JPWO2020148879A1 - 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 - Google Patents
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020148879A1 JPWO2020148879A1 JP2020566062A JP2020566062A JPWO2020148879A1 JP WO2020148879 A1 JPWO2020148879 A1 JP WO2020148879A1 JP 2020566062 A JP2020566062 A JP 2020566062A JP 2020566062 A JP2020566062 A JP 2020566062A JP WO2020148879 A1 JPWO2020148879 A1 JP WO2020148879A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- sealing member
- semiconductor device
- bent portion
- metal member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
図1は、この発明の実施の形態1における半導体装置を示す平面構造模式図である。図2は、この発明の実施の形態1における半導体装置を示す断面構造模式図である。図1は、半導体装置100を上面から見た平面図である。図1中の一点鎖線AAにおける断面構造模式図が図2である。図において、半導体装置100は、半導体素子1、電子部品2、金属部材であるリードフレーム3、封止部材4、ボンディングワイヤ6を備えている。ここで、リードフレーム3は、上面と下面とを有し、リードフレーム3が備える複数の部材も同様に上面と下面とを有している。なお、リードフレーム3の端子部3eにおいては、構造上、上面が内面、下面が外面にそれぞれ対応する。
本実施の形態2においては、実施の形態1で用いたリードフレーム3の上面側の封止部材4の高さである封止部材4の上面の高さを低くし、リードフレーム3に第二傾斜部3fを設けた点が異なる。このように、リードフレーム3の上面側である封止部材4の上面の高さを低くし、リードフレーム3に第二傾斜部3fを設けたので、半導体装置の空間距離がなくかつ沿面距離が拡大しながら、半導体装置の小型化が可能となる。なお、その他の点については、実施の形態1と同様であるので、詳しい説明は省略する。
リードフレーム3の端子部3eが露出する封止部材4の側面側において、封止部材4は、リードフレーム3の屈曲部3dより下方では、リードフレーム3の端子部3eの外面より外側へ突出して設けられている。また、封止部材4は、リードフレーム3の屈曲部3dより上方では、リードフレーム3の端子部3eの内面より内側に設けられる。さらに、リードフレーム3の屈曲部3dの下部には、封止部材4が直接接してリードフレーム3の屈曲部3dの外側まで設けられている。また、封止部材4の上面は、リードフレーム3の第二傾斜部3fの上端部と同じ高さに設けられている。
このように、下金型32にのみにキャビティ40を形成しているので、上金型31に対してもキャビティ40形成する場合に比べて、金型作製のコストが低減し、金型清掃や金型部品交換のメンテナンス作業を効率よく実施できる。
本実施の形態3は、上述した実施の形態1または2にかかる半導体装置を電力変換装置に適用したものである。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態3として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
Claims (11)
- 半導体素子と、
上面に前記半導体素子が搭載された搭載部と、前記搭載部の上方に設けられ間隔を空けて並列し一端に屈曲部を有する複数の端子部とを有し、前記複数の端子部はそれぞれの前記屈曲部で前記搭載部の前記上面側へ屈曲した金属部材と、
前記複数の端子部を側面から露出し、前記複数の端子部の間の前記側面は平坦で、前記屈曲部より上方では前記複数の端子部の内面より内側に設けられ、前記屈曲部より下方では前記屈曲部の下方に接して前記屈曲部の外側まで設けられ、前記半導体素子と前記金属部材とを一体的に封止する封止部材と、
を備えた半導体装置。 - 前記封止部材は、前記屈曲部より下方に設けられた前記封止部材の外周位置が前記屈曲部より上方に設けられた前記封止部材の外周位置よりも前記金属部材の厚み分以上外側に配置される、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記封止部材は、前記屈曲部より上方に設けられた前記封止部材の外周位置が前記屈曲部より下方に設けられた前記封止部材の外周位置よりも前記金属部材の厚み分内側に配置される、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記金属部材は、前記搭載部より上方に設けられた複数の平坦部と、前記搭載部と前記複数の平坦部の一端とを接続する複数の第一傾斜部とを有し、前記複数の平坦部の他端は、それぞれが前記屈曲部と接続した、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記金属部材は、前記搭載部より上方に設けられた複数の平坦部と、前記搭載部と前記複数の平坦部の一端とを接続する複数の第一傾斜部と、前記複数の第一傾斜部より上方に設けられ前記複数の平坦部の他端と複数の前記屈曲部とを接続する複数の第二傾斜部とを有し、前記封止部材の上面は、前記第二傾斜部の上端と同じ高さに設けられた、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記金属部材は、前記屈曲部が前記封止部材と面する領域から前記端子部の外面にわたる領域に離型部材が設けられた、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記離型部材は、めっき膜である、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記金属部材は、前記離型部材が設けられた領域に孔部が設けられた、請求項6または請求項7に記載の半導体装置。
- 金属部材の搭載部の上面に半導体素子を搭載する半導体素子搭載工程と、
上金型の複数の端子部を挟み込む内側壁が前記複数の端子部の間で平坦であり、前記上金型の内側壁より外側に下金型の内側壁が設けられ、前記上金型と前記下金型とを有する金型内に、前記搭載部と前記搭載部の上方に設けられ間隔を空けて並列させた複数の端子部とを有する前記金属部材を配置する金属部材配置工程と、
前記金属部材が配置された前記金型内に封止部材を充填し前記半導体素子と前記金属部材とを一体的に封止する封止工程と、
前記封止部材の側面から露出させた前記複数の端子部を屈曲部で前記搭載面の前記上面側へ屈曲させる金属部材加工工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記金属部材の前記複数の端子部のそれぞれの前記屈曲部を含む領域にめっき膜を形成する金属部材めっき膜形成工程をさらに備えた請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と、
を備えた電力変換装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/001378 WO2020148879A1 (ja) | 2019-01-18 | 2019-01-18 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020148879A1 true JPWO2020148879A1 (ja) | 2021-09-27 |
JP7053897B2 JP7053897B2 (ja) | 2022-04-12 |
Family
ID=71614151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020566062A Active JP7053897B2 (ja) | 2019-01-18 | 2019-01-18 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7053897B2 (ja) |
CN (1) | CN113261095A (ja) |
