JP7053897B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 164
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 147
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
図1は、この発明の実施の形態1における半導体装置を示す平面構造模式図である。図2は、この発明の実施の形態1における半導体装置を示す断面構造模式図である。図1は、半導体装置100を上面から見た平面図である。図1中の一点鎖線AAにおける断面構造模式図が図2である。図において、半導体装置100は、半導体素子1、電子部品2、金属部材であるリードフレーム3、封止部材4、ボンディングワイヤ6を備えている。ここで、リードフレーム3は、上面と下面とを有し、リードフレーム3が備える複数の部材も同様に上面と下面とを有している。なお、リードフレーム3の端子部3eにおいては、構造上、上面が内面、下面が外面にそれぞれ対応する。
本実施の形態2においては、実施の形態1で用いたリードフレーム3の上面側の封止部材4の高さである封止部材4の上面の高さを低くし、リードフレーム3に第二傾斜部3fを設けた点が異なる。このように、リードフレーム3の上面側である封止部材4の上面の高さを低くし、リードフレーム3に第二傾斜部3fを設けたので、半導体装置の空間距離がなくかつ沿面距離が拡大しながら、半導体装置の小型化が可能となる。なお、その他の点については、実施の形態1と同様であるので、詳しい説明は省略する。
リードフレーム3の端子部3eが露出する封止部材4の側面側において、封止部材4は、リードフレーム3の屈曲部3dより下方では、リードフレーム3の端子部3eの外面より外側へ突出して設けられている。また、封止部材4は、リードフレーム3の屈曲部3dより上方では、リードフレーム3の端子部3eの内面より内側に設けられる。さらに、リードフレーム3の屈曲部3dの下部には、封止部材4が直接接してリードフレーム3の屈曲部3dの外側まで設けられている。また、封止部材4の上面は、リードフレーム3の第二傾斜部3fの上端部と同じ高さに設けられている。
このように、下金型32にのみにキャビティ40を形成しているので、上金型31に対してもキャビティ40形成する場合に比べて、金型作製のコストが低減し、金型清掃や金型部品交換のメンテナンス作業を効率よく実施できる。
本実施の形態3は、上述した実施の形態1または2にかかる半導体装置を電力変換装置に適用したものである。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態3として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
Claims (10)
- 半導体素子と、
上面に前記半導体素子が搭載された搭載部と、前記搭載部の上方に設けられ間隔を空けて並列し一端に屈曲部を有する複数の端子部とを有し、前記複数の端子部はそれぞれの前記屈曲部で前記搭載部の前記上面側へ屈曲した金属部材と、
前記複数の端子部を側面から露出し、前記複数の端子部の間の前記側面は平坦で、前記屈曲部より上方では前記複数の端子部の内面より内側に設けられ、前記屈曲部より下方では前記屈曲部の下方に接して前記屈曲部の外側まで設けられ、前記半導体素子と前記金属部材とを一体的に封止する封止部材と、
を備え、
前記封止部材は、前記屈曲部より上方に設けられた前記封止部材の外周位置が前記屈曲部より下方に設けられた前記封止部材の外周位置よりも前記金属部材の厚み分内側に配置される、半導体装置。 - 前記封止部材は、前記屈曲部より下方に設けられた前記封止部材の外周位置が前記屈曲部より上方に設けられた前記封止部材の外周位置よりも前記金属部材の厚み分以上外側に配置される、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属部材は、前記搭載部より上方に設けられた複数の平坦部と、
前記搭載部と前記複数の平坦部の一端とを接続する複数の第一傾斜部とを有し、前記複数の平坦部の他端は、それぞれが前記屈曲部と接続した、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記金属部材は、前記搭載部より上方に設けられた複数の平坦部と、
前記搭載部と前記複数の平坦部の一端とを接続する複数の第一傾斜部と、前記複数の第一傾斜部より上方に設けられ前記複数の平坦部の他端と複数の前記屈曲部とを接続する複数の第二傾斜部とを有し、前記封止部材の上面は、前記第二傾斜部の上端と同じ高さに設けられた、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記金属部材は、前記屈曲部が前記封止部材と面する領域から前記端子部の外面にわたる領域に離型部材が設けられた、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記離型部材は、めっき膜である、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記金属部材は、前記離型部材が設けられた領域に孔部が設けられた、請求項5または請求項6に記載の半導体装置。
- 金属部材の搭載部の上面に半導体素子を搭載する半導体素子搭載工程と、
上金型の複数の端子部を挟み込む内側壁が前記複数の端子部の間で平坦であり、前記上金型の内側壁より外側に下金型の内側壁が設けられ、前記上金型と前記下金型とを有する金型内に、前記搭載部と前記搭載部の上方に設けられ間隔を空けて並列させた前記複数の端子部とを有する前記金属部材を配置する金属部材配置工程と、
前記金属部材が配置された前記金型内に封止部材を充填し前記半導体素子と前記金属部材とを一体的に封止する封止工程と、
前記封止部材の側面から露出させた前記複数の端子部を屈曲部で前記搭載部の前記上面側へ屈曲させる金属部材加工工程と、
を備え、
前記封止部材は、前記屈曲部より上方に設けられた前記封止部材の外周位置が前記屈曲部より下方に設けられた前記封止部材の外周位置よりも前記金属部材の厚み分内側に配置される、半導体装置の製造方法。 - 前記金属部材の前記複数の端子部のそれぞれの前記屈曲部を含む領域にめっき膜を形成する金属部材めっき膜形成工程をさらに備えた請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と、
