JP2682936B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその製
法に関する。さらに詳しくはリードが細く、リード間ピ
ッチが狭いファインピッチ化した半導体装置で、リード
が寸法精度よく整列されて基板へ容易に実装できる半導
体装置およびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器、とくにコンピュータの
パーソナル化、ラップトップ化など小型化、高性能化に
伴ない、これらに使用される半導体装置も高集積化、小
型化が要求され、リードは多ピン、狭ピッチとなり、細
くなって強度が弱くなると共に、僅かの変形によっても
隣のリードと接触するなど、リードの変形が問題になっ
ている。
【０００３】この種の従来の半導体装置は、従来の狭ピ
ッチ化されていない半導体装置と同様に、リードフレー
ムに半導体チップをダイボンディング、ワイヤボンディ
ングし、樹脂でこれらを封入成形（以下、モールドとい
う）したのち、リードをリードフレームから切断分離
し、フォーミングして電気試験を行っている。ここで、
小型化、ファインピッチ化された半導体装置ではリード
の変形が問題となる。そこで、リードスキャナによって
レーザ光の反射または画像認識でリードの変形、とくに
コプラナリティ（リード先端の上下の浮き沈み）の検査
を行い、リードが変形している半導体装置を再度リフォ
ーミングしなければならないばあいがある。
【０００４】ところが、最近の一層のファインピッチ化
に伴ない、リードのコプラナリティは一層の寸法精度を
要求されてきている。すなわち、リード間のピッチが0.
5mmのばあいには0.1mm 程度の整列度が要求されるが、
リードのピッチ間隔が0.3mmになると50μｍ程度の整列
度が要求される。
【０００５】これを満たすため各リード線に分離切断す
る前のリードフレームの状態でフォーミングすることも
行われているが、電気試験前には各リードを分離しなけ
ればならず、電気試験時など、その後に生じる変形をさ
けることができない。そのため、リードスキャナで全数
検査して規格を満たさない製品を再度リフォーミングし
て修正しなければならないばあいがあり、高価なリード
スキャナを大量に導入しなければならないと共に、検査
工数が増加し、コストアップになるという問題がある。
また電気試験時に各リードを変形させないようにするた
め、プローブ方式でプローブを接触するだけで測定する
方法も考えられるが、新たな設備が必要となり、ランニ
ングコストが高くなる。
【０００６】さらに前述の全数検査によると複雑な検査
工程が増えるため、長納期化する。しかも、一度変形し
たものを完全にリフォームすることは困難であり、さら
にはリフォームの際リードにストレスが生じ、リードの
クラックの発生やリード外周のメッキ層など外装処理に
傷をつけることにより不良品が増大したり、信頼性が低
下したりする。さらにはその後の出荷、運搬中、使用前
の取扱いなどで変形が生じるという問題がある。
【０００７】一方、製品化後の搬送や輸送中およびテス
トや実装におけるリードの変形を防止するため、外部リ
ードを絶縁テープなどで連結固定する技術が特開平２−
７８２４９号公報や特開平２−１９９８５７号公報に開
示されている。すなわち、特開平２−７８２４９号公報
にはパッケージから突出するリードの先端部に表面実装
時に溶解可能なフラックス材料で連結するか、リード先
端部の表面側をポリイミドテープなどの絶縁性テープで
連結する技術が開示されている。また、特開平２−１９
９８５７号公報には具体的な技術の開示はされていない
が、外部リード間を絶縁物で固着するか、外部リード同
士を絶縁テープで固定する点について記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述のリード
先端部をフラックス材料で連結するばあい、リード先端
部裏面に固定する必要があり、１本のリードに上向きの
力がかかると簡単に離脱して変形しやすいという問題が
ある。
【０００９】また、リード先端の表面側を絶縁テープで
連結するばあいには、リード先端部の裏面は通常実装時
にプリント基板などにハンダ付けされているため、狭い
リードのあいだで絶縁テープが仲介役となって隣接する
リード間にハンダブリッジが形成され、隣接リード間を
短絡し易いとう問題がある。すなわち、リードの板厚は
通常0.10〜0.15mm位で、プリント基板と絶縁テープの間
隔もそれ以下となり、またリード間の間隔も0.125 〜0.
