JPH0685151A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents

半導体装置とその製造方法

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JPH0685151A
JPH0685151A JP23484192A JP23484192A JPH0685151A JP H0685151 A JPH0685151 A JP H0685151A JP 23484192 A JP23484192 A JP 23484192A JP 23484192 A JP23484192 A JP 23484192A JP H0685151 A JPH0685151 A JP H0685151A
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JP
Japan
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die
semiconductor device
lead frame
die pad
semiconductor
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JP23484192A
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English (en)
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Yuugo Koyama
裕吾 小山
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】半導体チップ1と半導体装置のチップの周囲に
配されたインナーリード4と、半導体チップとインナー
リードとをワイヤ5によりボンディングしている、樹脂
封止された半導体装置において、リードフレーム上の、
ダイパッド2が二つもしくは二つ以上の互いに分離した
ものからなるリードフレームを用いた半導体装置。また
上記の分離したダイパッド部を、一本もしくは二本以上
の支持腕で接続、あるいはリードフレームのインナーリ
ードの一部分が上記のダイパッドの分割された部分に入
り込ませたリードフレームを用いた半導体装置。 【効果】ダイボンド後のDB剤の熱膨張によるダイパッ
ド、半導体チップへの影響を緩和できる。またマルチチ
ップではアース電位を個別にとることが可能となり、さ
らに半導体チップのリードに面していない側のパッドを
パッド間結線やアース結線、外部への信号入出力端子と
して有効に使用可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の組立工程で
用いられるリードフレームの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置に用いられるリードフ
レームは、図3に示されるように正方形或いは長方形の
形状を持つ一枚板のダイパッド2で形成されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】現在半導体装置は高集
積化、高機能化等ニーズによる半導体チップのI/Oピ
ン数(入出力端子数)増加の傾向があり、現状の半導体
チップの大きさではアセンブリ技術に対処しきれない点
がでてくる。そのため、半導体チップそのものが大きく
ならなければならない。半導体チップサイズが拡大する
と、上記従来技術のダイパッド形状のリードフレームで
はダイボンド後に接着剤(以降DB剤と呼ぶ)の熱によ
る膨張率の変化によりダイパッド或いは半導体チップに
反りが生じる。
【0004】又、半導体装置の薄型化による半導体チッ
プ、ダイパッドの薄型化によって従来サイズの半導体チ
ップを考えても、それぞれの曲げ強度の劣化により上記
と同様の問題が考えられる。
【0005】次にマルチチップについて考えてみる。上
記従来技術のリードフレームを用いてダイパッド上に半
導体チップを複数個搭載したとき半導体チップ間のパッ
ド間結線はできるが、例えばアースをとるときダイパッ
ドに端子を持ってくるとアース電位が皆共通になってし
まいアース電位の個別化を図るときに具合が悪い。また
半導体チップのリードに面していない側のパッドをパッ
ド間結線或いはアース電位をとる以外直接外部端子に対
しての信号入出力端子とさせる事は難しい。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、半導体チップを外部端子と接続するために用いるリ
ードフレームにおいて、 1)リードフレーム上のダイパッド部が二つもしくは二
つ以上の同一面積且つ同一形状の互いに分離したものか
ら成っている事を特徴とするリードフレーム。
【0007】2)リードフレーム上のダイパッド部が二
つもしくは二つ以上の相異なる面積、或いは相異なる形
状の互いに分離した物からなっている事を特徴とするリ
ードフレーム。
【0008】が用いられている事を特徴とする。
【0009】また上記1)、2)のそれぞれにおいて 3)分離されたダイパッド部が一本もしくは二本以上の
直線或いは曲線で織りなされていることを特徴とするリ
ードフレーム。
【0010】であってもよい。
【0011】また上記1)、2)、3)のそれぞれにお
いて 4)インナーリードの一部分がダイパッドの分割された
部分に入り込んでいる事を特徴とするリードフレーム。
【0012】であってもよい。
【0013】
【実施例】以下、本発明について実施例に基づいて詳細
に説明する。
【0014】図1は本発明の一実施例を示す要部の図で
ある。1はICチップ、2はダイパッド、3はタブ吊り
リード、4はインナーリード、5はワイヤである。また
図1で用いているリードフレームを図2に示す。リード
フレームのダイパッド部が分割されており分割された両