WO (1) | WO2020148879A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7479771B2 (ja) * | 2020-10-01 | 2024-05-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63174453U (ja) * | 1986-05-30 | 1988-11-11 | ||
JPH02232957A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Yamada Seisakusho:Kk | 樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム |
JPH03108744A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH04286355A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
JP2010003947A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Yamaha Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2015204319A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び製造方法 |
WO2015173862A1 (ja) * | 2014-05-12 | 2015-11-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
WO2018185974A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3108744B2 (ja) | 1994-04-28 | 2000-11-13 | 京セラ株式会社 | ノイズ防止回路 |
JP4286355B2 (ja) | 1998-12-16 | 2009-06-24 | 富士重工業株式会社 | 複合材の成形方法および成形治具 |
-
2019
- 2019-01-18 CN CN201980088014.4A patent/CN113261095A/zh active Pending
- 2019-01-18 JP JP2020566062A patent/JP7053897B2/ja active Active
- 2019-01-18 WO PCT/JP2019/001378 patent/WO2020148879A1/ja active Application Filing
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63174453U (ja) * | 1986-05-30 | 1988-11-11 | ||
JPH02232957A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Yamada Seisakusho:Kk | 樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム |
JPH03108744A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH04286355A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
JP2010003947A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Yamaha Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2015204319A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び製造方法 |
WO2015173862A1 (ja) * | 2014-05-12 | 2015-11-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
WO2018185974A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7053897B2 (ja) | 2022-04-12 |
CN113261095A (zh) | 2021-08-13 |
WO2020148879A1 (ja) | 2020-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9351423B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device connection structure | |
CN109727960B (zh) | 半导体模块、其制造方法以及电力变换装置 | |
JP7196815B2 (ja) | 半導体モジュール及び電力変換装置 | |
JP7014012B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置 | |
TW201820586A (zh) | 電子裝置 | |
JP7491707B2 (ja) | 電気回路体、電力変換装置、および電気回路体の製造方法 | |
JP7091878B2 (ja) | パワーモジュール、電力変換装置、及びパワーモジュールの製造方法 | |
JP7094447B2 (ja) | パワーモジュール及び電力変換装置 | |
JP7053897B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 | |
JP5948106B2 (ja) | パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP6952889B2 (ja) | パワー半導体モジュール及びその製造方法並びに電力変換装置 | |
JP6575739B1 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置 | |
JP7109347B2 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
JP6811644B2 (ja) | パワー半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 | |
JPWO2020245998A1 (ja) | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 | |
US11887903B2 (en) | Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion apparatus | |
JP6851559B1 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
JP7479771B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 | |
WO2022239154A1 (ja) | パワーモジュールおよび電力変換装置 | |
JP7019024B2 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
WO2020255297A1 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
US11145616B2 (en) | Semiconductor device, power conversion apparatus, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2022070483A (ja) | パワー半導体モジュール及びその製造方法並びに電力変換装置 | |
JP2022067375A (ja) | 電力用半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
WO2023193928A1 (en) | Arrangement for a power module, power module and method for producing an arrangement for a power module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210412 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7053897 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |