JP3055581B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型パッケージ（THIN
SMALL OUTLINE PACKAGE）用半導体装置に関する。
SMALL OUTLINE PACKAGE）用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】面付け型のパッケージでは高密度実装の
要求から年々、薄型化してきている。図４、５は現在試
作検討中の薄型パッケージである（タイプ１−ＴＳＯ
Ｐ）。
要求から年々、薄型化してきている。図４、５は現在試
作検討中の薄型パッケージである（タイプ１−ＴＳＯ
Ｐ）。
【０００３】このパッケージ構造（LEAD ON CHIP）で
は、電源ライン（バスバー）２がチップ４内側に２本配
置されており信号用のワイヤ５は前記電源ライン２上を
通過してチップ４上のパッド４ａへワイヤボンドされる
構造となっている。また、薄型化を図るためにボンディ
ングワイヤ５の成形高さを従来の半円形（図６参照）よ
りも低くする台形ループ（図７参照）が採用され、パッ
ケージの総厚さとして約１ｍｍのパッケージが現在試作
されている。１はリードフレーム、３はポリイミドフィ
ルム（両面接着剤付）である。
は、電源ライン（バスバー）２がチップ４内側に２本配
置されており信号用のワイヤ５は前記電源ライン２上を
通過してチップ４上のパッド４ａへワイヤボンドされる
構造となっている。また、薄型化を図るためにボンディ
ングワイヤ５の成形高さを従来の半円形（図６参照）よ
りも低くする台形ループ（図７参照）が採用され、パッ
ケージの総厚さとして約１ｍｍのパッケージが現在試作
されている。１はリードフレーム、３はポリイミドフィ
ルム（両面接着剤付）である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】パッケージの薄型化に
ついては、現状のＬＯＣ構造を採用する限り各構成要素
（リードフレーム１、絶縁フィルム３、シリコンチップ
４）の累積厚さとなるために限界がある。
ついては、現状のＬＯＣ構造を採用する限り各構成要素
（リードフレーム１、絶縁フィルム３、シリコンチップ
４）の累積厚さとなるために限界がある。
【０００５】これらＴＳＯＰはＩＣカードへの使用が検
討されており、従来の厚さ１ｍｍ程度では適用が困難と
考えられ、さらに他構造による薄型化を図って行く必要
がある。
討されており、従来の厚さ１ｍｍ程度では適用が困難と
考えられ、さらに他構造による薄型化を図って行く必要
がある。
【０００６】本発明の目的は、従来技術の欠点を解消
し、パッケージの薄型化を大幅に改善した半導体装置を
提供することにある。
し、パッケージの薄型化を大幅に改善した半導体装置を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明によれば、リードフレームのインナーリード部
の先端方向のさらに前方に電源用のバスバーを有し、シ
リコンチップ上のパッドとリードフレームのインナーリ
ード部との間および前記シリコンチップ上のパッドと前
記バスバーとの間をそれぞれボンディングワイヤで接続
してなる半導体装置において、前記バスバーでシリコン
チップの側面が固定され、かつ前記ボンディングワイヤ
により接続されるリードフレームのインナーリード部お
よびバスバーの接続面が少なくとも前記シリコンチップ
上のパッドより高くならないように配置されてボンディ
ングされていることを特徴とする半導体装置が提供され
る。
に本発明によれば、リードフレームのインナーリード部
の先端方向のさらに前方に電源用のバスバーを有し、シ
リコンチップ上のパッドとリードフレームのインナーリ
ード部との間および前記シリコンチップ上のパッドと前
記バスバーとの間をそれぞれボンディングワイヤで接続
してなる半導体装置において、前記バスバーでシリコン
チップの側面が固定され、かつ前記ボンディングワイヤ
により接続されるリードフレームのインナーリード部お
よびバスバーの接続面が少なくとも前記シリコンチップ
上のパッドより高くならないように配置されてボンディ
ングされていることを特徴とする半導体装置が提供され
る。
【０００８】
【実施例】以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明
する。
する。
【０００９】図１は本発明の半導体装置の一実施例を示
したものであり、シリコンチップ４とリードフレーム１
の接合部の詳細を図２に示した。シリコンチップ４とバ
スバー２の接合は、あらかじめバスバー２側面またはシ
リコンチップ４側面に両面接着剤付フィルム３（例えば
ポリイミドフィルム３の両面に接着剤を塗布したもの）
を貼付けておき、次にシリコンチップ４の側面とリード
フレーム１のバスバー２とを同一平面状に接着する。続
いて、常法によりシリコンチップ４上のパッド４ａとイ
ンナーリード部１ａとの間および前記シリコンチップ４
上のパッド４ａとバスバー２との間をそれぞれボンディ
ングワイヤ５、８で接続する。なお、バスバー２のワイ
ヤボンディング面は、シリコンチップのボンディング面
と同一面かそれよりも低くする必要がある。それにより
ボンディングワイヤ５とバスバー２のショートが防止で
きる。また、バスバー２、シリコンチップ４間のフィル
ム３は同様の目的から前記両ボンディング面と同一かそ
れ以上の高さに形成して接着する必要がある。
したものであり、シリコンチップ４とリードフレーム１
の接合部の詳細を図２に示した。シリコンチップ４とバ
スバー２の接合は、あらかじめバスバー２側面またはシ
リコンチップ４側面に両面接着剤付フィルム３（例えば
ポリイミドフィルム３の両面に接着剤を塗布したもの）
を貼付けておき、次にシリコンチップ４の側面とリード
フレーム１のバスバー２とを同一平面状に接着する。続
いて、常法によりシリコンチップ４上のパッド４ａとイ
ンナーリード部１ａとの間および前記シリコンチップ４
上のパッド４ａとバスバー２との間をそれぞれボンディ
ングワイヤ５、８で接続する。なお、バスバー２のワイ
ヤボンディング面は、シリコンチップのボンディング面
と同一面かそれよりも低くする必要がある。それにより
ボンディングワイヤ５とバスバー２のショートが防止で
きる。また、バスバー２、シリコンチップ４間のフィル
ム３は同様の目的から前記両ボンディング面と同一かそ
れ以上の高さに形成して接着する必要がある。
【００１０】なお、本発明の参考例として、バスバー
２、シリコンチップ４間に接着剤付フィルムを使用せず
図３に示すように、リードフレーム１外枠に配置したチ
ップ吊リード７にシリコンチップ４の側面を接着剤６で
接着し、次にシリコンチップ４上のパッド４ａとリード
フレーム１のインナーリード部１ａとの間および前記シ
リコンチップ４上のパッド４ａとバスバー２との間をそ
れぞれボンディングワイヤ５、８で接続することによっ