3mm と狭く、リード先端のハンダ付時のハンダがリード
先端から隣りのリード先端まで絶縁テープを伝って両リ
ードが連結しやすくなる。
【００１０】本発明はこのような状況に鑑み、製造段階
でできるだけリードを変形させないように保護し、製造
工程を減縮すると共に、実装時のハンダ付にリードの曲
りがなく短絡などの問題も発生せず、信頼性の高い具体
的な構造の半導体装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置は、複数のリードの一端側が半導体チップと電気的に
接続されると共に樹脂で封入された半導体装置であっ
て、前記複数のリードの前記樹脂の外部に導出された根
本部分が前記封入用樹脂と一体の樹脂で形成された絶縁
性支持体により相互に固定されると共に、前記外部に導
出されるリードの先端側のハンダ付けされる平坦面には
絶縁性支持体を有しないことを特徴とするものである。
【００１２】
【００１３】さらに、請求項２記載の半導体装置は前記
封入用樹脂と一体の樹脂で形成された絶縁支持体に切込
み部が形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
【００１５】さらに、請求項３記載の半導体装置は複数
のリードの一端側が半導体チップと電気的に接続される
と共に樹脂で封入された半導体装置であって、前記複数
のリードの前記樹脂の外部に導出された部分がガルウィ
ング状に折り曲げられ、該折り曲げられたリードの底部
の平坦面の表面側で固形物からなる絶縁支持体により相
互に固定されると共に、該絶縁支持体は該絶縁支持体の
裏面側で各リードの間隙部に、該リードの間隔より前記
絶縁支持体の端面に沿った距離を大きくする凹部または
凸部が形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
【００１７】
【００１８】なお、本明細書で絶縁性とは、電気的に絶
縁性であることを意味する。また、ガルウィング状と
は、たとえば、図１に示すように、リードの導出部が折
り曲げられ底部にハンダ付面を有する形状を意味し、底
部のハンダ付面は曲部でもよく、また図４に示すよう
に、リードの先端がさらに先に延びるものも含む。
【００１９】
【作用】本発明によれば、リードの外端部側を絶縁性支
持体で連結固定しているため、製造工程とくにリードを
変形させ易い電気試験のときも、固定された絶縁性支持
体より外の部分で電気試験を行え、絶縁性支持体より外
端は短かくて変形しにくく、たとえ変形しても最終的に
絶縁性支持体と共に切断除去でき、必要部分のリードの
変形は殆ど生じない。
【００２０】さらに本発明によれば、絶縁性支持体で固
定したままプリント基板などに実装することができるよ
うに、絶縁性支持体は実装時のハンダ付け時に邪魔にな
らないように形成しているため、そのまま実装すること
により、リードに変形が生じる余地がなく、一層整列度
の良い状態で使用することができ、容易にプリント基板
上に他の表面実装部品と一括してハンダ付けできる。
【００２１】また、本発明によれば半導体チップをボン
ディング後樹脂でモールドする際に同時に各リードを接
続し固定できるため、余分な工数を必要とせず絶縁性支
持体を形成できる。
【００２２】さらに、本発明によれば、リードの先端部
に絶縁性支持体を形成しておき、実装前の最終段階で切
断除去することにより、従来と同じ形態の半導体装置で
リードの整列度の良いものを使用できる。
【００２３】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明について
説明する。図１は本発明の一実施例であるリードを絶縁
性支持体で固定した半導体装置の一実施例の斜視図であ
る。図１において１は内部にボンディングされた半導体
チップを樹脂で封入しているパッケージで、２は半導体
チップの各機能を外部に引き出しているリードで図１に
示すようにガルウィング状に折り曲げられている。３は
各リード２が変形しないようにリード２に固定した絶縁
性支持体で、たとえばモールドするときに使用する樹脂
と同じ樹脂で同時に固着するかまたはリードフレームの
状態で、もしくはその後の各リード分離前のいずれかの
工程でポリイミドフィルムなどの絶縁性テープを貼付し
たり、熱硬化性樹脂や接着剤で固化することによりえら
れる。
【００２４】この半導体装置のリードフレームはたとえ
ば、板厚が0.125mm の42Ｎｉ合金でリードの幅が0.1mm
、長さが最終的なリードとして必要な部分が１〜1.2mm
、リードのピッチ間隔が0.3mm で形成されており、個
々のリードの外端がフリーな状態になっていると、強度
は非常に弱くなり、僅かの外力により変形し易い。とく
にこの半導体装置の電気試験の測定を行うばあい、ソケ
ットに半導体装置の各リードを差し込んで測定するか、
キャリヤという製品の内箱に入れて測定するが、このリ
ードを差し込むときにリードを曲げたり、傷つけたりし
易い。しかし本発明の半導体装置によれば、各リード２
の端部側を絶縁性支持体３で連結固定されているため、
各リード先端の自由度はそれ程なく変形しにくい。さら
に一連のリードが一体に固定されており、部分的な変形
を生じにくく、外力に対する強度が大幅に向上する。
【００２５】この絶縁性支持体の部分は、ユーザーへの
出荷前またはユーザーで使用するときに切断除去してハ
ンダ付などに供すれば、途中の工程がないため、リード
の変形の余地がなく、整列度の良い半導体装置で簡単に
プリント基板などに実装することができる。またプリン
ト基板への実装に当りスペース的に余裕があれば絶縁性
支持体を残したまま半導体装置として製品化することも
できる。この絶縁性支持体を残したままで使用するばあ
いは、図１のＡまたはＢで示したように、リードの中間
部または根本部で連結固定するか、図４に示すようにリ
ードの先端部２ａをさらに上方に折り曲げて実装時のハ
ンダ付面と離れた位置に形成する必要がある。その理由
は折り曲げられたリードの底部の裏面は通常プリント基
板などに設置されハンダ付けされるため、たとえハンダ
付け面である裏面と反対側のリードの表側で絶縁性支持
体により連結したとしてもハンダ付け面との距離、すな
わちリード厚さは約0.125mm しかなく、ハンダ量が僅か
でも多いと絶縁性支持体３を介してハンダブリッジが形
成され、隣接する端子間を短絡するからである。また製
品にする際、または使用前にこの絶縁支持体３の部分を
切断除去するのであれば、本来製品で必要とされるリー
ド長さの僅か先端側に形成するのが望ましい。また、絶
縁性支持体３は図１に示すように、各辺独立に形成して
もよいが、各辺の絶縁性支持体３を連結すれば一層強度
が強くなる。
【００２６】さらに、絶縁性支持体３によるリード２の
固定方法は、前述のように絶縁テープの貼付などリード
２の表面のみで固定することもできるし、図６〜７に絶
縁性支持体の拡大断面図を示すようにリード２の横側ま
で固着してもよく、また図８に同様の断面図を示すよう
に、リード２を完全に絶縁性支持体３で覆い込むことも
できる。
【００２７】つぎに、半導体装置をプリント基板などに
ハンダ付けして使用する際にも絶縁性支持体３をそのま
ま残すばあいの本発明の半導体装置の実施例についてさ
らに詳細に説明する。
【００２８】絶縁性支持体３で各リードを連結固定した
まま実装するには、前述のようにハンダブリッジによる
隣接リード間の短絡を防止する必要があるため、フォー
ミングされたリード先端側のハンダ付面より樹脂でモー
ルドされたパッケージ１側のリードの平坦部（図１のＡ
またはＢ）で絶縁性支持体による連結固定が行われる。
【００２９】この絶縁性支持体３は前述のように樹脂で
モールドしてパッケージ１を形成する際に、その樹脂で
同時に形成するのが、特別の工数も不要で好ましいが、
他にモールドの前または後に硬化性のエポキシ樹脂など
でリード間を固定したり、絶縁性フィルムで固定するこ
ともできる。
【００３０】絶縁性支持体３がリードのフォーミングの
前に図１のＡの位置に形成されるばあいには、各リード
の裏面に絶縁性支持体３が突出しないように、各リード
間または各リードの表面に突出するように形成されるの
が好ましい。
【００３１】これは各リードをフォーミングする際にカ
ム方式でフォーミングすれば、表面側に絶縁性支持体が
形成されていてもフォーミングの邪魔にならないからで
ある。しかしフォーミングしたのち絶縁性支持体が形成
され、各リードがリードフレームから切り離されるばあ
いにはこのような制限は生じない。
【００３２】また、図２に示すようにパッケージ１から
導出されたリード２の根元部７に絶縁性支持体３が形成
されるばあいは、パッケージ１が形成されるとき同じ樹
脂で同時に形成するのが好都合である。すなわち、モー
ルド金型のキャビティを連結して絶縁性支持体部分のキ
ャビティも形成できるからである。また、この位置で固
定することは、リードの先端に外力が加わったとき、パ
ッケージ１から導出した部分がてこの支点となって一番
曲げが発生し易い場所で、変形防止にとくに効果があ
る。
【００３３】図３には、前述のパッケージ１用樹脂と同
じ樹脂で絶縁性支持体が形成されたばあいの好ましい態
様が示されている。すなわち、図３は本発明の半導体装
置のさらに別の実施例を示す部分的な斜視図で、本実施
例ではパッケージから導出されたリードの根本部がパッ
ケージの樹脂と一体的に樹脂で固着され、各リードに加
わる外力を吸収するスプリング部分がなくなるのを改良
するもので、絶縁性支持体にノッチ部８を形成してリー
ドの弾力性を確保したものである。
【００３４】図４に本発明のさらに他の実施例である半
導体装置の斜視図を示す。本実施例ではリード先端部の
ハンダ付け用平坦部の先にさらにリードを延ばして上方
に折り曲げ、その折曲げ部を絶縁性支持体３で固着した
ものである。このような構成にすることにより、各リー
ドは連結固着されているため、外力に強く、しかも、絶
縁性支持体３がハンダ付け時の各リード間の短絡を引き
起こすことがない。さらに、ハンダ付け面のリード端部
が上方に折り曲がっているためハンダ濡れが完全にでき
ると共に、ハンダ付け検査も確実に行い易いという副次
効果もある。
【００３５】図５に本発明のさらに他の実施例である半
導体装置の絶縁性支持体３とリード２部分の部分的断面
図を示す。この実施例では半導体チップが樹脂で封入さ
