JPS62254456A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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JPS62254456A
JPS62254456A JP9752786A JP9752786A JPS62254456A JP S62254456 A JPS62254456 A JP S62254456A JP 9752786 A JP9752786 A JP 9752786A JP 9752786 A JP9752786 A JP 9752786A JP S62254456 A JPS62254456 A JP S62254456A
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JP
Japan
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lead frame
distortion
lead
width
external
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Application number
JP9752786A
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English (en)
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JPH0467785B2 (ja
Inventor
Nobuhiko Yamada
山田 順彦
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Yamada Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Yamada Seisakusho KK
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49544Deformation absorbing parts in the lead frame plane, e.g. meanderline shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、合成樹脂等の絶縁体によって封止される半導
体リードフレームに関する。
(従来の技術および問題点) 半導体集積回路装置を製造する方法として、金属リード
フレームに半導体チップを搭載しこれを樹脂封止する方
法は安価な方法として現在多用されているものである。
しかしながら、実公昭58−26535号に問題提起さ
れているように、リードフレーム上に同一形状の半導体
ユニットを多数(多くの場合10個位)樹脂封止する際
、封止材の熱収縮率とフレーム材の熱収縮率との差(一
般的には、フレーム材の熱収縮率のほうが封止材の熱収
縮率より小さい)による歪が、フレーム材の長袖方向に
うねりとなって現われ、前記封止材で封止されないクレ
ードル部分が波打つ。
この結果、リードフレームの実効長が短くなり、樹脂封
止後になされる半導体ユニットのトリム・フオーム作業
の際に、前記クレードル部分に設けられた位置割出し穴
が半導体ユニットの正規位置からシフトして重大な支障
をきたす。特に封止幅が10a+m以上ではシフトが顕
著に現われる。このためトリム・フォーミング工程で、
機械の稼働率、製品の歩留りを下げる要因となっている
上記の長軸方向のうねりを防止する方法には、半導体各
ユニットの隣り合う端部を完全に切離し各ユニットがク
レードル部分のみで連結されることによって歪を分散吸
収することを主要な提案内容とする前記実公昭58..
26535号などがあるが、この方法は封止後の工程で
リード端部の折曲など取扱い上での難点がある。
本発明は、前記問題点を解消し、特に、樹脂封止後の工
程においてできるだけ問題を起こさないリードフレーム
を提供することを目的としている。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上記問題点を解消するため次の構成を備える
すなわち、金属板によって形成され、合成樹脂等の絶縁
体によって封止される半導体リードフレームにおいて、
外部リード先端部にこの外部リードに比べ幅が狭くかつ
板厚の薄い歪防止部を設けて成る。
このリードフレームの特徴は、半導体素子部を封止した
樹脂が収縮するとき長軸方向に生じる歪を外部リード先
端部の歪防止部を延伸させることによって吸収しようと
するものである。
(実施例) 以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。
このリードフレームの特徴は、封止樹脂が収縮する際に
生じる歪を外部リード先端部を延伸させることで吸収し
ようとするものであるが、リードフレーム材を局所で延
伸させるには、該当部分を薄くし、幅を狭くすることで
対応することが加工上無理がなく実用的である。
以下の実施例では、リードフレームにおける歪防止部の
加工個所と加工方法について説明する。
第4図は現在用いられているリードフレームを示す、1
0はセクションバ一部で、樹脂封止による長軸方向の歪
防止構造がこのセクションバ一部10でとられているが
、接続板12、クレードル14の近傍の外部リード16
で長軸方向に歪を与える要因をもっている0本実施例で
は、このリードフレームの外部リード16の先端部に歪
防止加工を施す。
一般にリードフレームは順送り型のプレス加工によって
製造される。これは、多種の加工を部分的に多工程で行
うものである。歪防止部の加工は後述するように、抜き
、コイニング、トリミングによって行われるが、これら
の加工は従来型の加工工程の中で行うことが可能である
第1図は歪防止部20を拡大した平面図で、外部リード
16の先端部が狭幅に加工された第1工程を示す、この
狭幅部の幅をB、リードフレームの板厚をTとすると、
無理なく加工できる幅はB= T X (1〜0.5)
である。
第2図(a)は歪防止部20の板厚をコイニングにより
減じた第2工程の平面図を示す。22ははみ出したリー
ドフレーム材料を示す、第2図(b)は第2図(a)の
Q−Q断面を示す、コイニング後の板厚をtl、Bを前
記狭幅部の幅とすると、tl = B X (0,8〜
0.5)が無理な(加工できる範囲である。
第3図は、第2工程でコイニングした個所をトリミング
した第3工程の平面図を示し、24のプロフィルがトリ
ミング線である。トリミング後の歪防止部20の幅をb
lとすると、bl=tlX(1−0,5)である。これ
は、第1工程の狭幅部加工のさいの可能範囲と同じ考え
による。
以上、第3工程までで歪防止部20の加工が完了する。
このとき、幅bl = T X O,125および板厚
tl=TxO,25が歪防止部20の最小値となる。現
在多用されているリードフレーム材料の厚さはT=0.
25〜0.15a+mであるのでこの値を用いると、b
1#0.03〜0.02n+m5tl#0.06〜0.
041101となる。一方樹脂封止後リードフレームを
縮める長軸方向の歪量は、半導体−ユニット当り平均し
て72μI11〜10μmと試算される。この歪量を外
部リード部の歪防止部で吸収するには、鉄系合金では歪
防止部の長さが1〜2m−で良い、そのとき歪量を吸収
するために働く力は200g重近傍で、銅系材料では約
この半分となる。実用上は、外部リードすべてに上記の
加工を施す必要はなく、半導体ユニット当たり数本程度
に加工を行えば目的を達することができる。
上述のような外部リード先端部にリードフレーム本体の
板厚より薄くかつ狭幅に形成される歪防止部を設ける方
法は、第4図に示したリードフレームの形状に限定され
るものではない。たとえば、第5図(a)、第6図のよ
うな形状のリードフレ−ムにおいても歪防止部を形成す
ることによって、樹脂封止によるリードフレームの長軸
方向の歪を分散吸収することができる。第5図(b)は
第5図(a)のリードフレームについて、その外部リー
ド16先端部に歪防止部20を設けた例を示す。
第5図(b)の断面は第2図(b)と同様である。
(発明の効果) 本発明によれば、上述のように、外部リード先端部に歪
防止部を設けることにより、樹脂封止後にリードフレー
ムに生じる長軸方向の歪を分散、吸収することができる
。また、上述の加工がプレス加工工程中に成されるので
本発明に関わる加工工程が単純である。さらに、本発明
によれば、製品の折曲などの問題が生じないので取扱い
が簡便で、かつトリム・フオーム作業などの後工程の機
械の稼働率、製品の歩留りをあげるという著効を奏する
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す第1工程における歪防止
部の平面図、第2図(a)及び(b)は第2工程におけ
る平面図及び断面図、第3図は第3工程の平面図である
。第4図、第5図(a)及び第61!lはリードフレー
ム平面図、第5図(b)は第5図(a)の歪防止部の拡
大平面図である。 10・・・セクションバー、 12・・・接続板、 1
4・・・クレードル、 16・・・外部リード、  1
8・・・封止体、 20・・・歪防止部、 22・・・
はみだし材料、 24・・・トリミング線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、金属板によって形成され、合成樹脂等の絶縁体によ
    って封止される半導体リードフレームにおいて、外部リ
    ード先端部にこの外部リードに比べ幅が狭くかつ板厚の
    薄い歪防止部を設けることを特徴とするリードフレーム
JP9752786A 1986-04-26 1986-04-26 リ−ドフレ−ム Granted JPS62254456A (ja)

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JP9941191A Division JPH0722192B2 (ja) 1991-04-04 1991-04-04 リードフレームの製造方法

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JPS62254456A true JPS62254456A (ja) 1987-11-06
JPH0467785B2 JPH0467785B2 (ja) 1992-10-29

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JP (1) JPS62254456A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5777380A (en) * 1995-03-17 1998-07-07 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads

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JPH0467785B2 (ja) 1992-10-29

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