JPS6068640A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6068640A
JPS6068640A JP59176659A JP17665984A JPS6068640A JP S6068640 A JPS6068640 A JP S6068640A JP 59176659 A JP59176659 A JP 59176659A JP 17665984 A JP17665984 A JP 17665984A JP S6068640 A JPS6068640 A JP S6068640A
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JP
Japan
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semiconductor device
mounting
lead
mold
printed circuit
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Pending
Application number
JP59176659A
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English (en)
Inventor
Hajime Murakami
元 村上
Keizo Otsuki
大槻 桂三
Hidetoshi Mochizuki
秀俊 望月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6068640A publication Critical patent/JPS6068640A/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • H01L23/49551Cross section geometry characterised by bent parts
    • H01L23/49555Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は配線基板への取り付は面積を小さくした半導体
装置に関する。 一般にシ゛半導体装置をプリント基板のような配以下余
白 線基板に取り付ける実装方法の1つとしては、第1図に
示すようK、半導体装置1の外囲器2の側面から延びる
屈曲した複数のり一ド3を外囲器の下面と平向となる方
向に延在させ、各リード3をプリント基板4の配線層5
における端子(ランド)6に重ね合せ、その後あらかじ
めランド6やリード表面に付着させておいたろう材とし
ての半8]を一時的に溶融させてランド6とリード3と
を半田7で接合する方法が採用されている。 しかし、この実装方法では、外囲器の側面から長く延び
るリード部分を介してプリント基板に半導体装置を取り
付けるため、同図で示すように、取付幅Bが大きく、実
装面積が広くなる欠点がある。 例えば、取付幅の大きくなる半導体装置は、特開昭53
−81076号に開示されている。 他方、本出願人は第2図で示すように、レジンからなる
外囲器(モールド部)8の中央上部が高く、その周辺部
が一段低い構造のレジンモールド型の半導体装置9を提
案している。これは、モールド部に気泡が発生したり、
外観不良となることを防止するために考えられた形状で
ある。′すなわち、従来のレジンモールド型半導体装置
にあっては回路素子を形作るベレット(半導体素子)や
リードの内端部を被うレジンからなるモールド部は上面
および下ωiがそれぞれ平坦となるほば直方体の形状と
なっている。また、製品によっては、側部局面が上下か
ら斜めに突出し合い中央で突き合せ状態となっCいる。 しかし、このような形状では、特にモールド部の薄型化
を図れば図る÷゛、!、と、レジンモールド時にベレッ
トの上面のモールド空間が周囲に較べて薄くなり、この
空間内を流れるレジンの流れがベレットの側面部に沿っ
て流れるレジンの流れに較べてその流速が遅くなるため
、ベレット上面を流れるレジンが完全にベレット上を流
れ終わらないうちに、リード上下面(ベレット側面部)
をblすれるレジンおよびベレット下方を流れるレジン
が早く流れてベレy)を取り囲む状態となる。この結果
、ベレット上面の空気が抜けずに気泡となり、モ・−ル
ド内部に残留して耐湿性の低下を来たしたり、モールド
表面に残留して窪みとなり外観不良となる。そこで、本
出願人は、モールド型におけるモールド空間において、
ベンツ)30の上面を流れるレジンの流速およびベレッ
トの周囲を回り込むようにして流れるレジンの流速をほ
ぼ近似させ、ベレット上面の究り(が確実に抜けるよう
に、ベレット周囲のリード11の上下にあっては、モー
ルド空間の)1≠さくトマ、さ)を薄くしてレジンの流
れ抵抗を増大させることを考えた。そして、この結果の
一つとして、同図で示すようなモールド部8の上面が二
段形状をした半導体装置の出現となった。この段差はほ
ぼ0.5B前後であり、モールド部の全体のJ9さはほ
ぼ1.5鰐前後となる。また、リードの厚さは0.1.
5F4と極めて薄い。 そこで、本発明者は外囲器から延びるリードを外囲器の
付は根部分で折り返し、リードの先端部を外囲器の周辺
部に沿って延在させることによって取付高さを増大させ
ることなく、かつ実装面積を小さくすることができると
とに気が付き本発明を成した。 したがって、本発明の目的は配線基板への半導体装置の
実装方法において実装面積、実装高さを小さくできる実
装方法を提供することにある。 このような目的を達成するために本発明は、中央部に半
導体素子をレジン封止した外囲器と外囲器の側面から延
びる複数のリードとを有する半導体装置において、複数
のリードは外囲器のイ1け根近傍で折り返し、半導体素
子周辺部の外囲器の表面に沿って延在していることを特
徴とする半導体装置であって以下実施例により本発明を
具体的に説明する。 第3図は本発明の半導体装置を実装した状態を示す。こ
のような 以下余白 状態に実装するためには、まず第2図で示すと同様な形
状の半導体装置12を用意する。すなわち、モールド部
13のペレット(半導体素子)の上部が周辺部14より
もほぼ0.5鰐前後高い高台部分15となるレジンモー
ルド型の半導体装ffft12ヲ製造するとともに、モ
ールド部13の(II、11面から延びるリード17を