れたパッケージ１から導出された複数のリードがガルウ
ィング状に折り曲げられた底部のハンダ付けされる平坦
面の表面側にモールド用の樹脂または熱硬化性など固化
した固形物からなる絶縁性支持体３が固着され、各リー
ド２の間隙部に凹部９が形成されリードの間隔より絶縁
性支持体３の端面に沿った距離を大きくしてハンダブリ
ッジによる短絡を防止したものである。したがって凹部
の代りに凸部が形成されても同様の効果を発揮するが、
この絶縁性支持体は凹部または凸部を形成するため固形
物の必要があり、絶縁性テープでは適さない。
【００３６】つぎに、本発明による半導体装置の製法に
ついて説明する。まず、図９に示すように、パンチング
またはエッチングにより形成したリードフレーム４に半
導体チップ５をダイボンディングし、さらに各リード２
の内端部と金線６でワイヤボンディングなどの電気的接
続をする。つぎに図10に示すように、半導体チップ５や
ワイヤボンディング部分を保護するため、樹脂１でモー
ルドする。このとき、モールド用金型に溝部を形成して
おき、モールドする樹脂１より外方のリード２を同じ樹
脂で帯状に固着し絶縁性支持体３を形成する。この各リ
ードを絶縁性支持体３で固着した状態を図７に部分拡大
図で示す。この絶縁性支持体３は前述の図８に示すよう
に、各リード２の表裏から完全に固着することもできる
し、または図５〜６に示すように各リード２の表側およ
び側面だけを固着することもできる。
【００３７】つぎにリードフレーム４のタイバーやその
他各リード２の連結部分を切断し各リード２を電気的に
分離する。この際絶縁性支持体３の部分はそのまま残
し、また各リードの切断は絶縁性支持体３から0.1 〜２
mm位外側で切断し、電気測定用端子として使用できるよ
うにする。この半導体装置をリードフレームから分離し
た状態でも、各リード２は絶縁性支持体３により、機械
的に固定されている。このリードフレーム４から各リー
ドを分離するとき、各リード２のフォーミングを同時に
することもでき、電気試験時の望ましいリード形状に合
わせてフォーミングするか否かは選択できる。
【００３８】つづいて半導体装置の各リードの先端を電
気試験用ソケット（図示してない）に接続して電気試験
を行う。このとき、各リード２の先端に外力がかかる
が、各リード２の先端近辺で絶縁支持体３により保持さ
れており、短かいため、変形が生じにくく、容易にソケ
ットと接続し易い。
【００３９】そののち、マーキングなど他の製造工程が
終了してから、絶縁性支持体３の部分を切断除去するこ
とにより従来と同じ形の半導体装置をえられる。このば
あい、まだ各リードのフォーミングが行われていないと
きは、絶縁性支持体３の部分の切断除去前または切断と
同時にフォーミングする方が各リードのフォーミングを
確実にする上からも望ましい。また既にフォーミングし
ているばあいでも念のため再度リフォーミングしてから
絶縁性支持体３の部分を切断すれば一層整列度のよい半
導体装置をえられる。また絶縁性支持体３を残したまま
で出荷するばあいには、フォーミングや整形などをする
だけで製造工程が完了する。
【００４０】前記実施例では樹脂でモールドするのと同
時に絶縁性支持体を形成する例で説明したが、こうする
ことによりとくに工程数を増やさずにできるが、リード
フレームの状態または各リードを切断分離する以前のい
ずれかの工程でポリイミドフィルムなどの絶縁性テープ
を貼着して形成することもできるし、熱硬化性樹脂や接
着剤などで固着しておくこともできる。
【００４１】さらに、以上説明した実施例ではＱＦＰ
（四方向フラットパッケージ）の例で説明したが、ＱＦ
Ｐに限らずＳＯＰ（スモール アウトライン パッケー
ジ）などの他のパッケージのばあいでも同様に適用でき
ることは言うまでもない。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
リードが細くファインピッチ化したリードを有する半導
体装置でも、各リードの整列度が向上した半導体装置を
えられ、プリント基板などへの実装時にも確実に簡単に
他の表面実装部品と同時にでき、信頼性の高い電子機器
がえられる。
【００４３】さらに、製造段階でリードの変形が殆ど生
じないため、また最終的に整形して絶縁性支持体部分を
除去するかまたは絶縁性支持体をそのまま残して使用で
きるため、コプラナリティの全数検査の必要がなく抜取
検査で済み、高価な設備を大量には必要とせず、また検
査工数も大幅に減少できコストダウンに大きく寄与す
る。
【００４４】さらに、大きく変形したのを何度もリフォ
ーミングする必要がないため、リードのストレスによる
クラックや外装処理を傷つけることもなく、また確実に
フォーミングまたはリフォーミングを行え、歩留も大幅
に向上し、コストダウンに大きく寄与する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である絶縁性支持体を形成し
た半導体装置の斜視図である。
【図２】本発明の他の実施例である絶縁性支持体を形成
した半導体装置の斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例である絶縁性支持体を形成
した半導体装置の斜視図である。
【図４】本発明の他の実施例である絶縁性支持体を形成
した半導体装置の部分的斜視図である。
【図５】本発明の他の実施例である絶縁性支持体を形成
した半導体装置の部分的断面図である。
【図６】リードを絶縁性支持体で固着した部分の断面説
明図である。
【図７】リードを絶縁性支持体で固着した他の例の断面
説明図である。
【図８】リードを絶縁性支持体で固着したさらに他の例
の断面説明図である。
【図９】本発明の一実施例である半導体装置の製造工程
を示す図である。
【図１０】本発明の一実施例である半導体装置の製造工
程を示す図である。
【図１１】本発明の一実施例である半導体装置の絶縁性
支持体部分の拡大説明図である。
【符号の説明】
１ パッケージ ２ リード ３ 絶縁性支持体 ４ リードフレーム ５ 半導体チップ ８ ノッチ部 ９ 凹部

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のリードの一端側が半導体チップと
    電気的に接続されると共に樹脂で封入された半導体装置
    であって、前記複数のリードの前記樹脂の外部に導出さ
    れた根本部分が前記封入用樹脂と一体の樹脂で形成され
    た絶縁性支持体により相互に固定されると共に、前記外
    部に導出されるリードの先端側のハンダ付けされる平坦
    面には絶縁性支持体を有しない半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記封入用樹脂と一体の樹脂で形成され
    た絶縁支持体に切込み部が形成されたことを特徴とする
    請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 複数のリードの一端側が半導体チップと
    電気的に接続されると共に樹脂で封入された半導体装置
    であって、前記複数のリードの前記樹脂の外部に導出さ
    れた部分がガルウィング状に折り曲げられ、該折り曲げ
    られたリードの底部の平坦面の表面側で固形物からなる
    絶縁支持体により相互に固定されると共に、該絶縁支持
    体は該絶縁支持体の裏面側で各リードの間隙部に、該リ
    ードの間隔より前記絶縁支持体の端面に沿った距離を大
    きくする凹部または凸部が形成されていることを特徴と
    する半導体装置。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5410451A (en) * 1993-12-20 1995-04-25 Lsi Logic Corporation Location and standoff pins for chip on tape
JPH07249723A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Fujitsu Miyagi Electron:Kk 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法及びリードフレーム
US5923538A (en) * 1994-10-17 1999-07-13 Lsi Logic Corporation Support member for mounting a microelectronic circuit package
US5949132A (en) * 1995-05-02 1999-09-07 Texas Instruments Incorporated Dambarless leadframe for molded component encapsulation
US5826328A (en) * 1996-03-25 1998-10-27 International Business Machines Method of making a thin radio frequency transponder
JP3026426B2 (ja) * 1996-08-29 2000-03-27 沖電気工業株式会社 樹脂封止型半導体装置とその製造方法及びその金型構造
US5939775A (en) * 1996-11-05 1999-08-17 Gcb Technologies, Llc Leadframe structure and process for packaging intergrated circuits
JP2924854B2 (ja) 1997-05-20 1999-07-26 日本電気株式会社 半導体装置、その製造方法
JPH10335374A (ja) * 1997-06-04 1998-12-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置モジュール
US5844308A (en) * 1997-08-20 1998-12-01 Cts Corporation Integrated circuit anti-bridging leads design