方の部位にかかるようにICチップは載る。従来は図3
のようにダイパッド部が一つの部分から成っており本発
明ではそれが分離された形になっている。図1のように
ダイパッドが二つの同一面積、同一形状の部分から成っ
ていなくても良く、例えば図4のように四つの同一面積
同一形状の部分から成っていたり、図5のように二つの
相異なる面積、形状を持つ部分から成っていたり、図6
のように三つの相異なる面積、形状を持つものから成っ
ていたりしても良い。
【0015】図7は本発明のリードフレームの一実施例
を示す。図2とは異なり、分離されたダイパッドが一本
の直線で織りなされる支持腕で接続されている。この支
持腕の形状は一本、直線である必要はなく、例えば図8
のようにように曲線で織りなされる一本の支持腕でも良
いし、図9のように直線で織りなされる二本の支持腕で
も良い。
【0016】図10は本発明の一実施例である。2はダ
イパッド、4はインナーリード、3はタブ吊りリードで
ある。ダイパッドの分割された部分にインナーリードの
一部分が入り込んでいることを特徴としてこの入り込ん
でいるインナーリードの長さは図10のようにダイパッ
ドの中心部まで延びている必要はなく、また一本である
必要もない。また分割も4カ所が分離する必要もない。
図11に本発明のリードフレームを用いた半導体装置の
一実施例の要部の図である。図11のリードフレームに
半導体チップ1を搭載しており、複数個の半導体チップ
がダイパッド上に搭載されている場合に半導体チップの
全パッドが有効に使えることになる。この図では入り込
んでいるインナーリードがそれぞれの分離部分で2本ず
つありこれが実際にはもっと多くのリード本数になる可
能性もある。このように結線すれば半導体チップのそれ
ぞれの端子で複数の電位を保持したいときにはそれぞれ
を同一リードに結線することで済むし、また従来使えな
かった側のパッドから配線を引き出してボンディングす
る事が可能になる。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように本発明の半導体装置用
リードフレームは、従来のリードフレームのダイパッド
が一つの四辺形形状から成るのに対し複数の分離された
ダイパッドから成り、またそれぞれが支持腕で接続され
て形成される事で、ダイボンド後のDB剤の熱膨張によ
るダイパッド、半導体チップへの影響が接触面積が少な
い事から緩和される。
【0018】またマルチチップでアース電位を個別にと
ることが可能になり、また半導体チップのリードに面し
ていない側のパッドがパッド間結線やアースをとるだけ
でなく、外部への信号入出力端子機能も果たす事になり
パッドを有効に使える事になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の一実施例を示す要部の
図。
【図2】本発明の半導体装置のリードフレームの一実施
例を示す図。
【図3】従来の半導体装置の図。
【図4】本発明の半導体装置のリードフレームの一実施
例を示す要部の図(ダイパッドが4つの同一面積、形状
から成っている)。
【図5】本発明の半導体装置のリードフレームの一実施
例を示す要部の図(分離されたダイパッドが2つの相異
なる面積、形状から成っている)。
【図6】本発明の半導体装置のリードフレームの一実施
例を示す要部の図(分離されたダイパッドが3つの相異
なる面積、形状から成っている)。
【図7】本発明の半導体装置のリードフレームの一実施
例を示す要部の図(分離されたダイパッドが1本の支持
腕で接続されている)。
【図8】本発明の半導体装置のリードフレームを用いた
半導体装置の一実施例の要部の図(支持腕が曲線)。
【図9】本発明の半導体装置のリードフレームを用いた
半導体装置の一実施例の要部の図(支持腕が複数本)。
【図10】本発明の半導体装置のリードフレームの一実
施例を示す要部の図(分離されたダイパッドの間にイン
ナーリードが入り込んでいる)。
【図11】本発明の半導体装置のリードフレームを用い
た半導体装置の一実施例の要部の図(複数の半導体チッ
プが搭載されている)。
【符号の説明】
1・・・ICチップ 2・・・ダイパッド 3・・・タブ吊りリード 4・・・インナーリード 5・・・ワイヤ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップと半導体装置のチップの周囲
    に配されたインナーリードと、半導体チップとインナー
    リードとをワイヤによりボンディングしている、樹脂封
    止された半導体装置において、リードフレーム上の、ダ
    イパッドが二つもしくは二つ以上の互いに分離したもの
    から成っているリードフレームを用いたことを特徴とす
    る半導体装置。
  2. 【請求項2】半導体チップと半導体装置のチップの周囲
    に配されたインナーリードと、半導体チップとインナー
    リードとをワイヤによりボンディングしている、樹脂封
    止された半導体装置において、リードフレーム上の、ダ
    イパッドが二つもしくは二つ以上の互いに分離したもの
    から成っているリードフレームを用いたことを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】請求項1記載の半導体装置のリードフレー
    ムのダイパッド部が一本もしくは二本以上の支持腕で接
    続されているリードフレームを用いたことを特徴とする
    半導体装置。
  4. 【請求項4】請求項1または請求項2記載の半導体装置
    のリードフレームのインナーリードの一部分がダイパッ
    ドの分割された部分に入り込んでいるリードフレームを
    用いたことを特徴とする半導体装置。
JP23484192A 1992-09-02 1992-09-02 半導体装置とその製造方法 Pending JPH0685151A (ja)

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236685A (ja) * 1994-12-14 1996-09-13 Anam Ind Co Inc 半導体パッケージのリードフレーム構造
EP0833382A1 (en) * 1996-09-30 1998-04-01 STMicroelectronics S.r.l. Plastic package for electronic devices
US5982028A (en) * 1995-02-28 1999-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor device with good thermal behavior
KR100265460B1 (ko) * 1995-10-30 2000-09-15 윤종용 응력을 완충하는 형상의 다이패드를 갖는 리드프레임
DE10205563A1 (de) * 2002-02-11 2003-08-28 Advanced Micro Devices Inc Halbleiter-Die-Packung mit zwei Die-Paddles
SG102051A1 (en) * 2001-05-25 2004-02-27 Shinko Electric Ind Co Method of production of lead frame, lead frame, and semiconductor device
US7187063B2 (en) 2002-07-29 2007-03-06 Yamaha Corporation Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor
JP2009009957A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Nec Electronics Corp 半導体装置
US9349628B2 (en) 2013-02-25 2016-05-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method and an alignment plate for engaging a stiffener frame and a circuit board

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236685A (ja) * 1994-12-14 1996-09-13 Anam Ind Co Inc 半導体パッケージのリードフレーム構造
US5982028A (en) * 1995-02-28 1999-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor device with good thermal behavior
KR100265460B1 (ko) * 1995-10-30 2000-09-15 윤종용 응력을 완충하는 형상의 다이패드를 갖는 리드프레임
EP0833382A1 (en) * 1996-09-30 1998-04-01 STMicroelectronics S.r.l. Plastic package for electronic devices
US6281566B1 (en) 1996-09-30 2001-08-28 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Plastic package for electronic devices
SG102051A1 (en) * 2001-05-25 2004-02-27 Shinko Electric Ind Co Method of production of lead frame, lead frame, and semiconductor device
DE10205563A1 (de) * 2002-02-11 2003-08-28 Advanced Micro Devices Inc Halbleiter-Die-Packung mit zwei Die-Paddles
DE10205563B4 (de) * 2002-02-11 2009-06-10 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Gehäustes Halbleiterbauelement mit zwei Die-Paddles sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
US7187063B2 (en) 2002-07-29 2007-03-06 Yamaha Corporation Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor
US7494838B2 (en) 2002-07-29 2009-02-24 Yamaha Corporation Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor
US7541665B2 (en) 2002-07-29 2009-06-02 Yamaha Corporation Lead frame for a magnetic sensor
US8138757B2 (en) 2002-07-29 2012-03-20 Yamaha Corporation Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor
JP2009009957A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Nec Electronics Corp 半導体装置
US8076771B2 (en) 2007-06-26 2011-12-13 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device having metal cap divided by slit
US9349628B2 (en) 2013-02-25 2016-05-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method and an alignment plate for engaging a stiffener frame and a circuit board

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