て同一効果を得ることができる。この場合は前記ボンデ
ィングワイヤ５およびバスバー２、シリコンチップ４間
を接続するボンディングワイヤ８の長さを短縮すること
ができる。本発明において、リードフレーム１は材質、
ピン数等について特に限定されない。また、絶縁部材
（フィルム３）および接着剤６の材質も特に限定されな
い。
２、シリコンチップ４間に接着剤付フィルムを使用せず
図３に示すように、リードフレーム１外枠に配置したチ
ップ吊リード７にシリコンチップ４の側面を接着剤６で
接着し、次にシリコンチップ４上のパッド４ａとリード
フレーム１のインナーリード部１ａとの間および前記シ
リコンチップ４上のパッド４ａとバスバー２との間をそ
れぞれボンディングワイヤ５、８で接続することによっ
て同一効果を得ることができる。この場合は前記ボンデ
ィングワイヤ５およびバスバー２、シリコンチップ４間
を接続するボンディングワイヤ８の長さを短縮すること
ができる。本発明において、リードフレーム１は材質、
ピン数等について特に限定されない。また、絶縁部材
（フィルム３）および接着剤６の材質も特に限定されな
い。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、パッケージを平面状に構成することにより
フィルムおよびリードフレームのインナーリード部の厚
さ分パッケージ厚さを薄くすることができる。
ているので、パッケージを平面状に構成することにより
フィルムおよびリードフレームのインナーリード部の厚
さ分パッケージ厚さを薄くすることができる。
【図１】 本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図
である。
である。
【図２】 図１の部分拡大斜視図である。
【図３】 本発明の半導体装置の他の実施例を示す要部
斜視図である。
斜視図である。
【図４】 従来のＬＯＣパッケージの断面図である。
【図５】 従来のＴＳＯＰの要部斜視図である。
【図６】 従来のボンディングワイヤの形状例を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図７】 従来のボンディングワイヤの他の形状例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
１ リードフレーム １ａ インナーリード部 ２ バスバー ３ フィルム（両面接着剤付） ４ シリコンチップ ４ａ パッド ５ ボンディングワイヤ ６ 接着剤 ７ チップ吊リード ８ ボンディングワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉 本 洋 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 金属研究所内 (72)発明者 高 坂 博 之 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 金属研究所内 (72)発明者 坂 東 良 則 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社 電線工場内 (72)発明者 安 生 一 郎 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所 武蔵工場内 (72)発明者 有 田 順 一 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所 武蔵工場内 (56)参考文献 特開 昭58−53852（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−240055（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−220464（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 21/52
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームのインナーリード部の先端
方向のさらに前方に電源用のバスバーを有し、シリコン
チップ上のパッドとリードフレームのインナーリード部
との間および前記シリコンチップ上のパッドと前記バス
バーとの間をそれぞれボンディングワイヤで接続してな
る半導体装置において、前記バスバーでシリコンチップ
の側面が固定され、かつ前記ボンディングワイヤにより
接続されるリードフレームのインナーリード部およびバ
スバーの接続面が少なくとも前記シリコンチップ上のパ
ッドより高くならないように配置されてボンディングさ
れていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3812792A JP3055581B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3812792A JP3055581B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235249A JPH05235249A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3055581B2 true JP3055581B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=12516792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3812792A Expired - Fee Related JP3055581B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055581B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW270213B (ja) * | 1993-12-08 | 1996-02-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JP2582534B2 (ja) * | 1994-08-16 | 1997-02-19 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP3812792A patent/JP3055581B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05235249A (ja) | 1993-09-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000314 |
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