JPS6343354A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6343354A JPS6343354A JP61186344A JP18634486A JPS6343354A JP S6343354 A JPS6343354 A JP S6343354A JP 61186344 A JP61186344 A JP 61186344A JP 18634486 A JP18634486 A JP 18634486A JP S6343354 A JPS6343354 A JP S6343354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- wiring board
- wires
- integrated circuit
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035936 sexual power Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、配線基板上に複数の半導体チップを取付け、
リードフレームによl−ド付け、樹脂封止全行った樹脂
封止型の混成集積回路装置に関する。
リードフレームによl−ド付け、樹脂封止全行った樹脂
封止型の混成集積回路装置に関する。
従来のこの種の混成集積回路装置は、第3図の断面図V
こ示すように、複数の半導体チップ5が実装された配線
基板1をリードフレームのアイランド13に接続し、ア
イランド13の周囲に内端部が集るようVこ配置された
リードフレームのリード12の内端部と配線基板の電極
ランドとの間を、接続導線8でもって接続し、接続導線
8を含めて配線基板13と共に封止)財脂7内Vこ封止
されてなるものであった。
こ示すように、複数の半導体チップ5が実装された配線
基板1をリードフレームのアイランド13に接続し、ア
イランド13の周囲に内端部が集るようVこ配置された
リードフレームのリード12の内端部と配線基板の電極
ランドとの間を、接続導線8でもって接続し、接続導線
8を含めて配線基板13と共に封止)財脂7内Vこ封止
されてなるものであった。
上述した従来の混成集積回路装置では、金属よシなるリ
ードフレームのアイランドに、ガラスエポキシ等により
構成される配線基板が接着されていた。このような熱膨
張係数の異なる材料が接着される構造では、小型の場合
は問題ないが、混成集積回路の規模が犬きくなシ、外形
寸法が大きくなるにつれて、熱膨張係数の違いによる熱
応力のために、信頌性上充分な性能が期待できなくなる
可能性がある。
ードフレームのアイランドに、ガラスエポキシ等により
構成される配線基板が接着されていた。このような熱膨
張係数の異なる材料が接着される構造では、小型の場合
は問題ないが、混成集積回路の規模が犬きくなシ、外形
寸法が大きくなるにつれて、熱膨張係数の違いによる熱
応力のために、信頌性上充分な性能が期待できなくなる
可能性がある。
本発明の混成集積回路装置は、従来、配線基板を接着し
ていたリードフレームのアイランド部分が除かれている
リードフレームを用いることにより、アイランドと配線
基板の接着構造から生じる従来装置の熱応力に対するア
ンバランスを解消し、より信頼性の高いマルチチップ樹
脂封止凰混成集積回路装置を実現することができる。
ていたリードフレームのアイランド部分が除かれている
リードフレームを用いることにより、アイランドと配線
基板の接着構造から生じる従来装置の熱応力に対するア
ンバランスを解消し、より信頼性の高いマルチチップ樹
脂封止凰混成集積回路装置を実現することができる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。第1図にお
いて、1は配線基板、2はリードフレームのリード、3
は配線基板1の電極ランドとリードフレームのリード内
端部との間を接続している接続導線、5は、配線基板1
上に固着され、ワイヤ6によシワイヤボンディングされ
たチップを示す。7は全体を樹脂封止した封止樹脂を示
す。配線基板とリードとの間を接続したワイヤ3は、チ
ップと配線基板を接続したワイヤ6よりも太い金属細線
を使用している。
いて、1は配線基板、2はリードフレームのリード、3
は配線基板1の電極ランドとリードフレームのリード内
端部との間を接続している接続導線、5は、配線基板1
上に固着され、ワイヤ6によシワイヤボンディングされ
たチップを示す。7は全体を樹脂封止した封止樹脂を示
す。配線基板とリードとの間を接続したワイヤ3は、チ
ップと配線基板を接続したワイヤ6よりも太い金属細線
を使用している。
第2図は、本発明の他の実施例の断面図であり、第1図
では、太いワイヤ3により、リードフレームと配線基板
を機械的に固定していたものに対して、第2図の例は、
配線基板とリードとの間の接続導線8は、チップと配線
基板との間のワイヤ6と同一の直径の金属細線全使用す
るかわりに、リードフレームと配線基板の近接部分をエ
ポキシ系のプリコート樹脂4を塗布することにより、リ
ードフレームと配線基板の固定を行っている。
では、太いワイヤ3により、リードフレームと配線基板
を機械的に固定していたものに対して、第2図の例は、
配線基板とリードとの間の接続導線8は、チップと配線
基板との間のワイヤ6と同一の直径の金属細線全使用す
るかわりに、リードフレームと配線基板の近接部分をエ
ポキシ系のプリコート樹脂4を塗布することにより、リ
ードフレームと配線基板の固定を行っている。
以上説明したように本発明は、一般的なリードフレーム
から、配M基板を固着するアイランド部が除かれたリー
ドフレームを用いることにより、アイランド固着の従来
の熱応力に対するアンバランスが改善され、信頼性の向
上が得られる。また、リードフレームから、大きなアイ
ランドが取除かれているため、リードフレームのコスト
ダウンやさらに、配線基板の接着などの工数節減効果も
得られる。
から、配M基板を固着するアイランド部が除かれたリー
ドフレームを用いることにより、アイランド固着の従来
の熱応力に対するアンバランスが改善され、信頼性の向
上が得られる。また、リードフレームから、大きなアイ
ランドが取除かれているため、リードフレームのコスト
ダウンやさらに、配線基板の接着などの工数節減効果も
得られる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は本発明の
他の実施例の断面図、第3図は従来の樹脂封止型半導体
装置の断面図である。 1・・・・・・配線基板、2.12・・・・・・リード
フレームのリード、3.8・・・・・・リード接続4線
、4・・・・・・プリコート樹脂、5・・・・・・半纏
