JP2000228413A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップとモールド樹脂との間にデラミ
ネーションが発生するのを抑制できる半導体パッケージ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体パッケージの製造方
法は、ウエハーからＩＣチップを分離するダイシング工
程と、ＩＣチップを接着剤を介してリードフレームにマ
ウントするダイボンディング工程と、該接着剤を硬化す
るダイボンドキュア工程と、ＩＣチップとリードフレー
ムとをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイ
ヤボンディング工程と、ＩＣチップを搭載したリードフ
レームをリードフレームマガジン１３に収納し、このマ
ガジン１３をオーブン１１に挿入して加熱処理を施す工
程と、該ＩＣチップ及び該ボンディングワイヤを樹脂封
止するモールド工程と、を具備するものである。
ネーションが発生するのを抑制できる半導体パッケージ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体パッケージの製造方
法は、ウエハーからＩＣチップを分離するダイシング工
程と、ＩＣチップを接着剤を介してリードフレームにマ
ウントするダイボンディング工程と、該接着剤を硬化す
るダイボンドキュア工程と、ＩＣチップとリードフレー
ムとをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイ
ヤボンディング工程と、ＩＣチップを搭載したリードフ
レームをリードフレームマガジン１３に収納し、このマ
ガジン１３をオーブン１１に挿入して加熱処理を施す工
程と、該ＩＣチップ及び該ボンディングワイヤを樹脂封
止するモールド工程と、を具備するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の製造方法に係わり、特に、半導体チップとモールド樹
脂との間にデラミネーションが発生するのを抑制できる
半導体パッケージの製造方法に関する。
の製造方法に係わり、特に、半導体チップとモールド樹
脂との間にデラミネーションが発生するのを抑制できる
半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の半導体パッケージの製造方
法について説明する。
法について説明する。
【０００３】まず、ウエハーにダイシング工程を施すこ
とにより、ウエハーをスクライブラインに沿って切断す
る。このようにしてウエハーからＩＣチップ（半導体チ
ップ）を分離する。この後、ダイボンディング工程を行
う。即ち、リードフレームのダイパット上に接着剤を塗
布し、この接着剤上にＩＣチップ（ダイ）をのせる。
とにより、ウエハーをスクライブラインに沿って切断す
る。このようにしてウエハーからＩＣチップ（半導体チ
ップ）を分離する。この後、ダイボンディング工程を行
う。即ち、リードフレームのダイパット上に接着剤を塗
布し、この接着剤上にＩＣチップ（ダイ）をのせる。
【０００４】次に、ダイボンドキュア工程を行うことに
より、接着剤を硬化させ、リードフレームのダイパット
上にＩＣチップを貼り付ける。この後、ワイヤボンディ
ング工程を行うことにより、ＩＣチップ上のパッドとリ
ードフレームに形成された各々のリード（外部端子）と
を金ワイヤーで結び、ＩＣチップの各々のパッドを各リ
ードと電気的に接続する。この後、モールド工程を行
う。すなわち、上金型を上げ、ＩＣチップを搭載したリ
ードフレームを下金型に設置し、上金型を下げてリード
フレームを固定する。次に、樹脂タブレットをポットに
入れ、この樹脂タブレットを各キャビティに注入する。
このようにしてＩＣチップ、金ワイヤー及びリードフレ
ームがモールド樹脂により封止され、その後にリードフ
レームから個片に切り離されて半導体パッケージが製造
される。
より、接着剤を硬化させ、リードフレームのダイパット
上にＩＣチップを貼り付ける。この後、ワイヤボンディ
ング工程を行うことにより、ＩＣチップ上のパッドとリ
ードフレームに形成された各々のリード（外部端子）と
を金ワイヤーで結び、ＩＣチップの各々のパッドを各リ
ードと電気的に接続する。この後、モールド工程を行
う。すなわち、上金型を上げ、ＩＣチップを搭載したリ
ードフレームを下金型に設置し、上金型を下げてリード
フレームを固定する。次に、樹脂タブレットをポットに
