JPH09199637A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップ表面の電極パッドに一端を接続
したボンディングワイヤの他端を樹脂封止体の表面に露
出させこの他端を外部端子として用いる。 【解決手段】 半導体チップ１の主面に形成された複数
の電極パッド５にＡｌ、Ａｕなどの金属細線からなるボ
ンディングワイヤ２０の一端が接続されている電極パッ
ド５は、半導体チップ１主面に形成されたＳｉＯ2 など
の絶縁膜１５に被覆されている。ボンディングワイヤ２
０の他端は樹脂封止体８の表面に露出されている。この
ボンディングワイヤ２０の露出部分上には、Ａｌ引出電
極２１を形成し、この引出電極を介して半導体チップと
外部回路とが電気的に接続されるようになっている。リ
ードフレームや基板を用いないのでそれらを形成する時
間を短縮しコストを下げることができ、リードフレーム
や基板を取り除いたのでその分パッケージが薄くなり、
また、多ピン化を進めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子表面の
外部電極と直接接続されるボンディングワイヤを外部回
路と接続する外部端子として用いる樹脂封止型半導体装
置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、ウェーハに形
成された半導体素子（半導体チップ）を個々に分割する
ダイシング工程、分割された個々の半導体チップをリー
ドフレームに搭載するダイボンディング工程、半導体チ
ップ上の電極パッドとリードフレームの内部リードとを
Ａｕ線やＡｌ線などの細線を用いて結線するワイヤボン
ディング工程、半導体チップ及びこれに付随する細線や
内部リードを樹脂封止するパッケージング工程等を経て
形成される。一般的に半導体チップを樹脂封止するに
は、圧縮成形法、ポッティング法、トランスファ成形法
等が用いられる。図１９は、従来の樹脂封止型半導体装
置の断面図であり、ＳＯＰ(Small Inline Package)型の
半導体装置である。半導体チップ１は、リードフレーム
２の半導体素子を搭載するダイパッド部３に導電性など
の接着剤４で固着されている。リードフレーム２は、樹
脂封止体内部のインナーリード部６と樹脂封止体外部の
アウターリード部９とを備えている。半導体チップ１、
ダイパッド部３、インナーリード部６等は樹脂封止体８
により被覆保護されている。
【０００３】樹脂封止体８は、例えば、エポキシ樹脂な
どからなり、トランスファモールド法などにより成形さ
れる。また、アウターリード部９は先端が外部回路に接
続され易いように成形されている。インナーリード部６
は樹脂封止体８の中においてその先端が半導体チップ１
と対向するように配置されている。そして、インナーリ
ード部６の先端のボンディング部と半導体チップ主面に
形成した電極パッドなどの外部電極５とは、ＡｕやＡｌ
などのボンディングワイヤ７により接続されている。外
部電極５は、半導体チップ１の主面においてＳｉＯ2 な
どの絶縁膜１５に囲まれている。次に、図２０及び図２
１を参照して従来のチップを搭載したリードフレームを
用いた樹脂封止工程を説明する。図２０は、金型に搭載
したリードフレームの平面図、図２１は、金型のキャビ
ティに配置されたリードフレームの断面図であり、図２
０のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図である。リードフレ
ーム２は、ＣｕやＦｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ合金などのシー
ト材やコイル材等の素材のエッチングや打ち抜きなどに
より成形されてなる。素材に形成されたレジストパター
ンに従ってエッチングし、インナーリード先端をＡｕメ
ッキやＡｇメッキで表面処理を施して完成させる。同様
に打ち抜き法でもプレス金型により素材をリードフレー
ムの形状にパターニングする。
【０００４】リードフレーム２は、外枠１０、半導体チ
ップ１を搭載するダイパッド３、樹脂封止体に封止され
るインナーリード６及び樹脂封止体から導出するアウタ
ーリード９より構成されており、これらを１単位として
繰り返し形成されている長尺状体である。半導体チップ
１はダイパッド３に接着され、ボンディングワイヤ７に
よって半導体チップ１の電極パッド（外部電極、図示せ
ず）とインナーリード６とは接続されている。リードフ
レーム２が樹脂封止用金型１２にセットされた状態で
は、上金型１３と下金型１４の凹部で構成されるキャビ
ティ１６（図２０の点線で示す領域）内にリードフレー
ム２のインナーリード６、ダイパッド３及びダイパッド
３を支持するつりピン１１が収納されている。そして、
このキャビティ１６中に樹脂封止体となる樹脂が充填さ
れる。樹脂をキャビティ１６に注入する入り口のゲート
１７は、長方形のキャビティ１６の短辺に形成されてい
る。これは図２０のＡ−Ａ′線に沿う部分に配置されて
いる。半導体装置の樹脂封止パッケージは、半導体チッ
プが高密度化して大きくなる傾向に反してあまり変化は
少ない。したがって、樹脂封止体内における半導体チッ
プの樹脂封止体に占める割合は大きくなる一方であり、
とくに薄型パッケージを用いる半導体装置では均一に樹
脂を封止することが難しくなってきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述のように従来の樹
脂封止型半導体装置では、リードフレームを用いて半導
体チップを樹脂封止していた。或いは、基板をパッケー
ジングに用いる場合、半導体チップをパッケージを構成
する基板上にろう材で固着したあと、内部リード又は端
子をボンディングワイヤで半導体チップ上の外部電極と
電気的に接続していた。このような従来のパッケージで
は、リードフレームや基板を用いるので製品毎にリード
フレームあるいは基板の作製が必要であり、これを設計
し、製作するのにかなりの時間を割いている。また、リ
ードフレームあるいは基板の厚み比較してかなり厚くそ
のため超薄型パッケージの形成は困難であるというのが
現状である。本発明は、このような事情によりなされた
ものであり低いコストと短い納期で超薄化が可能な樹脂
封止型半導体装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
表面の外部電極（電極パッド）に一端を接続したボンデ
ィングワイヤの他端を樹脂封止体の表面に露出させ、こ
の露出したボンディングワイヤの他端を半導体チップと
外部回路との電気的接続を行う外部端子として用いるこ
とを特徴とする。リードフレームや基板を用いないの
で、それらを形成する時間を短縮し、コストを下げるこ
とができ、さらに、リードフレームや基板を取り除いた
のでその分パッケージが薄くなり、また多ピン化を進め
ることができる。請求項１の発明は、樹脂封止型半導体
装置において主面に複数の外部電極が形成されている半
導体素子と、前記複数の外部電極の各々にその一端が電
気的に接続されているボンディングワイヤと、前記半導
体素子と前記ボンディングワイヤとを被覆する樹脂封止
体とを備え、前記ボンディングワイヤの他端は前記樹脂
封止体から露出していることを特徴とする。請求項２の
発明は、請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置におい
て前記樹脂封止体は、底面部、側面部及び上面部を有
し、前記ボンディングワイヤの他端は、前記底面部から
露出していることを特徴とする。
【０００７】請求項３の発明は、請求項１に記載の樹脂
封止型半導体装置において前記樹脂封止体は、底面部、
側面部及び上面部を有し、前記ボンディングワイヤの他
端は、前記側面部から露出していることを特徴とする。
請求項４の発明は、樹脂封止型半導体装置において主面
に複数の外部電極が形成されている半導体素子と、前記
複数の外部電極の各々にその一端が電気的に接続されて
いるボンディングワイヤと、前記半導体素子を搭載する
