (19), der in seiner Tiefe flacher ist als der abgestufte Abschnitt (11), an einer Unterseite des Kapselungskunstharzes (10) zwischen dem abgestuften Abschnitt (11) und der Metallplatte (8) vorhanden ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/062608 WO2015173862A1 (ja) | 2014-05-12 | 2014-05-12 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112014006660T5 DE112014006660T5 (de) | 2017-01-19 |
DE112014006660B4 true DE112014006660B4 (de) | 2019-10-31 |
Family
ID=54479436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112014006660.5T Active DE112014006660B4 (de) | 2014-05-12 | 2014-05-12 | Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9716072B2 (de) |
JP (1) | JP6195019B2 (de) |
KR (1) | KR101915873B1 (de) |
CN (1) | CN106463420B (de) |
DE (1) | DE112014006660B4 (de) |
WO (1) | WO2015173862A1 (de) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6546892B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2019-07-17 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
US10483178B2 (en) * | 2017-01-03 | 2019-11-19 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including an encapsulation material defining notches |
DE112017007957B4 (de) | 2017-08-23 | 2023-01-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
CN109637983B (zh) * | 2017-10-06 | 2021-10-08 | 财团法人工业技术研究院 | 芯片封装 |
JP7030481B2 (ja) * | 2017-11-10 | 2022-03-07 | エイブリック株式会社 | 樹脂封止金型および半導体装置の製造方法 |
JP7040032B2 (ja) * | 2018-01-17 | 2022-03-23 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US20200031661A1 (en) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | Invensense, Inc. | Liquid proof pressure sensor |
JP7053897B2 (ja) * | 2019-01-18 | 2022-04-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
JP7090579B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2022-06-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP7459465B2 (ja) * | 2019-08-28 | 2024-04-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7269362B2 (ja) * | 2019-10-07 | 2023-05-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法ならびに半導体装置 |
JP7196815B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2022-12-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール及び電力変換装置 |
JP2021145036A (ja) * | 2020-03-12 | 2021-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP6851559B1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-03-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
US11765528B2 (en) * | 2020-09-28 | 2023-09-19 | Lite-On Singapore Pte. Ltd. | Sensing device and method for packaging the same |
JP7479771B2 (ja) * | 2020-10-01 | 2024-05-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
US11764209B2 (en) | 2020-10-19 | 2023-09-19 | MW RF Semiconductors, LLC | Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture |
JP7535909B2 (ja) | 2020-10-20 | 2024-08-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
JP7546783B2 (ja) * | 2021-10-08 | 2024-09-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、および、半導体装置の製造方法 |
EP4369394A1 (de) * | 2022-11-10 | 2024-05-15 | Infineon Technologies Austria AG | Leistungshalbleitergehäuse und verfahren zu seiner herstellung |
WO2024103986A1 (zh) * | 2022-11-17 | 2024-05-23 | 海信家电集团股份有限公司 | 功率模块和设备 |
CN116247049B (zh) * | 2023-02-28 | 2024-01-23 | 海信家电集团股份有限公司 | 功率模块及具有其的电子设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120206196A1 (en) * | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module |
JP2013074035A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02152260A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止半導体装置およびそれの製造に用いる金型 |
JP2771838B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1998-07-02 | ポリプラスチックス株式会社 | 電子部品の樹脂封止方法、樹脂封止用成形金型及び電子部品封止成形品 |
JPH09129661A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Hitachi Ltd | 成形装置および成形方法 |
JP4073559B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2008-04-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4277168B2 (ja) | 2002-11-18 | 2009-06-10 | サンケン電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びその製法 |
JP2005109100A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3854957B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2006-12-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP4463146B2 (ja) | 2005-05-18 | 2010-05-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4422094B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2010-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
KR101489325B1 (ko) * | 2007-03-12 | 2015-02-06 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 플립-칩 방식의 적층형 파워 모듈 및 그 파워 모듈의제조방법 |
JP5876669B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2016-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5598189B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2014-10-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP5680011B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2015-03-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
-
2014
- 2014-05-12 US US15/112,890 patent/US9716072B2/en active Active
- 2014-05-12 KR KR1020167031397A patent/KR101915873B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-12 JP JP2016518665A patent/JP6195019B2/ja active Active
- 2014-05-12 DE DE112014006660.5T patent/DE112014006660B4/de active Active
- 2014-05-12 WO PCT/JP2014/062608 patent/WO2015173862A1/ja active Application Filing
- 2014-05-12 CN CN201480078993.2A patent/CN106463420B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120206196A1 (en) * | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module |
JP2013074035A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015173862A1 (ja) | 2017-04-20 |
CN106463420B (zh) | 2019-07-26 |
JP6195019B2 (ja) | 2017-09-13 |
DE112014006660T5 (de) | 2017-01-19 |
WO2015173862A1 (ja) | 2015-11-19 |
US20160343644A1 (en) | 2016-11-24 |
KR101915873B1 (ko) | 2018-11-06 |
US9716072B2 (en) | 2017-07-25 |
KR20160143802A (ko) | 2016-12-14 |
CN106463420A (zh) | 2017-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112014006660B4 (de) | Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE112014007140B4 (de) | Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE102014212376B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112016006381B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und herstellungsverfahren dafür | |
DE102004060378B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE112014006653B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE102019132837B4 (de) | Doppelseitiges Kühlleistungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102014221636B4 (de) | Halbleitermodul und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE102014105462B4 (de) | Halbleiterleistungsbauelement mit einer wärmesenke und verfahren zum herstellen | |
DE112005003614T5 (de) | Halbleiterbaugruppe für ein Schaltnetzteil und Verfahren zu dessen Montage | |
DE102011113269A1 (de) | Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP3794641B1 (de) | Entwärmungsanordnung für ein halbleiterleistungsmodul | |
DE102018208437B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112016007464B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102013225135B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102009001722A1 (de) | Verfahren zum Aufbringen eines Wärmeleitmediums auf eine Wärmeableitfläche | |
DE102015103897B4 (de) | Leitungsrahmen mit Kühlerplatte, Verfahren zur Herstellung eines Leitungsrahmens mit Kühlerplatte, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE102014111786A1 (de) | Kühlplatte, Bauelement, das eine Kühlplatte umfasst, und Verfahren zum Herstellen einer Kühlplatte | |
DE102015101146A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit mehreren Kontaktclips | |
DE102018213859A1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE102018203228A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zur Fertigung derselben, und Leistungskonvertierungsvorrichtung | |
DE102010061573B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE102018110132B3 (de) | Drucksinterverfahren bei dem Leistungshalbleiterbauelemente mit einem Substrat über eine Sinterverbindung miteinander verbunden werden | |
DE102017207727A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE112016007096T5 (de) | Halbleitervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R084 | Declaration of willingness to licence | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021600000 Ipc: H01L0021560000 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |