JPS6139558A - 半導体回路基板 - Google Patents
半導体回路基板Info
- Publication number
- JPS6139558A JPS6139558A JP15878584A JP15878584A JPS6139558A JP S6139558 A JPS6139558 A JP S6139558A JP 15878584 A JP15878584 A JP 15878584A JP 15878584 A JP15878584 A JP 15878584A JP S6139558 A JPS6139558 A JP S6139558A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrates
- frame
- main frame
- board
- semiconductor circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はきわめて良好にボンディングでき、作業能率の
向上がはかられる半導体回路基板に関する。
向上がはかられる半導体回路基板に関する。
［発明の技術的背景とその問題点コ
従来、ＩＣやトランジスタや抵抗などの素子が配設され
てなる半導体回路基板５例えばデジタル時計の組立てに
用いられる基板はリードフレーム形の基板（ニジて、そ
の１例を第３図（：示す。すなわちこの基板のメインフ
レーム（１１）は２本の平行する長尺の４反状のものに
して、その間に基板住２が連結片（１３１によってそれ
ぞれメインフレームαηに連結され、前記メインフレー
ム圓には、フレーム送り孔（１４１と基板位置決め孔（
１９とが交互に開けられている。所定の回路を構成する
素子、例えばＩＣ（１１〔図には１つだけ示す〕が配設
された基板は組立て時には、フレーム送り孔（１４）に
よって１ピッチ送られ、基板位置決め孔ａ９によってそ
の位置を所定の位置に決定したのち、ボンディングを行
う。所定のボンディングが終ると、フレーム送り孔（１
りによってさらにｌピッチ送って１次の基板をボンディ
ングする友め前記と同じよう（−位置決め後ボンディン
グを行う。このような手順を順次はどこして回路基板の
組立てを行りものである。
てなる半導体回路基板５例えばデジタル時計の組立てに
用いられる基板はリードフレーム形の基板（ニジて、そ
の１例を第３図（：示す。すなわちこの基板のメインフ
レーム（１１）は２本の平行する長尺の４反状のものに
して、その間に基板住２が連結片（１３１によってそれ
ぞれメインフレームαηに連結され、前記メインフレー
ム圓には、フレーム送り孔（１４１と基板位置決め孔（
１９とが交互に開けられている。所定の回路を構成する
素子、例えばＩＣ（１１〔図には１つだけ示す〕が配設
された基板は組立て時には、フレーム送り孔（１４）に
よって１ピッチ送られ、基板位置決め孔ａ９によってそ
の位置を所定の位置に決定したのち、ボンディングを行
う。所定のボンディングが終ると、フレーム送り孔（１
りによってさらにｌピッチ送って１次の基板をボンディ
ングする友め前記と同じよう（−位置決め後ボンディン
グを行う。このような手順を順次はどこして回路基板の
組立てを行りものである。
しかしながらこのような手順で組立てな行うときには、
次のような欠点がある。すなわち■超音波エネルギをか
けてボンディングするときに、前記のように連結片で連
結されている基板においては、連結片で連結されていな
い基板の端縁から超音波エネルギが逃げることになって
、能率が悪く、■フレーム送り、基板位置決めとボンデ
ィングとがそれぞれ交互Ｉ：行われるために、ボンディ
ングマシンのＩＩ＆動ｙ４が低く、また、■基板の固定
が十分でなく変形が起こったりして特性や歩留の低下を
来たすなど不具合があった。
次のような欠点がある。すなわち■超音波エネルギをか
けてボンディングするときに、前記のように連結片で連
結されている基板においては、連結片で連結されていな
い基板の端縁から超音波エネルギが逃げることになって
、能率が悪く、■フレーム送り、基板位置決めとボンデ
ィングとがそれぞれ交互Ｉ：行われるために、ボンディ
ングマシンのＩＩ＆動ｙ４が低く、また、■基板の固定
が十分でなく変形が起こったりして特性や歩留の低下を
来たすなど不具合があった。
［発明の目的コ
本発明はこれらの欠点を除くため（：なされたものであ
って、稼動率を上げてボンディング性な高め、良好な特
性を具備できるようにした半導体回路基板の提供を目的
とするものである。
って、稼動率を上げてボンディング性な高め、良好な特
性を具備できるようにした半導体回路基板の提供を目的
とするものである。
［発すｊの概要コ
本発明は、前記の目的を達成するために、メインフレー
ムの形状を方形枠状にし、このメインフレーム内２二配
値される複数個の方形の基板はそれぞれ前記メインフレ
ームならびにとなり合う基板を連結片によって連結させ
て四方より固定した回路基板としたものである。
ムの形状を方形枠状にし、このメインフレーム内２二配
値される複数個の方形の基板はそれぞれ前記メインフレ
ームならびにとなり合う基板を連結片によって連結させ
て四方より固定した回路基板としたものである。
［発明の実施例コ
以下本発明の実施例について図面な参照して説明する。
第１図に本発明の回路基板の平面図を示す。方形枠状の
メインフレーム（１）内に複数個の、この場合は３個の
基板（２）が配置され、各基板はメインフレーム（１）