支持基板と、前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ
及び前記支持基板とを被覆する樹脂封止体とを備え、前
記ボンディングワイヤの他端は前記樹脂封止体から露出
していることを特徴とする。請求項５の発明は、請求項
４に記載の樹脂封止型半導体装置において前記支持基板
は、前記樹脂封止体と同じ材料から構成されていること
を特徴とする。請求項６の発明は、請求項４に記載の樹
脂封止型半導体装置において前記支持基板は、金属板か
ら構成されており、この金属板の底面は前記樹脂封止体
から露出していることを特徴とする。請求項７の発明
は、請求項１乃至請求項６のいづれかに記載の樹脂封止
型半導体装置において前記樹脂封止体から露出している
前記ボンディングワイヤの前記他端は、外部回路と電気
的に接続する半田ボールが接続されていることを特徴と
する。
【０００８】請求項８の発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法においてプレート上に複数の外部電極が主面
に形成されている半導体素子を載置する工程と、ボンデ
ィングワイヤの一端を前記半導体素子主面の外部電極に
電気的に接続し他端を前記プレートに仮止めする工程
と、前記プレート上の前記半導体素子及び前記ボンディ
ングワイヤを樹脂封止体で被覆する工程と、前記樹脂封
止体を前記プレートから取り外して前記ボンディングワ
イヤの前記他端を露出させる工程とを備えていることを
特徴とする。請求項９の発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法において金属板上に複数の外部電極が主面に
形成されている半導体素子を固着する工程と、プレート
上に前記半導体素子を有する前記金属板を載置する工程
と、ボンディングワイヤの一端を前記半導体素子主面の
外部電極に電気的に接続しその他端を前記プレートに仮
止めする工程と、前記プレート上の前記半導体素子、前
記金属板及び前記ボンディングワイヤを樹脂封止体で被
覆する工程と、前記樹脂封止体を前記プレートから取り
外して前記ボンディングワイヤの前記他端及び前記金属
板の底面を露出させる工程とを備えていることを特徴と
する。
【０００９】請求項１０の発明は、樹脂封止型半導体装
置の製造方法において樹脂板上に複数の外部電極が主面
に形成されている半導体素子を固着する工程と、プレー
ト上に前記半導体素子を有する前記樹脂板を載置する工
程と、ボンディングワイヤの一端を前記半導体素子主面
の外部電極に電気的に接続しその他端を前記プレートに
仮止めする工程と、前記プレート上の前記半導体素子、
前記樹脂板及び前記ボンディングワイヤをこの樹脂板と
同じ材料の樹脂封止体で被覆する工程と、前記樹脂封止
体を前記プレートから取り外して前記ボンディングワイ
ヤの前記他端を露出させるとともに前記樹脂板を前記樹
脂封止体に一体化させる工程とを備えていることを特徴
とする。請求項１１の発明は、請求項８乃至請求項１０
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において前記
プレートにテストパッドを形成し、前記ボンディングワ
イヤの前記他端をこのテストパッドに電気的に接続して
前記半導体素子の内部に形成されている集積回路をテス
トしてから半導体素子を樹脂封止することを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。まず、図１及び図２を参照して第
１の実施例を説明する。図１は、樹脂封止型半導体装置
の断面図、図２は、樹脂封止型半導体装置の平面図であ
る。図１は、図２のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図を示
している。ウェーハから切り出された半導体チップ１
は、例えば、シリコン半導体を基板としている。半導体
チップ１の主面に形成された複数の電極パッド（外部電
極）５にアルミニウムもしくは金などの金属細線から構
成されたボンディングワイヤ２０の一端が接続されてい
る。電極パッド５は、半導体チップ１主面に形成された
ＳｉＯ2 などの絶縁膜１５に被覆されている。ボンディ
ングワイヤ２０の他端は、エポキシ樹脂などを材料とす
る樹脂封止体８の表面に露出されている。このボンディ
ングワイヤ２０の露出部分上には、半田ボールなどから
なる引出電極２１を形成し、この引出電極を介して半導
体チップ１に形成された集積回路と外部回路とが電気的
に接続されるようになっている。この実施例では、ボン
ディングワイヤ２０の前記他端は、樹脂封止体８の底面
に露出している。樹脂封止体にはリードフレームが含ま
れておらず、ボンディングワイヤが樹脂封止体から露出
して引出電極と直接接続されているので樹脂封止体は薄
く、かつ高密度に引出電極を配置することができる。リ
ードフレームを用いないので、それらを形成する時間を
短縮し、コストを下げることができる。
【００１１】次に、図３及び図４を参照して第２の実施
例を説明する。図３は、樹脂封止型半導体装置の断面
図、図４は、樹脂封止型半導体装置の平面図である。図
１は、図２のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分の断
面図を示している。ウェーハから切り出された半導体チ
ップ１は、例えば、シリコン半導体を基板としている。
半導体チップ１の主面に形成された複数の電極パッド
（外部電極）５にアルミニウムもしくは金などの金属細
線から構成されたボンディングワイヤ２０の一端が接続
されている。電極パッド５は、半導体チップ１主面に形
成されたＳｉＯ2 絶縁膜１５に囲まれている。ボンディ
ングワイヤ２０の他端は、樹脂封止体８の表面（底面）
に露出されている。このボンディングワイヤ２０の露出
部分上には、半田ボールなどの引出電極２１を形成し、
この引出電極２１を介して半導体チップ１に形成された
集積回路と外部回路とが電気的に接続されるようになっ
ている。この実施例では、ボンディングワイヤ２０の前
記他端は、樹脂封止体８の底面に露出している。
【００１２】樹脂封止体にはリードフレームが含まれて
おらず、ボンディングワイヤが樹脂封止体から露出して
引出電極と直接接続されているので、樹脂封止体は薄
く、かつ高密度に引出電極を配置することができる。ま
た、リードフレームを用いないので、それらを形成する
時間を短縮し、コストを下げることができる。さらに、
この実施例においては、ポリイミドなどの絶縁膜で被覆
されたボンディングワイヤ２０を使用し、その他端は、
樹脂封止体８の表面に露出しており、この部分に引出電
極２１が形成されている。そしてその配列は千鳥状に配
列されている。千鳥状に引出電極２１を配列しているの
でボンディングワイヤ２０同士の接触が問題となるが、
ボンディングワイヤ２０には絶縁膜が被覆されているの
で製造時において短絡事故が発生することがない。
【００１３】次に、図５乃至図１０を参照して第１の実
施例の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明する。図
５乃至図８は樹脂封止型半導体装置の製造工程断面図、
図９は、ボンディングワイヤの接続を示す断面図、図１
０は、樹脂金型の断面図である。この半導体装置の製造
に用いる半導体製造装置のプレート２３の中央部にはプ
レート２３に載置される半導体チップ１より小さい貫通
孔２４が開口されており、半導体チップ１が載置された
後、貫通孔２４からこの半導体チップ１を真空吸引し、
半導体チップ１を固定した状態で電極パッド５とボンデ
ィングワイヤ２０の一端とをボンディングツール（図示
せず）で接合し、ボンディングワイヤ２０の他端をプレ
ート２３に仮止めする。プレート２３は、耐熱性のプラ
スチック板やガラス板もしくは金属板を用いる。金属板
としては、例えば、Ｃｕ合金やＦｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ合
金を材料とし、金属板の表面に銀メッキをしたものがあ
る。ボンディングワイヤ２０の先端をプレート２３に仮
止めするには、例えば、ボンディングワイヤとプレート
表面のメッキ処理との金属結合により仮止めを行う。ま
た、半田ペーストを用いる方法もある。図６は、半田ペ
ーストを用いて固定する方法を示す工程断面図である。
【００１４】まず、ボンディングツール２５に蓄えられ
ているボンディングワイヤ２０の先端２７に半田ペース
ト２６を塗布する（図６（ａ））。この先端２７は、前
のボンディングにおける切断工程でボール状になってい
る。このボール状先端２７を半田槽の半田ペーストにジ
ャブ付けして半田ペースト膜を形成しても良い。次に、
ボール状先端２７をプレート２３の表面に押し付ける
（図６（ｂ））。その後加熱することにより半田ペース
ト２６が溶融し、ボール状先端２７をプレート２３に固
定する（図６（ｃ））。次に、図７を参照してボンディ
ングワイヤをプレートと半導体チップに接続する方法を
説明する。まず、ボンディングツール２５に蓄えられて
いるボンディングワイヤ２０のボール状先端２７を、例
えば、図６に示す方法で、プレート２３に固定する。次
に、ボンディングワイヤ２０をボンディングツール２５
から延線し、半導体チップ１主面の電極パッド５の上に
載せる。そしてボンディングワイヤ２０を電極パッド５
に押し付け、加熱圧着して両者を接合すると共に、この
接合部とボンディングツール２５に蓄えられている部分
の間を切断して、電極パッド５とプレート２３の間をボ
ンディングワイヤ２０で結ぶ。
【００１５】次に、電極パッド５とボンディングワイヤ
２０の一端とを接合し、ボンディングワイヤ２０の他端
をプレート２３に仮止めした状態で半導体チップ１を固
定したプレート２３を樹脂金型内に挿入する。その後、
例えば、トランスファモールド法で金型内に流動樹脂を
充填し、プレート２３上に半導体チップ１とボンディン
グワイヤ２０が封入された樹脂封止体８を形成する（図
８（ａ））。金型から成型品を取り出した後、樹脂封止
体８からプレート２３を取り外す。これによりボンディ
ングワイヤ２０とプレート２３の接合部が樹脂封止体８
の表面に露出する（図８（ｂ））。このボンディングワ
イヤ２０の先端の露出部は、半導体装置の引出電極とし
て用いられる。更に、この露出部に半田ボールなどの引
出電極２１を形成しても良い（図８（ｃ））。先に使用
したプレート２３は、ボンディングワイヤとの接合性を
持ち、樹脂封止体と密着し難いものが望ましく、例え
ば、ボンディングワイヤに金ワイヤを用い、プレートの
表面にはごく薄い銀メッキ処理などを施した組み合わせ
が考えられる。また、プレート２３に予め回路形成をす
ることは必要でなく、従って、半導体装置の品種が変わ
っても使用するプレート２３を変える必要はなく共用化
が可能なのでコスト低減を図ることができる。
【００１６】次に、図９を参照してプレートと半導体チ
ップとを接続するボンディングワイヤの接合部の詳細を
説明する。ボンディングワイヤの接合には、ボールボン
ディングを用い、ボンディングワイヤ２０の第１の接合
２８をプレート側、次の工程である第２の接合２９を半
導体チップ側とすることにより、樹脂封止後にプレート
２３を取り外した際に形成される電極の大きさを均一に
できる。また、樹脂封止体８から露出するボール状先端
２７にできる潰れ部３０が樹脂封止体８に対し、くさび
部３１を形成するため、プレート２３を取り外した際に
電極として形成される部分の破損を防止することができ
る。次に、図１０を参照して図８に示すプレート上の樹
脂封止体を形成する樹脂金型を説明する。樹脂金型１２
は、上型１３と下型１４とから構成されており、両者を
合わせてキャビティ１６を形成する。この実施例の金型
では、下型１４に窪みを形成することに特徴がある。こ
の窪みに半導体チップ１とボンディングワイヤ２０を搭
載したプレート２３を配置し、このプレート２３を上型
１３で押さえる。この様な状態にして、キャビティ１６
内にゲート１７からエポキシ樹脂をトランスファモール
ド法により充填して樹脂封止体８を形成する。
【００１７】次に、図１１及び図１２を参照して第３の
実施例を説明する。図は、樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図である。あらかじめＣｕ合金などの金属板３
２を半導体チップ１に固着する（図１１（ａ））。半導
体チップ１主面の電極パッドは、図１などに示す半導体
チップの電極と同じ構造であるので省略する。この半導
体装置の製造に用いる半導体製造装置のプレート２３の
中央部にはプレート２３に載置される半導体チップ１よ
り小さい貫通孔２４が開口されており、金属板３２に支
持された半導体チップ１が載置された後、貫通孔２４か
らこの金属板３２を真空吸引し、半導体チップ１と金属
板３２を固定する（図１１（ｂ））。半導体チップ１
は、接着剤などにより金属板３２に固着されている。こ
の状態で電極パッド（図示せず）とボンディングワイヤ
２０の一端とをボンディングツール（図示せず）で接合
し、ボンディングワイヤ２０の他端をプレート２３に仮
止めする（図１１（ｃ））。プレート２３は、耐熱性の
プラスチック板やガラス板もしくは表面をメッキ処理し
た金属板を用いる。ボンディングワイヤ２０の先端をプ
レート２３に仮止めするには、例えば、ボンディングワ
イヤとプレート表面のメッキ処理との金属結合により固
定する。また、ポリイミドやエポキシ樹脂などのボンド
を用いてこの先端をプレート２３に固定する。また、図
６のように半田ペーストを用いる方法もある。
【００１８】次に、電極パッドとボンディングワイヤ２
０の一端とを接合し、ボンディングワイヤ２０の他端を
プレート２３に仮止めした状態で半導体チップ１を固定
したプレート２３を樹脂金型内に挿入する。その後、ト
ランスファモールド法などにより樹脂金型内に流動樹脂
を充墳し、プレート２３上に半導体チップ１、金属板３
２、ボンディングワイヤ２０とが封入された樹脂封止体
８を形成する（図１２（ａ））。金型から成型品を取り
出した後、樹脂封止体８からプレート２３を分離する。
これによりボンディングワイヤ２０とプレート２３の接
合部が樹脂封止体８の表面に露出する。それと共に金属
板３２の底面も樹脂封止体８から露出している。（図１
２（ｂ））。このボンディングワイヤ２０の先端の露出
部は、半導体装置の引出電極として用いられる。更に、
この露出部に半田ボールなどの引出電極２１を形成して
も良い（図１２（ｃ））。あらかじめ金属板３２を半導
体チップ１に固着しているので半導体チップ１の裏面が
露出せず信頼性の高いパッケージを提供することができ
る。また、金属板３２が露出しているのでこれを放熱手
段として用いることができる。
【００１９】次に、図１３及び図１４を参照して第４の
実施例を説明する。図は、樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図である。まず、あらかじめエポキシ樹脂やシ
リコーンなどの樹脂シート３３をこの半導体装置の製造
に用いる半導体製造装置のプレート２３の中央部に載置
する。この中央部にはプレート２３に載置される半導体
チップ１より小さい貫通孔２４が開口されており、貫通
孔２４から樹脂シート３３を真空吸引し、樹脂シート３
３をプレート２３に固定する（図１３（ａ））。次に、
半導体チップ１をプレート２３上に固定保持されている
樹脂シート３３の上に載置する（図１３（ｂ））。半導
体チップ１主面の電極パッドは、図１などに示す半導体
チップの電極と同じ構造であるので省略する。この状態
で半導体チップ１上の電極パッド（図示せず）とボンデ
ィングワイヤ２０の一端とをボンディングツール（図示
せず）で接合し、ボンディングワイヤ２０の他端をプレ
ート２３に仮止めする（図１３（ｃ））。プレート２３
は、耐熱性のプラスチック板やガラス板もしくは表面を
メッキ処理した金属板を用いる。ボンディングワイヤ２
０の先端をプレート２３に仮止めするには、例えば、ボ
ンディングワイヤとプレート表面のメッキ処理との金属
結合により固定する。またポリイミドやエポキシ樹脂な
どのボンドを用いてこの先端をプレート２３に固定す
る。また、図６のように半田ペーストを用いる方法もあ
る。
【００２０】次に、ボンディングワイヤ２０をプレート
２３に仮止めした状態で半導体チップ１を固定したプレ
ート２３を樹脂金型内に挿入する。その後、トランスフ
ァモールド法などにより樹脂金型内に樹脂シート３３と
同じ材料の流動樹脂を充墳し、プレート２３上に半導体
チップ１、樹脂シート３３、ボンディングワイヤ２０と
が封止された樹脂封止体８を形成する（図１４
（ａ））。樹脂金型から成型品を取り出した後、樹脂封
止体８からプレート２３を分離する。これによりボンデ
ィングワイヤ２０とプレート２３の接合部が樹脂封止体
８の表面に露出する。樹脂シート３３は、材料が同じな
ので樹脂封止体８と一体化する（図１４（ｂ））。この
ボンディングワイヤ２０の先端の露出部は、半導体装置
の引出電極として用いられる。更に、この露出部に半田
ボールなどの引出電極２１を形成しても良い（図１４
（ｃ））。樹脂シート３３が樹脂封止体８と一体化する
ので半導体チップ１全体が樹脂封止体８で覆われること
になり、パッケージの反りが防止され信頼性の高いパッ
ケージを提供することができる。
【００２１】次に、図１５及び図１６を参照して第５の
実施例を説明する。図１５は、樹脂封止型半導体装置の
断面図、図１６は、この半導体装置を樹脂封止する樹脂
金型の断面図である。この樹脂封止型半導体装置は、引
出電極２１を樹脂封止体８の側面に形成されている。側
面に引出電極を形成しているので回路基板への配置の自
由度が増す。このような形状の樹脂封止体８を形成する
には図１６の樹脂金型１２に装着するプレート３４を用
いる。プレート３４は、中央部に窪みを有し、この窪み
の中に半導体チップ１が載置される。この状態で半導体
チップ１上の電極パッド５とボンディングワイヤ２０の
一端とはボンディングツール（図示せず）で接合され、
ボンディングワイヤ２０の他端はプレート３４に仮止め
されている。半導体チップ１は、プレート３４と共に下
型１４に載置される。半導体チップ１、下型１４及びプ
レート３４の表面はいづれも同一平面にある。この下型
１４に上型１３を合わせ、両者で形成されるキャビティ
１６内にエポキシ樹脂などの流動樹脂をトランスファモ
ールド法などにより充填し硬化させて図１５に示す樹脂
封止体８を形成する。
【００２２】次に、図１７を参照して第６の実施例を説
明する。図は、樹脂封止型半導体装置の断面図である。
この樹脂封止型半導体装置は、基板に樹脂封止体が形成
されていることに特徴がある。この実施例では、樹脂封
止体８の底面に露出しているボンディングワイヤ２０の
先端と接続している引出電極２１を基板３５の貫通孔３
６に形成された導電パターン３７に接合している。この
導電パターン３７は、貫通孔３６を介して裏面に延在し
ており、この裏面の導電パターンに半田ボール３８を取
り付け、これを外部回路と接続する引出電極３８とす
る。基板に樹脂封止体に被覆された複数の半導体チップ
を取り付けることもできる。
【００２３】次に、図１８を参照して第７の実施例を説
明する。この実施例では、プレートに特徴がある。ま
た、樹脂封止体の形成に用いられるプレートは、テスト
パッドを形成しておけば、半導体装置の製造工程中のテ
スト基板として使用することができる。この場合は、半
導体チップ１をプレート３９に搭載してからボンディン
グワイヤ２０の一端を半導体チップ１の電極パッド（図
示せず）に接続し他端をバンプ電極４０に接続する。バ
ンプ電極４０は、プレート３９の表面のテストパッドに
電気的に接続されるか、貫通孔３６に形成された導電パ
ターン３７を介して裏面に形成されたテストパッド４１
に電気的に接続される。ボンディングワイヤ２０を半導
体チップ１とプレート３９とに接続してからは、プレー
ト３９を取り除く時期まで何時でも半導体チップ１の集
積回路のテストを行うことができる。例えば、図１１
（ｃ）の工程から図１２（ａ）の工程までの間まで集積
回路のテストを行うことができる。
【００２４】以上のように、本発明では、半導体チップ
を被覆する樹脂封止体はプレート上に形成してから、こ
れをプレートから分離することによってボンディングワ
イヤの先端を樹脂封止体から露出させている。したがっ
て、樹脂封止体は、半導体チップを樹脂封止するまでは
適度の接着強度を有しプレートを取り外すときには容易
に接合部がはがれる必要がある。このような条件を満た
す方法としては、例えば、プレート表面にメッキ表面を
酸化させる方法やメッキの厚さを通常は５μｍ程度のと
ころを１μｍ以下にする方法などがある。また、樹脂と
の密着性を下げる必要があるので、メッキは、Ａｇメッ
キが適当である。
【００２５】
【発明の効果】リードフレームや基板の形成時間を無く
すことができるので、納期を短くし、コストを下げるこ
とが可能になる。さらに、リードフレームや基板を取り
除いた分パッケージの薄型化を進め同時に多ピン化を進
めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置
の断面図。
【図２】第１の実施例の樹脂封止型半導体装置の平面
図。
【図３】第２の実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図。
【図４】第２の実施例の樹脂封止型半導体装置の平面
図。
【図５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面
図。
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面
図。
【図７】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面
図。
【図８】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面
図。
【図９】本発明の樹脂封止型半導体装置の部分断面図。
【図１０】本発明の樹脂封止を行う樹脂金型の断面図。
【図１１】第３の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図。
【図１２】第３の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図。
【図１３】第４の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図。
【図１４】第４の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図。
【図１５】第５の実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図。
【図１６】図１５の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止を
行う樹脂金型の断面図。
【図１７】第６の実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図。
【図１８】第７の実施例の樹脂封止型半導体装置を製造
するプレートの断面図。
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図。
【図２０】従来のリードフレームの平面図。
【図２１】従来の樹脂金型の断面図。
【符号の説明】
１・・・半導体チップ、 ２・・・リードフレーム、
３・・・ダイパッド部、 ４・・・接着剤、 ５・
・・電極パッド、６・・・インナーリード、 ７、２
０・・・ボンディングワイヤ、８・・・樹脂封止体、
９・・・アウターリード、 １０・・・外枠、１１
・・・つりピン、 １２・・・樹脂金型、 １３・
・・上型、１４・・・下型、 １５・・・絶縁膜、
１６・・・キャビティ、１７・・・ゲート、 ２１
・・・引出電極、２３、３４、３９・・・プレート、
２４、３６・・・貫通孔、２５・・・ボンディングツ
ール、 ２６・・・半田ペースト、２７・・・ボンデ
ィングワイヤ先端、 ２８・・・第１の接合、２９・
・・第２の接合、 ３０・・・ボールつぶれ部、３１
・・・くさび部、 ３２・・・金属板、 ３３・・
・樹脂シート、３５・・・基板、 ４０・・・バンプ電
極、 ４１・・・テストパッド。
【手続補正書】
【提出日】平成９年２月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、ウェーハに形
成された半導体素子（半導体チップ）を個々に分割する
ダイシング工程、分割された個々の半導体チップをリー
ドフレームに搭載するダイボンディング工程、半導体チ
ップ上の電極パッドとリードフレームの内部リードとを
Ａｕ線やＡｌ線などの細線を用いて結線するワイヤボン
ディング工程、半導体チップ及びこれに付随する細線や
内部リードを樹脂封止するパッケージング工程等を経て
形成される。一般的に半導体チップを樹脂封止するに
は、圧縮成形法、ポッティング法、トランスファ成形法
等が用いられる。図１８は、従来の樹脂封止型半導体装
置の断面図であり、ＳＯＰ(Small Inline Package)型の
半導体装置である。半導体チップ１は、リードフレーム
２の半導体素子を搭載するダイパッド部３に導電性など
の接着剤４で固着されている。リードフレーム２は、樹
脂封止体内部のインナーリード部６と樹脂封止体外部の
アウターリード部９とを備えている。半導体チップ１、
ダイパッド部３、インナーリード部６等は樹脂封止体８
により被覆保護されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】樹脂封止体８は、例えば、エポキシ樹脂な
どからなり、トランスファモールド法などにより成形さ
れる。また、アウターリード部９は先端が外部回路に接
続され易いように成形されている。インナーリード部６
は樹脂封止体８の中においてその先端が半導体チップ１
と対向するように配置されている。そして、インナーリ
ード部６の先端のボンディング部と半導体チップ主面に
形成した電極パッドなどの外部電極５とは、ＡｕやＡｌ
などのボンディングワイヤ７により接続されている。外
部電極５は、半導体チップ１の主面においてＳｉＯ2 な
どの絶縁膜１５に囲まれている。次に、図１９及び図２
０を参照して従来のチップを搭載したリードフレームを
用いた樹脂封止工程を説明する。図１９は、金型に搭載
したリードフレームの平面図、図２０は、金型のキャビ
ティに配置されたリードフレームの断面図であり、図１
９のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図である。リードフレ
ーム２は、ＣｕやＦｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ合金などのシー
ト材やコイル材等の素材のエッチングや打ち抜きなどに
より成形されてなる。素材に形成されたレジストパター
ンに従ってエッチングし、インナーリード先端をＡｕメ
ッキやＡｇメッキで表面処理を施して完成させる。同様
に打ち抜き法でもプレス金型により素材をリードフレー
ムの形状にパターニングする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】リードフレーム２は、外枠１０、半導体チ
ップ１を搭載するダイパッド３、樹脂封止体に封止され
るインナーリード６及び樹脂封止体から導出するアウタ
ーリード９より構成されており、これらを１単位として
繰り返し形成されている長尺状体である。半導体チップ
１はダイパッド３に接着され、ボンディングワイヤ７に
よって半導体チップ１の電極パッド（外部電極、図示せ
ず）とインナーリード６とは接続されている。リードフ
レーム２が樹脂封止用金型１２にセットされた状態で
は、上金型１３と下金型１４の凹部で構成されるキャビ
ティ１６（図１９の点線で示す領域）内にリードフレー
ム２のインナーリード６、ダイパッド３及びダイパッド
３を支持するつりピン１１が収納されている。そして、
このキャビティ１６中に樹脂封止体となる樹脂が充填さ
れる。樹脂をキャビティ１６に注入する入り口のゲート
１７は、長方形のキャビティ１６の短辺に形成されてい
る。これは図１９のＡ−Ａ′線に沿う部分に配置されて
いる。半導体装置の樹脂封止パッケージは、半導体チッ
プが高密度化して大きくなる傾向に反してあまり変化は
少ない。したがって、樹脂封止体内における半導体チッ
プの樹脂封止体に占める割合は大きくなる一方であり、
とくに薄型パッケージを用いる半導体装置では均一に樹
脂を封止することが難しくなってきている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】請求項３の発明は、請求項１に記載の樹脂
封止型半導体装置において前記樹脂封止体は、底面部、
側面部及び上面部を有し、前記ボンディングワイヤの他
端は、前記側面部から露出していることを特徴とする。
請求項４の発明は、樹脂封止型半導体装置において主面
に複数の外部電極が形成されている半導体素子と、前記
複数の外部電極の各々にその一端が電気的に接続されて
いるボンディングワイヤと、前記半導体素子を搭載する
支持基板と、前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ
及び前記支持基板とを被覆する樹脂封止体とを備え、前
記ボンディングワイヤの他端は前記樹脂封止体から露出
していることを特徴とする。請求項５の発明は、請求項
４に記載の樹脂封止型半導体装置において前記支持基板
は、前記樹脂封止体と同じ材料から構成されていること
を特徴とする。請求項６の発明は、請求項４に記載の樹
脂封止型半導体装置において前記支持基板は、金属板か
ら構成されており、この金属板の底面は前記樹脂封止体
から露出していることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】請求項７の発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法においてプレート上に複数の外部電極が主面
に形成されている半導体素子を載置する工程と、ボンデ
ィングワイヤの一端を前記半導体素子主面の外部電極に
電気的に接続し他端を前記プレートに仮止めする工程
と、前記プレート上の前記半導体素子及び前記ボンディ
ングワイヤを樹脂封止体で被覆する工程と、前記樹脂封
止体を前記プレートから取り外して前記ボンディングワ
イヤの前記他端を露出させる工程とを備えていることを
特徴とする。請求項８の発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法において金属板上に複数の外部電極が主面に
形成されている半導体素子を固着する工程と、プレート
上に前記半導体素子を有する前記金属板を載置する工程
と、ボンディングワイヤの一端を前記半導体素子主面の
外部電極に電気的に接続しその他端を前記プレートに仮
止めする工程と、前記プレート上の前記半導体素子、前
記金属板及び前記ボンディングワイヤを樹脂封止体で被
覆する工程と、前記樹脂封止体を前記プレートから取り
外して前記ボンディングワイヤの前記他端及び前記金属
板の底面を露出させる工程とを備えていることを特徴と
する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】請求項９の発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法において樹脂板上に複数の外部電極が主面に
形成されている半導体素子を固着する工程と、プレート
上に前記半導体素子を有する前記樹脂板を載置する工程
と、ボンディングワイヤの一端を前記半導体素子主面の
外部電極に電気的に接続しその他端を前記プレートに仮
止めする工程と、前記プレート上の前記半導体素子、前
記樹脂板及び前記ボンディングワイヤをこの樹脂板と同
じ材料の樹脂封止体で被覆する工程と、前記樹脂封止体
を前記プレートから取り外して前記ボンディングワイヤ
の前記他端を露出させるとともに前記樹脂板を前記樹脂
封止体に一体化させる工程とを備えていることを特徴と
