JPH02295140A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止方法

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JPH02295140A
JPH02295140A JP11631389A JP11631389A JPH02295140A JP H02295140 A JPH02295140 A JP H02295140A JP 11631389 A JP11631389 A JP 11631389A JP 11631389 A JP11631389 A JP 11631389A JP H02295140 A JPH02295140 A JP H02295140A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor chip
mold
sealing
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP11631389A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiharu Oba
大場 芳晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH02295140A publication Critical patent/JPH02295140A/ja
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の樹脂封止方法に関する。
〔従来の技術〕
従束,半導体装置の樹脂封出方法は、第51Mに示すよ
うに、リードフレーム1内のアイランド13に半導体チ
ップ2を接着、あるいは共晶結合にて固着し、内部リー
ド4と半導体チップ2とをワイヤー3でボンディングす
る。そしてこのリードフレーム1を、樹脂封止聖のE型
の下面と下聖の十而とで扶持し、樹脂封止するという方
法が用いられていた。樹脂封止後、外部リードを連結す
るタイハー及び吊りリード12は切断され、外部リード
の成形、表面処理、及び、捺印,選別等の工程を経て、
所望の樹脂封止型半導体装置が完成する,, 〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、最近の半導体集積回路の高密度実装の要求に
より、半導体チップ寸法に比較し、パッケージの小型化
が進み、バッゲージ幅は狭くなり、半導体チップを覆っ
ている樹脂厚は薄く、しかも少くなる傾向に有る。この
ため、−E述した従来の樹脂封止方法では、以下のよう
な欠点がある。
まず、樹脂封止後、吊りリードは切断されるが、この吊
りリード切断時の負荷により吊りリード部の樹脂にマイ
クロクラックが生じる。このクラックが樹脂外部より侵
入する水分の経路となるため、信頼性と特性上最も問題
となる耐湿性劣化の原因になる。また、パッケージ幅を
狭くすることで、樹脂内の内部リードの長さが短くなる
。従って、リード加工時の負荷により内部リードと樹脂
の界面が剥離し、そこから侵入する水分は、半導体チッ
プまで達し易くなり、耐湿性に悪影響を及ぼずようにな
る。
さらに、ワイヤーのみでリードフレームの内部リードに
結線保持された半導体チップを樹脂封止した場合、キャ
ビティー内で半導体チップを固定していないので、溶融
樹脂により半導体チップが押し流されてワイヤーが切れ
たり、隣り合うワイヤーがショートするという欠点もあ
る.〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体装置の樹脂封止方法は、少くとも一部の
内部リードが半導体チップ上に配置される内部リードと
、ボンディングワイヤーにより前記内部リードに接続さ
れた半導体チップとを金型内にセットして樹脂封止する
半導体装置の樹脂封止方法において、前記半導体チップ
と前記半導体チップ上の内部リードとを樹脂で固定した
のち樹脂封止するか、または前記半導体チップを金型の
下型に吸引固定したのち樹脂封止ずるものである。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例につき図面を参照しながら説明す
る. 第1図及び第2図は、本発明の第1の実施例を説明する
ための半導体チップの断面図及び金型内の半導体チップ
の断面図である。
まず樹脂封止する前の半導体チップ2は、第4図に示す
ように、・ワイヤー3のみでリードフレーム1の内部リ
ード4に結線保持される。内部りード4の大部分は、半
導体チップ2の上面に配置されている。
次に第1図に示すように、このように結線保持された半
導体ペレット2の上面に、エポキシ系、あるいはシリコ
ン系の固着用樹脂5を滴下する。
固着用樹脂5の滴下量は半導体ペレット2の上面と内部
リード4の下面との数十μmの隙間が埋まる程度とする
。その後、固着樹脂らをエージングすることにより、集
導体チップ2は内部リード4に完全に固着される。
次に第2図に示すように、従来の樹脂封止装置にて、上
型6の下面と下型7の上面とでリードフレーム1を挾持
し、上型及び下型のキャビティ8.9内に樹脂を注入し
て樹脂封止を行なう。
このように第1の実施例によれば、半導体チップーヒの
内部リード4は、半導体チップ2の上面に固着されるた
め、注入樹脂により流されてワイヤ3が切れたりショー
トすることはなくなる。
第3図は本発明の第2の実施例を説明するための半導体
チップと金型の断面図である。
第4図に示した半導体チップ2がワイヤらにより接続さ
れたリードフレームを上型6の下面と下型7の上面とで
挾持する。下型キャビティ−9内には、吸引口11を有
する突起10が設けられている.突起10は、その上面
に半導体チップ2の下面の中心部が載る位置に設けられ
ている。半導体チップ2は、下型の吸引口11に接続し
て設けた真空ポンプにより吸引され、突起10の上面に
吸着固定される。そしてこの状態で半導体チップ2は樹
脂封止される。
この第2の実施例では、下型の突起10の吸着により半
導体チップ2の中心部が露出するので、放熱性がよくな
り、熱衝撃に対して強くなる。この第2の実施例におけ
る樹脂封止工程は、従来と同様であり、第1の実施例よ
り工程数は少くなるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体チップ−ヒに配置
される内部リードを樹脂で固定したのち樹脂封止するか
、または半導体チップを下型に吸弓固定したのち樹脂封
止することにより、内部りー.ドと半導体チップを接続
するワイヤーの切断やショートをなくすことができると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の第1の実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図及び半導体チップと金型の断
面図、第3図は本発明の第2の実施例を説明するための
半導体チップの断面図、第4図は本発明に適用するリー
ドフレームの平面図、第5図は従来例に用いるリードフ
レームの平面図てある。 ]・・・リードフレーム、2・・・半導体チップ、3・
・・ワイヤー、4・・・内部リード、5・・・固着用樹
脂、6・・1一型、7・・・下型、8・・・上型キャビ
テイー、9・・・下型キャビティー、10・・・突起、
11・・・吸引口、12・・・吊りリード、13・・・
アイランド。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少くとも一部の内部リードが半導体チップ上に配置され
    る内部リードと、ボンディングワイヤーにより前記内部
    リードに接続された半導体チップとを金型内にセットし
    て樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方法において、前
    記半導体チップと前記半導体チップ上の内部リードとを
    樹脂で固定したのち樹脂封止するか、または前記半導体
    チップを金型の下型に吸引固定したのち樹脂封止するこ
    とを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
JP11631389A 1989-05-09 1989-05-09 半導体装置の樹脂封止方法 Pending JPH02295140A (ja)

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JP11631389A JPH02295140A (ja) 1989-05-09 1989-05-09 半導体装置の樹脂封止方法

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JP11631389A JPH02295140A (ja) 1989-05-09 1989-05-09 半導体装置の樹脂封止方法

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JPH02295140A true JPH02295140A (ja) 1990-12-06

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ID=14683904

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JP11631389A Pending JPH02295140A (ja) 1989-05-09 1989-05-09 半導体装置の樹脂封止方法

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JP (1) JPH02295140A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6787093B2 (en) 2000-06-26 2004-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor resin molding method
JP2019080023A (ja) * 2017-10-27 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6787093B2 (en) 2000-06-26 2004-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor resin molding method
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