JP2679848B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体素子をダイステージ部に搭載し、樹脂にてモー
ルドした樹脂封止型半導体装置に関し、 放熱性の向上と、リードと樹脂との密着強度の向上及
びダイステージ部の変形の防止を目的とし、 半導体素子を搭載するダイステージ部と、半導体素子
の電極とワイヤにより接続する複数本のインナーリード
部と、該インナーリード部と一体に接続形成されらアウ
ターリード部とを有し、該ダイステージ部に半導体素子
を搭載するとともに、その電極をワイヤによりインナー
リード部に接続し、さらに、前記半導体素子を搭載した
ダイステージ部とインナーリード部とを樹脂にて包み込
むようにモールドした半導体装置において、上記インナ
ーリード部の中央部のものをダイステージ部に接続して
一体に形成してなるように構成する。
ルドした樹脂封止型半導体装置に関し、 放熱性の向上と、リードと樹脂との密着強度の向上及
びダイステージ部の変形の防止を目的とし、 半導体素子を搭載するダイステージ部と、半導体素子
の電極とワイヤにより接続する複数本のインナーリード
部と、該インナーリード部と一体に接続形成されらアウ
ターリード部とを有し、該ダイステージ部に半導体素子
を搭載するとともに、その電極をワイヤによりインナー
リード部に接続し、さらに、前記半導体素子を搭載した
ダイステージ部とインナーリード部とを樹脂にて包み込
むようにモールドした半導体装置において、上記インナ
ーリード部の中央部のものをダイステージ部に接続して
一体に形成してなるように構成する。
本発明は半導体素子をダイステージ部に搭載し、樹脂
にてモールドした樹脂封止型半導体装置に関する。
にてモールドした樹脂封止型半導体装置に関する。
半導体製造技術の向上によりIC,LSIの集積密度は著し
く上昇しており、集積密度の上昇に伴って、単位面積当
たりの発熱量も著しく高くなってきている。この発生し
た熱をいかに外気へ放出していくかが重要な課題となっ
ている。
く上昇しており、集積密度の上昇に伴って、単位面積当
たりの発熱量も著しく高くなってきている。この発生し
た熱をいかに外気へ放出していくかが重要な課題となっ
ている。
第４図は従来の樹脂封止型半導体装置を説明するため
の図であり（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）は
半導体装置の断面図である。
の図であり（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）は
半導体装置の断面図である。
（ａ）図に示すリードフレーム１は１個のみを示して
いるが実際は左右に連続して帯状の板金からプレスで打
抜き形成される。隣接するリードフレームは上下１対の
タイバー2,2′で接続されている。またリードフレーム
１は半導体素子を搭載する部分であるダイステージ部３
と、該ダイステージ部に搭載した半導体素子の電極を外
部に引き出す複数本のインナーリード部４とアウターリ
ード部５とを有し、ダイステージ部３はタイバー6,6′
でタイバー2,2′に支持され、インナーリード部４及び
アウターリード部５はそれぞれタイバー7,7′及び8,8′
でタイバー2,2′に接続されている。
いるが実際は左右に連続して帯状の板金からプレスで打
抜き形成される。隣接するリードフレームは上下１対の
タイバー2,2′で接続されている。またリードフレーム
１は半導体素子を搭載する部分であるダイステージ部３
と、該ダイステージ部に搭載した半導体素子の電極を外
部に引き出す複数本のインナーリード部４とアウターリ
ード部５とを有し、ダイステージ部３はタイバー6,6′
でタイバー2,2′に支持され、インナーリード部４及び
アウターリード部５はそれぞれタイバー7,7′及び8,8′
でタイバー2,2′に接続されている。
半導体装置は（ｂ）図に示すように、リードフレーム
のダイステージ部３に半導体素子９を搭載し、その電極
とインナーリード部４とをワイヤ10で接続した後、該ダ
イステージ部３とインナーリード部４とを包み込むよう
に樹脂11でモールドし、その後リードフレームの各タイ
バー2,2′,7,7′,8,8′を除去し、さらにアウターリー
ド部５を折曲成形して完成体としている。
のダイステージ部３に半導体素子９を搭載し、その電極
とインナーリード部４とをワイヤ10で接続した後、該ダ
イステージ部３とインナーリード部４とを包み込むよう
に樹脂11でモールドし、その後リードフレームの各タイ
バー2,2′,7,7′,8,8′を除去し、さらにアウターリー
ド部５を折曲成形して完成体としている。
上記従来の半導体装置では、半導体素子９を搭載した
ダイステージ部３が樹脂11で密封されているため、半導
体素子９で発生した熱は外部へ速やかに逃げることがで
きず、半導体素子への悪影響を及ぼす。またリードフレ