する。請求項１０の発明は、請求項７乃至請求項９に記
載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において前記プレ
ートにテストパッドを形成し、前記ボンディングワイヤ
の前記他端をこのテストパッドに電気的に接続して前記
半導体素子の内部に形成されている集積回路をテストし
てから半導体素子を樹脂封止することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】次に、図１７を参照して第６の実施例を説
明する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】この実施例は、プレートに特徴がある。ま
た、樹脂封止体の形成に用いられるプレートは、テスト
パッドを形成しておけば、半導体装置の製造工程中のテ
スト基板として使用することができる。この場合は、半
導体チップ１をプレート３９に搭載してからボンディン
グワイヤ２０の一端を半導体チップ１の電極パッド（図
示せず）に接続し他端をバンプ電極４０に接続する。バ
ンプ電極４０は、プレート３９の表面のテストパッドに
電気的に接続されるか、貫通孔３６に形成された導電パ
ターン３７を介して裏面に形成されたテストパッド４１
に電気的に接続される。ボンディングワイヤ２０を半導
体チップ１とプレート３９とに接続してからは、プレー
ト３９を取り除く時期まで何時でも半導体チップ１の集
積回路のテストを行うことができる。例えば、図１１
（ｃ）の工程から図１２（ａ）の工程までの間まで集積
回路のテストを行うことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置
の断面図。
【図２】第１の実施例の樹脂封止型半導体装置の平面
図。
【図３】第２の実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図。
【図４】第２の実施例の樹脂封止型半導体装置の平面
図。
【図５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面
図。
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面
図。
【図７】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面
図。
【図８】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程断面
図。
【図９】本発明の樹脂封止型半導体装置の部分断面図。
【図１０】本発明の樹脂封止を行う樹脂金型の断面図。
【図１１】第３の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図。
【図１２】第３の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図。
【図１３】第４の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図。
【図１４】第４の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造
工程断面図。
【図１５】第５の実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図。
【図１６】図１５の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止を
行う樹脂金型の断面図。
【図１７】第６の実施例の樹脂封止型半導体装置を製造
するプレートの断面図。
【図１８】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図。
【図１９】従来のリードフレームの平面図。
【図２０】従来の樹脂金型の断面図。
【符号の説明】 １・・・半導体チップ、 ２・・・リードフレーム、
３・・・ダイパッド部、 ４・・・接着剤、 ５・
・・電極パッド、６・・・インナーリード、 ７、２
０・・・ボンディングワイヤ、８・・・樹脂封止体、
９・・・アウターリード、 １０・・・外枠、１１
・・・つりピン、 １２・・・樹脂金型、 １３・
・・上型、１４・・・下型、 １５・・・絶縁膜、
１６・・・キャビティ、１７・・・ゲート、 ２１
・・・引出電極、２３、３４、３９・・・プレート、
２４、３６・・・貫通孔、２５・・・ボンディングツ
ール、 ２６・・・半田ペースト、２７・・・ボンデ
ィングワイヤ先端、 ２８・・・第１の接合、２９・
・・第２の接合、 ３０・・・ボールつぶれ部、３１
・・・くさび部、 ３２・・・金属板、 ３３・・
・樹脂シート、３７・・・導電パターン、 ４０・・
・バンプ電極、４１・・・テストパッド。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１７】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１８】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１９】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２０】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】削除

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 主面に複数の外部電極が形成されている
    半導体素子と、 前記複数の外部電極の各々にその一端が電気的に接続さ
    れているボンディングワイヤと、 前記半導体素子と前記ボンディングワイヤとを被覆する
    樹脂封止体とを備え、 前記ボンディングワイヤの他端は前記樹脂封止体から露
    出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記樹脂封止体は、底面部、側面部及び
    上面部を有し、前記ボンディングワイヤの他端は、前記
    底面部から露出していることを特徴とする請求項１に記
    載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記樹脂封止体は、底面部、側面部及び
    上面部を有し、前記ボンディングワイヤの他端は、前記
    側面部から露出していることを特徴とする請求項１に記
    載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 主面に複数の外部電極が形成されている
    半導体素子と、 前記複数の外部電極の各々にその一端が電気的に接続さ
    れているボンディングワイヤと、 前記半導体素子を搭載する支持基板と、 前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ及び前記支持
    基板とを被覆する樹脂封止体とを備え、 前記ボンディングワイヤの他端は前記樹脂封止体から露
    出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記支持基板は、前記樹脂封止体と同じ
    材料から構成されていることを特徴とする請求項４に記
    載の樹脂封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記支持基板は、金属板から構成されて
    おり、この金属板の底面は前記樹脂封止体から露出して
    いることを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型半導
    体装置。
  7. 【請求項７】 前記樹脂封止体から露出している前記ボ
    ンディングワイヤの前記他端は、外部回路と電気的に接
    続する半田ボールが接続されていることを特徴とする請
    求項１乃至請求項６のいづれかに記載の樹脂封止型半導
    体装置。
  8. 【請求項８】 プレート上に複数の外部電極が主面に形
    成されている半導体素子を載置する工程と、 ボンディングワイヤの一端を前記半導体素子主面の外部
    電極に電気的に接続し、他端を前記プレートに仮止めす
    る工程と、 前記プレート上の前記半導体素子及び前記ボンディング
    ワイヤを樹脂封止体で被覆する工程と、 前記樹脂封止体を前記プレートから取り外して前記ボン
    ディングワイヤの前記他端を露出させる工程とを備えて
    いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 金属板上に複数の外部電極が主面に形成
    されている半導体素子を固着する工程と、 プレート上に前記半導体素子を有する前記金属板を載置
    する工程と、 ボンディングワイヤの一端を前記半導体素子主面の外部
    電極に電気的に接続し、その他端を前記プレートに仮止
    めする工程と、 前記プレート上の前記半導体素子、前記金属板及び前記
    ボンディングワイヤを樹脂封止体で被覆する工程と、 前記樹脂封止体を前記プレートから取り外して前記ボン
    ディングワイヤの前記他端及び前記金属板の底面を露出
    させる工程とを備えていることを特徴とする樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 樹脂板上に複数の外部電極が主面に形
    成されている半導体素子を固着する工程と、 プレート上に前記半導体素子を有する前記樹脂板を載置
    する工程と、 ボンディングワイヤの一端を前記半導体素子主面の外部
    電極に電気的に接続しその他端を前記プレートに仮止め
    する工程と、 前記プレート上の前記半導体素子、前記樹脂板及び前記
    ボンディングワイヤをこの樹脂板と同じ材料の樹脂封止
    体で被覆する工程と、 前記樹脂封止体を前記プレートから取り外して前記ボン
    ディングワイヤの前記他端を露出させるとともに前記樹
    脂板を前記樹脂封止体に一体化させる工程とを備えてい
    ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記プレートにテストパッドを形成
    し、前記ボンディングワイヤの前記他端をこのテストパ
    ッドに電気的に接続して前記半導体素子の内部に形成さ
    れている集積回路をテストしてから半導体素子を樹脂封
    止することを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいづ
    れかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094019A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100384335B1 (ko) * 1999-05-18 2003-05-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지와 그 제조방법
JP2004297071A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Stmicroelectronics Inc 露出されているダイ表面及び補助アタッチメントを具備している集積回路パッケージ
JP2007531270A (ja) * 2004-03-24 2007-11-01 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ランド・グリッド・アレイ・パッケージ・デバイスおよびその形成方法
JP2009530870A (ja) * 2006-03-20 2009-08-27 マイクロン テクノロジー， インク． 集積回路デバイスのためのキャリアレスチップパッケージ、および、それを作成する方法
JP2018179994A (ja) * 2017-04-20 2018-11-15 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気検出装置、電流検出装置、磁気検出装置の製造方法、及び電流検出装置の製造方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG60102A1 (en) * 1996-08-13 1999-02-22 Sony Corp Lead frame semiconductor package having the same and method for manufacturing the same
US6215184B1 (en) * 1998-02-19 2001-04-10 Texas Instruments Incorporated Optimized circuit design layout for high performance ball grid array packages
JP3741184B2 (ja) * 1998-07-27 2006-02-01 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置
KR100379835B1 (ko) * 1998-12-31 2003-06-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지및그제조방법
JP3575001B2 (ja) 1999-05-07 2004-10-06 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ及びその製造方法
JP3398721B2 (ja) * 1999-05-20 2003-04-21 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ及びその製造方法
JP3397725B2 (ja) * 1999-07-07 2003-04-21 沖電気工業株式会社 半導体装置、その製造方法及び半導体素子実装用テープの製造方法
KR100332967B1 (ko) * 2000-05-10 2002-04-19 윤종용 디지털 마이크로-미러 디바이스 패키지의 제조 방법
US6762502B1 (en) * 2000-08-31 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor device packages including a plurality of layers substantially encapsulating leads thereof
US6770959B2 (en) 2000-12-15 2004-08-03 Silconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package without substrate and method of manufacturing same
JP4014912B2 (ja) * 2001-09-28 2007-11-28 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2003338587A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6921860B2 (en) 2003-03-18 2005-07-26 Micron Technology, Inc. Microelectronic component assemblies having exposed contacts
WO2004100255A1 (en) * 2003-04-29 2004-11-18 Semiconductor Components Industries L.L.C. Method of making a low profile packaged semiconductor device