体チップ、6・・−・・・チップボンディングワイヤ、
7・・・・・・封止樹脂、13・・・・・・リードフレ
ームのアイランド。
他の実施例の断面図、第3図は従来の樹脂封止型半導体
装置の断面図である。 1・・・・・・配線基板、2.12・・・・・・リード
フレームのリード、3.8・・・・・・リード接続4線
、4・・・・・・プリコート樹脂、5・・・・・・半纏
体チップ、6・・−・・・チップボンディングワイヤ、
7・・・・・・封止樹脂、13・・・・・・リードフレ
ームのアイランド。
Claims (1)
- 複数の半導体チップがワイヤボンディングにより実装さ
れた配線基板と、前記配線基板が配置される中央空所を
残して、この空所の周囲にリード内端部が集るように配
置された多数のリードをもつリードフレームと、前記リ
ードフレームの中央空所に配置された前記配線基板の電
極ランドと前記リード内端部との間を接続する接続導線
と、前記リード内端部および接続導線ならびに配線基板
を共に一体に封止した封止樹脂とを含むことを特徴とす
る混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61186344A JPS6343354A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61186344A JPS6343354A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6343354A true JPS6343354A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16186713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61186344A Pending JPS6343354A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6343354A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013179205A1 (en) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Visic Technologies Ltd. | Semiconductor die package |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5998545A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186344A patent/JPS6343354A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5998545A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013179205A1 (en) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Visic Technologies Ltd. | Semiconductor die package |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6297547B1 (en) | Mounting multiple semiconductor dies in a package | |
US6103547A (en) | High speed IC package configuration | |
US6175149B1 (en) | Mounting multiple semiconductor dies in a package | |
US5245215A (en) | Multichip packaged semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US5648682A (en) | Resin-sealed semiconductor device and lead frame used in a resin-sealed semiconductor device | |
US5508556A (en) | Leaded semiconductor device having accessible power supply pad terminals | |
US7247944B2 (en) | Connector assembly | |
US4534105A (en) | Method for grounding a pellet support pad in an integrated circuit device | |
JPH1092972A (ja) | 集積回路用パッケージ | |
US5719748A (en) | Semiconductor package with a bridge for chip area connection | |
JPS6343354A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2936819B2 (ja) | Icチップの実装構造 | |
KR100207902B1 (ko) | 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지 | |
JPS60150660A (ja) | 半導体装置 | |
JP2522182B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS6276661A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
KR0152950B1 (ko) | 반도체 패키지용 리드 프레임 | |
JPS649734B2 (ja) | ||
JPS63141329A (ja) | Icパツケ−ジ | |
JPH06204391A (ja) | 集積回路用セラミック・リードオンチップ・パッケージと方法 | |
KR930005487B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP2752950B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH054279Y2 (ja) | ||
JPS634951B2 (ja) | ||
JPH03155143A (ja) | 半導体装置の実装方法 |