モールド部13の付は根部分で上方に折り返し、リード
先端部をモールド部j3の低い周辺部14上に延在させ
ておく。この折返リード部18の上面はモールド部13
の、に面(高台部分の上面)と同一となっている。叶だ
、プリント基板19にあっては、表面の配線層20の端
子(ランド)21は前記半導体装置】2の折返リード部
J8と対応するように配設されている。また、モールド
部13の側面から突出するり一ド17の表面や、プリン
ト基板19σ)表面に設kl゛た配線層20の表面には
あらかじめ半田4ヒ、ディップしておく。そして、半導
体装置J2の実装置)聾に
【i。 リード17の折返リード部j8をプリント基板19のラ
ンド21に重ね、この状態で全体加熱あるいは部分加熱
によって配線層20およびリード17に付着している半
田を一時的に溶かし、半田22によって配線層20のラ
ンド21とこれに重なる折返リード部18とを接続し、
実装を完了する。 このような実施例によれば、モールド部の両側から延び
る複数のリードはモールド部の付は根部分から段付部側
に折り返され、その折返リード部でプリント基板の配線
層に接続されるため、取付幅(L)が従来に較べて数鵡
狭くなる。この際、モールド部の高台部分の上面をプリ
ント基板面に接触させるよ5にすれば、従来と同様な取
付高さを維持できる。 なお、第3図に示すように、プリント基板190半導体
装置取付面にモールド部13の高台部分15が入る窪み
23を設け、実装時にはこの窪み23内にモールド部1
3の高台部分15を一部挿入させるようにすることによ
って、実装高さく1】)を従来のようなモールド部13
の厚さく高さ)(H)に較べて低く1−ることかできる
。この際、窪み23を設けたプリント基板の窪み領域の
表面や内部には従来と同様に配線層24を設け、プリン
ト基板における配線層密度の低下を来たさないようにし
、窪みを設けろことによってプリント基板が大型化する
のを防止する。 また、半導体装置としては、レジンモールド型に限らず
、ガラスセラミックパッケージ型等であってもよい。ま
た、配線基板としては、プリント基板に限定されるもの
ではなく、セラミ’7り基板等信の配線基板であっても
よし・。 以上のように、本発明の半導体装置を用いた実装方法に
よれば、実装高さを増加させることなく実装面積の縮小
化を図ることができるので、この方法によれば、半導体
装置を組み込む各種装置。 機器の小型化を図ることができる。 また、プリント基板に高台部分嵌合用の窪みを設けるこ
とによって、実装高さを低くでき、この方法の採用によ
る各種装置1機器の薄型化も図れる等多くの効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の実装方法を示す一部断面図
、第2図は本出願人提案によるレジンモールド型半導体
装置の外観図、第3図は本発明の半導体装置を用いた実
装方法の一実施例による一部断面図、第4図は本発明の
半導体装置を用いた他の実施例による一部断面図である
。 1・・・半導体装置、2・・・外囲器、3 リード、4
・・・プリント基板、5・・配線層、6・・端子(ラン
ド)、7・・・半田、8・・・モールド部、9・・半導
体装置、10・、パベレノト、11・・リード、12・
・・半導体装置、13・・・モールド部、14・・周辺
部、15・・・高台部分、17・・・リード、18・折
返り−F部、19・−プリント基板、20・・配線層、
21・一端子(ランド)、22・・・半田、23・・・
窪み、24・・配線層。 第 1 図 ?

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、中央部に半導体素子なレジン封屯した外囲器と外囲
    器の側面から延びる複数のリードとを有する半導体装置
    において、前記複数のリードは外囲器の付は根近傍で折
    り返し、半導体素子周辺部の外囲器の表面に沿って延在
    していることを特徴とする半導体装置。
JP59176659A 1984-08-27 1984-08-27 半導体装置 Pending JPS6068640A (ja)

Priority Applications (1)

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JP59176659A JPS6068640A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP59176659A JPS6068640A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 半導体装置

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9360678A Division JPS5521127A (en) 1978-08-02 1978-08-02 Method of mounting semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6068640A true JPS6068640A (ja) 1985-04-19

Family

ID=16017448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59176659A Pending JPS6068640A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 半導体装置

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JP (1) JPS6068640A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036052A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Fujitsu Ltd 半導体パッケージ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036052A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Fujitsu Ltd 半導体パッケージ

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