DE10332009B4 (de) * 2003-07-14 2008-01-31 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit elektromagnetischer Abschirmvorrichtung
US7009296B1 (en) 2004-01-15 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with substrate coupled to a peripheral side surface of a semiconductor die
DE102006033701B4 (de) * 2006-07-20 2012-02-23 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauelement in VQFN-Bauweise
US9466545B1 (en) 2007-02-21 2016-10-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package in package
US7750465B2 (en) * 2007-02-28 2010-07-06 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged integrated circuit
US20090042339A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-12 Texas Instruments Incorporated Packaged integrated circuits and methods to form a packaged integrated circuit
US7932131B2 (en) * 2007-11-05 2011-04-26 Spansion Llc Reduction of package height in a stacked die configuration
KR20120119395A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN104576411A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 飞思卡尔半导体公司 双角部顶部闸道模制
US9837385B1 (en) * 2017-03-16 2017-12-05 Powertech Technology Inc. Substrate-less package structure
US11121467B2 (en) 2019-06-24 2021-09-14 Nxp Usa, Inc. Semiconductor package with compact antenna formed using three-dimensional additive manufacturing process

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2524707B1 (fr) * 1982-04-01 1985-05-31 Cit Alcatel Procede d'encapsulation de composants semi-conducteurs, et composants encapsules obtenus
JPS63249345A (ja) 1987-04-06 1988-10-17 Olympus Optical Co Ltd フレキシブル搭載基板
JPS6482656A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Nec Corp Sealing structure for hybrid integrated circuit
JPH01106456A (ja) * 1987-10-19 1989-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
US5049358A (en) * 1988-09-30 1991-09-17 Miles Inc. Composition and test device for assaying for proteins
JPH034543A (ja) * 1989-05-31 1991-01-10 Ricoh Co Ltd 半導体装置
JPH0324752A (ja) * 1989-06-22 1991-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US5200362A (en) * 1989-09-06 1993-04-06 Motorola, Inc. Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film
JPH03249345A (ja) * 1990-02-28 1991-11-07 Hitachi Ltd 電子制御燃料噴射装置
JPH03297163A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リードフレーム
US5220489A (en) * 1991-10-11 1993-06-15 Motorola, Inc. Multicomponent integrated circuit package
MY111779A (en) * 1994-11-10 2000-12-30 Nitto Denko Corp Semiconductor device
US6001671A (en) * 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
JP3897478B2 (ja) * 1999-03-31 2007-03-22 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造装置及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100384335B1 (ko) * 1999-05-18 2003-05-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지와 그 제조방법
JP2001094019A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2004297071A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Stmicroelectronics Inc 露出されているダイ表面及び補助アタッチメントを具備している集積回路パッケージ
JP2007531270A (ja) * 2004-03-24 2007-11-01 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ランド・グリッド・アレイ・パッケージ・デバイスおよびその形成方法
JP2009530870A (ja) * 2006-03-20 2009-08-27 マイクロン テクノロジー， インク． 集積回路デバイスのためのキャリアレスチップパッケージ、および、それを作成する方法
US9673121B2 (en) 2006-03-20 2017-06-06 Micron Technology, Inc. Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same
JP2018179994A (ja) * 2017-04-20 2018-11-15 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気検出装置、電流検出装置、磁気検出装置の製造方法、及び電流検出装置の製造方法

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