入れ、この樹脂タブレットを各キャビティに注入する。
このようにしてＩＣチップ、金ワイヤー及びリードフレ
ームがモールド樹脂により封止され、その後にリードフ
レームから個片に切り離されて半導体パッケージが製造
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体パッケージの製造方法では、ＩＣチップとモール
ド樹脂との間（即ちＩＣチップ表面のパッシベーション
膜とモールド樹脂との間）にデラミネーションが発生す
ることがある。これは、パッシベーション膜に含まれる
僅かな水分がモールド樹脂との密着性を悪くしているか
らであると考えられる。
半導体パッケージの製造方法では、ＩＣチップとモール
ド樹脂との間（即ちＩＣチップ表面のパッシベーション
膜とモールド樹脂との間）にデラミネーションが発生す
ることがある。これは、パッシベーション膜に含まれる
僅かな水分がモールド樹脂との密着性を悪くしているか
らであると考えられる。
【０００６】一方、パッシベーション膜と密着性の良い
モールド樹脂を用いることにより、デラミネーションの
発生を抑制することも考えられる。しかし、パッシベー
ション膜との密着性が良いと、モールド工程における金
型との密着性も良くなるので、モールド樹脂と金型との
離型性が悪くなる。モールド工程では、金型との離型性
がある程度良い樹脂を用いることが前提条件となる。
モールド樹脂を用いることにより、デラミネーションの
発生を抑制することも考えられる。しかし、パッシベー
ション膜との密着性が良いと、モールド工程における金
型との密着性も良くなるので、モールド樹脂と金型との
離型性が悪くなる。モールド工程では、金型との離型性
がある程度良い樹脂を用いることが前提条件となる。
【０００７】具体的には、オルソクレゾールノボラック
１００％でフィラー少な目の樹脂を用いると、密着性が
あまり良くないため金型との離型性は良いが、その反
面、デラミネーションが発生しやすい。これとは逆に、
オルソクレゾールノボラック５０％、ビフェニール系樹
脂５０％でフィラー多目の樹脂を用いると、密着性が良
いためデラミネーションが発生しにくいが、その反面、
金型との離型性が悪い。このような事から密着性の良い
モールド樹脂を用いるにも限界があるので、半導体パッ
ケージの製造方法を改善することによりデラミネーショ
ンの発生を抑制することが必要となる。
１００％でフィラー少な目の樹脂を用いると、密着性が
あまり良くないため金型との離型性は良いが、その反
面、デラミネーションが発生しやすい。これとは逆に、
オルソクレゾールノボラック５０％、ビフェニール系樹
脂５０％でフィラー多目の樹脂を用いると、密着性が良
いためデラミネーションが発生しにくいが、その反面、
金型との離型性が悪い。このような事から密着性の良い
モールド樹脂を用いるにも限界があるので、半導体パッ
ケージの製造方法を改善することによりデラミネーショ
ンの発生を抑制することが必要となる。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、半導体チップとモールド
樹脂との間にデラミネーションが発生するのを抑制でき
る半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、半導体チップとモールド
樹脂との間にデラミネーションが発生するのを抑制でき
る半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半導
体チップと外部端子とを電気的に接続する工程の後に、
該半導体チップに加熱処理を施す工程と、該半導体チッ
プを金型を用いて樹脂封止する工程と、を具備すること
を特徴とする。また、上記半導体チップと外部端子とを
電気的に接続する工程が、半導体チップとリードフレー
ムとをワイヤボンディングする工程であることが好まし
い。
め、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半導
体チップと外部端子とを電気的に接続する工程の後に、
該半導体チップに加熱処理を施す工程と、該半導体チッ
プを金型を用いて樹脂封止する工程と、を具備すること
を特徴とする。また、上記半導体チップと外部端子とを
電気的に接続する工程が、半導体チップとリードフレー
ムとをワイヤボンディングする工程であることが好まし
い。
【００１０】上記半導体パッケージの製造方法では、金
型を用いて半導体チップを樹脂封止する工程の前に半導
体チップに加熱処理を施している。これにより、半導体
チップ表面に残された僅かな水分を十分に除去すること
ができる。従って、半導体チップ表面と樹脂との密着性
が良い状態で樹脂封止する工程を行うことができる。こ
のため、半導体チップと樹脂との間にデラミネーション
が発生することを抑制できる。
型を用いて半導体チップを樹脂封止する工程の前に半導
体チップに加熱処理を施している。これにより、半導体
チップ表面に残された僅かな水分を十分に除去すること
ができる。従って、半導体チップ表面と樹脂との密着性
が良い状態で樹脂封止する工程を行うことができる。こ
のため、半導体チップと樹脂との間にデラミネーション
が発生することを抑制できる。
【００１１】本発明に係る半導体パッケージの製造方法
は、ウエハーから半導体チップを分離するダイシング工
程と、該半導体チップを接着剤を介してリードフレーム
にマウントするダイボンディング工程と、該接着剤を硬
化するダイボンドキュア工程と、該半導体チップと該リ
ードフレームとをボンディングワイヤにより電気的に接
続するワイヤボンディング工程と、該半導体チップに加
熱処理を施す工程と、該半導体チップ及び該ボンディン
グワイヤを樹脂封止するモールド工程と、を具備するこ
とを特徴とする。
は、ウエハーから半導体チップを分離するダイシング工
程と、該半導体チップを接着剤を介してリードフレーム
にマウントするダイボンディング工程と、該接着剤を硬
化するダイボンドキュア工程と、該半導体チップと該リ
ードフレームとをボンディングワイヤにより電気的に接
続するワイヤボンディング工程と、該半導体チップに加
熱処理を施す工程と、該半導体チップ及び該ボンディン
グワイヤを樹脂封止するモールド工程と、を具備するこ
とを特徴とする。
【００１２】また、上記半導体パッケージの製造方法に
おいて、上記半導体チップに加熱処理を施す工程は、加
熱温度が１５０〜２８０℃、時間が１０〜１２０分、加
熱雰囲気が不活性ガス雰囲気又は大気雰囲気で行うこと
が好ましい。
おいて、上記半導体チップに加熱処理を施す工程は、加
熱温度が１５０〜２８０℃、時間が１０〜１２０分、加
熱雰囲気が不活性ガス雰囲気又は大気雰囲気で行うこと
が好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１４】図１〜図５は、本発明の実施の形態による
半導体パッケージの製造方法を説明するための図であ
る。
半導体パッケージの製造方法を説明するための図であ
る。
【００１５】まず、図１に示すように、半導体素子等を
形成したウエハー１を準備し、このウエハー１にダイシ
ング工程を施す。すなわち、回転したダイシングブレー
ド（刃物）３を用いてウエハー１をスクライブラインに
沿って切断する。このようにしてウエハー１からＩＣチ
ップ５を分離する。なお、このダイシング工程では純水
を用いるため、ＩＣチップ５表面のパッシベーション膜
に水分が入る。
形成したウエハー１を準備し、このウエハー１にダイシ
ング工程を施す。すなわち、回転したダイシングブレー
ド（刃物）３を用いてウエハー１をスクライブラインに
沿って切断する。このようにしてウエハー１からＩＣチ
ップ５を分離する。なお、このダイシング工程では純水
を用いるため、ＩＣチップ５表面のパッシベーション膜
に水分が入る。
【００１６】この後、図２（ａ），（ｂ）に示すダイボ
ンディング工程を行う。すなわち、リードフレーム４の
ダイパット９上に接着剤７を塗布し、この接着剤７上に
ＩＣチップ（ダイ）５をのせる。
ンディング工程を行う。すなわち、リードフレーム４の
ダイパット９上に接着剤７を塗布し、この接着剤７上に
ＩＣチップ（ダイ）５をのせる。
【００１７】次に、図３に示すダイボンドキュア工程を
行う。すなわち、排気口１５を備えたオーブン（キュア
装置）１１及びリードフレームマガジン１３を準備す
る。このリードフレームマガジン１３内に複数の上記リ
ードフレーム４を収納する。この後、このリードフレー
ムマガジン１３をオーブン１１に挿入し、所定の温度に
加熱し、この温度で所定時間リードフレーム４を保持す
る。これにより、接着剤７が硬化され、リードフレーム
４のダイパット９上にＩＣチップ５が貼り付けられる。
なお、このダイボンドキュア工程では、ＩＣチップ表面
のパッシベーション膜中の水分の大部分が除去される。
但し、パッシベーション膜中に僅かな水分が残ることが
ある。
行う。すなわち、排気口１５を備えたオーブン（キュア
装置）１１及びリードフレームマガジン１３を準備す
る。このリードフレームマガジン１３内に複数の上記リ
ードフレーム４を収納する。この後、このリードフレー
ムマガジン１３をオーブン１１に挿入し、所定の温度に
加熱し、この温度で所定時間リードフレーム４を保持す
る。これにより、接着剤７が硬化され、リードフレーム
４のダイパット９上にＩＣチップ５が貼り付けられる。
なお、このダイボンドキュア工程では、ＩＣチップ表面
のパッシベーション膜中の水分の大部分が除去される。
但し、パッシベーション膜中に僅かな水分が残ることが
ある。
【００１８】この後、上記リードフレーム４をリードフ
レームマガジン１３から取り出し、図４（ａ），（ｂ）
に示すようにワイヤボンディング工程を行う。すなわ
ち、ＩＣチップ５上のパッドとリードフレーム４を金ワ
イヤー１７で結ぶことにより、ＩＣチップ５をリードフ
レーム４に電気的に接続する。なお、このワイヤボンデ
ィング工程でＩＣチップ５のパッシベーション膜中に僅
かな水分が入ることがある。
レームマガジン１３から取り出し、図４（ａ），（ｂ）
に示すようにワイヤボンディング工程を行う。すなわ
ち、ＩＣチップ５上のパッドとリードフレーム４を金ワ
イヤー１７で結ぶことにより、ＩＣチップ５をリードフ
レーム４に電気的に接続する。なお、このワイヤボンデ
ィング工程でＩＣチップ５のパッシベーション膜中に僅
かな水分が入ることがある。
【００１９】次に、このＩＣチップ５に加熱処理を施
す。この際の条件は、温度が例えば１８０〜２００℃、
加熱時間が例えば３０〜６０分、雰囲気が例えば不活性
ガスである。ここでは、図３に示すオーブン１１を用い
て加熱処理を行うことも可能である。なお、この加熱処
理工程はモールド工程の直前に行うことが望ましい。
す。この際の条件は、温度が例えば１８０〜２００℃、
加熱時間が例えば３０〜６０分、雰囲気が例えば不活性
ガスである。ここでは、図３に示すオーブン１１を用い
て加熱処理を行うことも可能である。なお、この加熱処
理工程はモールド工程の直前に行うことが望ましい。
【００２０】いいかえると、加熱処理工程を行ったら連
続してモールド工程を行ってしまうのがよい。加熱処理
工程とモールド工程との間の時間をできるだけあけない
方が、水分が含まれていないいわゆる乾燥した状態でモ
ールド工程に移行できるので、より好ましい。
続してモールド工程を行ってしまうのがよい。加熱処理
工程とモールド工程との間の時間をできるだけあけない
方が、水分が含まれていないいわゆる乾燥した状態でモ
ールド工程に移行できるので、より好ましい。
【００２１】この後、図５に示すように、モールド工程
を行う。すなわち、上金型（図示せず）を上げ、ＩＣチ
ップを搭載したリードフレーム４を下金型に設置し、上
金型を下げてリードフレーム４を固定する。次に、樹脂
タブレット２２をポット２１に入れ、この樹脂タブレッ
ト(図示せず)をプランジャ２２によりモールド樹脂流路
２３を通して各キャビティ（図示せず）に注入する。こ
のようにしてＩＣチップ、金ワイヤー及びリードフレー
ム４がモールドされた半導体パッケージ２５が製造され
る。
を行う。すなわち、上金型（図示せず）を上げ、ＩＣチ
ップを搭載したリードフレーム４を下金型に設置し、上
金型を下げてリードフレーム４を固定する。次に、樹脂
タブレット２２をポット２１に入れ、この樹脂タブレッ
ト(図示せず)をプランジャ２２によりモールド樹脂流路
２３を通して各キャビティ（図示せず）に注入する。こ
のようにしてＩＣチップ、金ワイヤー及びリードフレー
ム４がモールドされた半導体パッケージ２５が製造され
る。
【００２２】上記実施の形態によれば、モールド工程の
前にＩＣチップ５に加熱処理を施している。これによ
り、ダイボンドキュア工程でＩＣチップ５表面のパッシ
ベーション膜中に残された僅かな水分、及び、ワイヤボ
ンディング工程でパッシベーション膜に混入した僅かな
水分を十分に除去することができる。従って、パッシベ
ーション膜中の水分をほぼ完全に除去し、ＩＣチップ表
面のパッシベーション膜とモールド樹脂との密着性が良
い状態でモールド工程を行うことができる。このため、
ＩＣチップとモールド樹脂との間（即ちＩＣチップ表面
のパッシベーション膜とモールド樹脂との間）にデラミ
ネーションが発生することを抑制できる。
前にＩＣチップ５に加熱処理を施している。これによ
り、ダイボンドキュア工程でＩＣチップ５表面のパッシ
ベーション膜中に残された僅かな水分、及び、ワイヤボ
ンディング工程でパッシベーション膜に混入した僅かな
水分を十分に除去することができる。従って、パッシベ
ーション膜中の水分をほぼ完全に除去し、ＩＣチップ表
面のパッシベーション膜とモールド樹脂との密着性が良
い状態でモールド工程を行うことができる。このため、
ＩＣチップとモールド樹脂との間（即ちＩＣチップ表面
のパッシベーション膜とモールド樹脂との間）にデラミ
ネーションが発生することを抑制できる。
【００２３】また、デラミネーションの発生原因として
は、パッシベーション膜表面に存在する有機物も考えら
れる。しかし、モールド工程の前にリードフレーム４に
加熱処理を施すことにより、この有機物を除去すること
ができる。従って、有機物汚染の観点からもＩＣチップ
とモールド樹脂との間にデラミネーションが発生するこ
とを抑制できると考えられる。
は、パッシベーション膜表面に存在する有機物も考えら
れる。しかし、モールド工程の前にリードフレーム４に
加熱処理を施すことにより、この有機物を除去すること
ができる。従って、有機物汚染の観点からもＩＣチップ
とモールド樹脂との間にデラミネーションが発生するこ
とを抑制できると考えられる。
【００２４】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態では、加熱処理の際の温度、時間及び雰囲
気の条件は単なる一例であり、他の条件に適宜変更する
ことも可能であり、例えば、大気雰囲気中で加熱処理を
行うことも可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態では、加熱処理の際の温度、時間及び雰囲
気の条件は単なる一例であり、他の条件に適宜変更する
ことも可能であり、例えば、大気雰囲気中で加熱処理を
行うことも可能である。
【００２５】また、本実施の形態では、ＩＣチップ５を
金ワイヤー１７によりリードフレーム４に電気的に接続
しているが、ＩＣチップを他の方法により外部端子に電
気的に接続することも可能である。
金ワイヤー１７によりリードフレーム４に電気的に接続
しているが、ＩＣチップを他の方法により外部端子に電
気的に接続することも可能である。
【００２６】また、本実施の形態はＱＦＰ(Quad Flat P
ackage)の製造に適用することが好ましい。
ackage)の製造に適用することが好ましい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
型を用いて半導体チップを樹脂封止する工程の前に半導
体チップに加熱処理を施している。したがって、半導体
チップとモールド樹脂との間にデラミネーションが発生
するのを抑制できる半導体パッケージの製造方法を提供
することができる。
型を用いて半導体チップを樹脂封止する工程の前に半導
体チップに加熱処理を施している。したがって、半導体
チップとモールド樹脂との間にデラミネーションが発生
するのを抑制できる半導体パッケージの製造方法を提供
することができる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体パッケージの
製造方法を説明するものであり、ダイシング工程を示す
概略図である。
製造方法を説明するものであり、ダイシング工程を示す
概略図である。
【図２】本発明の実施の形態による半導体パッケージの
製造方法を説明するものであり、図２（ａ）はダイボン
ディングしたリードフレームを示す平面図であり、図２
（ｂ）図２（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図で
ある。
製造方法を説明するものであり、図２（ａ）はダイボン
ディングしたリードフレームを示す平面図であり、図２
（ｂ）図２（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図で
ある。
【図３】本発明の実施の形態による半導体パッケージの
製造方法を説明するものであり、ダイボンドキュア工程
を示す構成図である。
製造方法を説明するものであり、ダイボンドキュア工程
を示す構成図である。
【図４】本発明の実施の形態による半導体パッケージの
製造方法を説明するものであり、図４（ａ）はワイヤボ
ンディングを施した半導体装置を示す平面図であり、図
４（ｂ）は図４（ａ）に示す４ｂ−４ｂ線に沿った断面
図である。
製造方法を説明するものであり、図４（ａ）はワイヤボ
ンディングを施した半導体装置を示す平面図であり、図
４（ｂ）は図４（ａ）に示す４ｂ−４ｂ線に沿った断面
図である。
【図５】本発明の実施の形態による半導体パッケージの
製造方法を説明するものであり、モールド工程を示す概