ならびにとなりの基板（２）と連結ｋ（３）によって連
結し固定されている。前記メインフレーム（１）の基板
が移送される方向Ｃ：当る長手方向の一辺（ＩＡ）には
フレーム送り孔（４）が穿設され、この一辺（１人）に
対向するメインフレームの一辺（ＩＢ）には基板位置決
め孔（５）が穿設されている。また、基板（２）上に配
設される回路構成用のＩＣなどの素子（６）は樹脂封止
されるが、この樹脂制止用のガイドな固定する孔（７）
が少なくとも２個基板の所定の位置にあけられている。
メインフレーム（１）内に複数個の、この場合は３個の
基板（２）が配置され、各基板はメインフレーム（１）
ならびにとなりの基板（２）と連結ｋ（３）によって連
結し固定されている。前記メインフレーム（１）の基板
が移送される方向Ｃ：当る長手方向の一辺（ＩＡ）には
フレーム送り孔（４）が穿設され、この一辺（１人）に
対向するメインフレームの一辺（ＩＢ）には基板位置決
め孔（５）が穿設されている。また、基板（２）上に配
設される回路構成用のＩＣなどの素子（６）は樹脂封止
されるが、この樹脂制止用のガイドな固定する孔（７）
が少なくとも２個基板の所定の位置にあけられている。
さらに、基板の一辺（８）には、基板（２）に取りつけ
られた基板外部品と回路を構成する端子（図示せず）が
位置ずれを起こさないように切込み（９）が形成されて
いる。
られた基板外部品と回路を構成する端子（図示せず）が
位置ずれを起こさないように切込み（９）が形成されて
いる。
このように構成された回路基板を用いれば、基板の位置
ぎめの能率がよく１、ボンディングも効率よく行うこと
が出来て、半導体基板としての特性ならびに製造歩留の
向上：二寄与する仁とが出来るものである。
ぎめの能率がよく１、ボンディングも効率よく行うこと
が出来て、半導体基板としての特性ならびに製造歩留の
向上：二寄与する仁とが出来るものである。
また、それぞれ所定の半導体基板とするとき（：は、第
１図Ｃ：図示した点線の部分にて切断するものであるが
、この部分を第２図に示すようにノツチ構造Ｑ［Ｉｌ＋
ニすれば、基板をそれぞれ切りはなすときに一層容易に
行うことが出来る。
１図Ｃ：図示した点線の部分にて切断するものであるが
、この部分を第２図に示すようにノツチ構造Ｑ［Ｉｌ＋
ニすれば、基板をそれぞれ切りはなすときに一層容易に
行うことが出来る。
［発明の効果コ
ボンディング作業を行うときには、従来は基板１枚毎に
位置決めしてボンディングを行い、次いで、移送したの
ち又次の基板の位置決めをしてボンディングを行うとい
う方式であったのに対し、本発明では複数個の基板が配
設されているメインフレームが従来の１枚の基板とみな
すことができ、従ってフレーム送り、基板の位置決めに
要する時間が大幅に短縮され、かつ適確に位置決めがで
きて、極めて能率的に作業を行うことができる。また工
数の削減がはかられることになり、ボンデイングツシン
の稼動率の格段の向上が得、られるものである。さら：
二方形の基板の４辺が連結片（；よって連結されている
ので、ボンディング時には、従来は超音波が有効（−か
からなかったり、加熱において基板の変形が起こったり
してぜ・ボンディング性の低下を来たしていたが、本発
明のものでは、超音波エネルギの逃げがきわめて少なく
、ボンディング時に不可避な加熱（：よる基板の賛形も
きわめて小さく抑えることができるようになって、常（
：安定したボンディングを行うことが出来、品質特性と
作条歩留の向上がはかられるようになった。
位置決めしてボンディングを行い、次いで、移送したの
ち又次の基板の位置決めをしてボンディングを行うとい
う方式であったのに対し、本発明では複数個の基板が配
設されているメインフレームが従来の１枚の基板とみな
すことができ、従ってフレーム送り、基板の位置決めに
要する時間が大幅に短縮され、かつ適確に位置決めがで
きて、極めて能率的に作業を行うことができる。また工
数の削減がはかられることになり、ボンデイングツシン
の稼動率の格段の向上が得、られるものである。さら：
二方形の基板の４辺が連結片（；よって連結されている
ので、ボンディング時には、従来は超音波が有効（−か
からなかったり、加熱において基板の変形が起こったり
してぜ・ボンディング性の低下を来たしていたが、本発
明のものでは、超音波エネルギの逃げがきわめて少なく
、ボンディング時に不可避な加熱（：よる基板の賛形も
きわめて小さく抑えることができるようになって、常（
：安定したボンディングを行うことが出来、品質特性と
作条歩留の向上がはかられるようになった。
なお本発明は前記実施例に限定されるものではなく、た
とえばフレキシブルな基板や両面基板などにおいても応
用できることはいうまでもない。
とえばフレキシブルな基板や両面基板などにおいても応
用できることはいうまでもない。
第１図は本発明の回路基板の平面図、１ｇ２図は第１図
のＣにて示す連結片部分の断面図にして、第３囚は従来
の回路基板の平面図である。
のＣにて示す連結片部分の断面図にして、第３囚は従来
の回路基板の平面図である。
Claims (3)
- （１）方形枠状のメインフレームと、このフレーム内に
一列に配置される複数個の方形の基板と、これらの基板
を所定通り固定するように前記フレームと基板間ならび
に相隣接する基板間に取着される連結片とから成り、前
記フレームの長手方向の一辺にフレームを移送するため
の透孔と、前記一辺に対向するフレームの一辺に基板の
位置をきめるための透孔とが設けられたことを特徴とす
る半導体回路基板。 - （２）基板の任意の一辺に基板外部品と回路を形成する
端子のずれ防止用の切込みが設けられたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体回路基板。 - （３）基板に少なくとも２個の樹脂封止用のガイドを固
定するための透孔が設けられたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項記載の半導体回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15878584A JPS6139558A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15878584A JPS6139558A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139558A true JPS6139558A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15679280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15878584A Pending JPS6139558A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369440B1 (en) * | 1998-03-12 | 2002-04-09 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Semiconductor substrate and manufacturing method thereof |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144670A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5429973A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Hitachi Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPS5434761A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-14 | Hitachi Ltd | Lead frame and its manufacture |
| JPS5516476A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Fujitsu Ltd | Method of mounting semiconductor device |
| JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
| JPS55146951A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Hitachi Ltd | Lead frame |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15878584A patent/JPS6139558A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144670A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5429973A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Hitachi Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPS5434761A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-14 | Hitachi Ltd | Lead frame and its manufacture |
| JPS5516476A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Fujitsu Ltd | Method of mounting semiconductor device |
| JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
| JPS55146951A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-15 | Hitachi Ltd | Lead frame |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369440B1 (en) * | 1998-03-12 | 2002-04-09 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Semiconductor substrate and manufacturing method thereof |
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