US5980682A (en) * 1998-05-14 1999-11-09 Lexmark International, Inc. Thermal printhead manufacture
US6535393B2 (en) * 1998-12-04 2003-03-18 Micron Technology, Inc. Electrical device allowing for increased device densities
US7135335B2 (en) * 1999-05-28 2006-11-14 Stemcell Technologies Inc. Method for separating cells using immunorosettes
NL1018511C2 (nl) * 2001-07-11 2003-01-14 Fico Bv Werkwijze en inrichting voor het met een enkele bewerking uit een drager verwijderen van een dragerdeel, en een uit een drager verwijderd product.
JP3819728B2 (ja) * 2001-04-13 2006-09-13 三洋電機株式会社 リードフレームを具えた電子部品
DE102008042335A1 (de) * 2008-09-24 2010-03-25 Robert Bosch Gmbh Gehäuse für eine elektrische Schaltung
US8225475B2 (en) * 2008-12-10 2012-07-24 Omnetics Connector Corporation Alignment device for fine pitch connector leads
US8648458B2 (en) * 2009-12-18 2014-02-11 Nxp B.V. Leadframe circuit and method therefor
KR101388815B1 (ko) * 2012-06-29 2014-04-23 삼성전기주식회사 반도체 패키지
FR3089749B1 (fr) * 2018-12-05 2020-11-27 Valeo Equip Electr Moteur Module électronique
WO2022185515A1 (ja) * 2021-03-05 2022-09-09 三菱電機株式会社 半導体モジュール
CN115692398B (zh) * 2022-11-17 2023-12-05 海信家电集团股份有限公司 功率模块和具有其的电子设备
WO2024104166A1 (zh) * 2022-11-17 2024-05-23 海信家电集团股份有限公司 框架总成、功率模块和设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62118555A (ja) * 1985-11-19 1987-05-29 Oki Electric Ind Co Ltd 集積回路パツケ−ジ
JPS63136550A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6414948A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US4796080A (en) * 1987-07-23 1989-01-03 Fairchild Camera And Instrument Corporation Semiconductor chip package configuration and method for facilitating its testing and mounting on a substrate
JPH03136267A (ja) * 1989-10-20 1991-06-11 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5051813A (en) * 1989-12-19 1991-09-24 Lsi Logic Corporation Plastic-packaged semiconductor device having lead support and alignment structure
JPH0595079A (ja) * 1991-10-02 1993-04-16 Ibiden Co Ltd リードフレーム、半導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法
US5281851A (en) * 1992-10-02 1994-01-25 Hewlett-Packard Company Integrated circuit packaging with reinforced leads

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US5471097A (en) 1995-11-28

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