JPS62500338A - 支持リ−ドの改良された構造をもつリ−ドフレ−ムおよびこれを用いる半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 支持リードの改良された構造をもつリードフレームおＪ：びこれを用いる半導体 装置 発明の背景 本発明はモールドされた半導体装置に用いる改良されたり一１〜フレームおＪ： びこれを用いる半導体装置に関する。

金属リードフレーム（たとえば１同）がしばしばプラスチックモールドされた半 導体装置の（構造において用いられ、薄い金属板から打法さまたはエツチングに にり作ることができる。このリードフレームは通常、半導体素子をその上にマウ ントするための矩形タブ、そのタブの周辺縁の近くに延びる複数のリード、リー ドを支持する矩形フレーム、およびフレームとリードを結合し、モールド工程の 間カプセル材料の流出を防ぐダムピースまたはタイバーを含む。

案内口がフレーム部の両縁に沿って一定間隔で備えられ、リードフレームおよび 半導体装置の組立て、輸送を助ける。

このようなリードフレームを用いる半導体装置の製造の間に、半導体素子はタブ 上にマウントされ、その半導体素子の電極およびリードフレームリードの内端は ワイヤによって接続される。その後、タイバーまたはダムピースの内側の領域か カプセル伺料でモールドされ、その半導体素子をモールド混合物で完全に被覆し 取囲む。最後に、フレーム部が切断される。

従来、半導体素子がその上に支持されるタブは、各々第１端がタイバーに結合さ れ、第２端がタブの第１および第２の対向側に結合されている第１および第２の タブリードによって配置されかつ支持されていた。都合の悪いことに、タブは強 度が低く、これら２本の非常に細いタブリードによって支持される態様のため位 置がずれやすい。その結果、タブは半導体装置の製造の間に妨害となるわずかな 外部力によっても容易に傾いたり持上げられたりする。これによって、モールド 工程の間にカプセル封じ用混合物（ｃｏｍｐｏｕｎｄ　）によって及ぼされる圧 力によって半導体素子にクラックが生じることもある。

この支持がうまくいかないタブについての問題を解決するために、１９８１年１ １月１７日に発行された米国特許第４．３０１，４６４号は、複数リードが４個 の側面全部から四角形タブの方へ延びそのタブは該タブの各かどからフレームに 延びる４本のタブリードによって支持されているリードフレームを記載している 。しかし、この配列も欠点のないものではない。

半導体素子がプラスチックのようなモールド混合物でカプセル封じされる典型的 なトランスファーモールド作業においては、多数の素子か上部および下部をもつ 聞いた多空洞モールド内に首かれる。モールドが閉じられると、上部および下部 はリードフレーム（特にタイバー）を密封し、モールド内の多くの空洞は樹木状 のチＶンネル（ランナ）アレイによってプラスチックがそこから送られる中央リ ゾーバ（ボッ１−　＞に接続される。

各空洞はモールド混合物か注入されるグー１〜および空気がモールド混合物によ ってす゛らされるとき逃げることができるようにづる１つまたはそれ以上の通気 孔を含む。通常は、グー１〜Ｊ５よび通気孔はモールドの上部または下部のいず れかに置かれるが両方には置かれない。上記の特許に記載されたリードフレーム の非常に高い金属密度のため、モールドの上部おＪ、び下部は実際上、リードフ レームによって区分され、モールド材料かグー１〜を通って注入されるときそれ がある程度はモールドの他の部分に流入するのが妨げられる。ｇ−なわち、ゲー トおよび通気孔が両方ともモールドの下部に配置される場合には、リードフレー ムの高金属密度のため、カプセル封じ用混合物がモールドの下部に流れるのを制 限する傾向がある。さらに、通気孔は、モールド混合物の通過を防ぎながら空気 を逃がすようにする程（※めで小さい（通常、厚さがＯ１４〜０．８ミル（１， ０１６Ｘ　１０’〜２．０３２Ｘ１０’ｃｍ）　）ものであるから、それらは、 モールドの下半分に実質上限定されているカプセル封じ用混合物の流れのためブ ロックされるにうになる。これが起ると、モールドの上部内の空気か逃げる通は なく、空所が生じ、したがって欠陥のめる製品が製造される。

上）ホした問題に加えて、上記引用の特許に記載されたリードフレームは、タブ の各コーナか斜め方向の支持リードによって固定されているという事実のため、 オイルカンニングとして知られる効果を受（プる。すなわち、製造工程のある部 分（たとえばワイヤボンディング）の間に熱応力が生ずるが、それでも、タブが クランプされているから、所望のワイヤボンドを達成するために熱が部分的に加 えられてもタブの変位は生じない。しかし、クランプが除かれると・、横方向の 変位は４本の斜めタブ支持リードによって防がれるから、支持タブは上方向また は下方向にゆがむことが必る。

したがって、モールドの上部および下部の両方でモールド混合物の均一な流れを 与え、しかもなお半導体素子がマウントされるタブの適当な支持を与える改良さ れたリードフレームおよびモールド方法の必要性がある。

発明の要旨 したがって、本発明の目的は改良されたリードフレームを提供することである。

本発明の他の目的は、半導体装置の製造において半導体素子をカプセル封じする 改良された方法を提供することである。

本発明のざらに他の目的は、小ざな金属密度領域を含み、それによってり−１〜 フレームか１〜ランスフ７モールド内に買かれるとき、モールド混合物がその小 さな金属密度領域内に注入されて、該モールド混合物がモールドの上部おにび下 部両方に同等に流れるようにする、半導体装置の製造に用いるリードフレームを １足供することである。

本発明の第１の態様ににれば、半導体素子をその上に支持する支持部材、各々か 該支持部材の周辺縁の方へ延びる一端をもつ複数の接続リード、およびその接続 リードの他端を支持する」；うに作用するフレーム部を含む型式の改良されたリ ードフレームが提供される。第１、第２および第３の支持リードだけは各々、支 持部材に結合された第１端およびフレーム部に結合された第２端を有している。

本発明の他の態様によれば、その主表面上で半導体素子を支持する半導体支持部 材を含む半導体装置が提供される。

複数の接続リードは各々支持部材の周辺縁の方へ延びる第１端を有し、半導体素 子の接触領域（ＣＯｎｔａＣｔ　ｒｅｇｉｏｎ）の各々を対応する接続リードの 第１端に接続するだめの手段が説けられる。３本の支持リートだけが支持部材か ら延びている。プラスチックモールド部分ｃＪ５、支持部材、半導体素子、その 半導体素子を接続リードに接続するための手段および接続リードの第１端を囲む 。接続リートの第２端はプラスチックモールド部分の外へ突出する。

本発明のざらに他の態様によれば、その上に半導体素子を支持する四角形支持部 材を含む型式の改良されたリードフレームか提供される。複数の接続リードは各 々、一端が支持部材の周辺縁の方へ延びている。フレーム部は接続リードの他端 を支持するように働き、その支持部材上に支持された半導体素子はたとえばワイ ヤボンディングによって接続リードに結合される。支持部材およびそれに隣接し た接続リードの端部は、リードフレームおよび半導体素子を、そのリードフレー ムによって分離されることになる上部と下部を有するモールド内に置くことによ ってプラスチック内にカプセル封じされる。第１、第２、第３の支持リードは各 々、支持部材の第１、第２および第３の角（コーナ）に結合された第１端を有し 、またフレーム部に結合された第２端を有している。これによって、リードフレ ームを貫通する支持部材の第４の角に近接した開き領域が残り、軟らかくされた プラスチック材料がモールドの一方の半分（ｈａｌｆ）から他方の半分へ流れる ことができるようにする。

本発明のざらに他の態様によれば、四角形支持部材、各々一端がその支持部材の 周辺縁の方へ延びる複数本の接続リード、および接続リードの他端を支持するよ うに働くフレーム部を含む型式のリードフレームを用いて半導体素子をプラスデ ックカプセル封じする方法が提供される。半導体素子は、それの第１、第２おＪ ：び第３の角の間に結合された第１、第２おＪ−び第３の接続リードだけによっ てフレーム部に結合される支持部材に結合される。これによって、支持部材の第 ４の角に近接したリードフレームを貫通する空間が残る。リードフレームと半導 体素子は次に上部おにび下部をもつモールド内に置かれる。軟らかくされたプラ スチックがモールドの上部、下部の一方にゲートを介して注入される。そのゲー トは開いた空間に近接して配置され軟らかくされたプラスチックが上部、下部の 他方に流入できるようにする。

本発明の上記および伯の目的、特徴、利点は添付図面を参照した次の詳ｉ？［Ｉ ｌな説明から明瞭に理解されるであろう。

図面の簡単な説明 第１図は従来のリードフレームを示す平面図であり、第２Ａ図から第２Ｄ図まで は、第１図に示された従来のリードフレームを用いたときの１〜ランスフ７モー ルトの上部および下部にあけるカプセル材料の流れを示し、第３図は本発明によ るリードフレームの実施例の平面図であり、 第４Ａ図から第４Ｄ図までは本発明によるリードフレームを用いたときのトラン スファモールドの上部および下部にあけるカプセル封じ混合物の流れを示し、第 ５図は第３図の線５−５に関する本発明によるリードフレームの部分横断面図で 、本発明によるリードフレームの開き領域に関して、カプセル封し混合物かトラ ンスファモールドに入るゲートの位置を示し、 第６図はカプセル封じｖＪ利が本発明によるリードフレームの聞き領域に入れら れる別の溝成を示す部分的平面図であり、そして 第７図は、たとえばプラスチック内にカプセル封じされた半導体素子およびリー ドフレームを含む完成された半導体装置を示すものである。

好ましい実施例の説明 第１図に示された従来のリードフレームは、たとえば銅の金属シートをパンチま たはエッチすることによって製造される。このフレームでは、半導体素子１１を その上にマウントするグ５形タブが通常矩形のフレーム部１２の中央に置かれて いる。タブ１０は４個の角をもっていて、それらは放射状に延びる４本の細いタ ブリード１４によってフレーム部１２に結合されている。４つのグループからな る複数本のリード１６はタブ１０の周辺に向かって延びている。

すなわち複数本のリード１６はタブ１０の４辺に向かって延びている。各ｊノー ド１６の一端はタブ１０の周辺縁付近で終端し、他端はフレーム部１２に結合さ れている。タイバーまたはバンド１８はフレーム部ゴ２、リード１６ｉ１３にび タブリード１４を結合し、モールド工程の間にカプセル封じ混合物が流出するの を防ぐ働きをする。案内孔２０がフレーム部１２の両方の側面縁に沿って一定間 隔で備えられてリードフレームの組立て、輸送を助ける。

第１図に示されたリードフレームを用いる半導体装置は次のようにして製造する ことができる。まず、半導体索子１１か、その１つが米国特許第４，３０１，４ ８４に記載されている、周知の技術を用いてタブ１０上にポンドされる。半導体 素子表面のホンディングパッドは周知のワイヤボンディング技術によってワイヤ （通常、金）でリート１６に接続される。

その後、プラスデックのようなカプセル封じ）捏合物が、リードフレームｄ３よ び半導体素子が既に配置されているモールドに送られ、すべてタイバーまたはバ ンド１８の内側にある半導体素子１１、タブ１０、リード１６、タブリード１４ およびリード１６と半導体素子間のワイヤをカプセル封じする。最後に、フレー ム１２およびタイバー１８が除去され第７図に示された完成構造ができ上る。第 ７図かられかるように、リード１６はつぎに、生成されたプラスチックパッケー ジ２２に関しである所望の方向に曲げることができる。

都合の悪いことに、前述したように、トランスファモールドが、上部おＪ：び下 部を有し、カプセル封じ材料をモールドに入れるゲーＩ−ヤそのモールドからガ スを出す通気孔が一方または他方部におるような型式でおる場合、カプセル封じ 材料の流れがリードフレームの高金属密度のためモールドの一方の半分に限定さ れることがおる。この状況は第２Ａ図から第２Ｄ図までに示されている。

第２Ａ図は、第１図に示された型式のリードフレーム３４によってそれぞれ分離 された上半分３０および下半分３２を含む１〜ランスフアモールド２８に矢印２ ６で示された方向に移入する軟らかいカプセル材料２４を示す。ここで、ゲート ３６および通気孔３８の両方ともモールド２８の下部３２にあることに注意を要 する。第２Ｂ図に示されているように、カプセル封じ混合物２４がモールドに入 ると、その流れはリードフレーム３４の密度のためモールドの下部に幾分制限さ れる。第２Ｃ図にみられるように、モールドの下部が波頭（ｗａｖｅ　ｆｒｏｎ ｔ）　４０にＪ：って示されているように上部より早く満たされることが明らか である。

最後に、第２Ｄ図に示されるように、上部３ｏが完全に満たされる前に、モール ドの下部全体が通気孔３８をブロックしながら満たされる。ガスまたは空気がモ ールドの内部全体から逃げるのがじゃまされているから、空所（ｖｏｉｄ）４２ がモールドの上部に形成されて欠陥のある最終製品ができ上ってしまう。

第３図は本発明によるリードフレームの平面図で、同じ要素は同じ参照番号で表 示されている。しかし、タブ１０の角から斜方向に延びた４本のタブリードの代 りに、３水のタブリート４４だけがタブ１０の３つの角からタイバー１８に延び る。４番目のタブリードは省かれており、空領域または開き領域１Ｂが残されて いる。これによって、ヵプセル封じ４Ａ’！３Ｉ（ｅｎｃａｐｓｕｌａｎｔ）か そこを通して１〜う’／ス’７アモールドの下部から上部へ容易に流れる低金属 密度領域が形成される。このことは、モールドの下部のゲートが領ｌ或４６の近 くに配置される場合特に当てはまる。ざらに、拡大領域４８が描えられてカプセ ル封じ材料を領域４６へ案内するのを助Ｃプる。

第３図のリードフレームによって、第４Ａ図から第４Ｄ図までに示されているよ うに、１〜ランスフアモールドの上部、下部両方で７Ｊプセル封じ材料のより均 一な流れが得られる。づ−なわち、カプセル材料はグーｉ〜３６に入り（第４Ａ 図）、モールドの上部および下部両方を満し始める（第４８図ａ３よび第４Ｃ図 ）。最後に、第４Ｄ図にみられるように、１〜ランスフアモールドの上部および 下部３０．３２の両方か通気孔３８をブロックすることなしにほぼ満たされる。

したかって、最終製品に空所は生じない。

第３図に示されたリードフレームの線５−５に関する一部断面図である第５図に おいて、ゲート３６が拡大領域４８の下に配置され、カプセル封じ材料をモール ド内の開き領域４６に向け、それによってカプセル封じ材料がそれが入るモール ドの下部から矢印５２によって示されるように上部へ流れることができるように する。

第６図はモールドの下部３２に置かれたタイバー１８およびリード１６を含むリ ードフレームの一部を示ず部分的平面図で必る。第５図に示された型式のゲート の変形例として、カプセル封じ材料は、カプセル封じ材料源に接続された開口５ ４８イ１する管または通路によってモールドの下部の領域４６の近くに流入する ようにすることができる。

この場合、第５図に関して既に述べた場合のように、モールドの下部から上部へ のカプセル封じ材料の流れはゲートの近くの開き領域４６によって容易になる。

こうして、半導体素子かその上にのるタブ１０に対する適切な支持体を与えるだ けでなく、その構造の故にカプセル封じ材料がモールドの上部、下部両方に流れ ることが可能で最終製品に空所ができるのを防ぐことができる１ノードフレーム が説明された。ざらに、タブ１０は４つの角全部に限定されないから付加的な自 由度をもち前）ホしたオイルカンニング効果はかなり減少された。

上記説明は例示的なものにすぎない。形式および細部は本発明の精神から離れる ことなく当業者が変更することが可能であろう。

二Ｅ−５−４３ 補正書の写しく翻訳文）提出書（特許法第１８４条の７第１項）昭和６１年　５ 月２３日 持へＴ庁長官　宇　賀　通　部　、ｔ！２１、特許出願の表示 ＰＣＴ／ＵＳ８４／○１５４５ ２、発明の名称 支持リードの改良された構造をもつリードフレームおよびこれを用いる半導体装 置 ３、特許出願人 住　所　アメリカ合衆国イリノイ州６０１９６、シャンバーブ、イース１〜・ア ルゴンフィン・ロード１３０３名　称　モトローラ・インコーホレーデラド代表 者　ラウナー・ビンセンｊ・　ジエイ４、代理人 住　所　神奈川県横浜市戸塚区中野町１３４５番地７５５、補正書の提出年月日 　１９８５年２、特許請求の範囲 １、（補正〉その上に半導体素子を支持する四角形支持部材、各々一端かその支 持部材の周辺縁へ延びる複数の接続リー１−１およびその接続リードの他端を支 持するように触らくフレームｆ３１ｓか備えられ、半導体素子が前記部材上に支 持され、前記接続リートに結合されており、ざらに、前記素子、前記支持部材、 その支持部材に隣接した前記接続リードの端８ｆｉは、リードフレームと前記半 導体素子を、そのリードフレームによって分離される上部および下部を有するモ ールド内に置くことによりプラスデックでカプセル封じされる型式の改良された 前記リードフレームであって、各々が前記支持部材のそれぞれ第１、第２および 第３の角に結合された第１端と、前記フレーム部に結合された第２端を有づる第 １、第２および第３だけの支持リード、および 前記支持部材の第４の角に隣接し、前記リードフレームを介して、軟らかくされ たプラスチック材料が前記上部および下部の一方から該上部および下部の他方へ 流れることができるように延びた開き領域を具備する改良されたリードフレーム 。

２、前記第１、第２おＪ：び第３の支持リードは前記支持部材の前記第１、第２ および第３の角からほぼ斜めに延びる、請求の範囲第１項に記載の改良されたリ ードフレーム。

３、前記支持部材の第１、第２、第３および第４辺に延びる前記複数の接続リー ドは他端がそれぞれ第１、第２、第３および第４のバンドによって前記フレーム 部に接続されている、請求の範囲Ｍ２項に記載の改良されたリードフレーム。

４、前記第１、第２および第３の接続リードの各々はその第２端が前記第１、第 ２、第３および第４のバンドのうちの２本より少なくない数のものによって前記 フレーム部に結合されている、請求の範囲第３項に記載の改良されたリードフレ ーム ５、（補正）リードフレームをモールドの上部および下部の間に置き、軟らかく されたプラスチックをその上部おＪζび下部の一方に注入することによってプラ スチックでカプセル封じされた半導体装置を製造するのに用いる型式の改良され た金属リードフレームであって、半導体素子支持部材、複数の接続リードおよび 前記部材を支持する複数の支持リードを含み、ざらに 軟らかくされたプラスチックが前記上部および下部の一方から他方へ流れること ができるようにするより低金属密度の少なくとも１つの領域を具備する改良され た金属リードフレーム。

６、（新）前記支持部材は四角形で第１、第２、第３および第４の角を有し、前 記３本の支持リードは第４の角付近に６■ぎ領域を残して第１、第２および第３ の角からほぼ斜めに延びる、請求の範囲第５項に記載の半導体装置。

７．（￥ｒｒ）ソートフレームをモールドの上部と下部の間に置き、軟らかくさ れたプラスチックを前記上部および下部の一方に注入することによってプラスチ ックカプセル封じされた半導体装置の製造に用いる型式の改良された金属リー］ ・フレームであって、半導体素子支持部（Ａ、複数の接続リードおよび前記部材 を支持する複数の支持リードを含み、さらに 軟らかくされたプラスデックが前記上部および下部の一方から他方へ流れること ができるようにする少なくとも１つの低金属密度領域を具（！ｉする改良された 金属リードフレーム。

８、（補正）その上の半導体素子を支持する支持部材、各々一端がその支持部材 の周辺縁へ延びる複数の接続１ノードおよびその接続リードの他端を支持するよ うに動らくフレーム部か備えられている型式の改良されたリードフレームであっ て、 各々が前記支持部材に結合された第１りａと前記フレーム部に結合された第２端 を有する第１、第２および第３だ（プの支持リードを具備する改良されたリード フレーム。

９、前記支持部ＩＪ’　ｉ、ｊ、四角形で第１、第２、第３および第４の角を有 し、前記第１、第２、第３の支持リードは各々第１０ｊ％か前記支持部材の第１ 、第２および第３の角に結合されている、請求の範囲第１１項に記載の改良され たリードフレーム。

１０、前記第１、第２あよσ第３の支持１）−ドの各々は前記支持部材からほぼ 斜めに延びている、請求の範囲第１２項に記載の改良されたリードフレーム。

１１、前記支持部材の前記第４の角の近くにあり、前記リードフレームを貫通す る聞き領域をさらに含む、請求の範囲第１３項に記載の改良されたリードフレー ム。

１２、前記複数の接続リードは他端がそれぞれ第１、第２、第３および第４のタ イバーによって前記フレーム部に接続されている、請求の範囲第１４項に記載の 改良されたリードフレーム。

１３、前記第１、第２および第３の支持リードは各々第２端が前記第１、第２、 第３および第４のタイバーのうちの２水より少なくない数のものによって前記フ レーム部に結合されている請求の範囲第１５項に記載の改良されたリードフレー ム。

１４、（補正）四角形支持部伺、各々一端が前記支持部材の周辺縁の方へ延びる 複数の接続リード、および前記接続リードの他端を支持するように動らくフレー ム部を含む型式のリードフレームを用いて半導体素子をプラスチックカプセル封 じする方法であって、 前記支持部材の第１、第２おにび第３の角と前記フレーム部の間に第４の角の付 近に空間を残しながら結合された第１、第２および第３の接続リードだけによっ て前記フレーム部に結合された前記支持部材に半導体素子を結合すること、 前記リードフレームと前記半導体素子を上部および下部を有するモールド内に置 くこと、および、軟らかくされたプラスチックを前記モールドの前記上部および 下部の一方にあけるグー１へを介して注入する過程で市って、前記グー１〜は前 記聞き領域のイ」近に配置され軟らかくされたプラスチックが前記上部および下 部の他方に流入できるようにするもの、 を具備する半導体素子をプラスチックカプセル封じする方法。

国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．その上に半導体素子を支持する四角形支持部材、各々一端がその支持部材の 周辺縁へ延びる複数の接続リード、およびその接続リードの他端を支持するよう に働らくフレーム部が備えられ、半導体素子が前記部材上に支持され、前記接続 リードに結合されており、さらに、前記素子、前記支持部材、その支持部材に隣 接した前記接続リードの端部は、リードフレームと前記半導体素子を、そのリー ドフレームによって分離される上部および下部を有するモールド内に置くことに よりプラスチックでカプセル封じされる型式の改良された前記リードフレームで あって、各々が前記支持部材のそれぞれ第１、第２および第３の角に結合された 第１端と、前記フレーム部に結合された第２端を有する第１、第２および第３の 支持リード、および前記支持部材の第４の角に近接し、前記リードフレームを介 して、軟らかくされたプラスチック材料が前記上部および下部の一方から該上部 および下部の他方へ流れることができるように延びた開き領域を具備する改良さ れたリードフレーム。 ２．前記第１、第２および第３の支持リードは前記支持部材の前記第１、第２お よび第３の角からほぼ斜めに延びる、請求の範囲第１項に記載の改良されたリー ドフレーム。 ３．前記支持部材の第１、第２、第３および第４辺に延びる前記複数の接続リー ドは他端がそれぞれ第１、第２、第３および第４のバンドによって前記フレーム 部に接続されている、請求の範囲第２項に記載の改良されたリードフレーム。 ４．前記第１、第２および第３の接続リードの各々はその第２端が前記第１、第 ２、第３および第４のバンドのうちの２本より少なくない数のものによって前記 フレーム部に結合されている、請求の範囲第３項に記載の改良されたリードフレ ーム ５．リードフレームをモールドの上部および下部の間に置き、軟らかくされたプ ラスチックをその上部および下部の一方に注入することによってプラスチックで カプセル封じされた半導体装置を製造するのに用いる型式の改良された金属リー ドフレームであって、半導体素子支持部材、複数の接続リードおよび前記部材を 支持する複数の支持リードを含み、さらに 軟らかくされたプラスチックが前記上部および下部の一方から他方へ流れること ができるようにする低金属密度の少なくとも１つの領域を具備する改良された金 属リードフレーム。 ８．その上の半導体素子を支持する支持部材、各々一端がその支持部材の周辺縁 へ延びる複数の接続リードおよびその接続リードの他端を支持するように働らく フレーム部が備えられている型式の改良されたリードフレームであって、各々が 前記支持部材に結合された第１端と前記フレーム部に結合された第２端を有する 第１、第２および第３の支持リードを具備する改良されたリードフレーム。 ９．前記支持部材は四角形で第１、第２、第３および第４の角を有し、前記第１ 、第２、第３の支持リードは各々第１端が前記支持部材の第１、第２および第３ の角に結合されている、請求の範囲第１１項に記載の改良されたリードフレーム 。 １０．前記第１、第２および第３の支持リードの各々は前記支持部材からほぼ斜 めに延びている、請求の範囲第１２項に記載の改良されたリードフレーム。 １１．前記支持部材の前記第４の角の近くにあり、前記リードフレームを貫通す る開き領域をさらに含む、請求の範囲第１３項に記載の改良されたリードフレー ム。 １２．前記複数の接続リードは他端がそれぞれ第１、第２、第３および第４のタ イバーによって前記フレーム部に接続されている、請求の範囲第１４項に記載の 改良されたリードフレーム。 １３．前記第１、第２および第３の支持リードは各々第２端が前記第１、第２、 第３および第４のタイバーのうちの２本より少なくない数のものによって前記フ レーム部に結合されている請求の範囲第１５項に記載の改良されたリードフレー ム。 １４．四角形支持部材、各々一端が前記支持部材の周辺縁の方へ延びる複数の接 続リード、および前記接続リードの他端を支持するように働らくフレーム部を含 む型式のリードフレームを用いて半導体素子をプラスチックカプセル封じする方 法であって、 前記支持部材の第１、第２および第３の角と前記フレーム部の間に第４の角の付 近に空間を残しながら結合された第１、第２および第３の接続リードによって前 記フレーム部に結合された前記支持部材に半導体素子を結合すること、前記リー ドフレームと前記半導体素子を上部および下部を有するモールド内に置くこと、 および、軟らかくされたプラスチックを前記モールドの前記上部および下部の一 方におけるゲートを介して注入する過程であって、前記ゲートは前記開き領域の 付近に配置され軟らかくされたプラスチックが前記上部および下部の他方に流入 できるようにするもの、 を具備する半導体素子をプラスチックカプセル封じする方法。