略図である。
製造方法を説明するものであり、モールド工程を示す概
略図である。
１ ウエハー ３ ブレード
（刃物） ５ ＩＣチップ ７ 接着剤 ９ ダイパット １１ オーブン １３ リードフレームマガジン １５ 排気口 １７ 金ワイヤー ２１ ポット ２２ プランジャ ２３ モールド
樹脂流路 ２５ 半導体パッケージ（モールドされたパッケージ）
（刃物） ５ ＩＣチップ ７ 接着剤 ９ ダイパット １１ オーブン １３ リードフレームマガジン １５ 排気口 １７ 金ワイヤー ２１ ポット ２２ プランジャ ２３ モールド
樹脂流路 ２５ 半導体パッケージ（モールドされたパッケージ）
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップと外部端子とを電気的に接
続する工程の後に、該半導体チップに加熱処理を施す工
程と、 該半導体チップを金型を用いて樹脂封止する工程と、 を具備することを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項２】 上記半導体チップと外部端子とを電気的
に接続する工程が、半導体チップとリードフレームとを
ワイヤボンディングする工程であることを特徴とする請
求項1記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項３】 ウエハーから半導体チップを分離するダ
イシング工程と、 該半導体チップを接着剤を介してリードフレームにマウ
ントするダイボンディング工程と、 該接着剤を硬化するダイボンドキュア工程と、 該半導体チップと該リードフレームとをボンディングワ
イヤにより電気的に接続するワイヤボンディング工程
と、 該半導体チップに加熱処理を施す工程と、 該半導体チップ及び該ボンディングワイヤを樹脂封止す
るモールド工程と、 を具備することを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項４】 上記半導体チップに加熱処理を施す工程
は、加熱温度が１５０〜２８０℃、時間が１０〜１２０
分、加熱雰囲気が不活性ガス雰囲気又は大気雰囲気で行
うことを特徴とする請求項1〜３のいずれか１項記載の
半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11028675A JP2000228413A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11028675A JP2000228413A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228413A true JP2000228413A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12255085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11028675A Withdrawn JP2000228413A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228413A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368160A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-20 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェーハレベルパッケージ及びその製造方法 |
| JP2013105761A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP11028675A patent/JP2000228413A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368160A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-20 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェーハレベルパッケージ及びその製造方法 |
| JP2013105761A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |