JPH03297163A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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Publication number
JPH03297163A
JPH03297163A JP2100952A JP10095290A JPH03297163A JP H03297163 A JPH03297163 A JP H03297163A JP 2100952 A JP2100952 A JP 2100952A JP 10095290 A JP10095290 A JP 10095290A JP H03297163 A JPH03297163 A JP H03297163A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
semiconductor device
members
lead frame
leads
Prior art date
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Pending
Application number
JP2100952A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kawashita
川下 浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH03297163A publication Critical patent/JPH03297163A/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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    • H01L2224/49433Connecting portions the connecting portions being staggered outside the semiconductor or solid-state body

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置用リードフレームに関するもので
ある。
(従来の技術) 第3図は従来の半導体装置用リードフレームの一部を示
す平面図であり、図において、(1)は半導体装置、(
2)は半導体装M(1)上に形成されたボンディングパ
ッド、(3)は半導体装置(1)を搭載するためのダイ
スパッド、(4)はインナーリードであり、(5)はボ
ンディングパッド(2)とインナーリード(4)を結線
するためのワイヤである。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置用リードフレームは以上のような構造
をなしているので、インナーリードを中へ、すなわちダ
イスパッドへ近づけようとしても、インナーリードの先
端に近づくにつれ、先端幅やインナーリード間隔が狭く
なるため、ワイヤボンド時のステッチボンド領域が確保
できないことやインナーリード自体の強度が弱くなるこ
とによる変形が起こりやすい。
そのためインナーリードをダイスパッドの方向へ近づけ
ることができず、ワイヤの長さが長くなることから生じ
るワイヤ曲がりやワイヤサグ、あるいはモール、ド時の
ワイヤ流れといったワイヤが変形するなどの問題点かあ
フた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ワイヤ長を短くできることからワイヤポンド
工程でのワイヤ曲がりやワイヤサグ、あるいはモールド
工程でのワイヤ流れを軽減させることができる半導体装
置用リードフレームを得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置用リードフレームは、ステッ
チボンド領域の部材をインナーリード先端の上下面に一
つおき交互に導電性接着剤で接着したものである。
〔作用〕
この発明における半導体装置用リードフレームは、イン
ナーリード先端にとりつけた部材により、インナーリー
ドをダイスパッドの方向へ入れたのと同様の構成になり
、ワイヤ長が短くなる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は半導体装置用リードフレームの一部を示す平面図、
第2図は第1図に示すA−Aにおける断面図である。図
において、(1)〜(5)は第3図の従来例に示したも
のと同等であるので説明を省略する。(6a)はインナ
ーリード(4)の先端上面に、また(6b)はインナー
リート(4)の先端下面にそれぞれ導電性接着剤で接着
しである部材であり、半導体装置(1)上に形成された
ボンディングパッド(2)とそれぞれワイヤ(5)で結
線されている。
次に動作について説明する。部材(6a)〜(6b)は
第2図に示すごとくインナーリード(4)の先端の上下
面に1つおきに上下に接着されていて、相隣る部材間が
接近しても短絡することがないので、半導体装置(1)
の方向に部材を従来以上に近づけても、ワイヤ(5)に
よる接続を行うことができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によればインナーリードの先端
の上下面に一つおき交互に部材を取り付け、インナーリ
ードをダイスパッドの方向へ入れたのと同様の構成にし
たので、ワイヤ長を短くできる。ワイヤ長を短くするこ
とにより、ワイヤボンデインク工程でのループ形成時に
ワイヤ長が長い場合に発生しやすかったワイヤ曲がりや
ワイヤサグが抑えられ、又モールド工程での封止樹脂注
入時のワイヤ流れを軽減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置用リード
フレームの一部を示す平面図、第2図は第1図に示すA
−Aにおける断面図、第3図は従来の半導体装置用リー
ドフレームの一部を示す平面図である。 図において、(1)は半導体装置、(2)はボンディン
グパッド、(3)はダイスパッド、(4)はインナーリ
ード、(5)はワイヤ、(6a) 、  (6b)は部
材である。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分
を示す。 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体装置を搭載するためのダイスパッドを半導体装
    置上に形成されたボンディングパッドとワイヤを用いて
    結線するためのインナーリードとを備えた半導体装置用
    リードフレームにおいて、上記インナーリードの先端に
    ステッチボンド領域の部材をインナーリードの上下面一
    つおき交互に導電性接着剤で接着したことを特徴とする
    半導体装置用リードフレーム。
JP2100952A 1990-04-16 1990-04-16 半導体装置用リードフレーム Pending JPH03297163A (ja)

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JP2100952A JPH03297163A (ja) 1990-04-16 1990-04-16 半導体装置用リードフレーム

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5869905A (en) * 1996-01-15 1999-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same
US6225685B1 (en) 2000-04-05 2001-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. Lead frame design for reduced wire sweep having a defined gap between tie bars and lead pins
DE102008051491A1 (de) * 2008-10-13 2010-04-29 Tyco Electronics Amp Gmbh Leadframe für elektronische Bauelemente

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5869905A (en) * 1996-01-15 1999-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same
US6258632B1 (en) 1996-01-15 2001-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same
US6225685B1 (en) 2000-04-05 2001-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. Lead frame design for reduced wire sweep having a defined gap between tie bars and lead pins
DE102008051491A1 (de) * 2008-10-13 2010-04-29 Tyco Electronics Amp Gmbh Leadframe für elektronische Bauelemente
US8927342B2 (en) 2008-10-13 2015-01-06 Tyco Electronics Amp Gmbh Leadframe for electronic components

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