JP2723855B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JP2723855B2 JP2723855B2 JP7251555A JP25155595A JP2723855B2 JP 2723855 B2 JP2723855 B2 JP 2723855B2 JP 7251555 A JP7251555 A JP 7251555A JP 25155595 A JP25155595 A JP 25155595A JP 2723855 B2 JP2723855 B2 JP 2723855B2
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- Japan
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- lead frame
- semiconductor device
- resin
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に吊りピンのない樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関する。
方法に関し、特に吊りピンのない樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置、特にＬＯ
Ｃ（リードオンチップ）構造品は、図３（ａ）のように
リードフレーム２のインナーリード４の下面に接着テー
プ５を設け、半導体素子６を圧着し金属細線７により半
導体素子６の電極とインナーリード４を結線した後に、
これらを図３（ｂ）のように樹脂で封止してパッケージ
３の形態としていた。
Ｃ（リードオンチップ）構造品は、図３（ａ）のように
リードフレーム２のインナーリード４の下面に接着テー
プ５を設け、半導体素子６を圧着し金属細線７により半
導体素子６の電極とインナーリード４を結線した後に、
これらを図３（ｂ）のように樹脂で封止してパッケージ
３の形態としていた。
【０００３】更に、封止後はリードフレーム２に半田等
のメッキを施した上で、図３（ｃ）のようにパッケージ
３とリードフレーム２とを金型パンチ９ａ，９ｂにより
切り離し図３（ｄ）のように外部導出用リード８を所定
形状に成形することで、半導体装置として完成してい
る。
のメッキを施した上で、図３（ｃ）のようにパッケージ
３とリードフレーム２とを金型パンチ９ａ，９ｂにより
切り離し図３（ｄ）のように外部導出用リード８を所定
形状に成形することで、半導体装置として完成してい
る。
【０００４】ここで従来のリードフレームでは図３
（ｅ）のように吊りピン１０を設けることでパッケージ
３とリードフレーム２との保持を行っており、パッケー
ジ３がリードフレーム２により保持された状態で選別等
を行う場合には、一部の端子を使ってリードフレーム２
とパッケージ３を保持することができないため、この吊
りピンは必要不可欠なものである（特開平３−１０５９
５９参照）。
（ｅ）のように吊りピン１０を設けることでパッケージ
３とリードフレーム２との保持を行っており、パッケー
ジ３がリードフレーム２により保持された状態で選別等
を行う場合には、一部の端子を使ってリードフレーム２
とパッケージ３を保持することができないため、この吊
りピンは必要不可欠なものである（特開平３−１０５９
５９参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、従来
の技術においては、吊りピン１０部分のパッケージ３に
クラック、カケが発生しやすいことである。その理由
は、図３（ｃ）のように金型パンチ９ａ，９ｂによって
パッケージ３とリードフレーム２とを切り離しているた
め、パッケージが薄型（１ｍｍ以下）や、位置ズレの生
じた場合に、金型パンチ９ａ，９ｂせん断応力により破
壊を生じやすいからである。
の技術においては、吊りピン１０部分のパッケージ３に
クラック、カケが発生しやすいことである。その理由
は、図３（ｃ）のように金型パンチ９ａ，９ｂによって
パッケージ３とリードフレーム２とを切り離しているた
め、パッケージが薄型（１ｍｍ以下）や、位置ズレの生
じた場合に、金型パンチ９ａ，９ｂせん断応力により破
壊を生じやすいからである。
【０００６】第２の問題点は、樹脂封止時のボイド（パ
ッケージ３内に残った内部の気泡）等の外観不良の発生
である。その理由は、パッケージ３に占める半導体素子
６の割合が高い場合、樹脂充填時のパッケージ３上下の
バランスを確保することが困難になるからである。
ッケージ３内に残った内部の気泡）等の外観不良の発生
である。その理由は、パッケージ３に占める半導体素子
６の割合が高い場合、樹脂充填時のパッケージ３上下の
バランスを確保することが困難になるからである。
【０００７】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
製造において、パッケージクラックやカケを防止し、封
止性向上によるボイド等、外観不良発生の防止をすると
共に、金型パンチによるパッケージとリードフレームと
の切り離しを必要としないことで、金型調整等の時間を
短縮することが可能な製造方法を提供することである。
製造において、パッケージクラックやカケを防止し、封
止性向上によるボイド等、外観不良発生の防止をすると
共に、金型パンチによるパッケージとリードフレームと
の切り離しを必要としないことで、金型調整等の時間を
短縮することが可能な製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムのインナーリード部に半導体素子を固着する工程と、
半導体素子を覆うように樹脂封止を行ないパッケージす
る工程と、パッケージとリードフレームとを切り離す工
程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、前記リードフレームとして吊りピンのないものを用
い、前記パッケージは、半導体素子を封止したパッケー
ジ本体とその外周のダミーパッケージから形成され、ダ
ミーパッケージはパッケージ本体とリードフレームを保
持する働きをした後、リードフレームから切り離される
ことを特徴とする。
ムのインナーリード部に半導体素子を固着する工程と、
半導体素子を覆うように樹脂封止を行ないパッケージす
る工程と、パッケージとリードフレームとを切り離す工
程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、前記リードフレームとして吊りピンのないものを用
い、前記パッケージは、半導体素子を封止したパッケー
ジ本体とその外周のダミーパッケージから形成され、ダ
ミーパッケージはパッケージ本体とリードフレームを保
持する働きをした後、リードフレームから切り離される
ことを特徴とする。
【０００９】本発明の半導体装置では、吊りピンを設け
ずダミーパッケージによってリードフレームとパッケー
ジ本体の保持を行っているため、金型パンチを使用する