ームと樹脂11との密着性が悪いためプリント基板への実
装時に加熱による内部応力によりパッケージクラックが
発生しやすく、また樹脂の硬化によるダイステージ部３
の変形も生じ易いという問題があった。
ダイステージ部３が樹脂11で密封されているため、半導
体素子９で発生した熱は外部へ速やかに逃げることがで
きず、半導体素子への悪影響を及ぼす。またリードフレ
ームと樹脂11との密着性が悪いためプリント基板への実
装時に加熱による内部応力によりパッケージクラックが
発生しやすく、また樹脂の硬化によるダイステージ部３
の変形も生じ易いという問題があった。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、放熱性の向上と、
リードと樹脂との密着強度の向上と、ダイステージ部の
変形の防止とを可能とした半導体装置を提供することを
目的とする。
リードと樹脂との密着強度の向上と、ダイステージ部の
変形の防止とを可能とした半導体装置を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置で
は、半導体素子を搭載するダイステージ部３と、半導体
素子の電極とワイヤにより接続する複数本のインナーリ
ード部４と、該インナーリード部４と一体に接続形成さ
れたアウターリード部５とを有し、該ダイステージ部３
に半導体素子９を搭載するとともに、その電極をワイヤ
10によりインナーリード部４に接続し、さらに前記半導
体素子９を搭載したダイステージ部３と、インナーリー
ド部４とを樹脂11にて包み込むようにモールドした半導
体装置において、上記インナーリード部４のうち少なく
とも２つをダイステージ部３に接続し一体に形成して窓
部12を形成し、樹脂封止時に該窓部12を完全に樹脂封止
してなることを特徴とする。
は、半導体素子を搭載するダイステージ部３と、半導体
素子の電極とワイヤにより接続する複数本のインナーリ
ード部４と、該インナーリード部４と一体に接続形成さ
れたアウターリード部５とを有し、該ダイステージ部３
に半導体素子９を搭載するとともに、その電極をワイヤ
10によりインナーリード部４に接続し、さらに前記半導
体素子９を搭載したダイステージ部３と、インナーリー
ド部４とを樹脂11にて包み込むようにモールドした半導
体装置において、上記インナーリード部４のうち少なく
とも２つをダイステージ部３に接続し一体に形成して窓
部12を形成し、樹脂封止時に該窓部12を完全に樹脂封止
してなることを特徴とする。
本発明の半導体装置のリードフレームは、ダイステー
ジ部３の中央部に対向するインナーリード部４をダイス
テージ部３に接続して一体に形成したことにより、半導
体素子９で発生した熱はダイステージ部３から該ダイス
テージ部に接続されたインナーリード部４を通りアウタ
ーリード部５から速やかに樹脂封止部の外部に放出され
る。またダイステージ部３とインナーリード部４を接続
した部分に窓部12を設けたことにより、この窓部12に樹
脂11が入り込みリードフレームと樹脂11との密着強度が
向上する。
ジ部３の中央部に対向するインナーリード部４をダイス
テージ部３に接続して一体に形成したことにより、半導
体素子９で発生した熱はダイステージ部３から該ダイス
テージ部に接続されたインナーリード部４を通りアウタ
ーリード部５から速やかに樹脂封止部の外部に放出され
る。またダイステージ部３とインナーリード部４を接続
した部分に窓部12を設けたことにより、この窓部12に樹
脂11が入り込みリードフレームと樹脂11との密着強度が
向上する。
第１図は本発明の実施例に用いるリードフレームを示
す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線
における断面図、（ｃ）はａ図のｃ−ｃ線における断面
図である。
す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線
における断面図、（ｃ）はａ図のｃ−ｃ線における断面
図である。
本実施例は、上下に１対のタイバー2,2′があり、該
タイバー2,2′にはタイバー6,6′でダイステージ部３が
支持され、また複数本のインナーリード部４及びアウタ
ーリード部５がそれぞれタイバー7,7′及び8,8′でタイ
バー2,2′に接続されていることは第４図に示した従来
例と同様であり、本実施例の要点は、ダイステージ部３
に対向するインナーリード部４のうちの少なくとも２つ
をダイステージ部３に接続して一体に形成し、その接続
部近傍にダイステージ部３とインナーリード部４により
窓部12を形成したものである。なおダイステージ部３は
（ｂ）図及び（ｃ）図に示すようにインナーリード部４
及びタイバー6,6′に対して段差がつくように形成され
ている。
タイバー2,2′にはタイバー6,6′でダイステージ部３が
支持され、また複数本のインナーリード部４及びアウタ
ーリード部５がそれぞれタイバー7,7′及び8,8′でタイ
バー2,2′に接続されていることは第４図に示した従来
例と同様であり、本実施例の要点は、ダイステージ部３
に対向するインナーリード部４のうちの少なくとも２つ
をダイステージ部３に接続して一体に形成し、その接続
部近傍にダイステージ部３とインナーリード部４により
窓部12を形成したものである。なおダイステージ部３は
（ｂ）図及び（ｃ）図に示すようにインナーリード部４
及びタイバー6,6′に対して段差がつくように形成され
ている。
第２図及び第３図は本発明の実施例の半導体装置を示
す図であり、第２図（ａ）はリードフレームを透視した
平面図、同図（ｂ）は同図ａのｂ−ｂ線における断面
図、同図（ｃ）は同図ａのｃ−ｃ線における断面図であ
り、第３図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は同図ａの一部
拡大図である。
す図であり、第２図（ａ）はリードフレームを透視した
平面図、同図（ｂ）は同図ａのｂ−ｂ線における断面
図、同図（ｃ）は同図ａのｃ−ｃ線における断面図であ
り、第３図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は同図ａの一部
拡大図である。
本実施例は第２図及び第３図に示すように、リードフ
レーム１のダイステージ部３に半導体素子９を搭載する
とともに、該半導体素子９の電極とインナーリード部４
との間をワイヤ10を用いて接続したのち、半導体素子９
を搭載したダイステージ部３とインナーリード部４とを
包み込むように樹脂11でモールドして封止し、その後リ
ードフレームの上下のタイバー2,2′とインナーリード
部４を接続しているタイバー7,7′及びアウターリード
部５を接続しているタイバー8,8′の各タイバーを切断
除去し、さらに樹脂11の外部に出ているアウターリード
部５を第３図に示すように折曲形成したものである。な
おダイステージ部３に接続されたインナーリード部４は
ダイステージ部３と同電位となるのでアース端子として
用いることができる。また第３図（ｂ）に示すように窓
部12に突出部13を設けてワイヤボンディング部とするこ
とができる。
レーム１のダイステージ部３に半導体素子９を搭載する
とともに、該半導体素子９の電極とインナーリード部４
との間をワイヤ10を用いて接続したのち、半導体素子９
を搭載したダイステージ部３とインナーリード部４とを
包み込むように樹脂11でモールドして封止し、その後リ
ードフレームの上下のタイバー2,2′とインナーリード
部４を接続しているタイバー7,7′及びアウターリード
部５を接続しているタイバー8,8′の各タイバーを切断
除去し、さらに樹脂11の外部に出ているアウターリード
部５を第３図に示すように折曲形成したものである。な
おダイステージ部３に接続されたインナーリード部４は
ダイステージ部３と同電位となるのでアース端子として
用いることができる。また第３図（ｂ）に示すように窓
部12に突出部13を設けてワイヤボンディング部とするこ
とができる。
このように構成された本実施例は、半導体素子９で発
生した熱はダイステージ部３から該ダイステージ部に接
続されたインナーリード部４を通りアウターリード部５
からパッケージ外部に放熱される。またダイステージ部
３に接続されたインナーリード部に設けられた窓部12
は、樹脂モールド時に該窓部に樹脂が入り込むためリー
ドフレームの表裏の樹脂がつながり、樹脂11とリードフ
レームとの密着力を向上させることができる。
生した熱はダイステージ部３から該ダイステージ部に接
続されたインナーリード部４を通りアウターリード部５
からパッケージ外部に放熱される。またダイステージ部
３に接続されたインナーリード部に設けられた窓部12
は、樹脂モールド時に該窓部に樹脂が入り込むためリー
ドフレームの表裏の樹脂がつながり、樹脂11とリードフ
レームとの密着力を向上させることができる。
以上説明した様に、本発明によれば、リードフレーム
のダイステージ部と一部のインナーリード部を接続し一
体とすることにより、ダイステージ部に搭載した半導体
素子の発熱をインナーリード部を通してパッケージ外部
に放熱することができ、発熱による半導体素子への悪影
響を防止することができる。
のダイステージ部と一部のインナーリード部を接続し一
体とすることにより、ダイステージ部に搭載した半導体
素子の発熱をインナーリード部を通してパッケージ外部
に放熱することができ、発熱による半導体素子への悪影
響を防止することができる。
またダイステージ部に接続したインナーリード部に窓
部を設け、リードフレームの表裏の樹脂が該窓部でつな
がるようにしたことにより、樹脂とリードフレームとの
密着力が向上する。これによりプリント板への実装時の
加熱により生ずるパッケージ内部の熱応力によるパッケ
ージクラック、及び樹脂硬化によるダイステージ部の変
形を防止することができる。
部を設け、リードフレームの表裏の樹脂が該窓部でつな
がるようにしたことにより、樹脂とリードフレームとの
密着力が向上する。これによりプリント板への実装時の
加熱により生ずるパッケージ内部の熱応力によるパッケ
ージクラック、及び樹脂硬化によるダイステージ部の変
形を防止することができる。
第１図は本発明の実施例に用いるリードフレームを示す
図、 第２図は本発明の実施例を示す平面図及び断面図、 第３図は本発明の実施例を示す斜視図、 第４図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す図である。 図において、 １はリードフレーム、 2,2′,6,6′,7,7′,8,8′はタイバー、 ３はダイステージ部、 ４はインナーリード部、 ５はアウターリード部、 ９は半導体素子、 10はワイヤ、 11は樹脂、 12は窓部 を示す。
図、 第２図は本発明の実施例を示す平面図及び断面図、 第３図は本発明の実施例を示す斜視図、 第４図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す図である。 図において、 １はリードフレーム、 2,2′,6,6′,7,7′,8,8′はタイバー、 ３はダイステージ部、 ４はインナーリード部、 ５はアウターリード部、 ９は半導体素子、 10はワイヤ、 11は樹脂、 12は窓部 を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を搭載するダイステージ部
（３）と、半導体素子の電極とワイヤにより接続する複
数本のインナーリード部（４）と、該インナーリード部
（４）と一体に接続形成されたアウターリード部（５）
とを有し、該ダイステージ部（３）に半導体素子（９）
を搭載するとともに、その電極をワイヤ（10）によりイ
ンナーリード部（４）に接続し、さらに前記半導体素子
（９）を搭載したダイステージ部（３）と、インナーリ
ード部（４）とを樹脂（11）にて包み込むようにモール
ドした半導体装置において、 上記インナーリード部（４）のうち少なくとも２つをダ
イステージ部（３）に接続し一体に形成して窓部（12）
を形成し、樹脂封止時に該窓部（12）を完全に樹脂封止
してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184741A JP2679848B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184741A JP2679848B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350855A JPH0350855A (ja) | 1991-03-05 |
| JP2679848B2 true JP2679848B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=16158544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1184741A Expired - Lifetime JP2679848B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2679848B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2563171Y2 (ja) * | 1992-06-26 | 1998-02-18 | シャープ株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH06177303A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-06-24 | Texas Instr Inc <Ti> | 集積回路用のリード・フレーム及びその熱放散の最適化方法 |
| JP4493170B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2010-06-30 | 株式会社日新化成 | プラスチックパッケージの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61125058A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1184741A patent/JP2679848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350855A (ja) | 1991-03-05 |
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