を備えた電力変換装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/001378 WO2020148879A1 (ja) | 2019-01-18 | 2019-01-18 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020148879A1 JPWO2020148879A1 (ja) | 2021-09-27 |
JP7053897B2 true JP7053897B2 (ja) | 2022-04-12 |
Family
ID=71614151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020566062A Active JP7053897B2 (ja) | 2019-01-18 | 2019-01-18 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7053897B2 (ja) |
CN (1) | CN113261095A (ja) |
WO (1) | WO2020148879A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7479771B2 (ja) * | 2020-10-01 | 2024-05-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
JP7535909B2 (ja) | 2020-10-20 | 2024-08-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3108744B2 (ja) | 1994-04-28 | 2000-11-13 | 京セラ株式会社 | ノイズ防止回路 |
JP4286355B2 (ja) | 1998-12-16 | 2009-06-24 | 富士重工業株式会社 | 複合材の成形方法および成形治具 |
JP2010003947A (ja) | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Yamaha Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2015204319A (ja) | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び製造方法 |
WO2015173862A1 (ja) | 2014-05-12 | 2015-11-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
WO2018185974A1 (ja) | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63174453U (ja) * | 1986-05-30 | 1988-11-11 | ||
JPH02232957A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Yamada Seisakusho:Kk | 樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム |
JPH03108744A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH04286355A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
KR100723454B1 (ko) * | 2004-08-21 | 2007-05-30 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법 |
JP2005051109A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パワー半導体モジュール |
JP6028592B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2016-11-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6621681B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2019-12-18 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体パッケージ |
-
2019
- 2019-01-18 JP JP2020566062A patent/JP7053897B2/ja active Active
- 2019-01-18 CN CN201980088014.4A patent/CN113261095A/zh active Pending
- 2019-01-18 WO PCT/JP2019/001378 patent/WO2020148879A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3108744B2 (ja) | 1994-04-28 | 2000-11-13 | 京セラ株式会社 | ノイズ防止回路 |
JP4286355B2 (ja) | 1998-12-16 | 2009-06-24 | 富士重工業株式会社 | 複合材の成形方法および成形治具 |
JP2010003947A (ja) | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Yamaha Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2015204319A (ja) | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び製造方法 |
WO2015173862A1 (ja) | 2014-05-12 | 2015-11-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
WO2018185974A1 (ja) | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2020148879A1 (ja) | 2021-09-27 |
WO2020148879A1 (ja) | 2020-07-23 |
CN113261095A (zh) | 2021-08-13 |
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