ことなく、容易にリードフレームとパッケージを切り離
すことができる。更に、ダミーパッケージにより、樹脂
封止時のパッケージ本体内部に残った空気を完全に排出
できるため、ボイド等の外観不良が発生しない。
ずダミーパッケージによってリードフレームとパッケー
ジ本体の保持を行っているため、金型パンチを使用する
ことなく、容易にリードフレームとパッケージを切り離
すことができる。更に、ダミーパッケージにより、樹脂
封止時のパッケージ本体内部に残った空気を完全に排出
できるため、ボイド等の外観不良が発生しない。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施の形態の側面図
（ａ）と上面図（ｂ）であり、リードフレーム２とパッ
ケージ３との保持をダミーパッケージ１ａ，１ｂで行う
構成としている。
て説明する。図１は本発明の一実施の形態の側面図
（ａ）と上面図（ｂ）であり、リードフレーム２とパッ
ケージ３との保持をダミーパッケージ１ａ，１ｂで行う
構成としている。
【００１１】次に、本発明の実施の形態の製造方法につ
いて、図２を参照して説明する。従来の技術でも記述し
たように、ＬＯＣ構造品は、図２（ａ）のようにリード
フレーム２のインナーリード４部下面に接着テープ５を
設け、半導体素子６を圧着し、金属細線７により半導体
素子６の電極とインナーリード４を結線した後に、これ
らを図２（ｂ）のように樹脂封止を行う。ここでリード
フレーム２には吊りピンを設けず、ダミーパッケジ１
ａ，１ｂによりパッケージ３とリードフレーム２との保
持を行う。更に封止後はリードフレーム２に半田等でメ
ッキを施した上で図２（ｃ）のようにリードフレーム２
（ダミーパッケージ１ａ，１ｂを含む）とパッケージ３
とを切り離し、図２（ｄ）のように外部導出用リード８
を所定形状に成形することで半導体装置を完成してい
る。
いて、図２を参照して説明する。従来の技術でも記述し
たように、ＬＯＣ構造品は、図２（ａ）のようにリード
フレーム２のインナーリード４部下面に接着テープ５を
設け、半導体素子６を圧着し、金属細線７により半導体
素子６の電極とインナーリード４を結線した後に、これ
らを図２（ｂ）のように樹脂封止を行う。ここでリード
フレーム２には吊りピンを設けず、ダミーパッケジ１
ａ，１ｂによりパッケージ３とリードフレーム２との保
持を行う。更に封止後はリードフレーム２に半田等でメ
ッキを施した上で図２（ｃ）のようにリードフレーム２
（ダミーパッケージ１ａ，１ｂを含む）とパッケージ３
とを切り離し、図２（ｄ）のように外部導出用リード８
を所定形状に成形することで半導体装置を完成してい
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明の第１の効果は、パッケージとリ
ードフレームを切り離す際にパッケージへのクラックや
カケを防止できるということである。その理由は、パッ
ケージとリードフレームとの保持を吊りピンを使用せず
に、ダミーパッケージにより行っていることで、切り離
し時に金型パンチによる過大なせん断応力を必要としな
いからである。
ードフレームを切り離す際にパッケージへのクラックや
カケを防止できるということである。その理由は、パッ
ケージとリードフレームとの保持を吊りピンを使用せず
に、ダミーパッケージにより行っていることで、切り離
し時に金型パンチによる過大なせん断応力を必要としな
いからである。
【００１３】第２の効果は、樹脂封止時のボイド等によ
る外観不良発生を防止できるということである。その理
由は、ダミーパッケージにより樹脂封止時にパッケージ
内部に残った空気を完全に排出できるからである。
る外観不良発生を防止できるということである。その理
由は、ダミーパッケージにより樹脂封止時にパッケージ
内部に残った空気を完全に排出できるからである。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形態の側面
図と上面図である。
図と上面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施の形態の製造
方法を説明するための側面図と上面図である。
方法を説明するための側面図と上面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は従来技術の製造方法を説明す
るための側面図と上面図である。
るための側面図と上面図である。
１ａ，ｂ ダミーパッケージ ２ リードフレーム ３ パッケージ ４ インナーリード ５ 接着テープ ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 外部導出用リード ９ａ，ｂ 金型パンチ １０ 吊りピン
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームのインナーリード部に接
着テープを介して半導体素子を固着する工程と、半導体
素子を覆うように樹脂封止を行いパッケージする工程
と、パッケージとリードフレームとを切り離す工程とを
有する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記
リードフレームとして吊りピンのないものを用い、前記
パッケージは、半導体素子を封止したパッケージ本体と
その外周のダミーパッケージから形成され、ダミーパッ
ケージはパッケージ本体とリードフレームを保持する働
きをした後、リードフレームから切り離されることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251555A JP2723855B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251555A JP2723855B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997809A JPH0997809A (ja) | 1997-04-08 |
| JP2723855B2 true JP2723855B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=17224570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7251555A Expired - Lifetime JP2723855B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723855B2 (ja) |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7251555A patent/JP2723855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0997809A (ja) | 1997-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971104 |